本实用新型涉及一种驱动电路，特别涉及一种LED手术灯驱动电路。
背景技术：
LED驱动电路的输出电流受系统输入电源电压影响较大，而且缺少输出过压保护功能使得电路存在输出电容过压损坏的风险。
不同系统输入电源电压，最终导致不同的输出电流Iout。传统的LED手术灯驱动电路输出电流随系统输入电源会变化10％～20％左右。另一方面，由于缺少相应保护电路，系统容易发生输出LED负载开路造成损坏的问题，影响系统可靠性。
技术实现要素：
本实用新型的提供的一种LED手术灯驱动电路，以克服上述现有技术的缺陷。
本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，包括：整流桥、LED手术灯LED、三极管Qdrv、第一电阻R1、第二电容C2、第三电阻Rup、第一比较器Cmp1、第四电阻Rdn、第二比较器Cmp2、或门OR、开关Mdn和第二电阻Rcs；LED手术灯LED的正极与整流桥的一个输出端连接，负极与三级管Qdrv的集电极连接；第一电阻R1的一端与三极管Qdrv的基极连接，另一端与第二电容C2连接；第三电阻Rup的一端与第二电容的另一端连接，另一端与第一比较器Cmp1的正输入端；第一比较器Cmp1的负输入端接第一基准电压Vref1；第一比较器Cmp1的输出端接或门OR的一个输入端；开关Mdn的漏极与三极管Qdrv的基极连接，栅极与或门OR的输出端连接，漏极与第四电阻Rdn的一端连接；第四电阻Rdn的另一端与第二比较器Cmp2的正输入端连接；第二比较器Cmp2的负输入端接第二基准电压Vref2；第二比较器Cmp2的输出端与或门的另一个输入端连接；第二电阻Rcs的一端与三极管Qdrv的发射极连接，另一端与开关Mdn的源极连接。
进一步，本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，还可以具有这样的特征：整流桥由四个二极管组成；流桥的输入端接入交流电AC；整流桥的一个输出端接地。
进一步，本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，还可以具有这样的特征：还包括第一电容C1，并联在LED手术灯LED上。
进一步，本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，还可以具有这样的特征：LED手术灯LED由任意个LED灯串联而成。
进一步，本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，还可以具有这样的特征：开关Mdn的源极还接地。
进一步，本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，还可以具有这样的特征：开关Mdn可采用PMOS管或NMOS管或PNP管或NPN管。
进一步，本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，还可以具有这样的特征：三极管Qdrv采用MOS管。
实用新型的有益效果
本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路，当系统输入电源变化时，电流峰值保持不变，从而使得输出电流保持不变；检查输出电压过高则通过开关关断三极管，从而实现输出过压保护，并通过输出过压保护防止LED负载开路等原因造成损坏，提高系统的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的LED手术灯驱动电路图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的描述。
图1为本实用新型的LED手术灯驱动电路图。
如图1所示，LED手术灯驱动电路包括：整流桥、LED手术灯LED、第一电容C1、三极管Qdrv、第一电阻R1、第二电容C2、第三电阻Rup、第一比较器Cmp1、第四电阻Rdn、第二比较器Cmp2、或门OR、开关Mdn和第二电阻Rcs。
整流桥由四个二极管D1、D2、D3和D4组成。整流桥的输入端接入交流电AC。整流桥的一个输出端接地。
LED手术灯LED的正极与整流桥的另一个输出端连接，负极与三级管Qdrv的集电极连接。第一电容C1并联在LED手术灯LED上。LED手术灯LED可以是一个LED灯构成，也可以是若干个LED灯串联而成。
第一电阻R1的一端与三极管Qdrv的基极连接，另一端与第二电容C2连接。第三电阻Rup的一端与第二电容的另一端连接，另一端与第一比较器Cmp1的正输入端。第一比较器Cmp1的负输入端接第一基准电压Vref1。第一比较器Cmp1的输出端接或门OR的一个输入端。
开关Mdn的漏极与三极管Qdrv的基极连接，栅极与或门OR的输出端连接，漏极与第四电阻Rdn的一端连接。开关Mdn的源极还接地。开关Mdn可采用PMOS管或NMOS管或PNP管或NPN管。第四电阻Rdn的另一端与第二比较器Cmp2的正输入端连接。第二比较器Cmp2的负输入端接第二基准电压Vref2。第二比较器Cmp2的输出端与或门的另一个输入端连接。
第二电阻Rcs的一端与三极管Qdrv的发射极连接，另一端与开关Mdn的源极连接。三极管Qdrv可采用MOS管。
LED手术灯驱动电路的具体工作原理为：
三极管Qdrv导通后，电阻Rcs检测电流的大小，当电流增大到峰值限流电路设定的峰值电流时，运放Cp1输出高电平，经过或门OR使Mdn导通来关断三极管Qdrv。
当三极管Qdrv关断时，Vfb电压和基准电压Vref2比较，输出电压Vout过高导致，该电压大于基准电压Vrfb，比较器Cp2输出高电平，经或门OR1使Mdn导通来关断三极管Qdrv，从而使系统停止工作，实现保护功能。
尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。任何不超出本实用新型实质精神范围的实用新型创造，包括但不限于电阻实现方式如Rcs采用普通电阻或MOS电阻等的改变、对元器件的类型或型号的替换如将Mdn替换成三极管等、电路局部构造的变更如增加线电压补偿电路等，以及其他非实质性的替换、变形或修改，均落入本实用新型保护范围之内。