LED手术灯驱动电路的制作方法

文档序号:13940742

本实用新型涉及一种驱动电路,特别涉及一种LED手术灯驱动电路。



背景技术:

LED驱动电路的输出电流受系统输入电源电压影响较大,而且缺少输出过压保护功能使得电路存在输出电容过压损坏的风险。

不同系统输入电源电压,最终导致不同的输出电流Iout。传统的LED手术灯驱动电路输出电流随系统输入电源会变化10%~20%左右。另一方面,由于缺少相应保护电路,系统容易发生输出LED负载开路造成损坏的问题,影响系统可靠性。



技术实现要素:

本实用新型的提供的一种LED手术灯驱动电路,以克服上述现有技术的缺陷。

本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,包括:整流桥、LED手术灯LED、三极管Qdrv、第一电阻R1、第二电容C2、第三电阻Rup、第一比较器Cmp1、第四电阻Rdn、第二比较器Cmp2、或门OR、开关Mdn和第二电阻Rcs;LED手术灯LED的正极与整流桥的一个输出端连接,负极与三级管Qdrv的集电极连接;第一电阻R1的一端与三极管Qdrv的基极连接,另一端与第二电容C2连接;第三电阻Rup的一端与第二电容的另一端连接,另一端与第一比较器Cmp1的正输入端;第一比较器Cmp1的负输入端接第一基准电压Vref1;第一比较器Cmp1的输出端接或门OR的一个输入端;开关Mdn的漏极与三极管Qdrv的基极连接,栅极与或门OR的输出端连接,漏极与第四电阻Rdn的一端连接;第四电阻Rdn的另一端与第二比较器Cmp2的正输入端连接;第二比较器Cmp2的负输入端接第二基准电压Vref2;第二比较器Cmp2的输出端与或门的另一个输入端连接;第二电阻Rcs的一端与三极管Qdrv的发射极连接,另一端与开关Mdn的源极连接。

进一步,本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,还可以具有这样的特征:整流桥由四个二极管组成;流桥的输入端接入交流电AC;整流桥的一个输出端接地。

进一步,本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,还可以具有这样的特征:还包括第一电容C1,并联在LED手术灯LED上。

进一步,本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,还可以具有这样的特征:LED手术灯LED由任意个LED灯串联而成。

进一步,本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,还可以具有这样的特征:开关Mdn的源极还接地。

进一步,本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,还可以具有这样的特征:开关Mdn可采用PMOS管或NMOS管或PNP管或NPN管。

进一步,本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,还可以具有这样的特征:三极管Qdrv采用MOS管。

实用新型的有益效果

本实用新型提供一种LED手术灯驱动电路,当系统输入电源变化时,电流峰值保持不变,从而使得输出电流保持不变;检查输出电压过高则通过开关关断三极管,从而实现输出过压保护,并通过输出过压保护防止LED负载开路等原因造成损坏,提高系统的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型的LED手术灯驱动电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的描述。

图1为本实用新型的LED手术灯驱动电路图。

如图1所示,LED手术灯驱动电路包括:整流桥、LED手术灯LED、第一电容C1、三极管Qdrv、第一电阻R1、第二电容C2、第三电阻Rup、第一比较器Cmp1、第四电阻Rdn、第二比较器Cmp2、或门OR、开关Mdn和第二电阻Rcs。

整流桥由四个二极管D1、D2、D3和D4组成。整流桥的输入端接入交流电AC。整流桥的一个输出端接地。

LED手术灯LED的正极与整流桥的另一个输出端连接,负极与三级管Qdrv的集电极连接。第一电容C1并联在LED手术灯LED上。LED手术灯LED可以是一个LED灯构成,也可以是若干个LED灯串联而成。

第一电阻R1的一端与三极管Qdrv的基极连接,另一端与第二电容C2连接。第三电阻Rup的一端与第二电容的另一端连接,另一端与第一比较器Cmp1的正输入端。第一比较器Cmp1的负输入端接第一基准电压Vref1。第一比较器Cmp1的输出端接或门OR的一个输入端。

开关Mdn的漏极与三极管Qdrv的基极连接,栅极与或门OR的输出端连接,漏极与第四电阻Rdn的一端连接。开关Mdn的源极还接地。开关Mdn可采用PMOS管或NMOS管或PNP管或NPN管。第四电阻Rdn的另一端与第二比较器Cmp2的正输入端连接。第二比较器Cmp2的负输入端接第二基准电压Vref2。第二比较器Cmp2的输出端与或门的另一个输入端连接。

第二电阻Rcs的一端与三极管Qdrv的发射极连接,另一端与开关Mdn的源极连接。三极管Qdrv可采用MOS管。

LED手术灯驱动电路的具体工作原理为:

三极管Qdrv导通后,电阻Rcs检测电流的大小,当电流增大到峰值限流电路设定的峰值电流时,运放Cp1输出高电平,经过或门OR使Mdn导通来关断三极管Qdrv。

当三极管Qdrv关断时,Vfb电压和基准电压Vref2比较,输出电压Vout过高导致,该电压大于基准电压Vrfb,比较器Cp2输出高电平,经或门OR1使Mdn导通来关断三极管Qdrv,从而使系统停止工作,实现保护功能。

尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。任何不超出本实用新型实质精神范围的实用新型创造,包括但不限于电阻实现方式如Rcs采用普通电阻或MOS电阻等的改变、对元器件的类型或型号的替换如将Mdn替换成三极管等、电路局部构造的变更如增加线电压补偿电路等,以及其他非实质性的替换、变形或修改,均落入本实用新型保护范围之内。

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