一种宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路的制作方法

文档序号:14478137阅读:来源:国知局
一种宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路的制作方法

技术特征:

1.一种宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路,其特征在于:其包括偏置恒定电流源、差分输入级,以及输出电流镜,

所述偏置恒定电流源包括第一PMOS管M4a、与第一PMOS管M4a匹配的第二PMOS管M5a、第三PMOS管M5b和与第三PMOS管M5b匹配的第四PMOS管M4b,所述第一PMOS管M4a、第二PMOS管M5a、第三PMOS管M5b和第四PMOS管M4b的源极接电源VDD,所述第一PMOS管M4a的栅极与第二PMOS管M5a的栅极相连并共同连接到第一电流源I2a的输出端,所述第三PMOS管M5b的栅极与第四PMOS管M4b的栅极相连并共同连接到第二电流源I2b的输出端,所述第一PMOS管M4a与第四PMOS管M4b镜像对称,所述第二PMOS管M5a与第三PMOS管M5b镜像对称;

所述差分输入级包括第五PMOS管M1a、与第五PMOS管M1a匹配的第六PMOS管M6a、第七PMOS管M6b和与第七PMOS管M6b匹配的第八PMOS管M1b,所述第五PMOS管M1a的源极连接到第一PMOS管M4a的漏极,漏极连接到第三电流源I1a的输出端,所述第六PMOS管M6a的源极连接到第二PMOS管M5a的漏极,漏极连接到第一电流源I2a的输出端,所述第七PMOS管M6b的源极连接到第三PMOS管M5b的漏极,漏极连接到第二电流源I2b的输出端,所述第八PMOS管M1b的源极连接到第四PMOS管M4b的漏极,漏极连接到第四电流源I1b的输出端,所述第五PMOS管M1a和第六PMOS管M6a的栅极共同连接到第一输入端,所述第七PMOS管M6b和第八PMOS管M1b的栅极共同连接到第二输入端,所述第五PMOS管M1a与第八PMOS管M1b镜像对称,所述第六PMOS管M6a与第七PMOS管M6b镜像对称;

所述第五PMOS管M1a与第一PMOS管M4a的连接的路径和第八PMOS管M1b与第四PMOS管M4b的连接的路径之间设有电阻2R1;

所述输出电流镜包括镜像对称的第一电流镜和第二电流镜,所述第一电流镜包括第一NMOS管M3a和第二NMOS管M2a,所述第二电流镜包括第三NMOS管M2b和第四NMOS管M3b,所述第一NMOS管M3a的漏极连接到第一输出端Iout+,源极接地,所述第二NMOS管M2a的漏极连接到第五PMOS管M1a与第一PMOS管M4a的连接的路径上,源极接地,所述第三NMOS管M2b的漏极连接到第八PMOS管M1b与第四PMOS管M4b的连接的路径上,源极接地,所述第四NMOS管M3b的漏极连接到第二输出端Iout-,源极接地。

2.根据权利要求1所述的宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路,其特征在于:所述第一PMOS管M4a与第二PMOS管M5a的尺寸比例等于第三电流源I1a的偏置电流和输出偏置电流之和与第一电流源I2a的偏置电流的比值;

所述第四PMOS管M4b与第三PMOS管M5b的尺寸比例等于第四电流源I1b的偏置电流和输出偏置电流之和与第二电流源I2b的偏置电流的比值。

3.根据权利要求1所述的宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路,其特征在于:所述第五PMOS管M1a与第六PMOS管M6a的尺寸比例等于第三电流源I1a与第一电流源I2a的偏置电流的比值;

所述第八PMOS管M1b与第七PMOS管M6b的尺寸比例等于第四电流源I1b与第二电流源I2b的偏置电流的比值。

4.根据权利要求1所述的宽输入电压范围高线性度CMOS跨导单元电路,其特征在于:所述第一NMOS管M3a和第二NMOS管M2a的尺寸比例为1:1;

所述第三NMOS管M2b和第四NMOS管M3b的尺寸比例为1:1。

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