技术特征：
技术总结
本发明提供了一种填充衬底上通孔(TH)的方法。TH是一个具有上边缘、下边缘和内表面的连续通道。在一个实施例中，该方法包括步骤(a)‑(d)。在步骤(a)，在衬底上沉积导电材料(CM)，从而在边缘周围和内表面上沉积一层CM层。在步骤(b)，蚀刻沉积的CM。特别地，蚀刻步骤选择性地去除更多沉积在边缘处的CM，相对于沉积在通道内表面的中间部分处的CM来说。在步骤(c)，可选地重复步骤(a)和(b)，直到通道中间部分由CM形成的桥密封住。在步骤(d)，进一步在衬底上沉积CM，从而完全填充TH。
技术研发人员：孙耀峰;徐莎;丘树坚
受保护的技术使用者：香港应用科技研究院有限公司
技术研发日：2017.03.16
技术公布日：2018.03.20