半导体元件的驱动装置的制作方法

本发明涉及一种例如使电压驱动形半导体元件进行开关动作的半导体元件的驱动装置。

背景技术：

作为这种半导体元件的驱动装置，例如已知专利文献1所记载的结构。

在该专利文献1所记载的以往例中，在制作有igbt的半导体基板的同一半导体基板中内置温度检测用齐纳二极管，将该温度检测用齐纳二极管的阳极连接于恒流源，将阴极连接于gnd，将恒流源同温度检测用齐纳二极管的连接点的电压与参考电压进行比较，基于该比较结果来控制向igbt的栅极提供的电流，从而根据检测温度来变更igbt的驱动能力。

专利文献1：日本特开2013-219633号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

另外，在上述专利文献1所记载的以往例中，对制作有igbt的半导体基板的温度进行检测，并切换功率晶体管的驱动能力，因此无论温度如何变化，都能够提高功率晶体管的导通能力。

然而，由于对功率晶体管的驱动能力进行切换时的驱动能力的上升，流过功率晶体管的高电位侧电极的电流的di/dt变大，因此功率晶体管的开关动作时间变短。而且，存在以下问题：若当前制作有功率晶体管的半导体芯片变得高温，则ic的延迟时间也变快。

因此，本发明是着眼于上述专利文献1所记载的以往例的问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制因驱动能力、温度引起的开关动作时间的变化的半导体元件的驱动装置。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明所涉及的半导体元件的驱动装置的一个方式具备：半导体芯片，其形成有电压控制型半导体元件；温度检测部，其检测该半导体芯片的温度；驱动能力调整部，其根据该温度检测部的温度检测值来调整电压控制型半导体元件的驱动能力；以及定时调整部，其根据温度检测部的温度检测值来调整电压控制型半导体元件的开关动作时间。

发明的效果

根据本发明的一个方式，能够提供一种能够抑制因形成于半导体芯片的电压控制型半导体元件的驱动能力、温度引起的开关动作时间的变化的半导体元件的驱动装置。

附图说明

图1是表示本发明所涉及的半导体元件的驱动装置的第一实施方式的电路图。

图2是表示能够应用于本发明的定时调整部的一例的电路图。

图3是供进行图2的定时调整部路的动作的说明的信号波形图。

图4是表示使半导体芯片的温度和驱动能力变化时的开关动作时间的波形图。

图5是供第一实施方式的动作说明的特性线图。

图6是供第一实施方式的一个变形例的动作说明的特性线图。

图7是供第一实施方式的其它变形例的动作说明的特性线图。

图8是表示本发明所涉及的半导体元件的驱动装置的第二实施方式的电路图。

图9是表示能够应用于第二实施方式的定时调整部的一例的电路图。

具体实施方式

接着，参照附图来说明本发明的一个实施方式。在下面的附图的记载中，对相同或类似的部分标注了相同或类似的标记。

另外，下面示出的实施方式用于例示将本发明的技术思想具体化的装置、方法，关于本发明的技术思想，并不将结构部件的材质、形状、构造、配置等特别指定为下述的材质、形状、构造、配置等。关于本发明的技术思想，在权利要求书所记载的权利要求所规定的技术范围内能够施加各种变更。

下面，参照附图来说明本发明的一个实施方式所涉及的半导体元件的驱动装置。

在本实施方式中，作为半导体元件，取电压控制型半导体元件为例，取半导体元件的栅极驱动装置为例来进行说明。

首先，如图1所示，本发明所涉及的半导体元件的栅极驱动装置具备半导体芯片10和ic芯片20。

在半导体芯片10中，在未图示的半导体基板上形成有作为电压控制型半导体元件的绝缘栅双极型晶体管((下面称为igbt)11。在该半导体芯片10中，作为检测芯片内温度的温度检测元件的温度检测用二极管12与igbt11一起制作在半导体基板上。

ic芯片20具备：温度检测部21，其检测温度检测用二极管12的阳极侧电压vf并输出温度检测信号；以及驱动能力调整部22，其基于该温度检测部21的检测信号来调整igbt11导通时的驱动能力。另外，ic芯片20具备：定时调整部23，其调整igbt11导通时的开关动作时间；放电部24，其使igbt11关断；以及警报电路25，其生成警报信号。

温度检测部21具备：向温度检测用二极管12提供恒定电流的恒流电路21a；以及将该恒流电路21a同温度检测用二极管12之间的电压与阈值电压进行比较的两个比较器、即第一比较器21b及第二比较器21c。

在此，恒流电路21a的一端连接于电源电压源vcc，另一端与温度检测用二极管12的阳极连接，该温度检测用二极管12的阴极接地。

第一比较器21b的反相输入端子被输入恒流电路21a与温度检测用二极管12的连接点的温度检测电压vf，非反相输入端子被输入电压比较低的第一阈值电压vth1。该第一比较器21b在温度检测电压vf超过第一阈值电压vth1时输出低电平的第一温度检测信号st1，反之在温度检测电压vf低于第一阈值电压vth1时输出高电平的第一温度检测信号st1。

第二比较器21c的反相输入端子被输入上述电压vf，非反相输入端子被输入比第一阈值电压vth1高的第二阈值电压vth2(>vth1)。该第二比较器21c在温度检测电压vf超过第一阈值电压vth2时输出低电平的第二温度检测信号st2，反之在温度检测电压vf低于第一阈值电压vth2时输出高电平的第二温度检测信号st2。

驱动能力调整部22具备第一或门22a和第二或门22b，该第一或门22a和第二或门22b的一个输入端子被输入从外部输入的脉冲状的驱动信号si。而且，从温度检测部21的第二比较器21c输出的第二温度检测信号st2被输入到第一或门22a的另一个输入端子和第二或门22b的另一个反相输入端子。

另外，驱动能力调整部22具备：第一驱动电路22c，其被输入第一或门22a的输出；以及第二驱动电路22d，其被输入第二或门22b的输出。该第一驱动电路22c和该第二驱动电路22d分别包括p沟道mosfet，所述p沟道mosfet的源极连接于驱动电源，漏极连接于定时调整部23。而且，p沟道mosfet的大小被设定成：相对于第一驱动电路22c对igbt11的通常时的驱动能力(驱动电流)，第二驱动电路22d的高温时的驱动能力(驱动电流)倍增。

定时调整部23的一例包括如图2所示那样使上升沿延迟的延迟电路。该定时调整部23具有串联地连接于控制电源vcc与接地之间的恒流电路23a和n沟道fet23b。n沟道fet23b的栅极经由反相器23c来与输入端子23d连接，该输入端子23d被输入从驱动能力调整部22输出的驱动电流sdi。

另外，定时调整部23具备：充放电用电容器23e，其连接于恒流电路23a同n沟道fet23b的连接点与接地之间；以及比较器23f，其被输入该充放电用电容器23e的端子电压vc。比较器23f的非反相输入端子被输入充放电用电容器23e的端子电压vc，反相输入端子被输入可变电压源23g的参考电压vref。而且，比较器23f的比较输出sc作为栅极控制信号被提供到栅极电路23h，该栅极电路23h被提供从驱动能力调整部22输出的驱动电流sdi。该栅极电路23h的输出作为驱动电流从输出端子23i被输出到igbg11的栅极。

在此，可变电压源23g被输入前述的温度检测部21的第一比较器21b的第一温度检测信号st1和第二比较器21c的第二温度检测信号st2，输出与这些温度检测信号对应地电压依次变高的三级参考电压、即第一参考电压vref1、第二参考电压vref2以及第三参考电压vref3。如图3的(b)所示，第一参考电压vref1被设定为对半导体芯片10的温度比较低的通常温度范围的开关动作时间进行调整的接近零的电压。第二参考电压vref2被设定为对半导体芯片10的温度比通常温度范围高一级的中间温度范围的开关动作时间进行调整的高于第一参考电压vref1的电压。第三参考电压vref3被设定为对半导体芯片10的温度比中间温度范围高一级的高温度范围的开关时间进行调整的高于第二参考电压vref2的电压。

因而，在定时调整部23中，在从驱动能力调整部22输出的驱动电流sdi为零时n沟道fet23b为接通状态，从恒流电路23a输出的恒定电流通过n沟道fet23b后流向接地，并且充放电用电容器23e被放电。因此，充放电用电容器23e的端子间电压vc如图3的(b)所示那样维持零。在该状态下，提供到比较器23f的非反相输入端子的端子间电压vc比参考电压vref1低，因此从比较器23f输出的比较输出sc也如图3的(c)所示那样为低电平。

当在该状态下驱动信号sdi如图3的(a)所示那样在时间点t1从低电平反转为高电平时，与此相应地n沟道fet23b变为断开状态。因此，恒流电路23a的恒定电流被提供到充放电用电容器23e，该充放电用电容器23e的充电开始。因而，充放电用电容器23e的端子间电压vc如图3的(b)所示那样直线增加。

此时，在从温度检测部21输出的第一温度检测信号st1和第二温度检测信号st2均为低电平的通常温度范围内，从可变电压源23g输出的参考电压为第一参考电压vref1。因此，在充放电用电容器23e的端子间电压vc达到第一参考电压vref1时，如图3的(c)中实线所图示的那样从比较器23f输出变为高电平的比较输出sc。即，在从驱动电流sdi的上升沿延迟了延迟时间td1后的时间点，比较输出sc上升。

另外，在从温度检测部21输出的第一温度检测信号st1为高电平且第二温度检测信号st2为低电平的中间温度范围内，从可变电压源23g输出的参考电压为第二参考电压vref2。因此，在充放电用电容器23e的端子间电压vc达到第二参考电压vref2时，如图3的(c)中虚线所图示的那样从比较器23f输出变为高电平的比较输出sc。即，在从驱动电流sdi的上升沿延迟了延迟时间td2后的时间点，比较输出sc上升。

并且，在从温度检测部21输出的第一温度检测信号st1和第二温度检测信号st2均为高电平的高温度范围内，从可变电压源23g输出的参考电压为第三参考电压vref3。因此，在充放电用电容器23e的端子间电压vc达到第三参考电压vref3时，如图3的(c)中点划线所图示的那样从比较器23f输出变为高电平的比较输出sc。即，在从驱动电流sdi的上升沿延迟了延迟时间td3后的时间点，比较输出sc上升。

而且，从比较器23f输出的比较输出sc被提供到栅极电路23h，因此该栅极电路23h被开启，输入到栅极电路23h的驱动电流sdi作为上升沿延迟了延迟时间td1～td3中的任一个后的定时调整后驱动电流sdia被输出到igbt11的栅极。

在此，结合图4的(a)～(c)来说明在使半导体芯片10的温度和由驱动能力调整部22调整的驱动能力变化的情况下的、与使igbt11导通时的开关动作时间ton之间的关系。开关动作时间ton是从驱动信号sd从接通状态变成了断开状态的时间点起到igbt11导通而集电极电流ic达到规定电流值为止的时间。

首先，在半导体芯片10的温度处于通常温度范围、且驱动能力为弱的状态时，如图4的(a)所示，开关动作时间ton＝ta(通常约2μs)。

与此相对，在半导体芯片10的温度上升至作为高温区域的175℃、且驱动能力为弱的状态时，如图4的(b)所示，开关动作时间变为ton＝tb，与通常温度范围的情况相比变短0.1μs左右。

并且，在半导体芯片10的温度保持高温度区域的175℃的状态且使驱动能力为强的状态(升高为2倍)时，如图4的(c)所示，开关动作时间变为ton＝tc，进一步变短0.1μs左右。这样，开关动作时间ton依赖于驱动能力和温度而发生变化。

因此，期望的是，将延迟时间td1设定为维持开关动作时间ton的值，该开关动作时间ton是半导体芯片10处于通常温度范围且驱动能力弱的情况下的开关动作时间，将延迟时间td2设定为半导体芯片处于达到温度使用极限之前的例如中间温度区域(例如100℃≤t<175℃)且驱动能力弱的情况下的开关动作时间ton的缩短时间δt1，将延迟时间td3设定为半导体芯片处于高温度区域175℃且驱动能力强的情况下的开关动作时间ton的缩短时间δt2。

放电部24用于使igbt11从作为接通状态的状态起进行关断动作。该放电部24具备：缓冲器24a，输入到ic芯片20的驱动信号sd经由电平移位电路26被输入到该缓冲器24a；以及n沟道mosfet24b，该缓冲器24a的输出被提供到该n沟道mosfet24b的栅极。

在此，n沟道mosfet24b的漏极连接于定时调整部23与igbt11的栅极的连接点，n沟道mosfet24b的源极被接地。在该放电部24中，在驱动信号sd从低电平反转为高电平时，n沟道mosfet24b变为接通状态，放出igbt11的栅极电容中蓄积的电荷来使igbt11进行关断动作。

在igbt11达到高温度区域时，警报电路25在被输入从温度检测部21的第二比较器21c输出的高电平的第二温度检测信号st2时，输出警报信号sa。

接着，说明上述第一实施方式的动作。

现在，当在半导体芯片10的温度处于例如小于100℃的通常温度范围时开始igbt11的驱动时，温度检测用二极管12的阳极侧电压vf比较高，为比第一阈值电压vth1高的状态。因此，从温度检测部21的第一比较器21b输出的第一温度检测信号st1和从第二比较器21c输出的第二温度检测信号st2均为低电平。

然后，第二温度检测信号st2被输入到驱动能力调整部22的或门22a及22b，因此在驱动信号sd为高电平的状态下，或门22a及22b的输出均为高电平，不从第一驱动电路22c和第二驱动电路22d输出栅极驱动电流。

另一方面，在放电部24中，n沟道mosfet24b的栅极为高电平，因此该n沟道mosfet24b为接通状态，对igbt11的栅极电容进行放电，igbt11为断开状态。

当从该igbt11的断开状态起驱动信号sd从高电平反转为低电平时，放电部24的n沟道mosfet24b变为断开状态。与此同时，驱动能力调整部22的或门22a的输出变为低电平，第一驱动电路22c的n沟道mosfet变为接通状态，驱动能力为0.5、即一半的栅极驱动电流sdi被提供到定时调整部23。

因此，在定时调整部23中，n沟道fet23b从接通状态反转为断开状态，由此开始利用从恒流电路23a输出的恒定电流对充放电用电容器23e进行充电。因此，充放电用电容器23e的端子间电压vc如图3的(b)所示那样开始呈直线状地增加。然后，当端子间电压vc达到可变电压源23g的第一参考电压vref1时，从比较器23f输出的比较输出sc如图3的(c)所示那样从低电平反转为高电平，栅极电路23h变为开启状态，从驱动能力调整部22的第一驱动电路22c输出的驱动电流sdi被提供到igbt11的栅极，来对栅极电容进行充电。

此时，栅极电流流动到栅极电容的充电完成为止。之后，当igbt11的栅极电压经过密勒期间后达到规定的阈值电压时，如图4的(a)所示，集电极电流ic以具有大的di/dt的方式增加，超过稳定电流地过冲后变为稳定电流。利用此时的定时调整部23的充放电用电容器23e的端子间电压vc达到第一参考电压vref1为止的延迟时间td1来将igbt11导通时的开关动作时间ton调整成约为2μs。

当继续进行该igbt11的驱动时，igbt11发热，半导体芯片10的温度上升。与此相应地温度检测用二极管12的阳极侧电压vf与芯片温度成反比地下降。因此，当半导体芯片10的温度达到中间温度区域(100℃≤t<175℃)时，从温度检测部21的第一比较器21b输出的第一温度检测信号st1从低电平反转为高电平。然而，从第二比较器21c输出的第二温度检测信号st2维持低电平。

因而，在驱动能力调整部22中，与半导体芯片10处于通常温度范围的情况同样地，从第一驱动电路22c向定时调整部23输出驱动电流sdi。在该定时调整部23中，第一温度检测信号st1变为高电平，由此由可变电压源23g向比较器23f输出第二参考电压vref2。

因此，在驱动信号sd从高电平反转为低电平时，n沟道fet23b从接通状态切换为断开状态，开始利用来自恒流电路23a的恒定电流对充放电用电容器23e进行充电。因而，充放电用电容器23e的端子间电压vc如图3的(b)所示那样开始呈直线状地增加。

然后，当端子间电压vc超过第一参考电压vref1并达到第二参考电压vref2时，从比较器23f输出的比较输出sc变为高电平。因此，栅极电路23h变为开启状态，从第一驱动电路22c输出的驱动电流sdi被提供到igbt11的栅极，来对栅极电容进行充电。

此时，与驱动电流sdi的上升沿相应地，充放电用电容器23e的端子间电压vc开始上升。此时，从第一参考电压vref1达到第二参考电压vref2为止的延迟时间td2被设定为因半导体芯片10的温度特性引起的开关动作时间ton的缩短时间δt1。因此，能够利用延迟时间td2来抵消缩短时间δt1，使开关动作时间ton成为与半导体芯片10处于通常温度范围的情况下同等的开关动作时间。因此，在将半导体芯片10例如应用于对电动机进行驱动的逆变器电路的情况下，能够抑制由于开关动作时间ton被缩短而导致电动机转速变快的情况，从而抑制转速变化。

并且，当半导体芯片10的温度上升而达到175℃以上的高温度区域时，温度检测用二极管12的阳极侧电压vf会减少到小于第二阈值电压vth2。因此，从第二比较器21c输出的第二温度检测信号st2从低电平反转为高电平。该第二温度检测信号st2被提供到驱动能力调整部22的或门22a及22b。因而，变为低电平的驱动信号sd通过或门22b被提供到第二驱动电路22d。因此，从第二驱动电路22d向定时调整部23输出使驱动能力为第一驱动电路22c的2倍的驱动电流sdi。

在定时调整部23中，均为高电平的第一温度检测信号st1和第二温度检测信号st2被输入到可变电压源23g，因此从该可变电压源23g输出图3的(b)所示的最高的第三参考电压vref3。因此，在从驱动能力调整部22输入的驱动电流sdi上升的时间点t1，定时调整部23的n沟道fet23b成为断开状态。

因而，开始利用恒流电路23a的恒定电流对充放电用电容器23e进行充电。然后，在充放电用电容器23e的端子间电压vc达到第三参考电压vref3的时间点，比较器23f的比较输出sc如图3的(c)中点划线所图示的那样从低电平反转为高电平。该比较输出sc被提供到栅极电路23h，因此该栅极电路23h开启，所输入的从第二驱动电路22d输出的驱动电流sdi被提供到igbt11的栅极，来对栅极电容进行充电。

此时，在输入到定时调整部23的驱动电流sdi与从定时调整部23输出的驱动电流sdia之间产生的延迟时间td3被设定为与图4的(c)所表示的半导体芯片10处于高温度区域、且驱动能力被设为通常时的2倍时的开关动作时间ton的缩短时间δt2相等。

因此，即使在半导体芯片10的温度处于高温度区域且驱动能力为2倍的驱动条件下，也能够使开关动作时间ton与半导体芯片10处于通常温度区域且驱动能力为一半的通常驱动条件下的开关动作时间同等。因而，能够抑制温度上升和驱动能力上升所引起的导通时的开关动作时间ton的缩短。由此，在将igbt11应用于对电动机进行旋转驱动的逆变器电路的情况下，能够抑制电动机的转速的变化。

总结以上，如图5所示，能够在将延迟时间td1依次切换为延迟时间td2及td3的时间点使开关动作时间ton与通常温度范围内的基准温度tb的开关动作时间ton一致，能够使开关动作时间的变动幅度相对于不进行定时调整的情况下的通常的开关动作时间的变动幅度而言变小。

这样，根据上述第一实施方式，能够设定与根据半导体芯片10的温度变化和半导体芯片10内的igbt11的驱动能力变化而变化的开关动作时间ton的缩短时间δt1及δt2相应的最适合的延迟时间td1及td2。因此，无论半导体芯片10的温度变化、igbt11的驱动能力变化如何，都能够抑制开关动作时间ton的变动幅度。因而，在将igbt11应用于对电动机进行旋转驱动的逆变器电路的情况下，能够抑制电动机的转速的变化。

另外，根据上述第一实施方式，在驱动能力调整部22的输出侧设置定时调整部23，因此能够利用1个定时调整部23来进行多个驱动条件的定时调整，无需针对每个驱动条件来设置定时调整部，能够使ic芯片20内的电路结构小型化。

此外，在上述第一实施方式中，说明了在驱动能力调整部22中使驱动能力与半导体芯片10的温度变化对应地按两级变化的情况，但是不限定于此，也可以如图6所示那样，使驱动能力按三级以上的多级变化。或者，能够如图7所示那样，使驱动能力调整部22的驱动能力与温度上升相应地连续变化，与此相应地使定时调整部23的延迟时间td连续地变化，由此能够使开关动作时间的变动幅度更小。

另外，在上述第一实施方式中，说明了在定时调整部23中利用向比较器23f提供的参考电压来调整延迟时间的情况，但是不限定于此。例如，也可以是，与充放电用电容器23e并联地连接多个开关元件与充放电用电容器的串联电路，根据第一温度检测信号st1和第二温度检测信号st2，使所需数量的开关元件成为接通状态来改变要选择的充放电用电容器的数量，由此改变合成静电容量来调整延迟时间。

接着，针对图8和图9来说明本发明的第二实施方式。

该第二实施方式将定时调整部设置在驱动能力调整部内。

即，在第二实施方式中，如图8所示，省略前述的第一实施方式中的定时调整部23，取而代之将定时调整部23连接于驱动能力调整部22的或门22b与第二驱动电路22d之间。

另外，省略温度检测部21的第一比较器21b，将从第二比较器21c输出的第二温度检测信号st2仅提供到驱动能力调整部22的或门22a及22b。

并且，如图9所示那样变更定时调整部23。即，在输入端子23d与反相器23c之间设置有反相器23j。另外，定时调整部23的可变电压源23g被省略，取而代之设置仅将第三参考电压vref3提供到比较器23f的参考电压源23m，并且，栅极电路23h被省略，比较器23f的比较输出sc经由反相器23k被输出到输出端子23i。

根据该第二实施方式，在半导体芯片10的温度低的状态下，从温度检测部21的第二比较器21c输出的第二温度检测信号st2维持低电平，因此在驱动能力调整部22中选择第一驱动电路22c，从该第一驱动电路22c输出igbt11的驱动能力为一半的驱动电流。

之后，当半导体芯片10的温度上升而达到高温度区域时，从温度检测部21的第二比较器21c输出的第二温度检测信号st2变为高电平，由此在驱动能力调整部22中选择第二驱动电路22d，从该第二驱动电路22d输出igbt11的驱动能力为2倍的驱动电流。

此时，在驱动能力调整部22的前级设置有定时调整部23，因此在该定时调整部23中驱动信号sd从高电平反转为低电平时，n沟道fet23b从接通状态变为断开状态。因此，从恒流电路23a输出的恒定电流对充放电用电容器23e进行充电，其端子间电压vc增加。在该端子间电压vc达到第三参考电压vref3之前，比较器23f的比较输出sc维持低电平，从输出端子23i输出高电平的驱动信号sda。

然后，当充放电用电容器23e的端子间电压vc达到第三参考电压vref3时，比较器23f的比较输出sc变为高电平，从输出端子23i输出的定时调整后的驱动信号sda变为低电平。因而，相对于输入到定时调整部23的驱动信号sd从高电平反转为低电平的时间点，所输出的驱动信号sda从高电平反转为低电平的时间点延迟了延迟时间td3。

该延迟后的驱动信号sda被提供到第二驱动电路22d，因此从第二驱动电路22d输出的驱动电流也相对于驱动信号sd延迟了延迟时间td3。该延迟时间td3如前所述那样与半导体芯片10的温度处于高温度区域且驱动能力为低温时的2倍、即1.0的情况下的开关动作时间ton的缩短时间δt2对应。

因而，能够使通过第二驱动电路22d使igbt11导通的开关动作时间ton与通过第一驱动电路22c使igbt11导通的开关动作时间ton同等，能够得到与前述的第一实施方式中的第二驱动电路22d工作时相同的作用效果。

此外，在上述第一实施方式中，说明了在驱动能力调整部22中设置驱动能力不同的两个驱动电路的情况，但是不限定于此。例如也可以使用电流镜电路来切换向igbt11提供的驱动电流。

另外，在上述第一及第二实施方式中，说明了在半导体芯片10中形成有igbt11的情况，但是不限定于此，也可以应用功率mosfet等其它电压控制型半导体元件。并且，不限于si系的半导体元件，也能够应用以碳化硅、氮化镓以及金刚石中的至少一个为主材料的宽带隙半导体元件。

附图标记说明

10：半导体芯片；11：igbt；12：温度检测用二极管；20：ic芯片；21：温度检测部；22：驱动能力调整部；22a、22b：或门；22c：第一驱动电路；22d：第二驱动电路；23：定时调整部；23a：恒流电路；23b：n沟道fet；23c：反相器；23d：输入端子；23e：充放电用电容器；23f：比较器；23g：可变电压源；23h：栅极电路；23i：输出端子；24：放电部；25：警报电路。