本发明涉及一种附脱模层金属箔、金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封装、电子机器及印刷配线板的制造方法。
背景技术：
印刷配线基板以及半导体封装基板的电路形成工艺中，减成工艺为主流，但由于近年来配线的进一步微细化，m-sap(modifiedsemi-additiveprocess，改良型半加成法)、或使用金属箔的表面轮廓的半加成工艺等新工艺开始盛行。
这些新颖的电路形成工艺中，作为后者的使用金属箔的表面轮廓的半加成工艺的一例，可以列举如下方法。即，首先，对积层在树脂基材的金属箔的整个面进行蚀刻，利用激光等在转印有金属箔表面轮廓的蚀刻基材面开孔，并施加用来导通开孔部的无电解镀铜层，利用干膜覆盖无电解镀铜表面，通过uv曝光及显影将电路形成部的干膜去除，对未被干膜覆盖的无电解镀铜面实施电解镀铜并将干膜剥离，最后利用含有硫酸、双氧水的蚀刻液等对无电解镀铜层进行蚀刻(急速蚀刻、快速蚀刻)，由此形成微细电路(专利文献1、专利文献2)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2006-196863号公报
[专利文献2]日本特开2007-242975号公报。
技术实现要素：
[发明要解决的问题]
然而，在低成本地制造具有微细电路的印刷配线板方面，现有的使用金属箔的表面轮廓的半加成工艺尚有研究的余地。
[解决问题的手段]
本发明人等努力进行研究，结果金属箔的面的凹凸状态得到控制。另外，在与所述凹凸状态得到控制的面为相反侧的金属箔的面设置脱模层，而能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离。而且发现，通过按以下方式使用所述金属箔，能够低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。即，在将所述金属箔的具有脱模层的面侧贴合在树脂基材之后，在所述凹凸状态得到控制的金属箔的面形成电路。然后，以将电路埋入的方式在形成有电路的金属箔的面积层树脂。随后将金属箔从树脂基材剥离，去除金属箔而露出所述电路，由此，发现能够通低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。
以所述见解为基础而完成的本发明的一方面为一种附脱模层金属箔，其具备：具有第一面及第二面且所述第一面的均方根高度sq为0.01μm以上且1μm以下的金属箔、以及设置在所述金属箔的第二面的脱模层。
在本发明的附脱模层金属箔的一实施方式中，所述金属箔的所述第二面的均方根高度sq为0.25μm以上且1.6μm以下。
本发明的附脱模层金属箔在另一实施方式中具有所述金属箔的第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)为0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述金属箔的厚度为1μm以上且105μm以下。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述金属箔为铜箔。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，在所述金属箔的第一面、及/或所述金属箔与所述脱模层之间设置有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，在设置在所述金属箔的第一面的所述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层设置有树脂层。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述树脂层为接着用树脂、底漆或半硬化状态的树脂。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述脱模层包含至少1种或2种以上的下述化合物，所述化合物选自由下述化学式所表示的铝酸盐化合物、钛酸盐化合物、锆酸盐化合物、铝酸盐化合物的水解产物、钛酸盐化合物的水解产物、锆酸盐化合物的水解产物、铝酸盐化合物的水解产物的缩合物、钛酸盐化合物的水解产物的缩合物以及锆酸盐化合物的水解产物的缩合物所组成的群中，
[化学式1]
(r1)m-m-(r2)n
(式中，r1为烷氧基或卤素原子，r2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，m为al、ti、zr中的任一个，n为0、1或2，m为1以上且m的价数以下的整数，r1中的至少一个为烷氧基；m+n为m的价数；m的价数在al的情况下为3，在ti、zr的情况下为4)。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述脱模层包含至少1种或2种以上的下述化合物，所述化合物选自由下述化学式所表示的硅烷化合物、所述硅烷化合物的水解产物以及所述水解产物的缩合物所组成的群中，
[化学式2]
(式中，r1为烷氧基或卤素原子，r2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，r3及r4分别独立地为卤素原子、烷氧基、选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的所述烃基或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基)。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述脱模层是使用分子内具有2个以下的巯基的化合物而成。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，在所述脱模层表面设置有树脂层。
在本发明的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述树脂层为接着用树脂、底漆或半硬化状态的树脂。
本发明的另一方面为一种金属箔，其具有第一面及第二面，且所述第一面的均方根高度sq为0.01μm以上且1μm以下。
在本发明的金属箔的一实施方式中，所述第二面的均方根高度sq为0.25μm以上且1.6μm以下。
本发明的金属箔的另一实施方式中，具有所述金属箔的第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)为0.03以上且0.40以下的表面凹凸。
在本发明的金属箔的又一实施方式中，所述金属箔的厚度为1μm以上且105μm以下。
在本发明的金属箔的又一实施方式中，所述金属箔为铜箔。
在本发明的金属箔的又一实施方式中，在所述金属箔的第一面、及/或所述金属箔的第二面设置有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。
在本发明的金属箔的又一实施方式中，在设置在所述金属箔的第一面的所述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层设置有树脂层。
本发明的又一方面为一种积层体，其具备本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔、及设置在所述附脱模层金属箔或所述金属箔的树脂基材。
在本发明的积层体的一实施方式中，所述树脂基材为预浸料、或者、包含热硬化性树脂。
本发明的又一方面为一种印刷配线板，其具备本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔。
本发明的又一方面为一种半导体封装，其具备本发明的印刷配线板。
本发明的又一方面为一种电子机器，其具备本发明的印刷配线板或本发明的半导体封装。
本发明的又一方面为一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔贴合绝缘基板；通过将所述附脱模层金属箔或所述金属箔在不被蚀刻的情况下从所述绝缘基板剥离，而获得在剥离面转印有所述附脱模层金属箔或所述金属箔的表面轮廓的绝缘基板；及在所述转印有表面轮廓的绝缘基板的所述剥离面侧形成电路。
在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，在所述转印有表面轮廓的绝缘基板的所述剥离面侧形成的电路为镀敷图案或印刷图案。
本发明的又一方面为一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔贴合绝缘基板；通过将所述附脱模层金属箔或所述金属箔在不被蚀刻的情况下从所述绝缘基板剥离，而获得在剥离面转印有所述附脱模层金属箔或所述金属箔的表面轮廓的绝缘基板；及在所述转印有表面轮廓的绝缘基板的所述剥离面侧设置增层。
在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，构成所述增层的树脂包含液晶聚合物、氟树脂、低介电常数聚酰亚胺、聚苯醚、环烯烃聚合物或聚四氟乙烯。
本发明的又一方面为一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔，从所述脱模层侧或所述金属箔的第二面侧贴合绝缘基板1；在积层有所述绝缘基板1的所述附脱模层金属箔或所述金属箔的第一面侧形成电路；通过利用绝缘基板2覆盖所述电路而将所述电路埋入所述绝缘基板2；从所述附脱模层金属箔或所述金属箔将所述绝缘基板1剥离而露出所述附脱模层金属箔或所述金属箔；及将所述露出的附脱模层金属箔或所述金属箔去除。
本发明的又一方面为一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔，从所述脱模层侧或所述金属箔的第二面侧贴合绝缘基板1；在积层有所述绝缘基板1的附脱模层金属箔或所述金属箔的第一面侧积层干膜；将所述干膜图案化之后，形成电路；
将所述干膜剥离而露出所述电路；通过利用绝缘基板2覆盖所述露出的电路而将所述电路埋入所述绝缘基板2；从所述附脱模层金属箔或所述金属箔将所述绝缘基板1剥离而露出所述附脱模层金属箔或所述金属箔；及将所述露出的附脱模层金属箔或所述金属箔去除。
[发明的效果]
通过控制金属箔表面的凹凸状态、以及提供“在金属箔设置脱模层而能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离的金属箔”，能够低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。
附图说明
图1a～c是使用本发明的附脱模层铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，电路镀敷、阻剂去除为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图2d～f是使用本发明的附脱模层铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，从树脂以及第2层附脱模层铜箔积层到激光开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图3g～i是使用本发明的附脱模层铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，从填孔形成到第1层脱模层剥离为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图4j～k是使用本发明的附脱模层铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，从急速蚀刻到凸块-铜柱形成为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图5是表示使用铜箔轮廓的半加成工艺的示意图。
具体实施方式
(金属箔)
本发明的金属箔为具有第一面及第二面且所述第一面侧的表面的均方根高度sq为0.01μm以上且1μm以下的金属箔。通过这样控制第一面的均方根高度sq来控制金属箔表面的凹凸状态。而且，通过按以下方式使用所述金属箔，能够低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。即，在与所述凹凸状态得到控制的面为相反侧的金属箔的面设置脱模层，能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离。接下来，在将所述金属箔的具有脱模层的面侧贴合在树脂基材之后，在所述表面凹凸状态得到控制的金属箔的面形成电路。然后，以将电路埋入的方式在形成有电路的金属箔表面积层树脂。随后，将金属箔从树脂基材剥离，去除金属箔而露出所述电路，由此，能够制造印刷配线板。当利用所述方法制造印刷配线板时，能够在不通过无电解镀敷将无电解镀敷层设置在树脂基板上的情况下形成电路。因此，能降低印刷配线板的制造成本。而且，通过将所述电路埋入树脂中而使电路得到保护。因此，在通过蚀刻等将金属箔去除时，电路不容易因蚀刻等而被浸蚀。因此，能够形成微细电路。
另外，在金属箔表面设置有粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层、脱模层等表面处理层时，本说明书中所谓“金属箔的第一面”以及“金属箔的第二面”是指设置所述表面处理层后的表面(最外层的表面)。另外，在本说明书中，“第一面”也称为“一面”，“第二面”也称为“另一面”。
本发明的金属箔因为第一面的均方根高度sq为0.01μm以上，所以与所述电路或埋入有电路的树脂的密合性良好。结果减少了电路或埋入有电路的树脂从金属箔剥离或脱落的情况。而且，本发明的金属箔因为第一面的均方根高度sq为1μm以下，所以电路形成性良好。
当在金属箔的第一面均方根高度sq小于0.01μm时，有时金属箔的面的凹凸偏差过小。因此，有金属箔与所述电路或埋入有电路的树脂的密合性变差的情况。结果有电路或埋入有电路的树脂从金属箔剥离或脱落的情况。此外，当在金属箔的第一面均方根高度sq超过1μm时，有时金属箔的面的凹凸偏差过大。结果有如下情况：在金属箔的面的凸部较大的部分，去除金属箔时必须进行更长时间的蚀刻等。结果有如下情况：蚀刻等导致的电路的浸蚀增大，配线形成性变差。金属箔的第一面的均方根高度sq优选0.95μm以下，优选0.93μm以下，优选0.90μm以下，优选0.85μm以下，优选0.80μm以下，优选0.75μm以下，优选0.70μm以下，优选0.68μm以下，优选0.67μm以下，优选0.65μm以下，优选0.60μm以下，优选0.55μm以下，优选0.50μm以下，优选0.45μm以下，优选0.40μm以下，优选0.35μm以下，优选0.32μm以下，优选0.30μm以下，优选0.25μm以下，优选0.24μm以下，优选0.22μm以下，优选0.20μm以下，优选0.19μm以下，优选0.18μm以下，优选0.17μm以下，更优选0.15μm以下。金属箔的第一面的均方根高度sq优选0.015μm以上，优选0.02μm以上，优选0.025μm以上，优选0.03μm以上，优选0.035μm以上，优选0.04μm以上，优选0.045μm以上，更优选0.05μm以上。
金属箔的第二面的均方根高度sq优选0.25μm以上且1.6μm以下。因为金属箔的第二面的均方根高度sq为0.25～1.6μm，所以能够保持将金属箔与树脂基材贴合后的剥离性良好，并且电路、树脂或增层等积层部件因转印到剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状而无空隙(或空隙极小)地跟随所述树脂基材表面，密合性良好地将电路、树脂或增层等积层部件设置在树脂基材表面。
如果金属箔的第二面的均方根高度sq小于0.25μm，则会有产生如下问题的担忧，即，将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔而获得的树脂基材表面的凹凸较小，与不同树脂的密合性变得不充分，如果超过1.6μm，会有产生如下问题的担忧，即，将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔时的剥离性变差，而且剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状过深，电路、树脂或增层等积层部件未追随所述凹凸形状。均方根高度sq优选0.30～1.4μm，更优选0.4～1.0μm，更优选0.4～0.96μm。
金属箔的第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)优选0.03以上且0.40以下。因为金属箔的第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)为0.03以上且0.40以下，所以能够保持将金属箔与树脂基材贴合后的剥离性良好，并且电路、树脂或增层等积层部件因转印到剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状而无空隙(或空隙极小)地进行跟随，密合性良好地将电路、树脂或增层等积层部件设置在树脂基材表面。
如果金属箔的第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)小于0.03，则会产生如下问题：将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔而获得的树脂基材表面的凹凸较小，树脂基材与电路、树脂或增层等积层部件的密合性变得不充分，如果超过0.40，则会产生如下问题：将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔时的剥离性变差，而且剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状过深，电路、树脂或增层等积层部件未追随所述凹凸形状。金属箔的第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)优选0.05以上，更优选0.10以上。金属箔的第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)优选0.25以下，优选0.24以下，更优选0.20以下。
(附脱模层金属箔)
本发明的附脱模层金属箔具备金属箔及脱模层，所述金属箔具有第一面及第二面，且所述第一面的均方根高度sq为0.01μm以上且1μm以下，所述脱模层为设置在所述金属箔的第二面侧的脱模层，且使将树脂基材贴合在所述金属箔时的所述树脂基材能够从所述脱模层侧剥离。通过这样控制第一面的均方根高度sq来控制金属箔表面的凹凸状态。而且，在与所述凹凸状态得到控制的面为相反侧的金属箔的面设置脱模层而能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离。而且，通过按以下方式使用所述金属箔，能够低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。即，在将所述金属箔的具有脱模层的面侧贴合在树脂基材之后，在所述表面凹凸状态得到控制的金属箔的面形成电路。然后，以将电路埋入的方式在形成有电路的金属箔表面积层树脂。随后，将金属箔从树脂基材剥离，去除金属箔而露出所述电路，由此，能够制造印刷配线板。当利用所述方法制造印刷配线板时，能够在不通过无电解镀敷将无电解镀敷层设置在树脂基板上的情况下形成电路。因此，能降低印刷配线板的制造成本。而且，通过将所述电路埋入树脂中而使电路得到保护。因此，在通过蚀刻等将金属箔去除时，电路不容易因蚀刻等而被浸蚀。因此，能够形成微细电路。
附脱模层金属箔的金属箔因未形成脱模层的一侧的面即第一面的均方根高度sq为0.01μm以上，所以与所述电路或埋入有电路的树脂的密合性良好。结果减少了电路或埋入有电路的树脂从金属箔剥离或脱落的情况。而且，金属箔因未形成脱模层的一侧的面即第一面的均方根高度sq为1μm以下，所以电路形成性良好。
如果在金属箔的未形成脱模层的一侧的面即第一面，均方根高度sq小于0.01μm，则会有金属箔的面的凹凸偏差过小的情况。当金属箔的面的凹凸偏差过小时，有助于金属箔与电路的密合性、或金属箔与电路或埋入有电路的树脂的密合性的高凸部或深凹部有时会减少，因此，金属箔与所述电路或埋入有电路的树脂的密合性有时会变差。结果有电路或埋入有电路的树脂从金属箔剥离或脱落的情况。此外，如果在金属箔的未形成脱模层的一侧的面即第一面均方根高度sq超过1μm，则会有金属箔的面的凹凸偏差过大的情况。结果有如下情况：在金属箔的面的凸部较大的部分，去除金属箔时必须进行更长时间的蚀刻等。结果有如下情况：蚀刻等导致的电路的浸蚀增大，配线形成性变差。未形成脱模层的一侧的面即第一面的均方根高度sq优选0.95μm以下，优选0.93μm以下，优选0.90μm以下，优选0.85μm以下，优选0.80μm以下，优选0.75μm以下，优选0.70μm以下，优选0.68μm以下，优选0.67μm以下，优选0.65μm以下，优选0.60μm以下，优选0.55μm以下，优选0.50μm以下，优选0.45μm以下，优选0.40μm以下，优选0.35μm以下，优选0.32μm以下，优选0.30μm以下，优选0.25μm以下，优选0.24μm以下，优选0.22μm以下，优选0.20μm以下，优选0.19μm以下，优选0.18μm以下，优选0.17μm以下，更优选0.15μm以下。未形成脱模层的一侧的面即第一面的均方根高度sq优选0.015μm以上，优选0.02μm以上，优选0.025μm以上，优选0.03μm以上，优选0.035μm以上，优选0.04μm以上，优选0.045μm以上，更优选0.05μm以上。
金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq优选0.25μm以上且1.6μm以下。因为金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq为0.25～1.6μm，所以能够保持将金属箔与树脂基材贴合后的剥离性良好，并且电路、树脂或增层等积层部件因转印到剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状而无空隙(或空隙极小)地跟随所述树脂基材表面，密合性良好地将电路、树脂或增层等积层部件设置在树脂基材表面。
如果金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq小于0.25μm，则会有产生如下问题的担忧，即，将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔而获得的树脂基材表面的凹凸较小，与不同树脂的密合性变得不充分，如果超过1.6μm，则会有产生如下问题的担忧，即，将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔时的剥离性变差，而且剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状过深，电路、树脂或增层等积层部件未追随所述凹凸形状。均方根高度sq优选0.30～1.4μm，更优选0.4～1.0μm，更优选0.4～0.96μm。
金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)优选0.03以上且0.40以下。因为金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)为0.03以上且0.40以下，所以能够保持将金属箔与树脂基材贴合后的剥离性良好，并且电路、树脂或增层等积层部件因转印到剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状而无空隙(或空隙极小)地进行跟随，密合性良好地将电路、树脂或增层等积层部件设置在树脂基材表面。
如果金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)小于0.03，则会产生如下问题：将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔而获得的树脂基材表面的凹凸较小，树脂基材与电路、树脂或增层等积层部件的密合性变得不充分，如果超过0.40，则会产生如下问题：将金属箔与树脂基材贴合后剥离金属箔时的剥离性变差，而且剥离金属箔后的树脂基材表面的凹凸形状过深，电路、树脂或增层等积层部件未追随所述凹凸形状。金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)优选0.05以上，更优选0.10以上。金属箔的形成有脱模层的一侧的面即第二面的均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)优选0.25以下，优选0.24以下，更优选0.20以下。
金属箔(也称为生箔)并无特别限定，可以使用铜箔、铝箔、镍箔、铜合金箔、镍合金箔、铝合金箔、不锈钢箔、铁箔、铁合金箔、锌箔、锌合金箔、钴箔、钴合金箔等。此外，可以使用众所周知的金属箔作为金属箔。
金属箔(生箔)的厚度并无特别限定，例如，能设为1～105μm、或3～105μm、或5～105μm。另外，就容易从树脂基材剥离的方面而言，金属箔的厚度优选9～70μm，更优选12～35μm，进一步优选18～35μm。另外，就容易通过蚀刻等将金属箔(生箔)去除的观点而言，优选金属箔厚度较薄。例如，金属箔的厚度优选105μm以下，优选70μm以下，优选35μm以下，优选18μm以下，更优选12μm以下。另外，就容易进行金属箔(生箔)的处理的观点而言，优选金属箔厚度较厚。例如，金属箔的厚度优选1μm以上，优选3μm以上。
以下，对作为金属箔(生箔)的示例的铜箔进行说明。金属箔(生箔)的制造方法并无特别限定，例如可以利用下述电解条件制作电解铜箔。此外，以下的方法也能够应用于铜箔以外的金属箔(电解金属箔、压延金属箔)。
＜电解铜箔的制造方法＞
本发明的电解铜箔是从硫酸铜镀浴中将铜电解析出至钛或不锈钢转筒上而进行制造。电解条件并无特别限定，例如可以利用下述条件制作电解铜箔。
电解液组成：
cu：30～190g/l
h2so4：100～400g/l
氯化物离子(cl-)：60～200质量ppm
动物胶：1～10ppm
(视需要使用双(3-磺丙基)二硫化物(sps)：10～100ppm)
电解液温度：25～80℃
电解时间：10～300秒钟(根据所析出的铜厚、电流密度进行调整)
电流密度：50～150a/dm2
电解液线速度：1.5～5m/sec
另外，在本说明书中，电解液、镀敷液、硅烷偶联处理液、形成脱模层的处理所使用的液体等液体或用于表面处理的处理液的其余部分只要未特别说明则均为水。
此时所使用的电解转筒的转筒表面的均方根高度sq为1.0μm以下，优选0.70μm以下。关于表面具有所述均方根高度sq的电解转筒，首先利用粒度号数为p150～p2500的研磨带对钛或不锈钢转筒的表面进行研磨。此时，一面将研磨带沿转筒的宽度方向卷绕指定宽度并使研磨带以指定速度朝转筒的宽度方向移动，一面使转筒旋转，由此进行研磨。所述研磨时的转筒表面的旋转速度设为120～195m/分钟。转筒表面的旋转速度是由以下数学式表示。
转筒表面的旋转速度(m/分钟)＝电解转筒每一分钟的转数(次/分钟)×电解转筒每一次旋转的周长(m/次)
电解转筒每一次旋转的周长(m/次)＝电解转筒的直径(m)×圆周率π/1(次)
另外，研磨时间设为研磨带的1次行程内通过转筒表面的(宽度方向的位置的)1点的时间与行程次数的乘积。此外，所述1次行程内通过转筒表面的1点的时间设为将研磨带的宽度除以研磨带在转筒的宽度方向的移动速度所得的值。而且，所谓研磨带的1次行程是指利用研磨带从转筒的轴(宽度)方向(电解铜箔的宽度方向)的一个端部至另一端部，对转筒圆周方向的表面进行1次研磨。即，研磨时间是由以下数学式表示。
研磨时间(分钟)＝每一行程的研磨带的宽度(cm/次)/研磨带的移动速度(cm/分钟)×行程次数(次)
本发明中研磨时间为3～25分钟，另外，本发明中在研磨时利用水润湿转筒表面的情况下，研磨时间设为6～25分钟。作为所述研磨时间的运算例，例如在研磨带宽度为10cm且将移动速度设为20cm/分钟时，转筒表面的1点的1次行程的研磨时间为0.5分钟。通过将上述时间乘以总行程次数算出所述研磨时间(例如0.5分钟×10次行程＝5分钟)。通过增大研磨带的粒度号数、及/或提高转筒表面的旋转速度、及/或延长研磨时间、及/或在研磨时利用水润湿转筒表面，能减小转筒表面的均方根高度sq。而且，通过减小研磨带的粒度号数、及/或降低转筒表面的旋转速度、及/或缩短研磨时间、及/或在研磨时使转筒表面干燥，能增大转筒表面的均方根高度sq。另外，通过延长研磨时间能减小均方根高度sq。而且，通过缩短研磨时间能增大均方根高度sq。此外，所述研磨带的粒度号数是指用于研磨带的研磨材料的粒度。而且，所述研磨材料的粒度是依据fepa(federationofeuropeanproducersofabrasives，欧洲共同体研磨材料制造商)-standard43-1：2006、43-2：2006。
而且，通过在研磨时利用水润湿转筒表面能减小均方根高度sq。而且，通过在研磨时使转筒表面干燥能增大均方根高度sq。
另外，电解转筒表面的均方根高度sq能按以下方式进行测定。
·通过使树脂膜(聚氯乙烯)浸渍在溶剂(丙酮)中而使树脂膜膨润。
·使所述膨润的树脂膜接触电解转筒表面，在丙酮从树脂膜挥发后将树脂膜剥离，并收集电解转筒表面的复本。
·利用激光显微镜对所述复本进行测定，并测定均方根高度sq的值。
然后，将所获得的复本的均方根高度sq的值设为电解转筒表面的均方根高度sq。
而且，均方根高度sq、sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)都能通过所述电解条件进行调整。如果在所述范围内提高电解时间(铜厚)及/或电流密度，则sq、以及sq/rsm增大。另一方面，如果在所述范围内提高氯化物离子浓度、动物胶浓度、sps浓度及/或电解液线速度，则会有sq以及sq/rsm减小的倾向。只要根据所要求的剥离性的程度、所要求的与积层部件的密合性来调节这些电解条件即可。
而且，也可以对金属箔的第一面、及/或第二面进行抛光研磨等机械研磨、或蚀刻等化学研磨来调整所述sq(这里所说的研磨也包含增加表面的凹凸程度)。
＜压延铜箔的制造方法＞
金属箔(生箔)可以为压延铜箔(压延金属箔)。所述压延铜箔(压延金属箔)能通过控制最终冷轧时的油膜当量、及控制最终冷轧的压延辊的sq、以及控制最终冷轧的加工度，而将金属箔的未形成脱模层的预定侧的面即第一面、及/或供脱模层形成的预定侧的面即第二面的均方根高度sq设为1.6μm以下、1.0μm以下、0.70μm以下、及/或0.01μm以上、0.25μm以上。通过增大最终冷轧时的油膜当量、及/或增大最终冷轧的压延辊的sq的值、及/或减小最终冷轧的加工度，能增大金属箔的未形成脱模层的预定侧的面即第一面、及/或供脱模层形成的预定侧的面即第二面的均方根高度sq的值。通过减小最终冷轧时的油膜当量、及/或减小最终冷轧的压延辊的sq的值、及/或加大最终冷轧的加工度，能减小金属箔的未形成脱模层的预定侧的面即第一面、及/或供脱模层形成的预定侧的面即第二面的均方根高度sq的值。
而且，也可以在最终冷轧后对金属箔的未形成脱模层的预定侧的面即第一面、及/或供脱模层形成的预定侧的面即第二面进行抛光研磨等机械研磨、或蚀刻等化学研磨而调整所述sq(这里所说的研磨也包含增加表面的凹凸程度)。
接下来，对能用于本发明的脱模层进行说明。
(1)硅烷化合物
通过形成脱模层，而在将金属箔与树脂基材进行贴合时，适度地降低密合性，能将剥离强度调节至所述范围，所述脱模层包含至少1种或2种以上的选自由下式所表示的硅烷化合物、硅烷化合物的水解产物及水解产物的缩合物(以下，仅记述为硅烷化合物)所组成的群中的化合物。
式：
[化学式3]
(式中，r1为烷氧基或卤素原子，r2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，r3及r4分别独立地为卤素原子、烷氧基、选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基)。
所述硅烷化合物必须具有至少一个烷氧基。当不存在烷氧基而仅为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或者由一个以上的氢原子被卤素原子所取代的这些任一烃基构成取代基时，有过度降低树脂基材与金属箔的密合性的倾向。而且，所述硅烷化合物必须具有至少一个选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被卤素原子所取代的这些任一烃基。原因在于：当不存在所述烃基时，有树脂基材与金属箔的密合性上升的倾向。此外，烷氧基也包含一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烷氧基。
在将树脂基材与金属箔的剥离强度调节至所述范围的方面，所述硅烷化合物优选具有三个烷氧基、一个所述烃基(包含一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基)。如果用上式来说明，则r3及r4两者均为烷氧基。
作为烷氧基没有限定，可以列举：甲氧基、乙氧基、正或异丙氧基、正、异或叔丁氧基、正、异或新戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、以及正辛氧基等直链状、支链状、或环状的碳数1～20、优选碳数1～10、更优选碳数1～5的烷氧基。
作为卤素原子，可以列举：氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。
作为烷基没有限定，可以列举：甲基、乙基、正或异丙基、正、异或叔丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直链状或支链状的碳数1～20、优选碳数1～10、更优选碳数1～5的烷基。
作为环烷基没有限定，可以列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳数3～10、优选碳数5～7的环烷基。
作为芳基，可以列举：苯基、经烷基取代的苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳数6～20、优选6～14的芳基。
这些烃基的一个以上的氢原子可以被卤素原子所取代，例如能利用氟原子、氯原子、或溴原子进行取代。
作为优选的硅烷化合物的示例，可以列举：甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正或异丙基三甲氧基硅烷、正、异或叔丁基三甲氧基硅烷、正、异或新戊基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷；经烷基取代的苯基三甲氧基硅烷(例如对(甲基)苯基三甲氧基硅烷)、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正或异丙基三乙氧基硅烷、正、异或叔丁基三乙氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、经烷基取代的苯基三乙氧基硅烷(例如对(甲基)苯基三乙氧基硅烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、以及十三氟辛基三乙氧基硅烷、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、苯基三氯硅烷、三甲基氟硅烷、二甲基二溴硅烷、二苯基二溴硅烷、这些化合物的水解产物、以及这些化合物的水解产物的缩合物等。这些化合物中，就容易获取的观点而言，优选丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷。
在脱模层的形成步骤中，硅烷化合物能以水溶液的形态加以使用。为了提高在水中的溶解性，也可以添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在使用疏水性高的硅烷化合物时特别有效。硅烷化合物的水溶液是通过进行搅拌来促进烷氧基的水解，当搅拌时间长时，水解产物的缩合得到促进。一般来说，使用经过充分的搅拌时间来进行水解及缩合的硅烷化合物时，有树脂基材与金属箔的剥离强度降低的倾向。因此，能够通过调整搅拌时间来调整剥离强度。使硅烷化合物溶解于水后的搅拌时间没有限定，例如能设为1～100小时，典型来说能设为1～30小时。当然，也有不搅拌地使用硅烷化合物的方法。
当硅烷化合物的水溶液中的硅烷化合物浓度高时，有金属箔与板状载体的剥离强度降低的倾向，能够通过调整硅烷化合物的浓度来调整剥离强度。硅烷化合物在水溶液中的浓度没有限定，能设为0.01～10.0体积％，典型来说能设为0.1～5.0体积％。
硅烷化合物的水溶液的ph值没有特别限制，在酸性侧或碱性侧都能加以利用。例如能以3.0～10.0的范围的ph值加以使用。就无需特意进行ph值调整的观点而言，优选设为中性附近即5.0～9.0的范围的ph值，更优选设为7.0～9.0的范围的ph值。
(2)分子内具有2个以下的巯基的化合物
脱模层是使用分子内具有2个以上的巯基的化合物构成，通过经由所述脱模层将树脂基材与金属箔进行贴合，也会适度降密合性低，能调节剥离强度。
但是，当使分子内具有3个以上的巯基的化合物或所述化合物的盐介于树脂基材与金属箔之间而进行贴合时，并不适于降低剥离强度的目的。原因在于认为有如下情况：如果分子内存在过剩的巯基，则会因巯基彼此、或巯基与板状载体、或巯基与金属箔的化学反应而过剩地产生硫化物键、二硫化物键或多硫化物键，在树脂基材与金属箔之间形成牢固的三维交联结构，由此导致剥离强度上升。在日本特开2000-196207号公报中公开了这种事例。
作为所述分子内具有2个以下的巯基的化合物，可以列举：硫醇、二硫醇、硫代羧酸或其盐、二硫代羧酸或其盐、硫代磺酸或其盐、以及二硫代磺酸或其盐，可以使用选自这些化合物中的至少一种化合物。
硫醇在分子内具有一个巯基，例如以r-sh表示。此处，r表示可以包含羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或杂环基。
二硫醇在分子内具有两个巯基，例如以r(sh)2表示。r表示可以含有羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或杂环基。而且，两个巯基可以分别键结于相同的碳，也可以键结于相互不同的碳或氮。
硫代羧酸是有机羧酸的羟基被巯基所取代的化合物，例如以r-co-sh表示。r表示可以含有羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或杂环基。而且，硫代羧酸还能够以盐的形态加以使用。此外，还能够使用具有两个硫代羧酸基的化合物。
二硫代羧酸是有机羧酸的羧基中的2个氧原子被硫原子所取代的化合物，例如以r-(cs)-sh表示。r表示可以含有羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或杂环基。而且，二硫代羧酸还能够以盐的形态加以使用。此外，还能够使用具有两个二硫代羧酸基的化合物。
硫代磺酸是有机磺酸的羟基被巯基所取代的化合物，例如以r(so2)-sh表示。r表示可以含有羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或杂环基。而且，硫代磺酸还能够以盐的形态加以使用。
二硫代磺酸是有机二磺酸的两个羟基分别被巯基所取代的化合物，例如以r-((so2)-sh)2表示。r表示可以含有羟基或胺基的脂肪族系或芳香族系烃基或杂环基。而且，两个硫代磺酸基可以分别键结于相同的碳，也可以键结于相互不同的碳。而且，二硫代磺酸还能够以盐的形态加以使用。
此处，作为适合作为r的脂肪族系烃基，可以列举烷基、环烷基，这些烃基可以含有羟基及胺基中的任一个或两个。
另外，作为烷基没有限定，可以列举：甲基、乙基、正或异丙基、正、异或叔丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直链状或支链状的碳数1～20、优选碳数1～10、更优选碳数1～5的烷基。
另外，作为环烷基没有限定，可以列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳数3～10、优选碳数5～7的环烷基。
另外，作为适合作为r的芳香族烃基，可以列举：苯基、经烷基取代的苯基(例如，甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳数6～20、优选6～14的芳基，这些烃基可以含有羟基及胺基中的任一个或两个。
另外，作为适合作为r的杂环基，可以列举：咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、噻唑、苯并噻唑，可以含有羟基及胺基中的任一个或两个。
作为分子内具有2个以下的巯基的化合物的优选例，可以列举：3-巯基-1,2丙二醇、2-巯基乙醇、1,2-乙二硫醇、6-巯基-1-己醇、1-辛硫醇、1-十二硫醇、10-羟基-1-十二硫醇、10-羧基-1-十二硫醇、10-胺基-1-十二硫醇、1-十二硫醇磺酸钠、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、对甲苯硫醇、2,4-二甲基苯硫醇、3-巯基-1,2,4三唑、2-巯基-苯并噻唑。这些化合物中，就水溶性及废弃物处理方面的观点而言，优选3-巯基-1,2丙二醇。
在脱模层的形成步骤中，分子内具有2个以下的巯基的化合物能以水溶液的形态加以使用。为了提高在水中的溶解性，也可以添加甲醇或乙醇等醇。醇的添加在使用疏水性高的在分子内具有2个以下的巯基的化合物时特别有效。
当分子内具有2个以下的巯基的化合物在水溶液中的浓度高时，有树脂基材与金属箔的剥离强度降低的倾向，能够通过调整分子内具有2个以下的巯基的化合物的浓度来调整剥离强度。分子内具有2个以下的巯基的化合物在水溶液中的浓度没有限定，能设为0.01～10.0重量％，典型来说能设为0.1～5.0重量％。
分子内具有2个以下的巯基的化合物的水溶液的ph值没有特别限制，在酸性侧或碱性侧都能加以利用。例如能以3.0～10.0的范围的ph值加以使用。就无需特意进行ph值调整的观点而言，优选设为中性附近即5.0～9.0的范围的ph值，更优选设为7.0～9.0的范围的ph值。
(3)金属烷氧化物
可以将脱模层制成：包含至少1种或2种以上的选自由具有下式所表示的结构的铝酸盐化合物、钛酸盐化合物、锆酸盐化合物、铝酸盐化合物的水解产物、钛酸盐化合物的水解产物、锆酸盐化合物的水解产物、铝酸盐化合物的水解产物的缩合物、钛酸盐化合物的水解产物的缩合物以及锆酸盐化合物的水解产物的缩合物所组成的群中的化合物的构成、或者单独或多种地进行混合而成的构成。以下，所述水解产物的缩合物也被简称为金属烷氧化物。通过经由所述脱模层将树脂基材与金属箔进行贴合，密合性适度地降低，能调节剥离强度。
[化学式4]
(r1)m-m-(r2)n
式中，r1为烷氧基或卤素原子，r2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，m为al、ti、zr中的任一个，n为0、1或2，m为1以上且m的价数以下的整数，r1中的至少一个为烷氧基；m+n为m的价数；m的价数在al的情况下为3，在ti、zr的情况下为4。
所述金属烷氧化物必须具有至少一个烷氧基。当不存在烷氧基而仅为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或者由一个以上的氢原子被卤素原子所取代的这些任一烃基构成取代基时，有树脂基材与金属箔的密合性过度降低的倾向。而且，所述金属烷氧化物必须具有0～2个选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或一个以上的氢原子被卤素原子所取代的这些任一烃基。原因在于：当具有3个以上的所述烃基时，有树脂基材与金属箔的密合性过度降低的倾向。另外，烷氧基也包含一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烷氧基。在将树脂基材与金属箔的剥离强度调节至所述范围的方面，所述金属烷氧化物优选具有两个以上的烷氧基、一个或两个所述烃基(包含一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基)。
另外，作为烷基没有限定，可以列举：甲基、乙基、正或异丙基、正、异或叔丁基、正、异或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直链状或支链状的碳数1～20、优选碳数1～10、更优选碳数1～5的烷基。
另外，作为环烷基没有限定，可以列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基等碳数3～10、优选碳数5～7的环烷基。
另外，作为适合作为r2的芳香族烃基，可以列举：苯基、经烷基取代的苯基(例如，甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳数6～20、优选6～14的芳基，这些烃基可以含有羟基及胺基中的一个或两个。这些烃基的一个以上的氢原子可以被卤素原子所取代，例如可以被氟原子、氯原子、或溴原子所取代。
作为优选的铝酸盐化合物的示例，可以列举：三甲氧基铝、甲基二甲氧基铝、乙基二甲氧基铝、正或异丙基二甲氧基铝、正、异或叔丁基二甲氧基铝、正、异或新戊基二甲氧基铝、己基二甲氧基铝、辛基二甲氧基铝、癸基二甲氧基铝、苯基二甲氧基铝；经烷基取代的苯基二甲氧基铝(例如，对(甲基)苯基二甲氧基铝)、二甲基甲氧基铝、三乙氧基铝、甲基二乙氧基铝、乙基二乙氧基铝、正或异丙基二乙氧基铝、正、异或叔丁基二乙氧基铝、戊基二乙氧基铝、己基二乙氧基铝、辛基二乙氧基铝、癸基二乙氧基铝、苯基二乙氧基铝、经烷基取代的苯基二乙氧基铝(例如，对(甲基)苯基二乙氧基铝)、二甲基乙氧基铝、三异丙氧基铝、甲基二异丙氧基铝、乙基二异丙氧基铝、正或异丙基二乙氧基铝、正、异或叔丁基二异丙氧基铝、戊基二异丙氧基铝、己基二异丙氧基铝、辛基二异丙氧基铝、癸基二异丙氧基铝、苯基二异丙氧基铝、经烷基取代的苯基二异丙氧基铝(例如，对(甲基)苯基二异丙氧基铝)、二甲基异丙氧基铝、(3,3,3-三氟丙基)二甲氧基铝、以及十三氟辛基二乙氧基铝、甲基二氯化铝、二甲基氯化铝、二甲基氯化铝、苯基二氯化铝、二甲基氟化铝、二甲基溴化铝、二苯基溴化铝、这些化合物的水解产物、以及这些化合物的水解产物的缩合物等。这些化合物中，就容易获取的观点而言，优选三甲氧基铝、三乙氧基铝、三异丙氧基铝。
作为优选的钛酸盐化合物的示例，可以列举：四甲氧基钛、甲基三甲氧基钛、乙基三甲氧基钛、正或异丙基三甲氧基钛、正、异或叔丁基三甲氧基钛、正、异或新戊基三甲氧基钛、己基三甲氧基钛、辛基三甲氧基钛、癸基三甲氧基钛、苯基三甲氧基钛；经烷基取代的苯基三甲氧基钛(例如，对(甲基)苯基三甲氧基钛)、二甲基二甲氧基钛、四乙氧基钛、甲基三乙氧基钛、乙基三乙氧基钛、正或异丙基三乙氧基钛、正、异或叔丁基三乙氧基钛、戊基三乙氧基钛、己基三乙氧基钛、辛基三乙氧基钛、癸基三乙氧基钛、苯基三乙氧基钛、经烷基取代的苯基三乙氧基钛(例如，对(甲基)苯基三乙氧基钛)、二甲基二乙氧基钛、四异丙氧基钛、甲基三异丙氧基钛、乙基三异丙氧基钛、正或异丙基三乙氧基钛、正、异或叔丁基三异丙氧基钛、戊基三异丙氧基钛、己基三异丙氧基钛、辛基三异丙氧基钛、癸基三异丙氧基钛、苯基三异丙氧基钛、经烷基取代的苯基三异丙氧基钛(例如，对(甲基)苯基三异丙氧基钛)、二甲基二异丙氧基钛、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基钛、以及十三氟辛基三乙氧基钛、甲基三氯化钛、二甲基二氯化钛、三甲基氯化钛、苯基三氯化钛、二甲基二氟化钛、二甲基二溴化钛、二苯基二溴化钛、这些化合物的水解产物、以及这些化合物的水解产物的缩合物等。这些化合物中，就容易获取的观点而言，优选四甲氧基钛、四乙氧基钛、四异丙氧基钛。
作为优选的锆酸盐化合物的示例，可以列举：四甲氧基锆、甲基三甲氧基锆、乙基三甲氧基锆、正或异丙基三甲氧基锆、正、异或叔丁基三甲氧基锆、正、异或新戊基三甲氧基锆、己基三甲氧基锆、辛基三甲氧基锆、癸基三甲氧基锆、苯基三甲氧基锆；经烷基取代的苯基三甲氧基锆(例如，对(甲基)苯基三甲氧基锆)、二甲基二甲氧基锆、四乙氧基锆、甲基三乙氧基锆、乙基三乙氧基锆、正或异丙基三乙氧基锆、正、异或叔丁基三乙氧基锆、戊基三乙氧基锆、己基三乙氧基锆、辛基三乙氧基锆、癸基三乙氧基锆、苯基三乙氧基锆、经烷基取代的苯基三乙氧基锆(例如，对(甲基)苯基三乙氧基锆)、二甲基二乙氧基锆、四异丙氧基锆、甲基三异丙氧基锆、乙基三异丙氧基锆、正或异丙基三乙氧基锆、正、异或叔丁基三异丙氧基锆、戊基三异丙氧基锆、己基三异丙氧基锆、辛基三异丙氧基锆、癸基三异丙氧基锆、苯基三异丙氧基锆、经烷基取代的苯基三异丙氧基锆(例如，对(甲基)苯基三异丙氧基钛)、二甲基二异丙氧基锆、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基锆、以及十三氟辛基三乙氧基锆、甲基三氯化锆、二甲基二氯化锆、三甲基氯化锆、苯基三氯化锆、二甲基二氟化锆、二甲基二溴化锆、二苯基二溴化锆、这些化合物的水解产物、以及这些化合物的水解产物的缩合物等。这些化合物中，就容易获取的观点而言，优选四甲氧基锆、四乙氧基锆、四异丙氧基锆。
在脱模层的形成步骤中，金属烷氧化物能以水溶液的形态加以使用。为了提高在水中的溶解性，也可以添加甲醇或乙醇等醇类。醇类的添加在使用疏水性高的金属烷氧化物时特别有效。
当金属烷氧化物在水溶液中的浓度较高时，有树脂基材与金属箔的剥离强度降低的倾向，能够通过调整金属烷氧化物浓度来调整剥离强度。金属烷氧化物在水溶液中的浓度没有限定，能设为0.001～1.0mol/l，典型来说能设为0.005～0.2mol/l。
金属烷氧化物的水溶液的ph值没有特别限制，在酸性侧或碱性侧都能加以利用。例如能以3.0～10.0的范围的ph值加以使用。就无需特意进行ph值调整的观点而言，优选设为中性附近即5.0～9.0的范围的ph值，更优选设为7.0～9.0的范围的ph值。
(4)其它
可以将硅系脱模剂、具有脱模性的树脂被膜等众所周知的具有脱模性的物质用于脱模层。
金属箔也可以在金属箔的第一面、及/或金属箔的第二面、及/或金属箔与所述脱模层之间设置选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。这里所谓铬酸盐处理层是指利用包含铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体进行处理的层。铬酸盐处理层还可以含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷以及钛等元素(也可以为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可以列举利用铬酸酐或二铬酸钾水溶液进行过处理的铬酸盐处理层、或利用含有铬酸酐或二铬酸钾以及锌的处理液进行处理的铬酸盐处理层等。
粗化处理层例如能通过以下处理而形成。
[球状粗化]
使用由cu、h2so4、as构成的下文记载的铜粗化镀浴形成球状粗化粒子。
·液体组成1
cuso4·5h2o78～196g/l
cu20～50g/l
h2so450～200g/l
砷0.7～3.0g/l
(电性镀敷温度1)30～76℃
(电流条件1)电流密度35～105a/dm2(镀浴的极限电流密度以上)
(镀敷时间1)1～240秒钟
然后，利用由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴进行覆盖镀敷以防止粗化粒子的脱落及提高剥离强度。将覆盖镀敷条件记载在下文中。
·液体组成2
cuso4·5h2o88～352g/l
cu22～90g/l
h2so450～200g/l
(电性镀敷温度2)25～80℃
(电流条件2)电流密度：15～32a/dm2(小于镀浴的极限电流密度)
(镀敷时间1)1～240秒钟
而且，能使用众所周知的耐热层、防锈层作为耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可以为包含选自由镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽所组成的群中的1种以上的元素的层，也可以为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素构成的金属层或合金层。而且，耐热层及/或防锈层也可以包括氧化物、氮化物、硅化物，这些氧化物、氮化物、硅化物包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素。而且，耐热层及/或防锈层可以为包含镍-锌合金的层。而且，耐热层及/或防锈层也可以为镍-锌合金层。除了无法避免的杂质以外，所述镍-锌合金层可以含有50wt％～99wt％的镍、50wt％～1wt％的锌。所述镍-锌合金层的锌以及镍的合计附着量可以为5～1000mg/m2，优选10～500mg/m2，优选20～100mg/m2。而且，所述包含镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍附着量与锌附着量的比(＝镍附着量/锌附着量)优选1.5～10。而且，所述包含镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍附着量优选0.5mg/m2～500mg/m2，更优选1mg/m2～50mg/m2。
例如耐热层及/或防锈层可以为依次积层附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层、及附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选5mg/m2～40mg/m2的锡层而成的耐热层及/或防锈层，所述镍合金层可以由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴中的任一种所构成。而且，耐热层及/或防锈层中镍或镍合金及锡的合计附着量优选2mg/m2～150mg/m2，更优选10mg/m2～70mg/m2。而且，耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。
另外，硅烷偶联处理所使用的硅烷偶联剂可以使用众所周知的硅烷偶联剂，例如可以使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂、巯基系硅烷偶联剂。而且，硅烷偶联剂也可以使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
所述硅烷偶联处理层可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶联剂等形成。另外，这种硅烷偶联剂可以将2种以上混合而使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂形成的硅烷偶联处理层。
这里所说的氨基系硅烷偶联剂可以为选自由n-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(n-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、n-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、n-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、n-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、n-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、n-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-n-苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(n,n-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(n,n-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、n-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、n-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(n-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷所组成的群中的氨基系硅烷偶联剂。
硅烷偶联处理层比较理想的是以硅原子换算在0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围内进行设置。在所述范围的情况下，能进一步提高树脂基材与金属箔的密合性。
而且，能对金属箔、粗化粒子层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层、铬酸盐处理层或脱模层的表面进行国际公开编号wo2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号wo2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号wo2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号wo2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013-19056号中记载的表面处理。这样一来，本发明的金属箔还包含表面处理金属箔。
也可以在设置在金属箔的第一面的选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层的面上设置有树脂层。
设置在所述金属箔的第一面的树脂层可以为接着用树脂、即接着剂，可以为底漆，也可以为接着用的半硬化状态(b阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(b阶段状态)包含如下状态：即使利用手指接触绝缘树脂层的表面也不会有粘附感，能将所述绝缘树脂层重叠地进行进行保管，如果进一步受到加热处理，便会产生硬化反应。所述金属箔的表面的树脂层优选在与脱模层进行接触时表现出适度的剥离强度(例如2gf/cm～200gf/cm)的树脂层。而且，优选使用跟随金属箔的表面凹凸而难以混入会导致隆起的空隙或气泡的树脂。例如，在金属箔表面设置所述树脂层时，优选使用树脂粘度为10000mpa·s(25℃)以下、更优选的树脂粘度为5000mpa·s(25℃)以下等低粘度树脂设置树脂层。通过在积层在金属箔的绝缘基板与金属箔之间设置所述树脂层，即使在使用难以跟随金属箔的表面凹凸的绝缘基板时，由于树脂层会跟随金属箔表面，所以能够使金属箔与绝缘基板之间不容易产生空隙或气泡，因此有效。
而且，设置在所述金属箔的第一面的树脂层可以包含热硬化性树脂，也可以为热塑性树脂。而且，所述金属箔表面的树脂层可以包含热塑性树脂。所述金属箔表面的树脂层可以包含众所周知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。而且，所述金属箔表面的树脂层例如可以使用国际公开编号wo2008/004399、国际公开编号wo2008/053878、国际公开编号wo2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号wo97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号wo2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号wo2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号wo2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号wo2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号wo2008/114858、国际公开编号wo2009/008471、日本专利特开2011-14727号、国际公开编号wo2009/001850、国际公开编号wo2009/145179、国际公开编号wo2011/068157、日本特开2013-19056号中记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置形成。
(积层体、半导体封装、电子机器)
能使附脱模层金属箔及设置在附脱模层金属箔的树脂基材积层而制作积层体。所述积层体可以利用纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂以及玻璃布基材环氧树脂等形成树脂基材。树脂基材可以为预浸料，也可以包含热硬化性树脂。而且，通过在所述积层体的金属箔形成电路，能制作印刷配线板。进而，通过在印刷配线板搭载电子零件类，能制作印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”包含像这样搭载有电子零件类的印刷配线板、印刷电路板以及印刷基板。而且，可以使用所述印刷配线板制作电子机器，可以使用所述搭载有电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可以使用所述搭载有电子零件类的印刷基板制作电子机器。而且，所述“印刷电路板”还包含半导体封装用电路形成基板。进而，能在半导体封装用电路形成基板搭载电子零件类而制作半导体封装。进而，可以使用所述半导体封装制作电子机器。
(印刷配线板的制造方法)
本发明的印刷配线板的制造方法的一方面具备以下步骤：在本发明的附脱模层金属箔贴合绝缘基板；通过将附脱模层金属箔在不被蚀刻的情况下从绝缘基板剥离而获得在剥离面转印有附脱模层金属箔的表面轮廓的绝缘基板；及在转印有表面轮廓的绝缘基板的剥离面侧形成电路。通过这种构成，实现了将金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离，在将金属箔从树脂基材去除的步骤中，能够在不损坏从金属箔表面转印到树脂基材表面的表面轮廓的情况下，低成本地将金属箔去除。在所述制造方法中，可以利用镀敷图案形成电路。在此情况下，能在形成镀敷图案后，利用所述镀敷图案形成所期望的电路而制作印刷配线板。而且，也可以利用印刷图案形成电路。在此情况下，例如能在使用油墨中含有导电膏等的喷墨形成印刷图案后，利用所述印刷图案形成所期望的印刷电路而制作印刷配线板。
本说明书中所谓“表面轮廓”是指表面的凹凸形状。
本发明的印刷配线板的制造方法的又一方面具备以下步骤：在本发明的附脱模层金属箔贴合绝缘基板；通过将附脱模层金属箔在不被蚀刻的情况下从绝缘基板剥离而获得在剥离面转印有附脱模层金属箔的表面轮廓的绝缘基板；及在转印有表面轮廓的绝缘基板的剥离面侧设置增层。通过这种构成，实现了将金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离，在将金属箔从树脂基材去除的步骤中，能够在不损坏转印到树脂基材表面的金属箔表面的轮廓的情况下，低成本地将金属箔去除。而且，根据转印到树脂基材的指定的凹凸表面，树脂基材的树脂成分与增层的树脂成分可以不同也可以相同，能够密合性良好地将两者贴合。
这里所谓“增层”是指具有导电层、配线图案或电路、及树脂等绝缘体的层。所述树脂等绝缘体的形状可以为层状。而且，所述导电层、配线图案或电路及树脂等绝缘体无论怎样设置均可。
增层能通过在剥离面转印有金属箔的表面轮廓的树脂基材的剥离面侧设置导电层、配线图案或电路及树脂等绝缘体而制作。作为导电层、配线图案或电路的形成方法，能使用半加成法、全加成法、减成法、部分加成法等众所周知的方法。
增层可以具有多层，也可以具有多个导电层、配线图案或电路及树脂(层)。
多个导电层、配线图案或电路可以通过树脂等绝缘体而电性绝缘。可以通过利用激光及/或钻孔器在树脂等绝缘体形成通孔及/或盲孔后，在所述通孔及/或盲孔形成镀铜等导通镀敷，而将电性绝缘的多个导电层、配线图案或电路电性连接。
构成这种增层的树脂等绝缘体能使用本说明书中记载的树脂、树脂层、树脂基材，能使用众所周知的树脂、树脂层、树脂基材、绝缘体、预浸料、使树脂含浸在玻璃布而成的基材等。树脂可以包含无机物及/或有机物。而且，构成增层的树脂可以利用lcp(液晶聚合物)、氟树脂、低介电常数聚酰亚胺、聚苯醚、环烯烃聚合物或聚四氟乙烯等具有低相对介电常数的材料形成。近年来，随着高频产品的增多，将lcp(液晶聚合物)、氟树脂、低介电常数聚酰亚胺、聚苯醚、环烯烃聚合物或聚四氟乙烯(特富龙：注册商标)等具有低相对介电常数的材料掺入印刷基板的结构的举动增多。此时，在基本的批量生产方面存在如下基本问题：由于这些材料具有热塑性，所以在热压加工时无法避免形状变化，如果使用由lcp(液晶聚合物)、氟树脂、低介电常数聚酰亚胺、聚苯醚、环烯烃聚合物或聚四氟乙烯单体构成基板，生产成品率不会提高。如果使用所述本发明的制造方法，即使针对这种问题，也能通过使用环氧树脂之类的热硬化性树脂作为树脂基板并与之贴合，而提供高频特性优异且能防止加热时的形状变形的印刷配线板。
本发明的印刷配线板的制造方法的又一方面是包含以下步骤的印刷配线板的制造方法：在本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔，从所述脱模层侧或所述金属箔的第二面侧贴合绝缘基板1；在积层有所述绝缘基板1的所述附脱模层金属箔或所述金属箔的第一面侧形成电路；通过利用绝缘基板2覆盖所述电路而将所述电路埋入所述绝缘基板2；从所述附脱模层金属箔或所述金属箔将所述绝缘基板1剥离而露出所述附脱模层金属箔或所述金属箔；及将所述露出的附脱模层金属箔或所述金属箔去除。
而且，本发明的印刷配线板的制造方法的又一方面包含以下步骤：在本发明的附脱模层金属箔或本发明的金属箔，从所述脱模层侧或所述金属箔的第二面侧贴合绝缘基板1；在积层有所述绝缘基板1的附脱模层金属箔或所述金属箔的第一面侧积层干膜；将所述干膜图案化后，形成电路；将所述干膜剥离而露出所述电路；通过利用绝缘基板2覆盖所述露出的电路而将所述电路埋入所述绝缘基板2；从所述附脱模层金属箔或所述金属箔将所述绝缘基板1剥离而露出所述附脱模层金属箔或所述金属箔；及将所述露出的附脱模层金属箔或所述金属箔去除。
通过使用“像这样在表面凹凸状态得到控制的金属箔设置脱模层而能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离的金属箔”，能够低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。而且，能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离，在将金属箔从树脂基材去除的步骤中，能够在不损坏转印到树脂基材表面的金属箔的表面轮廓的情况下，低成本地将金属箔去除。
这里，使用附图对使用了本发明的附脱模层金属箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。
首先，如图1-a所示，准备附脱模层金属箔(第1层)，所述附脱模层金属箔(第1层)是从脱模层侧积层在树脂基板。
然后，如图1-b所示，在金属箔上涂布阻剂并进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成指定形状。
然后，如图1-c所示，通过在形成电路用镀敷后将阻剂去除，而形成指定形状的电路镀敷。
然后，如图2-d所示，以覆盖电路镀敷的方式(以埋藏电路镀敷的方式)在金属箔上设置埋入树脂而积层树脂层，接下来从第1层金属箔侧接着另一附脱模层金属箔(第2层)。
然后，如图2-e所示，从第2层附脱模层金属箔剥离树脂基板。
然后，如图2-f所示，在树脂层的指定位置进行激光开孔，露出电路镀敷而形成盲孔。
然后，如图3-g所示，在盲孔埋入铜而形成填孔。
然后，如图3-h所示，在填孔上以所述图1-b以及图1-c的方式形成电路镀敷。
然后，如图3-i所示，从第1层附脱模层金属箔剥离树脂基板。
然后，如图4-j所示，通过急速蚀刻将两表面的金属箔去除，露出树脂层内的电路镀敷的表面。
然后，如图4-k所示，在树脂层内的电路镀敷上形成凸块，并在所述焊料上形成铜柱。以这种方式制作使用了本发明的附脱模层金属箔的印刷配线板。
另外，在所述印刷配线板的制造方法中，也能够将“金属箔”替换成树脂基板，将“树脂基板”替换成金属箔地在附脱模层金属箔的树脂基板侧表面形成电路，从而利用树脂将电路埋入，制造印刷配线板。
所述另一附脱模层金属箔(第2层)可以使用本发明的附脱模层金属箔，可以使用现有的附脱模层金属箔，还可以使用通常的铜箔。而且，可以在图3-h所示的第2层电路上再形成1层或多层电路，可以利用半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一种方法形成这些电路。
根据如上所述的印刷配线板的制造方法，成为电路镀敷被埋入树脂层中的构成，所以在例如通过如图4-j所示的急速蚀刻将金属箔去除时，电路镀敷受到树脂层的保护，保持了电路镀敷的形状，由此容易形成微细电路。而且，因为电路镀敷受到树脂层的保护，所以耐迁移性提高，良好地抑制了电路配线的导通。因此，容易形成微细电路。而且，像图4-j以及图4-k所示那样通过急速蚀刻将金属箔去除时，电路镀敷的露出面成为从树脂层凹陷的形状，所以容易在所述电路镀敷上形成凸块，并进而在所述凸块上形成铜柱，制造效率提高。
另外，埋入树脂(レジン)可以使用众所周知的树脂、预浸料。例如，可以使用作为含浸有bt(双马来酰亚胺三嗪)树脂或bt树脂的玻璃布的预浸料、味之素精细化学股份有限公司制造的abf膜或abf。而且，所述埋入树脂(レジン)可以使用本说明书中记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料。
而且，所述第一层所使用的附脱模层金属箔可以在所述附脱模层金属箔的表面具有基板或树脂层。通过具有所述基板或树脂层，有如下优点：第一层所使用的附脱模层金属箔受到支撑，不容易产生皱褶，所以生产性提高。另外，只要具有支撑所述第一层所使用的附脱模层金属箔的效果，所述基板或树脂层能使用任何基板或树脂层。例如能使用本申请的说明书中记载的载体、预浸料、树脂层或众所周知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物板、无机化合物箔、有机化合物板、有机化合物箔作为所述基板或树脂层。
此外，将使用金属箔的表面轮廓的半加成法的示意图示于图5。所述半加成法中使用了金属箔的表面轮廓。具体来说，首先，从脱模层侧将本发明的附脱模层金属箔积层在树脂基材而制作积层体。然后，利用蚀刻将积层体的金属箔去除或剥离。然后，利用稀硫酸等将转印有金属箔表面轮廓的树脂基材的表面洗净后，实施无电解镀铜。接下来，利用干膜等覆盖树脂基材的未形成电路的部分，并对未覆盖干膜的无电解镀铜层表面实施电性(电解)镀铜。然后，在将干膜去除后，将形成在未形成电路的部分的无电解镀铜层去除，由此形成微细电路。本发明中所形成的微细电路与转印有本发明的金属箔表面轮廓的树脂基材的剥离面密合，所以其密合力(剥离强度)良好。
此外，半加成法的另一实施方式如下所述。
所谓半加成法是指如下方法：在树脂基材或金属箔上进行较薄的无电解镀敷而形成图案后，使用电性镀敷以及蚀刻形成导体图案。因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中包含以下步骤：准备本发明的金属箔或本发明的附脱模层金属箔及树脂基材；
从表面轮廓得到控制的一侧或脱模层侧将树脂基材积层在所述金属箔或所述附脱模层金属箔；
将所述金属箔与树脂基材积层后，利用蚀刻将所述金属箔去除或剥离；
在去除或剥离所述金属箔而产生的树脂基材的露出面或剥离面设置通孔或/以及盲孔；
对包含所述通孔或/以及盲孔的区域进行除胶渣处理；
对于所述树脂基材以及包含所述通孔或/以及盲孔的区域，利用稀硫酸等将树脂基材表面洗净并设置无电解镀敷层(例如无电解镀铜层)；
在所述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；
对所述镀敷阻剂进行曝光，然后将形成有电路的区域的镀敷阻剂去除；
在去除了所述镀敷阻剂的形成有所述电路的区域设置电解镀敷层(例如电解镀铜层)；
将所述镀敷阻剂去除；
通过急速蚀刻等将位于形成有所述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。
使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中包含以下步骤：准备本发明的金属箔或本发明的附脱模层金属箔及树脂基材；
从表面轮廓得到控制的一侧或脱模层侧将树脂基材积层在所述金属箔或所述附脱模层金属箔；
将所述金属箔与树脂基材积层后，利用蚀刻将所述金属箔去除或剥离；
对于去除或剥离所述金属箔而产生的树脂基材的露出面或剥离面，利用稀硫酸等将树脂基材表面洗净并设置无电解镀敷层(例如无电解镀铜层)；
在所述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；
对所述镀敷阻剂进行曝光，然后将形成有电路的区域的镀敷阻剂去除；
在去除了所述镀敷阻剂的形成有所述电路的区域设置电解镀敷层(例如电解镀铜层)；
将所述镀敷阻剂去除；
通过急速蚀刻等将位于形成有所述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。
这样一来，能在剥离了金属箔后的树脂基材的剥离面形成电路，从而制作印刷电路形成基板、半导体封装用电路形成基板。进而，能使用所述电路形成基板制作印刷配线板、半导体封装。进而，能使用所述印刷配线板、半导体封装制作电子机器。
另一方面，使用全加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中包含以下步骤：
从表面轮廓得到控制的一侧或脱模层侧将树脂基材积层在所述金属箔或所述附脱模层金属箔；
将所述金属箔与树脂基材积层后，利用蚀刻将所述金属箔去除或剥离；
对于去除或剥离所述金属箔而产生的树脂基材的露出面或剥离面，利用稀硫酸等将树脂基材表面洗净；
在所述洗净的树脂基材表面设置镀敷阻剂；
对所述镀敷阻剂进行曝光，然后将形成有电路的区域的镀敷阻剂去除；
在去除了所述镀敷阻剂的形成有所述电路的区域设置无电解镀敷层(例如可以为无电解镀铜层、具有厚度的无电解镀敷层)；
将所述镀敷阻剂去除。
另外，半加成法以及全加成法有时具有如下效果：通过将所述树脂基材表面洗净，容易设置无电解镀敷层。尤其是当脱模层残留在树脂基材表面时，有时具有如下效果：通过所述洗净将脱模层的一部分或全部从树脂基材表面去除，所以通过所述树脂基材表面的洗净，更加容易设置无电解镀敷层。所述洗净能使用利用众所周知的洗净方法(所使用的液体的种类、温度、液体的涂布方法等)进行的洗净。而且，优选使用能将本发明的脱模层的一部分或全部去除的洗净方法。
这样一来，能利用半加成工艺或全加成工艺在去除或剥离金属箔后的树脂基材的露出面或剥离面形成电路，从而制作印刷电路形成基板、半导体封装用电路形成基板。进而，能使用所述电路形成基板制作印刷配线板、半导体封装。进而，能使用所述印刷配线板、半导体封装制作电子机器。
[实施例]
以下揭示本发明的实施例以及作为比较例的实验例，但提供这些实施例的目的在于更好地理解本发明及其优点，并不意图限定发明。
·生箔(表面处理前的铜箔)的制造
(实施例1～16、19、比较例1～3)
准备钛制旋转转筒(电解转筒)。然后，根据表1所记载的电解转筒表面控制条件进行研磨，制作表面具有指定的均方根高度sq的电解转筒。具体来说，利用表1所记载的粒度号数的研磨带对所述电解转筒的表面进行研磨。此时，一面将研磨带在转筒的宽度方向上卷绕指定宽度并使研磨带朝转筒的宽度方向移动，一面使转筒旋转，由此进行研磨。将所述研磨时的转筒表面的旋转速度示于表1。另外，研磨时间设为根据研磨带的宽度及研磨带的移动速度在1次行程内通过转筒表面的1点的时间与行程次数的乘积。这里所谓研磨带的1次行程是指利用研磨带从轴方向(电解铜箔的宽度方向)的一个端部至另一端部，对旋转转筒的圆周方向的表面进行1次研磨。
即，研磨时间是由以下数学式表示。
研磨时间(分钟)＝每一行程的研磨带的宽度(cm/次)/研磨带的移动速度(cm/分钟)×行程次数(次)
对于实施例2、5、8、14～16、比较例3，在研磨电解转筒的表面时，利用水将转筒表面润湿。
然后，在电解槽中配置所述电解转筒，并在转筒周围隔开指定的极间距离地配置电极。然后，在实施例1～10、12、14～16、比较例2、3中，在电解槽利用下述条件进行电解，使电解转筒旋转并且使铜析出至所述电解转筒的表面。将此时的电流密度及电解液线速度记载于表1。
(电解液组成)
cu120g/l
h2so4100g/l
氯化物离子(cl-)70ppm
鱼胶6ppm
电解液温度60℃
在实施例11、19、比较例1中，向所述电解液追加而添加80ppm的添加剂双(3-磺丙基)二硫化物(sps)。
实施例13中使用的电解液组成除将氯化物离子浓度设为2ppm以下且不使用鱼胶而是添加动物胶2ppm以外，与实施例1～10、12、14～16、比较例2、3相同。
然后，剥下析出至正旋转的电解转筒表面的铜，连续制造表1所记载的厚度的电解铜箔。
(实施例17)
对精铜铸锭反复进行压延及退火而制成0.2mm的厚度。然后，进行最终冷轧，将铜箔的厚度制成80μm。最终冷轧的加工度设为60％。而且，设为：压延加工度＝(压延前的板厚－压延后的板厚)/压延前的板厚×100％；油膜当量设为20000。
油膜当量由以下数学式表示。
油膜当量＝{(压延油粘度[cst])×(通板速度[mpm]+辊周速度[mpm])}/{(辊的啮入角[rad])×(材料的降伏应力[kg/mm2])}
压延油粘度[cst]为40℃下的动态粘度。
而且，最终冷轧中使用的压延辊是使用表面为sq＝0.20μm的辊。关于压延辊的表面调整，通过在对压延辊进行研削时使研削时间比通常情况更长，能减小sq的值。而且，通过缩短研削时间，能增大sq的值。
(实施例18)
对zn25mass％、其余部分为cu以及无法避免的杂质的铜合金(黄铜)铸锭反复进行压延及退火而制成0.2mm的厚度。然后在以下条件下进行最终冷轧，将铜箔的厚度制成80μm。最终冷轧的加工度设为60％。压延加工度＝(压延前的板厚－压延后的板厚)/压延前的板厚×100％
油膜当量设为20000。
油膜当量由下式表示。
油膜当量＝{(压延油粘度[cst])×(通板速度[mpm]+辊周速度[mpm])}/{(辊的啮入角[rad])×(材料的降伏应力[kg/mm2])}
压延油粘度[cst]为40℃下的动态粘度。
而且，最终冷轧中使用的压延辊是使用表面为sq＝0.20μm的辊。关于压延辊的表面调整，通过在对压延辊进行研削时使研削时间比通常情况更长，能减小sq的值。而且，通过缩短研削时间，能增大sq的值。
·表面处理
然后，作为表面处理，在电解铜箔中是对生箔的m面(析出面、无光泽面)进行如下所述之处理，当为压延铜箔时则对生箔的任一个面进行如下所述之处理，即，在下文所示的各条件下进行粗化处理、耐热处理、防锈处理、硅烷偶联处理、树脂层形成处理中的任一种处理、或者组合地进行各处理。接下来，在下文所示的条件下在铜箔的所述处理侧表面形成脱模层。另外，当未特别说明时，各处理是按所述记载顺序进行。而且，表1中各处理栏中记载为“无”时表示未实施这些处理。另外，实施例5、7、8、10对s面(转筒侧的面、光滑面、光泽面)也进行了与m面相同的所述处理。另外，在形成有脱模层的实施例以及比较例中，将铜箔的与形成有脱模层的一侧为相反侧的面设为第一面，将铜箔的形成有脱模层的一侧的面设为第二面。而且，在未形成脱模层的实施例以及比较例中，将电解铜箔的s面侧的面设为第一面，将电解铜箔的m面侧的面设为第二面。
(1)粗化处理
[球状粗化]
使用由cu、h2so4、as构成的下文记载的铜粗化镀浴形成球状粗化粒子。
·液体组成1
cuso4·5h2o78～118g/l
cu20～30g/l
h2so412g/l
砷1.0～3.0g/l
(电性镀敷温度1)25～33℃
(电流条件1)电流密度78a/dm2(镀浴的极限电流密度以上)
(镀敷时间1)1～45秒钟
接下来，利用由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴进行覆盖镀敷以防止粗化粒子的脱落及提高剥离强度。将覆盖镀敷条件记载在下文中。
·液体组成2
cuso4·5h2o156g/l
cu40g/l
h2so4120g/l
(电性镀敷温度2)40℃
(电流条件2)电流密度：20a/dm2(小于镀浴的极限电流密度)
(镀敷时间2)1～60秒钟
(2)耐热处理(阻隔处理)
(液体组成)
ni13g/l
zn5g/l
ph值2
(电性镀敷条件)
温度40℃
电流密度8a/dm2
(3)防锈处理
(液体组成)
cro32.5g/l
zn0.7g/l
na2so410g/l
ph值4.8
(铬酸锌条件)
温度54℃
电流密度0.7as/dm2
(4)硅烷偶联处理
(液体组成)
四乙氧基硅烷含量0.4％
ph值7.5
涂布方法溶液的喷雾
(5)脱模层的形成
[脱模层a]
使用喷雾涂布机将硅烷化合物(正丙基三甲氧基硅烷：4wt％)的水溶液涂布至铜箔的处理表面后，在100℃的空气中使铜箔表面干燥5分钟而形成脱模层a。将“使硅烷化合物溶解在水中至进行涂布前”的搅拌时间设为30小时，将水溶液中的醇浓度设为10vol％，将水溶液的ph值设为3.8～4.2。
[脱模层b]
使用1-十二硫醇磺酸钠作为分子内具有2个以下的巯基的化合物，使用喷雾涂布机将1-十二硫醇磺酸钠的水溶液(1-十二硫醇磺酸钠浓度：3wt％)涂布至铜箔的处理面后，在100℃的空气中干燥5分钟而制作脱模层b。水溶液的ph值设为5～9。
[脱模层c]
使用铝酸盐化合物的三异丙氧基铝作为金属烷氧化物，使用喷雾涂布机将三异丙氧基铝的水溶液(三异丙氧基铝浓度：0.04mol/l)涂布至铜箔的处理面后，在100℃的空气中干燥5分钟而制作脱模层c。将“使铝酸盐化合物溶解在水中至进行涂布前”的搅拌时间设为2小时，将水溶液中的醇浓度设为0vol％，将水溶液的ph值设为5～9。
[脱模层d]
使用钛酸盐化合物的正癸基-三异丙氧基钛作为金属烷氧化物，使用喷雾涂布机将正癸基-三异丙氧基钛的水溶液(正癸基-三异丙氧基钛浓度：0.01mol/l)涂布至铜箔的处理面后，在100℃的空气中干燥5分钟而制作脱模层d。将“使钛酸盐化合物溶解在水中至进行涂布前”的搅拌时间设为24小时，水溶液中的醇浓度是将甲醇设为20vol％，将水溶液的ph值设为5～9。
[脱模层e]
使用锆酸盐化合物的正丙基-三正丁氧基锆作为金属烷氧化物，使用喷雾涂布机将正丙基-三正丁氧基锆的水溶液(正丙基-三正丁氧基锆浓度：0.04mol/l)涂布至铜箔的处理面后，在100℃的空气中干燥5分钟而制作脱模层e。将“使钛酸盐化合物溶解在水中至进行涂布前”的搅拌时间设为12小时，将水溶液中的醇浓度设为0vol％，将水溶液的ph值设为5～9。
(6)树脂层形成处理
对于实施例1，在形成脱模层后，进而在下述条件下形成树脂层。
(树脂合成例)
向2升的三口烧瓶添加3,4,3',4'-联苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊内酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、n-甲基-2-吡咯烷酮(以下记为nmp)300g、甲苯20g，在180℃下加热1小时后冷却至室温附近，然后添加3,4,3',4'-联苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-双{4-(4-氨基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、nmp200g、甲苯40g并在室温下混合1小时，然后在180℃下加热3小时而获得固体成分38％的嵌段共聚聚酰亚胺，所述三口烧瓶在附带不锈钢制锚型搅拌棒、氮气导入管及停止旋塞的分离器上安装了具有球形冷却管的回流冷却器。所述嵌段共聚聚酰亚胺中，下文所示的通式(1)：通式(2)＝3：2，数量平均分子量为70000，重量平均分子量为150000。
[化学式5]
利用nmp进一步稀释合成例中所获得的嵌段共聚聚酰亚胺溶液，制成固体成分10％的嵌段共聚聚酰亚胺溶液。向所述嵌段共聚聚酰亚胺溶液添加双(4-马来酰亚胺苯基)甲烷(bmi-h，ki化成)而制成固体成分重量比率35、嵌段共聚聚酰亚胺的固体成分重量比率65(即，树脂溶液所包含的双(4-马来酰亚胺苯基)甲烷固体成分重量：树脂溶液所含的嵌段共聚聚酰亚胺固体成分重量＝35：65)，并在60℃下溶解混合20分钟而制成树脂溶液。然后，在脱模层形成面涂敷所述树脂溶液，在氮气氛围下以120℃进行3分钟干燥处理并以160℃进行3分钟干燥处理后，最后以300℃进行2分钟加热处理，从而制作具备树脂层的铜箔。此外，树脂层的厚度设为2μm。
(7)各种评价
·金属箔的两表面的均方根高度sq、以及均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)的评价
各金属箔的表面(进行了粗化处理等表面处理时为表面处理后的经表面处理的一侧的表面，形成有脱模层时为设置脱模层后的设置有脱模层的一侧的表面)的均方根高度sq、以及均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)是使用olympus股份有限公司制造的激光显微镜lextols4100进行测定。另外，rsm是根据jisb06012001标准模式进行测定，sq是根据iso25178标准模式进行测定。另外，rsm、sq都是将在任意的10个部分进行测定所得的rsm、sq值的平均值设为rsm以及sq的值。rsm的测定长度设为258μm，sq的测定面积设为长度258μm×宽度258μm。接下来，基于所获得的值算出均方根高度sq与凹凸的平均间隔rsm的比(sq/rsm)。另外，测定时的温度设为23～25℃。
·金属箔上的电路形成性
在附脱模层金属箔的脱模层侧的面(第二面)、或金属箔的第二面积层树脂基材而制造积层体1。然后，在附脱模层金属箔的与树脂基材积层的一侧为相反侧的面(第一面)、或金属箔的与树脂基材积层的一侧相反侧的面(第一面)涂布阻剂并进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成线状。然后，形成厚度12μm的电路用cu镀敷后，将阻剂去除，由此分别形成20条线与间隙(l/s)为12μm/12μm且长度1mm的线状电路(配线)。然后，在附脱模层金属箔的形成有电路的一侧的面、或金属箔的形成有电路的一侧的面，以将电路埋入的方式通过热压接而积层双马来酰亚胺三嗪树脂预浸料。然后，将积层在所述附脱模层金属箔的脱模层侧的面(第二面)、或金属箔的第二面的树脂基材剥离后，通过利用氯化铁进行蚀刻而将露出的附脱模层金属箔、或金属箔去除。另外，所述蚀刻要进行到所述电路以及电路周围的双马来酰亚胺三嗪树脂预浸料完全露出的程度。接下来，对从电路上表面观察到的电路宽度的最大值与最小值的差(μm)进行测定，对5个部位进行测定并设为平均值。如果最大值与最小值的差为2μm以下，则判断具有良好的电路线性，设为“◎◎”。而且，所述最值与最小值的差超过2μm且为3μm以下时，设为“◎”。而且，所述最大值与最小值的差超过3μm且为4μm以下时，设为“○○”。而且，所述最大值与最小值的差超过4μm且为5μm以下时，设为“○”。而且，所述最大值与最小值的差超过5μm时，设为“×”。
·金属箔上的电路剥离；
在附脱模层金属箔的脱模层侧的面(第二面)、或金属箔的第二面积层树脂基材而制造积层体1。然后，在附脱模层金属箔的与树脂基材积层的一侧为相反侧的面(第一面)、或金属箔的与树脂基材积层的一侧为相反侧的面(第一面)涂布阻剂并进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成线状。然后，形成厚度12μm的电路用cu镀敷后，将阻剂去除，由此分别形成20条线与间隙(l/s)为12μm/12μm且长度1mm的线状电路(配线)。此时，在将阻剂去除时，对电路从附脱模层金属箔的面、以及金属箔的面剥离的次数进行计数。当10次阻剂去除中电路从附脱模层金属箔的面、以及金属箔的面剥离的次数为0次时设为“◎◎”，10次中为1次时设为“◎”，10次中为2～3次时设为“○”，10次中为4次以上时设为“×”。
·积层体2的制造
在各金属箔的脱模层侧的面(第二面)、或金属箔的第二面分别贴合以下树脂基材1～3。
基材1：mitsubishigaschemical股份有限公司制造的ghpl-830mbt
基材2：日立化成工业股份有限公司制造的679-fg
基材3：sumitomobakelite股份有限公司制造的ei-6785ts-f
积层压制的温度、压力、时间是使用各基材制造商的推荐条件。
·剥离强度的评价
对于积层体2，依据ipc-tm-650对利用拉伸试验机autograph100将树脂基材从铜箔剥离时的常规剥离强度进行测定，并根据以下基准对金属箔的剥离性进行评价。将结果记载在表1的“剥离强度”一栏。所述剥离强度优选2～200gf/cm。
○：2～200gf/cm的范围。
×：小于2gf/cm或超过200gf/cm。
·树脂的破坏模式的评价
利用电子显微镜观察所述剥离后的树脂基材的剥离面，并对树脂的破坏模式(凝聚、界面、凝聚与界面的混合存在)进行观察。关于树脂的破坏模式，“界面”表示在铜箔与树脂的界面进行剥离，“凝聚”表示剥离强度过强，树脂遭到破坏，“混合存在”表示所述“界面”与“凝聚”混合存在。树脂的破坏模式优选“界面”。
·电路剥离、基板隆起的评价
在所述剥离后的树脂基材1～3的剥离面，使用镀敷液(液体组成为cu：50g/l、h2so4：50g/l、cl：60ppm)形成铜镀敷图案(线/间隙＝40μm/40μm)(例1)。另外，在例1中，与所述半加成法同样地在形成所述铜镀敷图案前，对所述剥离后的树脂基材1～3的剥离面实施洗净以及无电解镀铜。然后，将干膜积层在无电解镀铜层。接下来，进行曝光显影而将干膜蚀刻成线状，并将形成铜镀敷图案的预定部位的干膜去除。然后，在未被干膜覆盖的无电解镀铜层上通过电性镀敷而形成所述铜镀敷图案。接下来，在形成铜镀敷图案后，将干膜以及未形成铜镀敷图案的部分的无电解镀铜层去除。而且，在所述剥离后的树脂基材的剥离面，使用含有导电膏的油墨通过喷墨而形成印刷图案(线/间隙＝40μm/40μm)(例2)。而且，在所述剥离后的树脂基材的剥离面，层压由液晶聚合物构成的树脂层(假定构成增层的树脂)(例3)。
然后，分别通过可靠性试验(250℃±10℃×1小时的加热试验)确认是否产生电路剥离或基板隆起。另外，评价样品的大小设为250mm×250mm，每个样品编号对3个样品进行测定。
将未产生电路剥离以及基板隆起的样品评价为“◎”。将产生少量电路剥离或基板隆起(1个样品中有3处以下)但只要筛选所使用的部位便能作为产品使用的样品评价为“〇”。而且，将产生多处电路剥离或基板隆起(1个样品中有超过3处)而无法作为产品使用的样品评价为“×”。
将各试验条件以及评价结果示于表1。
(评价结果)
实施例1～19是第一面的均方根高度sq为0.01～1μm的金属箔的例子，金属箔上的电路形成性良好，能良好地抑制金属箔上的电路剥离。而且，实施例1～18是在第二面侧设置有脱模层的例子、或金属箔的第二面的sq、及/或sq/rsm被控制在指定范围的例子，将金属箔从树脂基材物理剥离时的剥离性良好，能良好地抑制电路剥离、基板隆起的产生。实施例19是在第二面侧设置有脱模层的例子，将金属箔从树脂基材物理剥离时的剥离性良好。
比较例1、2中，第一面的均方根高度sq超过1μm，金属箔上的电路形成性欠佳。比较例3中，第一面的均方根高度sq小于0.01μm，无法充分抑制金属箔上的电路剥离。