功率输入耦合器的制作方法

技术特征：

1.一种功率输入耦合器，包括：

功率输入端，其输入功率；

同轴转换器，与功率输入端相连，包括：外导体与内导体；

高频陶瓷窗，与同轴转换器相连接，包括：陶瓷窗，该陶瓷窗包含一室温条件下的台阶圆柱陶瓷管，该台阶圆柱陶瓷管由沿着功率传输方向直径渐缩的至少两个圆柱陶瓷管组成；以及

输出端外导体组件，与高频陶瓷窗连接，其输出功率。

2.根据权利要求1所述的功率输入耦合器，其中，所述高频陶瓷窗还包括：

高频陶瓷窗外导体，设置于陶瓷窗的外部，与同轴转换器的外导体末端电性连接；

第一高频陶瓷窗内导体，设置于陶瓷窗的内部，插入同轴转换器的内导体之内；以及

第二高频陶瓷窗内导体，与第一高频陶瓷窗内导体以及陶瓷窗相连接，并与同轴转换器的内导体末端电性连接。

3.根据权利要求2所述的功率输入耦合器，其中：

在所述高频陶瓷窗外导体与同轴转换器的外导体末端之间设有第一弹簧圈，该第一弹簧圈实现所述高频陶瓷窗外导体与同轴转换器的外导体末端的电性连接；

在所述第二高频陶瓷窗内导体与同轴转换器的内导体末端之间设有第二弹簧圈，该第二弹簧圈实现所述第二高频陶瓷窗内导体与同轴转换器的内导体末端的电性连接。

4.根据权利要求2所述的功率输入耦合器，其中，所述高频陶瓷窗还包括：

第五法兰，该第五法兰为真空刀口法兰，设置于高频陶瓷窗外导体之上，所述第五法兰与同轴转换器的外导体末端相连接。

5.根据权利要求4所述的功率输入耦合器，其中，在所述同轴转换器的外导体末端与第五法兰之间设置有第三法兰，该第三法兰为定位法兰，实现同轴转换器与高频陶瓷窗的装配定位。

6.根据权利要求4所述的功率输入耦合器，其中，所述输出端外导体组件包括：

输出端外导体；

第四法兰，设置于输出端外导体之上，与第五法兰相连接；

波纹管，与第四法兰相连接，并与低温恒温器相连；

铜环，与低温恒温器中的液氮冷屏相连，对该功率输入耦合器进行冷却；以及

第一法兰，与一超导腔体相连接，输出功率至该超导腔体。

7.根据权利要求6所述的功率输入耦合器，其中，所述第四法兰上设置有真空抽气窗口、打火监控端口、以及电子流监控端口。

8.根据权利要求1所述的功率输入耦合器，其中，所述陶瓷窗的真空侧镀有氮化钛膜，该氮化钛膜的厚度介于5nm～10nm之间。

9.根据权利要求1至8任一项所述的功率输入耦合器，其中，所述同轴转换器包含依次相连接的第一段同轴转换器和第二段同轴转换器，在所述第一段同轴转换器与第二段同轴转换器的连接部位包含一同轴陶瓷片。

10.根据权利要求9所述的功率输入耦合器，其中，所述第二段同轴转换器的内部密封有惰性气体或高纯氮气。