一种耐高压穿心滤波器及应用于滤波器的陶瓷绝缘体的制作方法

文档序号:15159535发布日期:2018-08-14 10:12阅读:252来源:国知局

本发明涉及滤波器技术领域,具体涉及一种耐高压穿心滤波器及应用于滤波器的陶瓷绝缘体。



背景技术:

现代生活日新月异;电子产品更新;我们无时无刻不存在于emi的干扰中;现实中一些精密仪器和大型测量检验设备需要一些准确的纯净的信号才可以精准的运作。因此一些emi滤波产品应运而生;一条线信号从一端传输到另一端中途可能会外溢,也可能收到其他信号而被干扰,影响正常工作;滤波器的效果就是屏蔽外界的杂讯,保护该线不被外界信号影响保护自己的信号不会外溢去影响其他的传输。目前,市场上的一些低压屏蔽产品种类繁多,技术也日趋成熟,但是,目前市场依然缺少在高电压下可长时间正常运作的emi屏蔽产品。



技术实现要素:

为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种耐高压穿心滤波器,其具有良好的耐高压和耐高温性能,能够在高温高压,低温高压下正常工作,长期工作温度最高可达到150℃,长期工作最低温度可达-40℃,可耐高频高压50kv。

本发明的目的通过下述技术方案实现:一种耐高压穿心滤波器,包括中空的l型不锈钢管道组件、三个穿心电容、相间设置于l型不锈钢管道组件的长边管道内的两个呈圆环柱体设置的磁环、设置于l型不锈钢管道组件的长边管道内的主紫铜轴、以及设置于l型不锈钢管道组件的短边管道内的副紫铜轴,其中两个穿心电容相间设置于l型不锈钢管道组件内且两者中的一个穿心电容位于两个磁环之间,主紫铜轴的左端连接有第一连接柱,主紫铜轴穿设于l型不锈钢管道组件的长边管道内的两个穿心电容和磁环内,剩余的一个穿心电容设置于l型不锈钢管道组件的短边管道内,副紫铜轴穿设于该穿心电容且副紫铜轴的下端与主紫铜轴的右端连接,副紫铜轴的上端连接有第二连接柱。

所述l型不锈钢管道组件的左端口设置有左端盖,l型不锈钢管道组件的上端口设置有上端盖,第一连接柱伸出左端盖之外,第二连接柱伸出上端盖之外,l型不锈钢管道组件内的空腔填满环氧树脂。

所述穿心电容包括呈圆环柱体设置的金属套筒、套设于金属套筒内的陶瓷套筒、以及套设于陶瓷套筒内的圆环支撑片,所述主紫铜轴穿设于圆环支撑片之内。

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体,包括主料和辅料,主料包括ba2ti9o20、bati4o9、bati3o7、bati5o11和bati6o13中的至少一种,辅料包括以下摩尔百分比的原料:si4-5%,ca1.5-2.5%,as2.5-3.5%,k2-3%,mo6-7%;上述原料摩尔百分比总量为100%。

所述陶瓷本体包括主料和辅料,主料包括ba2ti9o20、bati4o9、bati3o7、bati5o11和bati6o13中的至少一种,辅料还包括以下摩尔百分比的原料:si4-5%,ca1.5-2.5%,as2.5-3.5%,k2-3%,mo6-7%;还包括以下摩尔百分比的稳定相:ba6ti17o409-14%、ba4ti13o3020-24%、tio215-18%以及介稳相bati2o518-20%;上述原料摩尔百分比总量为100%。

所述辅料还包括以下摩尔百分比的原料:in4-5.5%,i0.5-2%。

所述主料为ba2ti9o20。

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体的制备方法,包括以下步骤:a、按照配方比例取原料并混合至均匀,将混合均匀后的原料至于烧熔炉中烧融;b、将烧融后的原料至于洁净的模具中凝固成型,得到坯料;c、对坯料进行表面粗研磨处理,坯料达到指定厚度和平整度后再进行精细研磨处理;d、将步骤c中研磨完成的坯料至于置换溶液中进行钠钾离子置换处理,然后晾干,在对坯料表面或外圆进行涂釉处理;e、对步骤d得到的坯料至于烘烤设备中进行烘烤处理即可。

所述步骤a中烧融炉的烧融温度为2900-3200℃。

所述步骤d中置换处理的处理温度为290-310℃,处理时间为22-26h。

所述步骤e中烘烤处理的处理温度为190-210℃,处理时间为1.5-2.5h。

本发明的陶瓷套筒采用的材料为上述的应用于滤波器的陶瓷绝缘体。

本发明的有益效果在于:本发明耐高压穿心滤波器具有良好的耐高压和耐高温性能,能够在高温高压,低温高压下正常工作,长期工作温度最高可达到150℃,长期工作最低温度可达-40℃,可耐高频高压50kv,且其采用多重滤波的设计,传送的信号不会受到外界的干扰,可用于多种精密设备。

本发明的应用于滤波器的陶瓷绝缘体能够在高温高压,低温高压下正常工作,长期工作温度最高可达到150℃,长期工作最低温度可达-40℃,工作电压为0-100kv,且能达到无局放效果。

本发明的制备方法制备得到的应用于滤波器的陶瓷绝缘体的机械强度高,耐高压性能优异,耐高温耐低温性能好。

附图说明

图1是本发明的立体图;

图2是本发明的内部结构示意图;

图3是本发明的部分结构分解示意图。

附图标记为:l型不锈钢管道组件1、穿心电容2、磁环3、主紫铜轴4、副紫铜轴5、第一连接柱6、第二连接柱7、左端盖8、上端盖9、金属套筒10、陶瓷套筒11、圆环支撑片12。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例及附图1-图3对本发明作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本发明的限定。

实施例1

一种耐高压穿心滤波器,包括中空的l型不锈钢管道组件1、三个穿心电容2、相间设置于l型不锈钢管道组件1的长边管道内的两个呈圆环柱体设置的磁环3、设置于l型不锈钢管道组件1的长边管道内的主紫铜轴4、以及设置于l型不锈钢管道组件1的短边管道内的副紫铜轴5,其中两个穿心电容2相间设置于l型不锈钢管道组件1内且两者中的一个穿心电容2位于两个磁环3之间,主紫铜轴4的左端连接有第一连接柱6,主紫铜轴4穿设于l型不锈钢管道组件1的长边管道内的两个穿心电容2和磁环3内,剩余的一个穿心电容2设置于l型不锈钢管道组件1的短边管道内,副紫铜轴5穿设于该穿心电容2且副紫铜轴5的下端与主紫铜轴4的右端连接,副紫铜轴5的上端连接有第二连接柱7。

所述l型不锈钢管道组件1的左端口设置有左端盖8,l型不锈钢管道组件1的上端口设置有上端盖9,第一连接柱6伸出左端盖8之外,第二连接柱7伸出上端盖9之外,l型不锈钢管道组件1内的空腔填满环氧树脂。

所述穿心电容2包括呈圆环柱体设置的金属套筒10、套设于金属套筒10内的陶瓷套筒11、以及套设于陶瓷套筒11内的圆环支撑片12,所述主紫铜轴4穿设于圆环支撑片12之内。

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体,包括主料和辅料,主料包括ba2ti9o20、bati4o9、bati3o7、bati5o11和bati6o13,且ba2ti9o20占ba2ti9o20、bati4o9、bati3o7、bati5o11和bati6o13摩尔总量的81%,辅料包括以下摩尔百分比的原料:si4%,ca1.5%,as2.5%,k2%,mo6%;还包括以下摩尔百分比的稳定相:ba6ti17o409%、ba4ti13o3020%、tio215%以及介稳相bati2o518%;所述辅料还包括以下摩尔百分比的原料:in4%,i0.5%,上述原料摩尔百分比总量为100%。

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体的制备方法,包括以下步骤:a、按照配方比例取原料并混合至均匀,将混合均匀后的原料至于烧熔炉中烧融;b、将烧融后的原料至于洁净的模具中凝固成型,得到坯料;c、对坯料进行表面粗研磨处理,坯料达到指定厚度和平整度后再进行精细研磨处理;d、将步骤c中研磨完成的坯料至于置换溶液中进行钠钾离子置换处理,然后晾干,在对坯料表面或外圆进行涂釉处理;e、对步骤d得到的坯料至于烘烤设备中进行烘烤处理即可。

所述步骤a中烧融炉的烧融温度为2900℃。

所述步骤d中置换处理的处理温度为290℃,处理时间为22h。

所述步骤e中一次烘烤处理的处理温度为190℃,处理时间为1.5h;所述二次烘烤处理的处理温度为800℃,处理时间为28min。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于:

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体,包括主料和辅料,主料包括ba2ti9o20、bati4o9和bati3o7按摩尔比8:1:1组成的混合物,辅料包括以下摩尔百分比的原料:si4.5%,ca2%,as3%,k2.5%,mo6.5%;还包括以下摩尔百分比的稳定相:ba6ti17o4010%、ba4ti13o3021%、tio216%以及介稳相bati2o519%;所述辅料还包括以下摩尔百分比的原料:in5%,i1.2%,上述原料摩尔百分比总量为100%。

所述步骤a中烧融炉的烧融温度为3000℃。

所述步骤d中置换处理的处理温度为300℃,处理时间为24h。

所述步骤e中一次烘烤处理的处理温度为200℃,处理时间为2h;所述二次烘烤处理的处理温度为900℃,处理时间为30min。

实施例3

本实施例与实施例1的区别在于:

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体,包括主料和辅料,主料包括ba2ti9o20、bati4o9、bati3o7和bati5o11按摩尔比6:1:2:1组成的混合物,辅料包括以下摩尔百分比的原料:si5%,ca2.5%,as3.5%,k3%,mo7%;还包括以下摩尔百分比的稳定相:ba6ti17o4013%、ba4ti13o3023%、tio217%以及介稳相bati2o520%;所述辅料还包括以下摩尔百分比的原料:in5.5%,i2%,上述原料摩尔百分比总量为100%。

所述步骤a中烧融炉的烧融温度为3100℃。

所述步骤d中置换处理的处理温度为310℃,处理时间为26h。

所述步骤e中一次烘烤处理的处理温度为210℃,处理时间为2.5h;所述二次烘烤处理的处理温度为1000℃,处理时间为32min。

实施例4

本实施例与实施例1的区别在于:

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体,包括主料和辅料,主料为ba2ti9o20,辅料包括以下摩尔百分比的原料:si5%,ca2.5%,as3.5%,k3%,mo7%;还包括以下摩尔百分比的稳定相:ba6ti17o4014%、ba4ti13o3024%、tio218%以及介稳相bati2o520%;所述辅料还包括以下摩尔百分比的原料:in5.5%,i2%,上述原料摩尔百分比总量为100%。

所述步骤a中烧融炉的烧融温度为3200℃。

所述步骤d中置换处理的处理温度为310℃,处理时间为26h。

所述步骤e中一次烘烤处理的处理温度为210℃,处理时间为2.5h;所述二次烘烤处理的处理温度为1000℃,处理时间为32min。

实施例5

本实施例与实施例1的区别在于:

一种应用于滤波器的陶瓷绝缘体,包括主料和辅料,主料为ba2ti9o20、bati4o9、bati3o7、bati5o11和bati6o13按摩尔比5:1:2:3:1组成的混合物,辅料包括以下摩尔百分比的原料:si4%,ca1.5%,as2.5%,k2%,mo6%;还包括以下摩尔百分比的稳定相:ba6ti17o409%、ba4ti13o3020%、tio215%以及介稳相bati2o518%;所述辅料还包括以下摩尔百分比的原料:in4%,i0.5%,上述原料摩尔百分比总量为100%。

所述步骤a中烧融炉的烧融温度为3200℃。

所述步骤d中置换处理的处理温度为310℃,处理时间为26h。

所述步骤e中一次烘烤处理的处理温度为210℃,处理时间为2.5h;所述二次烘烤处理的处理温度为1000℃,处理时间为32min。

上述实施例为本发明较佳的实现方案,除此之外,本发明还可以其它方式实现,在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

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