一种可防止跳闸的石墨烯发热膜的制作方法

文档序号:19283216发布日期:2019-11-29 23:12阅读:204来源:国知局
一种可防止跳闸的石墨烯发热膜的制作方法

本发明涉及墙暖技术领域,尤其涉及一种可防止跳闸的石墨烯发热膜。



背景技术:

石墨烯发热膜采用石墨烯作为发热源,热衰减少,发热效率高,热量以红外线的形式向外辐射,无盲点,如今石墨烯发热膜越来越多的使用到家庭装修中,石墨烯发热膜一般由石墨烯发热膜本体以及热压在其上的绝缘层组成,但是在一段时间的使用后石墨烯发热膜经常会造成电源箱跳闸,因为石墨烯发热膜本体通电后会产生非故障性泄露电流,石墨烯发热膜本体上覆盖的绝缘层也会因此而产生感应电子,使用一段时间后,石墨烯发热膜本体上覆盖的绝缘层上的电子积聚越来越多就会导致整个电路的跳闸。



技术实现要素:

针对现有技术的不足,本发明提供了一种可防止跳闸的石墨烯发热膜。

本发明技术方案如下:一种可防止跳闸的石墨烯发热膜,包括石墨烯膜本体,所述石墨烯膜本体两侧边设有分隔的正电极和负电极,所述石墨烯膜本体正反表面设有第一pet薄膜层和第二pet薄膜层,所述第一pet薄膜层上涂覆有导电漆,所述导电漆从第一pet薄膜层位于负电极上方的侧边向位于正电极上方的侧边涂覆且不覆盖在正电极上方,所述正电极和负电极上引出两个导线且两个导线置于同一个接插口。

具体地:所述第一pet薄膜层和第二pet薄膜层的厚度均为0.5mm。

本发明的有益效果在于:在覆盖在石墨烯发热膜本体上的第一pet薄膜层上涂覆导电漆,导电漆覆盖在负极上方且不覆盖在正极上方,可以使第一pet薄膜层上的感应电子回流至石墨烯发热膜本体上,防止石墨烯发热膜本体上覆盖的第一pet薄膜层上的电子积聚越来越多从而导致整个电路的跳闸。

附图说明

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1是本发明结构示意图。

图2是本发明中石墨烯发热膜的俯视图。

其中:1-第二pet薄膜层;2-石墨烯发热膜本体;3-第一pet薄膜层;4-正电极;5-负电极;6-导电漆;7-导线;8-接插口。

具体实施方式

下面结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

参阅图1-2,一种可防止跳闸的石墨烯发热膜,包括石墨烯膜本体2,所述石墨烯膜本体2两侧边设有分隔的正电极4和负电极5,所述石墨烯膜本体2正反表面设有第一pet薄膜层3和第二pet薄膜层1,所述第一pet薄膜层3上涂覆有导电漆6,所述导电漆6从第一pet薄膜层3位于负电极5上方的侧边向位于正电极4上方的侧边涂覆且不覆盖在正电极4上方,所述正电极4和负电极5上引出两个导线7且两个导线7置于同一个接插口8。

本发明中所述第一pet薄膜层3和第二pet薄膜层1的厚度均为0.5mm。

在实际使用过程中,接插口8接通电源,使得石墨烯膜本体2散发热量,在覆盖在石墨烯膜本体2上的第一pet薄膜层3上涂覆导电漆6,导电漆6覆盖在负电极5上方且不覆盖在正电极4上方,可以使第一pet薄膜层3上的感应电子回流至石墨烯膜本体2上,防止石墨烯膜本体2覆盖的第一pet薄膜层3上的电子积聚越来越多从而导致整个电路的跳闸。

上述附图及实施例仅用于说明本发明,任何所属技术领域普通技术人员对其所做的适当变化或修饰,都皆应视为不脱离本发明专利范畴。



技术特征:

1.一种可防止跳闸的石墨烯发热膜,包括石墨烯膜本体,所述石墨烯膜本体两侧边设有分隔的正电极和负电极,所述石墨烯膜本体正反表面设有第一pet薄膜层和第二pet薄膜层,其特征在于:所述第一pet薄膜层上涂覆有导电漆,所述导电漆从第一pet薄膜层位于负电极上方的侧边向位于正电极上方的侧边涂覆且不覆盖在正电极上方,所述正电极和负电极上引出两个导线且两个导线置于同一个接插口。

2.根据权利要求1所述一种可防止跳闸的石墨烯发热膜,其特征在于:所述第一pet薄膜层和第二pet薄膜层的厚度均为0.5mm。


技术总结
本发明公开了一种可防止跳闸的石墨烯发热膜,包括石墨烯膜本体,石墨烯膜本体两侧边设有分隔的正电极和负电极,石墨烯膜本体正反表面设有第一pet薄膜层和第二pet薄膜层,第一pet薄膜层上涂覆有导电漆,导电漆从第一pet薄膜层位于负电极上方的侧边向位于正电极上方的侧边涂覆且不覆盖在正电极上方,正电极和负电极上引出两个导线且两个导线置于同一个接插口。在覆盖在石墨烯发热膜本体上的第一pet薄膜层上涂覆导电漆,导电漆覆盖在负极上方且不覆盖在正极上方,可以使第一pet薄膜层上的感应电子回流至石墨烯发热膜本体上,防止石墨烯发热膜本体上覆盖的第一pet薄膜层上的电子积聚越来越多从而导致整个电路的跳闸。

技术研发人员:彭江华;赵建东
受保护的技术使用者:无锡恺信石墨烯应用科技有限公司
技术研发日:2018.05.21
技术公布日:2019.11.29
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