一种应用于NFC的铁氧体隔磁片的制作方法

文档序号:18135416发布日期:2019-07-10 10:34阅读:1079来源:国知局
一种应用于NFC的铁氧体隔磁片的制作方法

本实用新型涉及隔磁片,具体的说是涉及一种应用于NFC的铁氧体隔磁片。



背景技术:

铁氧体片是一种高温烧结的铁氧材料,在NFC支付手机等手持式设备中,电子标签上,主要作用是降低金属材料对信号磁场的吸收,通过增加磁场强度,有效增加感应距离。

标签在读卡器发出的信号作用下激发感应出的交变电磁场很容易受到金属的涡流衰减作用而使信号强度减弱,导致读取过程失败,因此,需要提供一种隔磁片来解决此类问题。



技术实现要素:

针对现有技术中的不足,本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种应用于NFC的铁氧体隔磁片。

为解决上述技术问题,本实用新型通过以下方案来实现:一种应用于NFC的铁氧体隔磁片,该隔磁片包括置于最外层的镍锌铁氧本体及设置于所述镍锌铁氧本体内从上至下胶合在一起的上软垫层、上无气泡覆膜层、上电磁波增强层、上NFC电磁线圈层、铁氧体片置放层、下NFC电磁线圈层、下电磁波增强层、下无气泡覆膜层、下软垫层,所述镍锌铁氧本体呈腰形状,所述铁氧体片置放层设置有若干排成一排的铁氧体片,所述上NFC电磁线圈层设置有上电磁线圈,所述下电磁波增强层设置有下电磁线圈。

进一步的,所述镍锌铁氧本体底面设置有胶粘层,所述胶粘层外粘贴有离型膜。

进一步的,所述上软垫层、下软垫层为橡胶软垫。

进一步的,所述上无气泡覆膜层、下无气泡覆膜层为PET膜、PBT膜、BOPET膜中的一种或两种以上形成的复合膜。

进一步的,所述镍锌铁氧本体的厚度为0 .05-0 .1mm。

进一步的,所述上软垫层、上无气泡覆膜层、上电磁波增强层、上NFC电磁线圈层、铁氧体片置放层、下NFC电磁线圈层、下电磁波增强层、下无气泡覆膜层、下软垫层的左右端均与所述镍锌铁氧本体的弧面内壁固接或胶接。

相对于现有技术,本实用新型的有益效果是:本实用新型的铁氧体隔磁片内的铁氧体片能够提高铁氧体片周围的磁场强度,使得镍锌铁氧本体具有更好的导磁效果,通过上电磁波增强层、下电磁波增强层,可以对氧化铁片本体的感应区域进一步扩大,本实用新型的结构简单,成本较低,电磁波的吸收能力强,且镍锌铁氧本体具有较高的导磁能力。镍锌铁氧本体设计成腰圆形,其韧性更强。

附图说明

图1为本实用新型铁氧体隔磁片结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参照附图1,本实用新型的一种应用于NFC的铁氧体隔磁片,该隔磁片包括置于最外层的镍锌铁氧本体1及设置于所述镍锌铁氧本体1内从上至下胶合在一起的上软垫层2、上无气泡覆膜层3、上电磁波增强层4、上NFC电磁线圈层15、铁氧体片置放层7、下NFC电磁线圈层8、下电磁波增强层10、下无气泡覆膜层14、下软垫层11,所述镍锌铁氧本体1呈腰形状,所述铁氧体片置放层7设置有若干排成一排的铁氧体片6,所述上NFC电磁线圈层15设置有上电磁线圈5,所述下电磁波增强层10设置有下电磁线圈9。

本实施例的一种优选方案:所述镍锌铁氧本体1底面设置有胶粘层12,所述胶粘层12外粘贴有离型膜13。

本实施例的一种优选方案:所述上软垫层2、下软垫层11为橡胶软垫。

本实施例的一种优选方案:所述上无气泡覆膜层3、下无气泡覆膜层14为PET膜、PBT膜、BOPET膜中的一种或两种以上形成的复合膜。

本实施例的一种优选方案:所述镍锌铁氧本体1的厚度为0 .05-0 .1mm。

本实施例的一种优选方案:所述上软垫层2、上无气泡覆膜层3、上电磁波增强层4、上NFC电磁线圈层15、铁氧体片置放层7、下NFC电磁线圈层8、下电磁波增强层10、下无气泡覆膜层14、下软垫层11的左右端均与所述镍锌铁氧本体1的弧面内壁固接或胶接。

镍锌铁氧体片主要由镍、锌、铁材料制备,其防金属干扰的效果更佳,当然,干扰材料并不限于镍锌铁氧体片,对于本领域技术人员而言,该镍锌铁氧体片也可以用金属微粉磁性材料、多晶金属纤维磁性材料替代,然而,替代的材料没有镍锌铁氧体片的干扰效果好。镍锌铁氧本体设计成腰圆形,其韧性更强。本实用新型的铁氧体隔磁片内的铁氧体片能够提高铁氧体片周围的磁场强度,使得镍锌铁氧本体具有更好的导磁效果,通过上电磁波增强层、下电磁波增强层,可以对氧化铁片本体的感应区域进一步扩大,本实用新型的结构简单,成本较低,电磁波的吸收能力强,且镍锌铁氧本体具有较高的导磁能力。镍锌铁氧本体设计成腰圆形,其韧性更强。

以上所述仅为本实用新型的优选实施方式,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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