带经图案化的金属箔的层叠体的制造方法和带经图案化的金属箔的层叠体与流程

本发明涉及带经图案化的金属箔的层叠体的制造方法和带经图案化的金属箔的层叠体。

背景技术：

近年来，电子设备、通信设备和个人电脑等中广泛使用的半导体封装体的高功能化和小型化日益加速。伴随于此，要求半导体封装体中的印刷电路板和半导体元件搭载用基板的薄型化。通常，印刷电路板和半导体元件搭载用基板通过在支撑基板上层叠成为电路图案的层(电路图案层)与绝缘材料(绝缘性树脂层)而制作。

例如，专利文献1公开了一种制造薄型的印刷电路板的方法，其在不锈钢等刚性高、厚的支撑基板(载体基板)上，在形成有后续工序中能剥离的铜的层的层叠体上，通过图案镀覆形成电路图案，层叠环氧树脂覆盖玻璃纤维那样的绝缘层并进行加热和加压处理，最后将支撑基板剥离并去除。如此，通过在刚性高、且厚的支撑基板上层叠电路图案与绝缘材料，最后将支撑基板剥离并去除，从而利用现有的制造装置也可以制造薄型的印刷电路板和半导体元件搭载用基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表昭59-500341号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，出于薄型化的目的，在不使用支撑基板的情况下想要制造印刷电路板和半导体元件搭载用基板的情况下，如果使用现有的制造装置，则产生如下问题：印刷电路板和半导体元件搭载用基板弯折；或者，印刷电路板和半导体元件搭载用基板缠绕于传输机等。因此，利用现有的制造装置，难以制造以薄型化为目的的印刷电路板和半导体元件搭载用基板。

另外，在利用了专利文献1中记载的方法得到的薄型印刷电路板和半导体元件搭载用基板的制造中，必须废弃使用过的支撑基板，因此，从目前的材料废弃量削减的愿望(环境负荷降低的观点)出发存在问题。

进而，专利文献1记载的制造方法中，首先，必须制造层叠体，其在刚性高且厚的支撑基板的两面依次层叠有铜层、绝缘层和铜层，由于未确立无法制造该层叠体的制造工艺，因此，缺乏制造工艺的通用性。另外，为了从该层叠体制成电路图案，必须加厚绝缘层，在制造薄型化的印刷电路板和半导体元件搭载用基板的情况下，存在如下问题：层叠体中的铜层与绝缘材料的层剥离；或，印刷电路板和半导体元件搭载用基板弯折等。

本发明是鉴于这样的课题而作出的，其目的在于，提供如下制造带经图案化的金属箔的层叠体的方法：不用支撑基板制造层叠体因此能削减材料废弃量，能削减制造包含支撑基板的层叠体的工序和剥离并去除支撑基板的工序因此对制造工艺的通用性高，进一步能适合于薄型化的印刷电路板和半导体元件搭载用基板。

另外，本发明的目的在于，提供：能适合于薄型化的印刷电路板和半导体元件搭载用基板的带经图案化的金属箔的层叠体。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述课题而反复深入研究，结果发现：在薄的绝缘性树脂层的两面层叠有金属箔的层叠体中，通过使用包括将单面的金属箔掩蔽、仅对另一单面的金属箔图案化的工序的制法，从而在单面具有刚性高的金属箔，因此，可以在不破坏薄的绝缘性树脂层的情况下进行加工，至此完成了本发明。

即，本发明如以下所述。

[1]

一种带经图案化的金属箔的层叠体的制造方法，其包括如下工序：

将依次层叠有第1金属箔、厚度为1～200μm的第1绝缘性树脂层和第2金属箔的层叠体中的前述第1金属箔的整面进行掩蔽的工序；和，

对前述第2金属箔进行图案化的工序。

[2]

根据[1]所述的制造方法，其中，前述第1金属箔的厚度为1～100μm。

[3]

根据[1]或[2]所述的制造方法，其中，前述掩蔽工序为在前述第1金属箔的整面层叠贴附抗蚀剂并进行掩蔽的工序。

[4]

一种带经图案化的金属箔的层叠体的制造方法，其包括如下工序：

以[1]～[3]中任一项所述的带经图案化的金属箔的层叠体中的前述第2金属箔由第2绝缘性树脂层所覆盖的方式，在层叠有前述第2金属箔的前述第1绝缘性树脂层上层叠前述第2绝缘性树脂层的工序；和，

在前述第2绝缘性树脂层上层叠第3金属箔的工序。

[5]

一种带经图案化的金属箔的层叠体的制造方法，其包括如下工序：

将[4]所述的带经图案化的金属箔的层叠体中的前述第3金属箔的整面进行掩蔽的工序；和，

对前述第1金属箔进行图案化的工序。

[6]

根据[5]所述的制造方法，其中，前述掩蔽工序为在前述第3金属箔的整面层叠贴附抗蚀剂并进行掩蔽的工序。

[7]

一种带经图案化的金属箔的层叠体的制造方法，其包括如下工序：

以[5]或[6]所述的带经图案化的金属箔的层叠体中的前述第1金属箔由第3绝缘性树脂层所覆盖的方式，在层叠有前述第1金属箔的前述第1绝缘性树脂层上层叠前述第3绝缘性树脂层的工序；和，

在前述第3绝缘性树脂层上层叠第4金属箔的工序。

[8]

根据[4]所述的制造方法，其中，还包括如下工序：对前述第3金属箔的表面的规定位置照射激光，设置从前述第3金属箔的表面直至相反面的前述第2金属箔或前述第1金属箔为止的第1导通孔。

[9]

根据[8]所述的制造方法，其中，还包括如下工序：对前述第1导通孔内进行沾污去除处理。

[10]

根据[7]所述的制造方法，其中，还包括如下工序：对前述第3金属箔的表面的规定位置照射激光，设置从前述第3金属箔的表面至相反面的前述第2金属箔、前述第1金属箔或前述第4金属箔中的任意者为止的第2导通孔。

[11]

根据[7]或[10]所述的制造方法，其中，还包括如下工序：对前述第4金属箔的表面的规定位置照射激光，设置从前述第4金属箔的表面至相反面的前述第1金属箔、前述第2金属箔或前述第3金属箔中的任意者为止的第3导通孔。

[12]

根据[10]所述的制造方法，其中，还包括如下工序：对前述第2导通孔内进行沾污去除处理。

[13]

根据[11]所述的制造方法，其中，还包括如下工序：对前述第3导通孔内进行沾污去除处理。

[14]

一种带经图案化的金属箔的层叠体，其包含：

第1绝缘性树脂层，其厚度为1～200μm；

第1金属箔，其层叠于前述第1绝缘性树脂层的单面；

第2金属箔，其在与层叠有前述第1金属箔的面相反的前述第1绝缘性树脂层的面上层叠，且进行了图案化；

第2绝缘性树脂层，其在层叠有前述第2金属箔的前述第1绝缘性树脂层上层叠，且覆盖前述第2金属箔；和，

第3金属箔，其层叠于前述第2绝缘性树脂层。

[15]

根据[14]所述的层叠体，其中，前述第1金属箔的厚度为1～100μm。

[16]

根据[14]或[15]所述的层叠体，其中，包含：从前述第3金属箔的表面至相反面的前述第2金属箔或前述第1金属箔为止的第1导通孔。

[17]

一种带经图案化的金属箔的层叠体，其包含：

第1绝缘性树脂层，其厚度为1～200μm；

第1金属箔，其层叠于前述第1绝缘性树脂层的单面，且进行了图案化；

第3绝缘性树脂层，其在层叠有前述第1金属箔的前述第1绝缘性树脂层上层叠，且覆盖前述第1金属箔；

第4金属箔，其层叠于前述第3绝缘性树脂层；

第2金属箔，其在与层叠有前述第1金属箔的面相反的前述第1绝缘性树脂层的面上层叠，且进行了图案化；

第2绝缘性树脂层，其在层叠有前述第2金属箔的前述第1绝缘性树脂层上层叠，且覆盖前述第2金属箔；和，

第3金属箔，其层叠于前述第2绝缘性树脂层。

[18]

根据[17]所述的层叠体，其中，前述第1金属箔的厚度为1～100μm。

[19]

根据[17]或[18]所述的层叠体，其中，包含：从前述第3金属箔的表面至相反面的前述第2金属箔、前述第1金属箔或前述第4金属箔中的任意者为止的第2导通孔。

[20]

根据[17]～[19]中任一项所述的层叠体，其中，包含：从前述第4金属箔的表面至相反面的前述第1金属箔、前述第2金属箔或前述第3金属箔中的任意者为止的第3导通孔。

发明的效果

根据本发明，不使用支撑基板制造层叠体，因此，能削减材料废弃量。另外，可以削减制造包含支撑基板的层叠体的工序和剥离并去除支撑基板的工序，因此，可以用于现有的制造工艺，通用性高。进而，根据本发明，提供：能适合用于薄型化的印刷电路板和半导体元件搭载用基板的层叠体的制造方法。

根据本发明，可以提供：能适合用于薄型化的印刷电路板和半导体元件搭载用基板的层叠体。

附图说明

图1为示出本实施方式中的带经图案化的金属箔的层叠体的制造方法的概要图。

图2为通过比较例1的制造方法而得到的层叠体的照片。

具体实施方式

以下，根据需要参照附图的同时，对用于实施本发明的方式(以下，简称为“本实施方式”)详细地进行说明，但本发明不限定于下述本实施方式。本发明在不脱离其主旨的范围内可以进行各种变形。附图中，对同一要素标注同一符号，省略重复的说明。另外，上下左右等位置关系只要没有特别限定就基于附图所示的位置关系。进而，附图的尺寸比率不限定于图示的比率。本说明书中，层叠体是将各层彼此粘接而成的，但各层根据需要也可以彼此剥离。

对于第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体、第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体和它们的制造方法，基于图1进行说明。本实施方式中，“带经图案化的金属箔的层叠体”是指，至少在第1绝缘性树脂层的单面或两面具有图案化的(具有电路图案)金属箔的层叠体。

〔第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体和制造方法〕

第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23包含：第1绝缘性树脂层10，其厚度为1～200μm；第1金属箔11，其层叠于第1绝缘性树脂层10的单面；第2金属箔12，其在与层叠有第1金属箔11的面相反的第1绝缘性树脂层10的面上层叠，且进行了图案化；第2绝缘性树脂层13，其在层叠有第2金属箔12的第1绝缘性树脂层10上层叠，且覆盖第2金属箔12；和，第3金属箔14，其层叠于第2绝缘性树脂层13。

另外，第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23的制造方法包括如下工序：将依次层叠有第1金属箔11、厚度为1～200μm的第1绝缘性树脂层10和第2金属箔12的层叠体21中的第1金属箔11的整面进行掩蔽的工序；对第2金属箔12进行图案化的工序；以第2金属箔12由第2绝缘性树脂层13所覆盖的方式，在层叠有第2金属箔12的第1绝缘性树脂层10上层叠第2绝缘性树脂层13的工序；和，在第2绝缘性树脂层13上层叠第3金属箔14的工序。

第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23的制造方法中，通过包括如下工序：使用在薄的第1绝缘性树脂层10的两面层叠有第1金属箔11和第2金属箔12的层叠体21，将层叠体21中的第1金属箔11的整面掩蔽，仅对另一单面的第2金属箔12进行图案化，可以在单面具有刚性高的第1金属箔11、且对第2金属箔12进行图案化。因此，可以在不破坏薄的第1绝缘性树脂层10的情况下，适合地制造层叠体23。

另外，根据第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23的制造方法，可以在不使用刚性高、且厚的支撑基板(载体基板)的情况下，用薄的第1绝缘性树脂层10可以制造层叠体23。因此，能大幅地削减材料废弃量，可以削减制造包含支撑基板的层叠体的工序和剥离并去除支撑基板的工序，因此，对制造工艺的通用性高。

第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23中，具有薄的第1绝缘性树脂层10，因此，可以适合用于以薄型化为目的的印刷电路板和半导体元件搭载用基板。

第1绝缘性树脂层10没有特别限定，通常包含：热固性树脂、无机填充材料、和根据需要的玻璃布。第1绝缘性树脂层10的厚度通常为1～200μm，从基材的操作容易性的方面出发，优选1～100μm、更优选1～40μm。本实施方式中，使用包括通过将单面的金属箔掩蔽，仅对另一单面的金属箔进行图案化的工序的制法，从而即使减薄第1绝缘性树脂层10的厚度，也不产生如下问题：印刷电路板和半导体元件搭载用基板弯折；或者，印刷电路板和半导体元件搭载用基板缠绕于传输机等。

作为热固性树脂，只要为能用于印刷电路板材料的热固性树脂就没有特别限定。作为具体例，可以举出氰酸酯化合物、环氧树脂、马来酰亚胺化合物、聚酰亚胺树脂和双键加成聚苯醚树脂等化合物。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。作为优选的热固性树脂，可以举出氰酸酯化合物、环氧树脂和马来酰亚胺化合物。

氰酸酯化合物只要为在1分子中具有2个以上的氰酸酯基的化合物就没有特别限定。作为具体例，可以举出双酚a型氰酸酯化合物、苯酚酚醛清漆型氰酸酯化合物、双酚e型氰酸酯化合物、含萘骨架的氰酸酯化合物和含联苯骨架的氰酸酯化合物等。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。作为优选的氰酸酯化合物，可以举出2,2-双(4-氰氧基苯基)丙烷、双(3,5-二甲基-4-氰氧基苯基)甲烷、苯酚酚醛清漆型的氰酸酯化合物和萘酚芳烷基型的氰酸酯化合物。

环氧树脂只要为在1分子中具有2个以上环氧基的化合物就没有特别限定。作为具体例，可以举出双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、联苯酚型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、多官能酚型环氧树脂、含萘骨架的环氧树脂、含联苯骨架的环氧树脂和含磷的环氧树脂等。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。作为优选的环氧树脂，可以举出双酚a型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯芳烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂、萘酚芳烷基型环氧树脂和3官能酚型环氧树脂。

马来酰亚胺化合物只要为在1分子中具有2个以上马来酰亚胺基的化合物就没有特别限定。作为具体例，可以举出双(4-马来酰亚胺苯基)甲烷、2,2-双{4-(4-马来酰亚胺苯氧基)-苯基}丙烷、双(3,5-二甲基-4-马来酰亚胺苯基)甲烷、双(3-乙基-5-甲基-4-马来酰亚胺苯基)甲烷、双(3,5-二乙基-4-马来酰亚胺苯基)甲烷、多苯基甲烷马来酰亚胺。需要说明的是，也可以以这些马来酰亚胺化合物的预聚物、或马来酰亚胺化合物与胺化合物的预聚物等的形式配混。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。作为优选的马来酰亚胺化合物，可以举出双(3-乙基-5-甲基-4-马来酰亚胺苯基)甲烷。

作为无机填充材料，可以使用：二氧化硅、氮化硼、硅灰石、滑石、高岭土、粘土、云母、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、钛酸钡和氧化镁等金属氧化物、氮化物、硅化物和硼化物等。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。通过包含无机填充材料，从而可以改善第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠板23和后述的第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠板25中的热膨胀系数的降低和刚性。特别是，通过添加二氧化硅、氮化硼和钛酸钡那样的低介电常数的无机填充材料，从而可以使本实施方式的绝缘性树脂层低介电常数化。

作为第1金属箔11和第2金属箔12，没有特别限定，例如可以举出金、银、铜、铝和包含它们中的2种以上的金属的合金。从电导率的方面出发，优选铜。第1金属箔11和第2金属箔12可以相同也可以不同，优选相同。第1金属箔11和第2金属箔12的厚度没有特别限定，分别通常为1～18μm、从激光开孔加工性容易的方面出发，优选1～15μm、更优选1～12μm。厚度在两面可以相同也可以不同，优选相同。

作为第1金属箔11和第2金属箔12，例如可以使用jxnipponmining&metalscorporation制的ghy5(商品名、12μm厚铜箔)、三井金属矿业株式会社制的3ec-vlp(商品名、12μm厚铜箔)和3ec-iii(商品名、18μm厚铜箔)等市售品。另外，在第1金属箔11或第2金属箔12与第1绝缘性树脂层10之间可以分别设置用于粘接它们的粘接层，也可以使用带粘接层的金属箔。粘接层的材质没有特别限定，例如可以使用丙烯酸类树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺系树脂和聚酯系树脂。

作为层叠体21，例如也可以使用3m公司制的c-2006(商品名)和三井金属公司制的faradflex(注册商标)的市售品。

另外，第1实施方式中，使用依次层叠有金属箔和绝缘性树脂层的带金属箔的树脂片，在该树脂片的绝缘性树脂层的表面贴合金属箔，也可以得到在第1绝缘性树脂层10的两面层叠有第1金属箔11和第2金属箔12的层叠体21。作为带金属箔的树脂片，例如也可以使用三菱瓦斯化学株式会社制crs-381ns1(商品名，带铜箔的树脂片)的市售品。

层叠体21的厚度没有特别限定，通常为3～236μm、优选4～224μm、更优选4～136μm、进一步优选5～124μm、进一步更优选5～100μm。

第1实施方式中，将层叠体21中的第1金属箔11的整面进行掩蔽，对第2金属箔12进行图案化，从而得到第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体22。掩蔽和图案化可以使用印刷电路板的制造中进行的公知的掩蔽和图案化，没有特别限定，例如，优选的是，通过消减法，将第1金属箔11的整面进行掩蔽，对第2金属箔12进行图案化(形成电路图案)。

利用消减法的掩蔽和图案化例如可以如下进行。在第1金属箔11和第2金属箔12的整面，在温度110±10℃、压力0.50±0.02mpa下，层叠贴附(层压)干膜抗蚀剂(例如日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。接着，沿着第1金属箔11的整面和第2金属箔12的电路图案进行曝光，并进行掩蔽。之后，用1％碳酸钠水溶液对两面的干膜抗蚀剂进行显影处理，在第2金属箔12上，用氯化铜水溶液去除未被蚀刻抗蚀剂所覆盖的部分的第2金属箔12，最终用胺系的抗蚀剂剥离液将干膜抗蚀剂剥离。由此，可以形成第2金属箔12带经图案化的金属箔的层叠体22。

第1实施方式中，以图案化的第2金属箔12由第2绝缘性树脂层13所覆盖的方式，在第1绝缘性树脂层10上层叠第2绝缘性树脂层13，在第2绝缘性树脂层13上层叠第3金属箔14。

作为第2绝缘性树脂层13，没有特别限定，例如可以使用与第1绝缘性树脂层10相同的材料或预浸料，从热膨胀性和耐热性的方面出发，优选使用预浸料。

预浸料是指，在玻璃纤维和有机纤维等纤维状增强材料中添加有树脂组合物的材料。预浸料没有特别限定，例如可以举出：由以下的树脂组合物和纤维状增强材料形成者。作为树脂组合物，例如可以举出：包含选自由环氧树脂、氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂和聚酯树脂组成的组中的1种以上的树脂的组合物。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。作为纤维状增强材料，例如可以举出：由玻璃纤维(例如、e玻璃、d玻璃、s玻璃、ne玻璃、t玻璃和q玻璃)和石英(quartz)等形成的无机纤维、由聚酰亚胺、聚酰胺和聚酯等形成的有机纤维、碳纤维以及纤维素纤维。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。作为纤维增强材料的形状，例如可以举出织布、无纺布、粗纱、短切毡和表面毡的形状。另外，树脂组合物中可以包含无机填充材料。作为无机填充材料，例如可以举出：天然二氧化硅、熔融二氧化硅、无定形二氧化硅和中空二氧化硅等二氧化硅、勃姆石、氢氧化铝和氧化铝等铝化合物、氧化镁和氢氧化镁等镁化合物、碳酸钙等钙化合物、氧化钼和钼酸锌等钼化合物、天然滑石和焙烧滑石等滑石、云母(mica)以及短纤维状玻璃、球状玻璃和细粉玻璃(e玻璃、t玻璃、d玻璃等)等玻璃。它们可以根据目标用途、性能而适宜选择，可以使用1种或组合2种以上而使用。

作为预浸料的厚度，没有特别限定，优选15～100μm、更优选15～80μm。

作为预浸料，例如也可以使用三菱瓦斯化学株式会社制a-in74(商品名)、ff70(商品名)和sh65(商品名)等市售品。

作为第3金属箔14，没有特别限定，例如可以使用第1金属箔11或第2金属箔12。第3金属箔14可以与第1金属箔11或第2金属箔12相同也可以不同。另外，作为第3金属箔14，可以使用带有载体金属箔的金属箔。

带有载体金属箔的金属箔是指，具备载体金属箔和薄于该载体金属箔的金属箔(以下，称为“薄金属箔”)的层叠体片。详细地，带有载体金属箔的金属箔为在载体金属箔上根据需要借助其他薄膜，以能剥离薄金属箔的状态层叠的层叠片，可以为市售片。

载体金属箔和薄于其的金属箔的金属的种类没有特别限定。作为这些金属箔的种类，例如可以举出：总计包含90％以上的选自金、银、铜、铝、镍、铁、铬、锰、钼和包含它们中的2种以上的金属的合金中的至少1种的合金。从热膨胀率、导电性和经济性的方面出发，特别优选铜。

带有载体金属箔的金属箔中的载体金属箔的厚度没有特别限定，优选9～70μm、更优选12～35μm。薄金属箔的厚度没有特别限定，优选5μm以下、更优选1～5μm。

在层叠片上根据需要层叠的其他薄膜的材质没有特别限定，例如可以举出：聚酰亚胺、聚酰胺、聚四氟乙烯(ptfe)、丙烯酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、有机硅树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、芳族聚酰胺树脂、脲树脂、玻璃纸、聚砜、乙烯丙烯二烯橡胶(epdm)、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、尼龙、聚碳酸酯、酚醛树脂、bt树脂、三乙酸酯、环氧树脂、聚苯硫醚、液晶聚合物(lcp)、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚氯乙烯(pvc)。另外，其他薄膜层的厚度没有特别限定，优选0.01～100μm、更优选1～10μm。

作为市售品，例如可以举出：三井金属矿业株式会社制mt18ex(商品名，载体铜箔的厚度：18μm、极薄铜箔：2μm)和mtfl(商品名，载体铜箔的厚度：18μm、极薄铜箔：3μm)等。

第1实施方式中，在绝缘性树脂层10上层叠第2绝缘性树脂层13和第3金属箔14的方法没有特别限定，优选的是，在层叠有图案化的第2金属箔12的第1绝缘性树脂层10上，依次层叠第2绝缘性树脂层13和第3金属箔14，之后，边进行加热边沿层叠方向进行加压并层叠。另外，在层叠第2绝缘性树脂层13前，为了提高第2金属箔12与第2绝缘层树脂层13的粘接强度，优选例如使用三菱瓦斯化学株式会社制cleanetch(注册商标)emr-5100(商品名)或meccorporation制cz-8100(商品名)，对第2金属箔12的金属箔表面进行1～2μm蚀刻(粗糙化处理)。

第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体22中，在第1绝缘性树脂层10的单面具有刚性高的第1金属箔11，因此，可以在不破坏第1绝缘性树脂层10的情况下，在绝缘性树脂层10上适合地层叠第2绝缘性树脂层13和第3金属箔14。

层叠体23的厚度没有特别限定，通常为30～200μm、优选40～200μm、更优选45～200μm。

加热和加压的方法没有特别限定，例如可以举出：真空(减压)热压和真空(减压)层压。使用预浸料作为第2绝缘性树脂层13的情况下，真空(减压)热压可以进一步提高粘接强度，故优选。

加热温度没有特别限定，优选180～230℃、更优选190～220℃。加热温度如果为上述范围，则可以更充分地进行与第1绝缘性树脂层10、第2金属箔12、第2绝缘性树脂层13和第3金属箔14的粘接。

加压压力没有特别限定，优选1～4mpa、更优选2.5～3.5mpa。加压压力如果为上述范围，则可以更充分地进行与第1绝缘性树脂层10、第2金属箔12、第2绝缘性树脂层13和第3金属箔14的粘接。

加热和加压的时间没有特别限定，优选30～300分钟、更优选40～120分钟。加热和加压的时间如果为上述范围，则可以更充分地进行与第1绝缘性树脂层10、第2金属箔12、第2绝缘性树脂层13和第3金属箔14的粘接。

第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23中，为了进行第3金属箔14与第2金属箔12和/或第1金属箔11的电连接，优选包括：从第3金属箔14的表面直至相反面的第2金属箔12或前述第1金属箔11为止的第1导通孔。第1导通孔可以贯通第2金属箔12，不贯通第1金属箔11。第1导通孔可以根据目标用途而适宜形成。

第1导通孔可以通过使用第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23，包括如下的(1)～(3)中的任1个以上的工序而得到。

工序(1)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14和第2绝缘性树脂层13直至相反面的第2金属箔12为止的第1导通孔。

工序(2)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14、第2绝缘性树脂层13和第1绝缘性树脂层10直至相反面的第1金属箔11为止的第1导通孔。

工序(3)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14、第2绝缘性树脂层13、第2金属箔12和第1绝缘性树脂层10直至相反面的第1金属箔11为止的第1导通孔。

第1导通孔通过以不贯通第1金属箔11的方式进行开孔加工从而得到。另外，规定的位置是指，沿着电路图案的适当的位置。

激光加工的方法没有特别限定，可以适宜使用：利用二氧化碳气体激光的加工方法和利用uv激光的加工方法等通常的多层印刷电路板的制造中进行的加工方法。另外，第1导通孔可以使用机械钻进行加工。

第1导通孔的形状没有特别限定，例如从第3金属箔14的表面观察为圆形、大致圆形、椭圆形和大致椭圆形等、在通常的多层印刷电路板的制造中形成的形状即可。与第1导通孔的层叠方向平行的截面的形状也没有特别限定，只要为正方形、大致正方形、长方形、大致长方形、梯形和大致梯形等、在通常的多层印刷电路板的制造中形成的形状即可。

第1导通孔的大小没有特别限定，只要为在通常的多层印刷电路板的制造中形成的大小即可。通常从第3金属箔14的表面观察到的孔的截面积(即，第3金属箔14的与层叠方向正交的任意截面的面积)为0.0003～3mm²。第1导通孔的深度也没有特别限定，只要为在通常的多层印刷电路板的制造中形成的深度即可。通常，第1导通孔的深度为5～200μm。

第1实施方式中，可以适宜设置从第3金属箔14贯通至第1金属箔11为止的通孔。

第1实施方式中，优选还包括如下工序：对第1导通孔内进行沾污去除处理。本实施方式中，沾污去除处理是指，去除形成导通孔时产生的、附着于导通孔内的树脂等胶渣的处理。

沾污去除处理的方法和沾污去除处理中使用的化学溶液的种类没有特别限定，可以适宜使用通常的多层印刷电路板的制造中的沾污去除处理的方法和化学溶液。作为沾污去除处理的方法，没有特别限定，例如可以举出：利用溶胀液的处理、利用沾污去除液的处理和利用中和液的处理。另外，沾污去除处理中使用的化学溶液可以为市售品。

沾污去除处理的条件没有特别限定，可以根据绝缘性树脂的种类、化学溶液的种类和浓度等而适宜选择。作为沾污去除处理的方法，没有特别限定，例如可以举出如下方法：在65℃下，使本实施方式的导通孔和根据需要的通孔浸渍于奥野制药工业株式会社制的沾污去除用溶胀液(pth-b103(商品名))5分钟以使其溶胀后，在80℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制沾污去除处理液(pth1200(商品名)和pth1200na(商品名))8分钟，最后在45℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制的沾污去除用中和液(pth-b303(商品名))5分钟。

第1实施方式中，设置第1导通孔后，或对第1导通孔内进行沾污去除处理后，为了进行第3金属箔14与第2金属箔12和/或第1金属箔11的电连接，优选进行金属镀覆处理。

作为金属镀覆处理的方法，没有特别限定，可以适宜使用通常的多层印刷电路板的制造中的金属镀覆处理的方法。金属镀覆处理的方法和镀覆中使用的化学溶液的种类没有特别限定，可以适宜使用通常的多层印刷电路板的制造中的金属镀覆处理的方法和化学溶液。金属镀覆处理中使用的化学溶液可以为市售品。

作为金属镀覆处理方法，没有特别限定，例如可以举出：利用脱脂液的处理、利用软蚀刻液的处理、酸清洗、利用预浸液的处理、利用催化剂液的处理、利用促进剂液的处理、利用化学铜液的处理、酸清洗和浸渍于硫酸铜液并流过电流的处理。

作为金属镀覆处理方法的具体例，可以举出如下方法：通过通常的化学镀处理，在第1导通孔内壁形成化学镀膜后，使镀覆液形成射流，通过击中基板的喷洒器镀覆方法等电解镀方法，对第1导通孔内进行镀覆填充。作为化学镀或电解镀，例如优选铜、锡、银、各种软钎料、铜和锡、铜和银等的金属镀覆，更优选化学镀铜或电解镀铜。

为了制作后述的第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25，使用第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23的情况下，出于用于形成电路图案的曝光用或激光加工的对位的目的，优选在第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23设置对位用的孔。上述情况下，优选在对位用孔的周围进一步设置孔。形成对位用孔和对位用孔的周围的孔的方法没有特别限定，可以使用通常的多层印刷电路板的制造中的公知的开孔方法，例如可以使用如下方法：用钻头进行开孔加工的方法；和，用x射线或激光进行开孔的方法。

〔第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体和制造方法〕

第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25包含：第1绝缘性树脂层10，其厚度为1～200μm；第1金属箔11，其层叠于第1绝缘性树脂层10的单面，且进行了图案化；第3绝缘性树脂层15，其在层叠有第1金属箔11的第1绝缘性树脂层10上层叠，且覆盖第1金属箔11；第4金属箔16，其层叠于第3绝缘性树脂层15；第2金属箔12，其在与层叠有第1金属箔11的面相反的第1绝缘性树脂层10的面上层叠，且进行了图案化；第2绝缘性树脂层13，其在层叠有第2金属箔12的第1绝缘性树脂层10上层叠，且覆盖第2金属箔12；和，第3金属箔14，其层叠于第2绝缘性树脂层13。

另外，第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25的制造方法包括如下工序：将第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23中的第3金属箔14的整面进行掩蔽的工序；对第1金属箔11进行图案化的工序；以第1金属箔11由第3绝缘性树脂层15所覆盖的方式，在层叠有第1金属箔11的第1绝缘性树脂层10上层叠第3绝缘性树脂层15的工序；和，在第3绝缘性树脂层15上层叠第4金属箔16的工序。

第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25的制造方法中，在薄的第1绝缘性树脂层10的单面层叠第2金属箔12、第2绝缘性树脂层10和第3金属箔14，因此，可以保持层叠体23整体的刚性。因此，可以在不破坏薄的第1绝缘性树脂层10的情况下，对第1金属箔11适合地进行图案化。

另外，根据第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25的制造方法，可以在不使用刚性高、且厚的支撑基板(载体基板)的情况下，用薄的第1绝缘性树脂层10制造层叠体25。因此，能大幅地削减材料废弃量，可以削减制造包含支撑基板的层叠体的工序和剥离并去除支撑基板的工序，因此，对制造工艺的通用性高。

第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25中，具有薄的第1绝缘性树脂层10，因此，可以适合地使用以薄型化为目的的印刷电路板和半导体元件搭载用基板。

层叠体25的厚度没有特别限定，通常为30～300μm、优选40～300μm、更优选45～300μm。

第2实施方式中，对于第1绝缘性树脂层10、第1金属箔11、第2金属箔12、层叠体21、第2绝缘性树脂层13、第3金属箔14和层叠体23，如前述。

第2实施方式中，将第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23中的第3金属箔14的整面进行掩蔽，对第1金属箔11进行图案化，从而得到第1金属箔11和第2金属箔12带经图案化的金属箔的层叠体25。掩蔽和图案化可以利用印刷电路板的制造中进行的公知的掩蔽和图案化，没有特别限定，例如，优选的是，通过消减法，将第3金属箔14的整面进行掩蔽，对第1金属箔11进行图案化(形成电路图案)。

第1金属箔和第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体24中，保持层叠体整体的刚性，因此，可以在不破坏薄的第1绝缘性树脂层10的情况下，在绝缘性树脂层10上适合地层叠第3绝缘性树脂层15和第4金属箔16。

利用消减法的掩蔽和图案化例如可以如下进行。在第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23中的第1金属箔11和第3金属箔14的整面，在温度110±10℃、压力0.50±0.02mpa下，层叠贴附(层压)干膜抗蚀剂(例如日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。接着，沿着第3金属箔14的整面和第1金属箔11的电路图案进行曝光，并进行掩蔽。之后，用1％碳酸钠水溶液对两面的干膜抗蚀剂进行显影处理，在第1金属箔11上，将未被蚀刻抗蚀剂覆盖的部分的第1金属箔11用氯化铜水溶液去除，最终用胺系的抗蚀剂剥离液将干膜抗蚀剂剥离。由此，可以形成第1金属箔11和第2金属箔12带经图案化的金属箔的层叠体24。

第2实施方式中，以图案化的第1金属箔11由第3绝缘性树脂层15所覆盖的方式，在第1绝缘性树脂层10上层叠第3绝缘性树脂层15，在第3绝缘性树脂层15上层叠第4金属箔16。

作为第3绝缘性树脂层15，没有特别限定，可以使用与第1绝缘性树脂层10和第2绝缘性树脂层13相同的材料或预浸料，从热膨胀性和耐热性的方面出发，优选使用预浸料。对于预浸料，如前述，可以与为了形成第2绝缘性树脂层13而使用的预浸料相同也可以不同。

作为第4金属箔16，没有特别限定，例如可以使用第1金属箔11、第2金属箔12或第3金属箔14。第4金属箔16可以与第1金属箔11、第2金属箔12或第3金属箔14相同也可以不同。作为第4金属箔16，可以使用带有载体金属箔的金属箔。对于带有载体金属箔的金属箔，如前述，可以与第3金属箔14的带有载体金属箔的金属箔相同也可以不同。

另外，第4金属箔16的金属的种类可以使用第1金属箔11的金属、第2金属箔12的金属或第3金属箔14的金属，可以与第1金属箔11的金属、第2金属箔12的金属或第3金属箔14的金属相同也可以不同。

第2实施方式中，在第1绝缘性树脂层10上层叠第3绝缘性树脂层15和第4金属箔16的方法没有特别限定，优选的是，在层叠有图案化的第1金属箔11的第1绝缘性树脂层10上，依次层叠第3绝缘性树脂层15和第4金属箔16，之后，边进行加热边沿层叠方向进行加压并层叠。另外，在层叠第3绝缘性树脂层15前，为了提高第1金属箔11与第3绝缘层树脂层15的粘接强度，例如优选使用三菱瓦斯化学株式会社制cleanetch(注册商标)emr-5100(商标名)或meccorporation制cz-8100(商品名)，对第1金属箔11的金属箔表面进行1～2μm蚀刻(粗糙化处理)。

加热和加压的方法没有特别限定，例如可以举出真空(减压)热压和真空(减压)层压。使用预浸料作为第3绝缘性树脂层15的情况下，真空(减压)热压可以进一步提高粘接强度，故优选。

加热温度没有特别限定，优选180～230℃、更优选190～220℃。加热温度如果为上述范围，则可以更充分地进行与第1绝缘性树脂层10、第1金属箔11、第3绝缘性树脂层15和第4金属箔16的粘接。

加压压力没有特别限定，优选1～4mpa、更优选2.5～3.5mpa。加压压力如果为上述范围，则可以更充分地进行与第1绝缘性树脂层10、第1金属箔11、第3绝缘性树脂层15和第4金属箔16的粘接。

加热和加压的时间没有特别限定，优选30～300分钟、更优选40～120分钟。加热和加压的时间如果为上述范围，则可以更充分地进行与第1绝缘性树脂层10、第1金属箔11、第3绝缘性树脂层15和第4金属箔16的粘接。

第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25中，出于用于形成电路图案的曝光用或激光加工的对位的目的，优选设置对位用的孔。上述情况下，优选在对位用孔的周围进一步设置孔。形成对位用孔和对位用孔的周围的孔的方法没有特别限定，可以使用通常的多层印刷电路板的制造中的公知的开孔方法，例如可以使用如下方法：用钻头进行开孔加工的方法；和，用x射线或激光进行开孔的方法。

第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25中，为了进行第3金属箔14、与第2金属箔12、第1金属箔11和第4金属箔16中的任一者以上的金属箔的电连接，优选包含：从第3金属箔14的表面直至相反面的第2金属箔12、第1金属箔11或第4金属箔16中的任意者为止的第2导通孔。第2导通孔为能电连接第3金属箔14、与第2金属箔12、第1金属箔11和第4金属箔16中的任一者以上的金属箔的非贯通的孔，也可以以第3金属箔14、第2金属箔12、第1金属箔11和第4金属箔16全部能电连接的方式形成非贯通的孔。第2导通孔可以贯通第2金属箔12和/或第1金属箔11，也可以不贯通第4金属箔16。第2导通孔可以根据目标用途而适宜形成。

第2导通孔通过使用第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25，包括如下的(1)～(6)中的1个以上的工序而得到。

工序(1)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14和第2绝缘性树脂层13直至相反面的第2金属箔12为止的第2导通孔。

工序(2)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14、第2绝缘性树脂层13和第1绝缘性树脂层10直至相反面的第1金属箔11为止的第2导通孔。

工序(3)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14、第2绝缘性树脂层13、第2金属箔12和第1绝缘性树脂层10直至相反面的第1金属箔11为止的第2导通孔。

工序(4)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14、第2绝缘性树脂层13、第2金属箔12、第1绝缘性树脂层10和第3绝缘性树脂层15直至相反面的第4金属箔16为止的第2导通孔。

工序(5)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14、第2绝缘性树脂层13、第1绝缘性树脂层10、第1金属箔11和第3绝缘性树脂层15直至相反面的第4金属箔16为止的第2导通孔。

工序(6)，对第3金属箔14的表面的规定位置照射激光，设置从第3金属箔14的表面贯通第3金属箔14、第2绝缘性树脂层13、第2金属箔12、第1绝缘性树脂层10、第1金属箔11和第3绝缘性树脂层15直至相反面的第4金属箔16为止的第2导通孔。

第2导通孔可以通过以不贯通第4金属箔16的方式进行开孔加工而得到。另外，规定的位置是指，沿着电路图案的适当的位置。

第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25中，为了进行第4金属箔16、与第1金属箔11、第2金属箔12和第3金属箔14中的任一者以上的金属箔的电连接，优选包含：从第4金属箔16的表面直至相反面的第1金属箔11、第2金属箔12或第3金属箔14中的任意者为止的第3导通孔。第3导通孔为能电连接第4金属箔16、与第1金属箔11、第2金属箔12和第3金属箔14中的任一者以上的金属箔的非贯通的孔，也可以以第4金属箔16、第1金属箔11、第2金属箔12和第3金属箔14全部能电连接的方式，形成非贯通的孔。第3导通孔可以贯通第1金属箔11和/或第2金属箔12，但不贯通第3金属箔14。第3导通孔可以根据目标用途而适宜形成。

第3导通孔通过使用第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25或具有第2导通孔的第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25，包括如下的(1)～(6)中的任1个以上的工序而得到。

工序(1)，对第4金属箔16的表面的规定位置照射激光，设置从第4金属箔16的表面贯通第4金属箔16和第3绝缘性树脂层15直至相反面的第1金属箔11为止的第3导通孔。

工序(2)，对第4金属箔16的表面的规定位置照射激光，设置从第4金属箔16的表面贯通第4金属箔16、第3绝缘性树脂层15和第1绝缘性树脂层10直至相反面的第2金属箔12为止的第3导通孔。

工序(3)，对第4金属箔16的表面的规定位置照射激光，设置从第4金属箔16的表面贯通第4金属箔16、第3绝缘性树脂层15、第1金属箔11和第1绝缘性树脂层10直至相反面的第2金属箔12为止的第3导通孔。

工序(4)，对第4金属箔16的表面的规定位置照射激光，设置从第4金属箔16的表面贯通第4金属箔16、第3绝缘性树脂层15、第1金属箔11、第1绝缘性树脂层10和第2绝缘性树脂层13直至相反面的第3金属箔14为止的第3导通孔。

工序(5)，对第4金属箔16的表面的规定位置照射激光，设置从第4金属箔16的表面贯通第4金属箔16、第3绝缘性树脂层15、第1绝缘性树脂层10、第2金属箔12和第2绝缘性树脂层13直至相反面的第3金属箔14为止的第3导通孔。

工序(6)，对第4金属箔16的表面的规定位置照射激光，设置从第4金属箔16的表面贯通第4金属箔16、第3绝缘性树脂层15、第1金属箔11、第1绝缘性树脂层10、第2金属箔12和第2绝缘性树脂层13直至相反面的第3金属箔14为止的第3导通孔。

第3导通孔可以通过以不贯通第3金属箔14的方式进行开孔加工而得到。另外，规定的位置是指，沿着电路图案的适当的位置。

形成第2导通孔或第3导通孔的方法没有特别限定，可以适宜使用如下方法：利用二氧化碳气体激光的加工方法、利用uv激光的加工方法和利用机械钻的加工方法等、在通常的多层印刷电路板的制造中使用的加工方法。第2导通孔和第3导通孔的形成可以同时进行也可以依次进行。

第2导通孔或第3导通孔的形状没有特别限定，例如从第3金属箔14或第4金属箔16的各自的表面观察为圆形、大致圆形、椭圆形和大致椭圆形等、在通常的多层印刷电路板的制造中形成的形状即可。第2导通孔或第3导通孔的与层叠方向平行的截面的形状也没有特别限定，例如只要为正方形、大致正方形、长方形、大致长方形、梯形和大致梯形等、在通常的多层印刷电路板的制造中形成的形状即可。

第2导通孔或第3导通孔的大小没有特别限定，只要为在通常的多层印刷电路板的制造中形成的大小即可。通常，从第3金属箔14或第4金属箔16的各自的表面观察到的孔的截面积(即，第3金属箔14或第4金属箔16的与层叠方向正交的任意的截面的面积)分别为0.0003～3mm²。第2导通孔或第3导通孔的深度也没有特别限定，只要为在通常的多层印刷电路板的制造中形成的深度即可。通常，第2导通孔或第3导通孔的深度分别为5～200μm。

第2实施方式中，可以适宜设置从第3金属箔14贯通直至第4金属箔16的通孔。

第2实施方式中，优选还包括如下工序：对第2导通孔内和/或第3导通孔内进行沾污去除处理。

沾污去除处理的方法、沾污去除处理中使用的化学溶液的种类和沾污去除处理的条件没有特别限定，例如可以根据目标用途而适宜选择对前述第1导通孔内进行沾污去除处理的方法、沾污去除处理中使用的化学溶液和沾污去除处理的条件。

第2实施方式中，设置第2导通孔和/或第3导通孔后，或对第2导通孔内和/或第3导通孔内进行沾污去除处理后，为了进行第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25中的各金属箔间的电连接，优选进行金属镀覆处理。

作为金属镀覆处理的方法，没有特别限定，可以适宜使用通常的多层印刷电路板的制造中的金属镀覆处理的方法。另外，对于具体的金属镀覆处理的方法和镀覆中使用的化学溶液的种类，可以适宜选择前述第1实施方式中的金属镀覆处理的方法和化学溶液的种类。

〔具有积层结构的带经图案化的金属箔的层叠体〕

本实施方式中，在第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体或第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体的单面或两面，进一步层叠金属箔和绝缘性树脂层，之后，边进行加热边沿层叠方向进行加压，从而可以得到具有积层结构的带经图案化的金属箔的层叠体。对于金属箔和绝缘性树脂层的层叠数，没有特别限定，可以根据目标用途而适宜设定层叠数。另外，金属箔和绝缘性树脂层的顺序也没有特别限定。

对于金属箔的金属，也没有特别限定，例如可以使用第1金属箔11或第2金属箔12的金属，与第1金属箔11或第2金属箔12的金属可以相同也可以不同。绝缘性树脂层也没有特别限定，可以使用与第1绝缘性树脂层10相同的材料或预浸料，从热膨胀性和耐热性的方面出发，优选使用预浸料。对于预浸料，如前述，可以与为了形成第2绝缘性树脂层13而使用的预浸料相同也可以不同。

层叠金属箔和绝缘性树脂层时的加热的方法、加压的方法和它们的时间也没有特别限定，可以根据目标用途而适宜选择。对于具体的加热的方法、加压的方法和它们的时间，可以适宜选择前述第1实施方式或第2实施方式中的加热的方法、加压的方法和它们的时间。

具有积层结构的带经图案化的金属箔的层叠体中，可以根据目标用途而适宜具有导通孔和/或通孔。形成导通孔和通孔的方法没有特别限定，可以适宜使用利用二氧化碳气体激光的加工方法、利用uv激光的加工方法和利用机械钻的加工方法等、在通常的多层印刷电路板的制造中进行的加工方法。

对于导通孔和通孔的各自的形状、大小和深度，没有特别限定，可以根据目标用途而适宜设定。对于导通孔和通孔的各自的形状、大小和深度，可以适宜选择前述第1实施方式或第2实施方式中的形状、大小和深度。

另外，优选对导通孔内和/或通孔内进行沾污去除处理。对于沾污去除处理的方法，没有特别限定，可以适宜使用通常的多层印刷电路板的制造中的沾污去除处理的方法。另外，对于具体的沾污去除处理方法、沾污去除处理中使用的化学溶液的种类和沾污去除处理的条件，可以适宜选择前述第1实施方式或第2实施方式中的沾污去除处理方法、沾污去除处理中使用的化学溶液的种类和沾污去除处理的条件。

本实施方式中，具有积层结构的带经图案化的金属箔的层叠体中，设置导通孔和根据需要的通孔后，或对导通孔内和根据需要的通孔内进行沾污去除处理后，为了进行各金属箔间的电连接，也可以实施金属镀覆处理。

作为金属镀覆处理的方法，没有特别限定，可以适宜使用通常的多层印刷电路板的制造中的金属镀覆处理的方法。另外，对于具体的金属镀覆处理的方法和镀覆中使用的化学溶液的种类，可以适宜选择前述第1实施方式或第2实施方式中的金属镀覆处理的方法和镀覆中使用的化学溶液的种类。

〔半导体元件搭载用基板〕

半导体元件搭载用基板可以如下制作：对第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体、第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体或具有积层结构的带经图案化的金属箔的层叠体中的两面或单面进行掩蔽和图案化，从而可以制作。掩蔽和图案化可以利用印刷电路板的制造中进行的公知的掩蔽和图案化，没有特别限定，优选通过消减法形成电路图案。关于消减法，可以适宜参照前述第1实施方式或第2实施方式中的消减法而使用。电路图案可以仅形成于层叠体的单面，也可以形成于两面。

第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体、第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体或具有积层结构的带经图案化的金属箔的层叠体的外观不良少，且为均匀。通过使用本实施方式的层叠体，从而薄型的印刷电路板和半导体元件搭载用基板的生产率比以往变得良好。

实施例

对于本实施方式的实施例，利用图1进行说明，但本实施方式不受这些实施例的任何限定。

〔实施例1〕

在依次层叠有铜箔(第1金属箔11)、第1绝缘性树脂层10和铜箔(第2金属箔12)的层叠体21(3m公司制c2006(商品名)、第1绝缘性树脂层10的组成：包含环氧树脂和钛酸钡、第1绝缘性树脂层10的厚度：6μm、第1金属箔11和第2金属箔12中的铜箔的厚度：3.5μm、层叠体21的厚度：13μm)的两面，层压感光性干膜抗蚀剂(日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。之后，将层压后的干膜抗蚀剂的单面(第2金属箔12)沿着规定的电路图案进行曝光，将另一单面(第1金属箔11)进行整面曝光，进行掩蔽。之后，进行显影处理，进一步进行蚀刻处理和抗蚀剂剥离，形成第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体22。

为了提高第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体22中的第2金属箔12(第1电路图案层)与第2绝缘性树脂层13的粘接强度，使用三菱瓦斯化学株式会社制cleanetch(注册商标)emr-5100(商品名)，对第2金属箔12的表面的铜进行粗糙化处理。接着，将作为第2绝缘性树脂层13的厚度0.040mm的预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制a-in74(商品名))、和作为第3金属箔14的带载体铜箔的极薄铜箔(三井金属矿业株式会社制mt18ex(商品名)、载体铜箔的厚度：18μm、极薄铜箔厚度：2μm)以载体铜箔面成为最外层的方式，配置于层叠有第2金属箔12的第1绝缘性树脂层10的面，在真空下、以温度200℃、加压压力3mpa，进行60分钟加压处理。由此，形成第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23(层叠体23的厚度：60μm)。

接着，用x射线开孔装置，在第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23中形成对位用的孔。之后，在层叠体的两面(第1金属箔11和第3金属箔14的各自的表面)层压感光性干膜抗蚀剂(日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。之后，将层压后的干膜抗蚀剂的单面(第1金属箔11)沿着规定的电路图案进行曝光，将另一单面(第3金属箔14)进行整面曝光，进行掩蔽。之后，进行显影处理，进一步进行蚀刻处理和抗蚀剂剥离，形成第1金属箔和第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体24。

为了提高层叠体24中的第1金属箔11(第2电路图案层)与第3绝缘性树脂层15的粘接强度，使用三菱瓦斯化学株式会社制cleanetch(注册商标)emr-5100(商品名)，对第1金属箔11的表面的铜进行粗糙化处理。接着，将作为第3绝缘性树脂层15的厚度0.040mm的预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制a-in74(商品名))、和作为第4金属箔16的带载体铜箔的极薄铜箔(三井金属矿业株式会社制mt18ex(商品名)、载体厚度：18μm、极薄铜箔厚度：2μm)以载体铜箔面成为最外层的方式，配置于层叠有第1金属箔11的第1绝缘性树脂层10的面，在真空下、以温度220℃、加压压力3mpa进行120分钟加压处理。由此，形成第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25(层叠体25的厚度：100μm)。

接着，用x射线开孔装置，在第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25中形成对位用的孔。之后，以物理的方式剥离层叠体的最外层的载体铜箔。

接着，通过二氧化碳气体激光加工机(三菱电机株式会社制ml605gtw3(-h)5200u(商品名))，形成从第3金属箔14的表面至第2金属箔12(第1电路图案层)为止的孔径100μm的导通孔、和从第4金属箔16的表面至第1金属箔11(第2电路图案层)为止的孔径100μm的导通孔。接着，进行导通孔内的沾污去除处理。沾污去除处理如下进行：在65℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制的沾污去除用溶胀液(pth-b103(商品名))5分钟，使其溶胀后，在80℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制沾污去除处理液(pth1200(商品名)和pth1200na(商品名))8分钟，最后，在45℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制的沾污去除用中和液(pth-b303(商品名))5分钟，从而进行。

接着，利用化学镀形成厚度0.4～0.8μm的镀层后，通过使用硫酸铜(浓度：60～80g/l)和硫酸(浓度：150～200g/l)的硫酸铜镀覆，形成15～30μm的镀层。由此，第3金属箔14与第2金属箔12(第1电路图案层)、和第4金属箔16与第1金属箔11(第2电路图案层)分别通过导通孔的镀覆部分而被电连接。

之后，在带经图案化的金属箔的层叠体的两面层压感光性干膜抗蚀剂(日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。之后，根据上述对位用的孔，将规定的电路图案进行曝光，进行显影处理，进一步通过进行蚀刻处理和抗蚀剂剥离的消减法，从而在带经图案化的金属箔的层叠体表面形成第3和第4电路图案，得到半导体元件搭载用封装体基板(半导体元件搭载用基板)。

〔实施例2〕

在依次层叠有铜箔和第1绝缘性树脂层10的带铜箔的树脂片(三菱瓦斯化学株式会社制crs-381nsi(商品名)、第1绝缘性树脂层10的组成：包含双马来酰亚胺和二氧化硅、第1绝缘性树脂层10的厚度：10μm、铜箔的厚度：12μm、层叠体21的厚度：34μm)的第1绝缘性树脂层10的表面，贴合铜箔(三井金属矿业株式会社制3ec-vlp(商品名)、铜箔的厚度：12μm)，形成层叠体21。在层叠体21的铜箔两面层压感光性干膜抗蚀剂(日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。之后，将层压后的干膜抗蚀剂的单面(第2金属箔12)沿着规定的电路图案进行曝光，将另一单面(第1金属箔11)进行整面曝光，进行掩蔽。之后，进行显影处理，进一步进行蚀刻处理和抗蚀剂剥离，形成第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体22。

为了提高第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体22中的第2金属箔12(第1电路图案层)与第2绝缘性树脂层13的粘接强度，用三菱瓦斯化学株式会社制cleanetch(注册商标)emr-5100(商品名)，对第2金属箔12的表面的铜进行粗糙化处理。接着，将作为第2绝缘性树脂层13的厚度0.040mm的预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制a-in74(商品名))、和作为第3金属箔14的带载体铜箔的极薄铜箔(三井金属矿业株式会社制mt18ex(商品名)、载体厚度：18μm、极薄铜箔厚度：2μm)以载体铜箔面成为最外层的方式，配置于层叠有第2金属箔12的第1绝缘性树脂层10的面，在真空下、以温度200℃、加压压力3mpa进行60分钟加压处理。由此，形成第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23(层叠体23的厚度：80μm)。

接着，用x射线开孔装置，在第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体23中形成对位用的孔。之后，在层叠体的两面(第1金属箔11和第3金属箔14的各自的表面)层压感光性干膜抗蚀剂(日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。之后，将层压后的干膜抗蚀剂的单面(第1金属箔11)沿着规定的电路图案进行曝光，将另一单面(第3金属箔14)进行整面曝光，进行掩蔽。之后，进行显影处理，进一步进行蚀刻处理和抗蚀剂剥离，形成第1金属箔和第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体24。

为了提高层叠体24中的第1金属箔11(第2电路图案层)与第3绝缘性树脂层15的粘接强度，用三菱瓦斯化学株式会社制cleanetch(注册商标)emr-5100(商品名)，对第1金属箔11的表面的铜进行粗糙化处理。接着，作为第3绝缘性树脂层15的厚度0.040mm的预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制a-in74(商品名))、和作为第4金属箔16的带载体铜箔的极薄铜箔(三井金属矿业株式会社制mt18ex(商品名)、载体厚度：18μm、极薄铜箔厚度：2μm)以载体铜箔面成为最外层的方式，配置于层叠有第1金属箔11的第1绝缘性树脂层10的面，在真空下、以温度220℃、加压压力3mpa进行120分钟加压处理。由此，形成第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25(层叠体25的厚度：130μm)。

接着，用x射线开孔装置，在第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体25中形成对位用的孔。之后，以物理的方式剥离层叠体的最外层的载体铜箔。

接着，通过二氧化碳气体激光加工机(三菱电机株式会社制ml605gtw3(-h)5200u(商品名))，形成从第3金属箔14的表面至第2金属箔12(第1电路图案层)为止的孔径100μm的导通孔、和从第4金属箔16的表面至第1金属箔11(第2电路图案层)为止的孔径100μm的导通孔。接着，进行导通孔内的沾污去除处理。沾污去除处理如下进行：在65℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制的沾污去除用溶胀液(pth-b103(商品名))5分钟，使其溶胀后，在80℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制沾污去除处理液(pth1200(商品名)和pth1200na(商品名))8分钟，最后，在45℃下，浸渍于奥野制药工业株式会社制的沾污去除用中和液(pth-b303(商品名))5分钟，从而进行。

接着，用化学镀形成厚度0.4～0.8μm的镀层后，通过利用硫酸铜(浓度：60～80g/l)和硫酸(浓度：150～200g/l)的硫酸铜镀覆，形成15～30μm的镀层。由此，第3金属箔14与第2金属箔12(第1电路图案层)、和第4金属箔16与第1金属箔11(第2电路图案层)分别通过导通孔的镀覆部分被电连接。

之后，在带经图案化的金属箔的层叠体的两面层压感光性干膜抗蚀剂(日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。之后，根据上述对位用的孔，将规定的电路图案进行曝光，进行显影处理，进一步通过进行蚀刻处理和抗蚀剂剥离的消减法，从而在带经图案化的金属箔的层叠体表面形成第3和第4电路图案，得到半导体元件搭载用封装体基板(半导体元件搭载用基板)。

〔比较例1〕

在依次层叠有铜箔、绝缘性树脂层和铜箔的层叠体(3m公司制c2006(商品名)、绝缘性树脂层10的组成：包含环氧树脂和钛酸钡、绝缘性树脂层的厚度：6μm、铜箔的各自的厚度：3.5μm)的两面层压感光性干膜抗蚀剂(日立化成株式会社制rd-1225(商品名))。之后，将层压后的干膜抗蚀剂的两面沿着规定的电路图案进行曝光，进行显影处理，进一步进行蚀刻处理，结果如图2所示那样，层叠体会破损。

本申请基于2017年11月16日申请的日本专利申请(特愿2017-220778)，将其内容作为参照引入至此。

产业上的可利用性

根据本发明，不使用支撑基板制造层叠体，因此，能削减材料废弃量。另外，可以削减制造包含支撑基板的层叠体的工序和剥离并去除支撑基板的工序，因此，可以用于现有的制造工艺，通用性高。进而，根据本发明，可以适合得到薄型化的印刷电路板和半导体元件搭载用基板。

附图标记说明

10：第1绝缘性树脂层

11：第1金属箔

12：第2金属箔

13：第2绝缘性树脂层

14：第3金属箔

15：第3绝缘性树脂层

16：第4金属箔

21：层叠体

22：第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体

23：第1实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体

24：第1金属箔和第2金属箔带经图案化的金属箔的层叠体

25：第2实施方式的带经图案化的金属箔的层叠体

30：破损部位(表示绝缘性树脂层破损了的部位)

31：绝缘性树脂层(表示绝缘性树脂层未破损的部位)