电磁屏蔽膜的制作方法

本实用新型涉及电子技术，更具体地讲，本实用新型涉及一种电磁屏蔽膜。

背景技术：

近年来，伴随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的电子设备急速发展，对航天航空设备、先进光学仪器、通讯设备、医疗诊断仪器的电磁屏蔽要求越来越高，主要是要求具有较强的电磁屏蔽能力的同时，还需要尽可能的减小对视觉的影像。目前电子设备的电磁屏蔽主要采用电磁屏蔽膜，现有的电磁屏蔽膜采用的导电网格对光的干涉较为严重，影像视觉的清晰度。

鉴于此，本实用新型通过改善电磁屏蔽膜以解决所存在的技术问题。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。

本实用新型的一个技术方案是：

一种电磁屏蔽膜，其包括透明承载层及设置于所述透明承载层的导电网格，所述导电网格包括电性连接的复数椭圆形格，所述复数椭圆形格，所述椭圆形格的宽度为d，其中，50μm≤d≤500μm，所述复数椭圆形格之间外切连接和/或通过线性网格线连接和/或交叠连接。

在其中一实施例中，复数所述椭圆形格的宽度d为：100μm≤d≤300μm。

在其中一实施例中，复数所述椭圆形格包括第一椭圆形格和第二椭圆形格，所述第一椭圆形格的宽度大于所述第二椭圆形格的宽度。

在其中一实施例中，所述复数椭圆形格阵列排布，在同一排内，所述第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布；在同一列内，所述第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布。

在其中一实施例中，同一排内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格通过线性网格线连接。

在其中一实施例中，同一排内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格通过外切或线性网格线连接。

在其中一实施例中，所述透明承载层凹设有网格状沟槽，所述沟槽内填充导电材料形成所述导电网格，所述沟槽的截面形状为矩形或倒梯形，所述沟槽的深度h，其中2μm≤h≤8μm。

在其中一实施例中，相邻所述椭圆形格相切设置或交叠设置，相切部位或交叠部位位于所述沟槽内。

在其中一实施例中，相邻所述椭圆形格通过线性网格线连接，所述线性网格线与所述椭圆形格在所述沟槽内连接。

在其中一实施例中，复数所述椭圆形格分布于具有x轴和y轴的坐标内，其中，沿所述x轴方向分布的导电网格的方阻与沿所述y轴方向分布的导电网格的方阻的差值不大于5％。

本实用新型的有益效果：导电网格包括复数椭圆形格，呈现的点纹较为柔和，从而减少干涉带来的视觉影响。

附图说明

图1为本实用新型电磁屏蔽膜的平面示意图；

图2为本实用新型电磁屏蔽膜的截面示意图；

图3为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图4为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图5为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；

图6为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种平面示意图；

图7为本实用新型电磁屏蔽膜的另一种平面示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本实用新型揭示一种电磁屏蔽膜，其包括透明承载层及设置于所述透明承载层的导电网格，所述导电网格包括电性连接的复数椭圆形格，所述复数椭圆形格，所述椭圆形格的宽度为d，其中，50μm≤d≤500μm，所述复数椭圆形格之间外切连接和/或通过线性网格线连接和/或交叠连接，复数椭圆形格呈现较为柔和的点纹，干涉轻微，从而减少干涉带来的视觉影响，使得视觉上更为清晰。

进一步的，复数所述椭圆形格的宽度d为：100μm≤d≤300μm。

复数椭圆形格包括第一椭圆形格和第二椭圆形格，第一椭圆形格的宽度大于第二椭圆形格的宽度。复数椭圆形格阵列排布，在同一排内，第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布；在同一列内，第一椭圆形格和第二椭圆形格交替排布。或者，同一排内，相邻第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻第一椭圆形格和第二椭圆形格通过线性网格线连接。或者同一排内，相邻所述第一椭圆形格和第二椭圆形格外切连接或交叠连接；同一列内，相邻第一椭圆形格和第二椭圆形格通过外切或线性网格线连接。

透明承载层凹设有网格状沟槽，沟槽内填充导电材料形成导电网格，沟槽的截面形状为矩形或倒梯形，所述沟槽的深度h，其中2μm≤h≤8μm。

相邻椭圆形格相切设置或交叠设置，相切部位或交叠部位位于沟槽内。或者，相邻椭圆形格通过线性网格线连接，线性网格线与椭圆形格在沟槽内连接。

复数椭圆形格分布于具有x轴和y轴的坐标内，其中，沿x轴方向分布的导电网格的方阻与沿所述y轴方向分布的导电网格的方阻的差值不大于5％；比如，沿x轴方向分布的导电网格的方阻相等于沿所述y轴方向分布的导电网格的方阻。

以下，请参图示，举例描述本实用新型的电磁屏蔽膜。

请参图1和图2，电磁屏蔽膜100包括透明承载层1和导电网格2。透明承载层1包括相对设置的第一侧面11和第二侧面12，第一侧面11上凹设有沟槽13。沟槽13呈相互连通的网格状，在沟槽13内填充导电材料以形成所述导电网格2。导电网格2包括复数第一椭圆形格21、复数第二椭圆形格22和线性网格线23。第一椭圆形格21的长度大于第二椭圆形格22的长度，同一排内，第一椭圆形格21和第二椭圆形格22间隔排布，即在同一列内，第一椭圆形格21和第二椭圆形格22也间隔排布，相邻两排通过线性网格线23连接。

沟槽13各处的截面形状相同均为矩形设置，各处的深度h相同，h的取值范围为2-8μm，导电网格的网格线的宽度w均匀设置，w的取值范围为2-10μm，相切处的格线的宽度w稍宽0.5-1μm。

填充的导电材料可以为金属导电材料、化合物导电材料或者有机导电材料中一种或者两者以上的组合；金属例如为银、金、铜、铁、镍、铝等；化合物例如为ito；有机导电材料例如为pedot。

请参图1，如果将导电网格置于坐标轴内，则沿x轴方向分布的导电网格的总长度相约等于沿y轴方向分布的导电网格的总长度，则沿x轴方向分布的导电网格的方阻与沿y轴方向分布的导电网格的方阻的差值不超过3％，导电网格整体分布均匀。

电磁屏蔽膜100的成型方式可通过涂布uv胶层，压印uv胶层固化后形成具有相互连通的沟槽13的透明承载层1，再在沟槽13内填充导电材料后形成导电网格2。

电磁屏蔽膜100的导电网格2包括复数第一椭圆形格21和复数第二椭圆形格22，能呈现的点纹较为柔和，只有极轻微的干涉，从而减少干涉带来的视觉影响，使得视觉上更为清晰。导电网格2通过填充沟槽13形成，通过沟槽13的形状实现导电网格2的形状，导电性能优异。

请参图3，电磁屏蔽膜100还包括基材层3，基材层3可以为单层结构，也可以是复合层结构。比如，基材层3为pet、pe、pc、pmma、玻璃或者复合板材。透明承载层1可以通过粘结材料粘结于基材层3上，也可以直接形成于基材层3上，比如在pet上涂布uv胶层。

请参图1，沟槽13的截面形状可以为矩形。其他实施例中，沟槽14还可以为倒梯形，请参图4，倒梯形的设置可以在模具压印沟槽后脱模时方便脱模。

导电材料可以不填充满沟槽13，也可以正好填充满沟槽15，请参图5。当然，其他实施例中，导电材料还可以溢出沟槽。导电材料在沟槽内可以为一层，也可以是两层或多层。

本实施例中，上下两排的第一椭圆形格21和第二椭圆形格22通过直线形的线性网格线23连接；其他实施例中，线性网格线23间隔设置，即上下排设置的一组第一椭圆形格21和第二椭圆形格22通过线性网格线23连接，相邻组的第一椭圆形格21和第二椭圆形格22空置没有连接，第三组的第一椭圆形格21和第二椭圆形格22通过线性网格线23连接，依次类推；或者相邻两排的第一椭圆形格21与第一椭圆形格21连接，第二椭圆形格22与第二椭圆形格22连接；或者相邻两排的椭圆形格之间通过直线、曲线、折线的线性网格线随机连接，干涉轻微，视觉清晰。

请参图6，电磁屏蔽膜200的导电网格5包括复数第一椭圆形格51和复数第二椭圆形格52。不同尺寸的第一椭圆形格51和第二椭圆形格52间隔阵列排布，第一椭圆形格51和第二椭圆形格52之间通过外切实现相互连接。

请参图7，电磁屏蔽膜300的导电网格6包括复数第一椭圆形格61和复数第二椭圆形格62。不同尺寸的第一椭圆形格61和第二椭圆形格62间隔阵列排布，第一椭圆形格61和第二椭圆形格62之间通过交叠实现相互连接，且交叠处均匀设置。

电磁屏蔽膜的导电网格包括椭圆形格，相互之间通过外切或线性网线格或交叠实现相互连接，干涉轻微，视觉清晰；且导电网格线均设置于沟槽内，导电性能稳定。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。