高压滤波器组件的制作方法

文档序号:25543289发布日期:2021-06-18 20:40阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种滤波器组件,包括:

多个阻抗产生元件,所述多个阻抗产生元件在所述滤波器组件的输入端与输出端之间以串联方式电耦接;

第一接地阻抗产生元件;以及

第二接地阻抗产生元件,

其中

所述阻抗产生元件通过第一导电引线和第二导电引线以串联方式电耦接在一起,

所述阻抗产生元件各自包括共模扼流圈,所述共模扼流圈是通过将所述第一导电引线和所述第二导电引线围绕环形芯缠绕来形成的,

所述第一接地阻抗产生元件耦接至接地并在两个相邻定位的串联连接的阻抗产生元件之间的一点处耦接至所述第一导电引线,并且

所述第二接地阻抗产生元件耦接至接地并在所述两个相邻定位的串联连接的阻抗产生元件之间的一点处耦接至所述第二导电引线。

2.如权利要求1所述的滤波器组件,其中所述第一导电引线耦接至电阻加热元件的第一侧,并且所述第二导电引线耦接至所述电阻加热元件的第二侧。

3.如权利要求5所述的滤波器组件,其中ac电源配置为向所述第一导电引线提供ac电流以及在所述第二导电引线上接收返回的ac电流。

4.如权利要求1所述的滤波器组件,其中所述串联连接的阻抗产生元件中的每一者的阻抗从所述滤波器组件的所述输入端到所述两个相邻定位的串联连接的阻抗产生元件之间的所述一点处递增地增加。

5.如权利要求1所述的滤波器组件,其中所述串联连接的阻抗产生元件中的至少两个阻抗产生元件的阻抗具有相同的阻抗值。

6.如权利要求1所述的滤波器组件,其中所述第一导电引线和所述第二导电引线包括具有大于或等于14awg导线的截面面积的导线。

7.如权利要求1所述的滤波器组件,其中

所述多个阻抗产生元件中的第一阻抗产生元件中的所述环形芯包括具有第一磁导率的第一材料,并且

所述多个阻抗产生元件中的第二阻抗产生元件中的所述环形芯包括第二材料,所述第二材料的第二磁导率大于所述第一磁导率,并且

所述多个阻抗产生元件中的所述第一阻抗产生元件定位成最靠近所述滤波器组件的所述输入端,并且所述多个阻抗产生元件中的所述第二阻抗产生元件定位成最靠近所述滤波器组件的所述输出端。

8.一种等离子体处理腔室,包括:

偏压电极,所述偏压电极设置在基板支撑件内,其中所述偏压电极配置为由功率发生器驱动;

导电元件,所述导电元件设置在所述基板支撑件内并定位成与所述偏压电极相距一距离;

滤波器组件,所述滤波器组件包括:

多个阻抗产生元件,所述多个阻抗产生元件在所述滤波器组件的输入端与输出端之间以串联方式电耦接;

第一接地阻抗产生元件;以及

第二接地阻抗产生元件,

其中

所述阻抗产生元件通过第一导电引线和第二导电引线以串联方式电耦接在一起,

所述阻抗产生元件各自包括共模扼流圈,所述共模扼流圈是通过将所述第一导电引线和所述第二导电引线围绕环形芯缠绕来形成的,

所述第一接地阻抗产生元件耦接至接地并在两个相邻定位的串联连接的阻抗产生元件之间的一点处耦接至所述第一导电引线,并且

所述第二接地阻抗产生元件耦接至接地并在所述两个相邻定位的串联连接的阻抗产生元件之间的一点处耦接至所述第二导电引线,

其中所述第一导电引线和所述第二导电引线将所述导电元件连接到外部电气部件。

9.如权利要求1所述的滤波器组件或权利要求8所述的等离子体处理腔室,其中所述两个相邻定位的串联连接的阻抗产生元件是所述串联连接的多个阻抗产生元件中的最后一个阻抗产生元件和倒数第二个阻抗产生元件。

10.如权利要求1所述的滤波器组件或权利要求8所述的等离子体处理腔室,其中所述导电元件包括电阻加热元件。

11.如权利要求1所述的滤波器组件或权利要求8所述的等离子体处理腔室,其中所述外部电气部件包括ac电源。

12.如权利要求8所述的等离子体处理腔室,其中所述串联连接的阻抗产生元件中的每一者的阻抗从所述滤波器组件的所述输入端到所述两个相邻定位的串联连接的阻抗产生元件之间的所述一点处递增地增加。

13.如权利要求8所述的等离子体处理腔室,其中所述串联连接的阻抗产生元件中的至少两个阻抗产生元件的阻抗具有相同的阻抗值。

14.如权利要求8所述的等离子体处理腔室,其中所述第一导电引线和所述第二导电引线包括具有大于或等于14awg导线的截面面积的导线。

15.如权利要求8所述的等离子体处理腔室,其中

所述多个阻抗产生元件中的第一阻抗产生元件中的所述环形芯包括具有第一磁导率的第一材料,并且

所述多个阻抗产生元件中的第二阻抗产生元件中的所述环形芯包括第二材料,所述第二材料的第二磁导率大于所述第一磁导率,并且

所述多个阻抗产生元件中的所述第一阻抗产生元件定位成最靠近所述滤波器组件的所述输入端,并且所述多个阻抗产生元件中的所述第二阻抗产生元件定位成最靠近所述滤波器组件的所述输出端。


技术总结
本文描述的实施例适用于在所有类型的等离子体辅助的或等离子体增强的处理腔室中使用,并且还适用于基板的等离子体辅助的或等离子体增强的处理的方法。更具体地,本公开的实施例包括宽带滤波器组件,在本文中也称为滤波器组件,宽带滤波器组件配置为减少和/或防止RF泄漏电流通过与RF驱动的部件和接地直接或间接电耦接的其他电气部件从一个或多个RF驱动的部件传送到接地、具有高输入阻抗(低电流损耗)使其能与成形DC脉冲偏压应用兼容。

技术研发人员:A·K·米什拉;J·罗杰斯;L·多尔夫;R·丁德萨;O·卢艾莱
受保护的技术使用者:应用材料公司
技术研发日:2019.09.20
技术公布日:2021.06.18
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