可控硅零触发开关的制作方法

文档序号:7535398阅读:1582来源:国知局
专利名称:可控硅零触发开关的制作方法
技术领域
本实用新型提供了一种电子开关,它特别适用于与负载串接的电器开关的互换。
目前,以可控硅做各种控制开关已经很普遍,所采用的触发形式大部分是相移触发,相移触发输出波形差,存在电磁辐射和对其它电子设备干扰的缺点。另外,现有的可控硅开关,一般都需三条出线,与现有机械触点式开关互换时需增加一条电线,互换麻烦。个别也有二引线可控硅开关,它是采用在桥式整流的直流输出侧用单向可控硅控制电路通断,桥式整流使开关导通压降、热消耗和成本都增加了。
本实用新型的目的在于克服上述不足而提供一种具有低导通压降、低成本、低波形失真特点,而且可以只有二条引线的可控硅零相位触发开关。
本实用新型由控制电路[1]、稳压电源[2]、降压电路[3]、双向可控硅T、触发控制三极管BG与限流电阻R组成。交流电源与负载RL串联后接到开关电路AB两端。稳压电源[2]是给控制电路[1]和触发控制电路BG、R、T供电的电路。当可控硅T处于开状态时,稳压电源[2]与T串联后接于AB端;当可控硅T处于关状态时,稳压电源[2]是通过降压电路[3]串接于AB端,从而保证了开关两种状态都能通过稳压电源向控制电路[1]和触发电路提供所需工作电源。控制电路[1]可由声、光、电控制的延时或双稳电路来提供控制三极管BG开关信号。
本实用新型由于开关同负载串联,只有二条引线,与现有机械触点式开关互换方便;由于采用双向可控硅零触发电路,避免了对其它电器的电磁干扰,降低了开状态压降,减少了元件数量。


图1是本实用新型的原理方框图。
图2是本实用新型的一种实施例电路原理图。
图3是本实用新型的另一种实施例电路原理图。
下面结合图2进一步详述。当控制电路[1]输出V为低电位时,晶体管BG截止,可控硅T无触发电流而处于关断状态,控制电路的工作电源电压由负载RL到C1、经D2、D5~Dn二极管组决定,只要控制电路耗电微小,则降压元件C1就可以很小,从而使通过RL电流很小,不影响RL的关断状态。当控制电路1输出V为高电位时,晶体管BG饱和导通,可控硅T得到经过晶体管BG、电阻R、可控硅T的控制极的触发电流而处于导通状态,控制电路的工作电源电压由负载RL到可控硅T、经D5~Dn二极管组决定,在保证控制电路工作电压前提下,D5~Dn二极管组数量要取得尽量少,以使开关电路开状态压降最低。二极管在小电流和大电流时正向压降不一致,为了保证开关电路开关两种状态时供给控制电路[1]电压稳定,开关电路的稳压电源在关状态时比开状态时多接入一个二极管D2,而且在开状态时向控制电路[1]供电还要经二极管D1,这样就解决了开关两种状态下稳压电源[2]供给控制电路电源电压稳定问题。前述状态是交流电源A为正,B为负时稳压电源工作状态,这时向控制电路[1]供电的电源正极经控制电路[1]上端到下端,经二极管D3到交流电源另一端,同时使电容C2充电;当交流电源A为负、B为正半周时,由二极管D4为负载提供了这个半波通路,这时二极管D3反偏截止,控制电路[1]和触发电流由C2电容维持供电,这样就解决了交流双半波通路和控制直流电源隔离问题。
在另一实施例图3中,将供给控制电路[1]的电源和供给可控硅T触发电源由二极管D0进行隔离,电容C2改成只供可控硅T触发回路应用,增加电容C3专为控制回路[1]应用,这样使控制电路电源更加稳定。增加稳压管DW起吸收干扰和保证电路安全之用。在降压电容C1回路增加电阻R1是C1短路时保证电路安全。其它与图2相同不再复述。
权利要求1.一种能与交流负载串联的零相位触发双向可控硅开关,由双向可控硅T、电阻R、晶体管BG、降压电路[3]、稳压电源[2]和控制电路[1]组成,其特征是双向可控硅T与稳压电源[2]连接,然后与负载RL串联后接于交流电源中,降压电路[3]的一端与可控硅T第一极连结,降压电路[3]的另一端接在稳压电源[2]向控制电路[1]供电的正极连结点处,控制触发三极管BG的控制电路[1]的另一端与三极管BG发射极同接于稳压电源负端作为参考地端,电阻R串接于晶体管BG和双向可控硅控制极之间。
2.根据权利要求1所述的双向可控硅开关,其特征在于稳压电源[2]与双向可控硅连结点是由反向并联二极管D1、D2的一端和正向串联二极管组D5~Dn组成,在D5~Dn二极管组两端又反向并联二极管D4。
3.根据权利要求1所述的双向可控硅开关,其特征在于稳压电源[2]中的二极管D3的负端与二极管组D5~Dn负端连结后接交流电源一端,D3的正端与控制电路[1]、三极管BG的参考地端连接。
4.根据权利要求1所述的双向可控硅开关,其特征在于稳压电源[2]中的电容C2正负极分别接于稳压电源[2]的正极与参考地端之间,也可以将C2正极改接在可控硅T的第二极,在稳压电源[2]正极出口端串联接入一个正向二极管DO,二极管D0负端结点处接又一电容C3正极,C3的负极接参考地端。
5.根据权利要求1所述的双向可控硅开关,其特征在于降压电路[3]可以是电容,也可以是电容和电阻串联组成。
专利摘要本实用新型属于电子开关领域,公开了一种双向可控硅零相位触发电子开关,它是由一只双向可控硅、一个控制电路、一个稳压电源电路、一个降压电路和三极管、电阻组成。该电子开关可与负载串联后接到交流电源,又由于是双向可控硅零相位触发,因而具有替换普通开关方便、接通状态压降低、对其它电子设备干扰小、元件少的特点。
文档编号H03K17/13GK2141149SQ9223869
公开日1993年8月25日 申请日期1992年10月25日 优先权日1992年10月25日
发明者邵继祥, 边宏丽 申请人:邵继祥, 边宏丽
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