专利名称：相位锁定回路的调变电路结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电学领域基本电子电路的调变电路结构，特别是涉及一种能借由变容二极管及放大器，使锁定回路达到理想的频率偏移及降低调变失真的相位锁定回路的调变电路结构。
由于科技的迅速发展，无线电通迅技术日新月异，且应用的频率越来越高，但一般无线电通迅的重点仍在于一个基频带的信号如何忠实地被高频载波调变并发射，而随着频率的增高，有关发射端所形成的频率偏移量、频率漂移及因温度所造成的频率漂移等问题越来越复杂，已有的一般调变方式对音频的基频带大多为调频(FM)的调变方式，而调变则皆为从振荡器利用一变容二极管的容量变化，来改变C值以达到载波的频率偏移，进而达到调变的目的，但对高频而言，尤其是900MHZ的1SM BAND，其面临的问题大致为1、载波频率容易漂移，此点可用陶瓷共振器或石英振荡器来解决，尤其是石英振荡器更比陶瓷共振器拥有更窄的频漂特性。
2、调变的频率偏移量，一般电话机因只传送讲话频宽，故只有10几K的偏移量即可，但对立体声的基频带传送若照FCC的规格，则必须有75KHZ的频率偏移量才够，而一般若不做SCA副载波，则只需50几K的频率偏移量即足。
如上所述，若欲作音频的基频带传输，则必须调变至频率偏移至少50几K，但若同时采用石英振荡器则又能保持最小频偏，不失为一种较佳的方式，但事实上采用石英振荡器则又不可能达到50几K的频率偏移，均是因石英振荡器的频宽无法达到50几K，而只有2-3K，故而一般采用一种相位锁定回路(PLL)的方式，即在电压控制器里加入欲调变的信号来做频率偏移，但因受限于锁定回路的锁定时间与停住范围等等特性的影响，因此低频响应无法达到较低的范围，且50几K的频率偏移亦不易达成，而在发射时，若加入预强调则又会扩张其频率偏移而使前述的情况更为恶化。
请参阅
图1所示，现有的以陶瓷共振子作为调变的调变器，因其陶瓷共振子10具有低Q值特性，所以外加调变信号改变变容二极管11的C值，而改变整个线路的负载以产生所需的频率偏移固然容易，但因陶瓷共振子10的低Q值特性，所以其频漂特性也到达1MHZ(对900MHZ的载波而言)，因此常需在线路上再加微调装置。
而又有一种调变方式如图2所示，其调变信号由加法器20进入，配合相位比较器21、低通滤波器22及电压控制振荡器23，而只需调整输入的大小及频率即可得到所需频率偏移量的调变波，但其缺点为低频响应因受制于锁相回路的锁定时间与停住范围等等特性的影响，而造成低频响应无法达到理想的要求。
有鉴于上述传统产品的弊端，本发明人基于丰富的实务经验及专业知识，经过不断研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出本发明。
本发明的主要目的在于，克服现有技术的不足，而提供一种相位锁定回路的调变电路结构，使其将调变电路经由一放大器的放大后，串接一电阻及电感，以衔接一变容二极管，且该变容二极管以较高的直流偏压使其偏压至电容变化较小，但Q值特性与振荡器所用的石英振荡子的共振频率曲线于反向部份，以补偿电路的良好线性，而可达到理想的频率偏移，且可降低调变造成的失真。
本发明的目的是由以下技术方案实现的。一种相位锁定回路的调变电路结构，其主要设有一放大器，使调变信号经由该放大器的放大后，在该放大器输出端串接有一电阻及电感，以衔接一变容二极管至接地端，且该电感与放大器端的串联电阻的连接端并以一电阻衔接至一直流偏压，而以较高的直流偏压使该变容二极管偏压至电容变化较小，但Q值特性与振荡器所用的石英振荡子的共振频率曲线于反向部分，以补偿电路的良好线性，达到理想的频率偏移且降低调变造成的失真。
本发明的目的还可以通过以下技术措施来进一步实现。前述的相位锁定回路的调变电路结构，其中所述的石英振荡子为基本波石英振荡子，其可以一第三或第五谐波(OVERTONE)的石英振荡子取代，以提供电路较高的频宽。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和积极效果。由以上技术方案可知，本发明相位锁定回路的调变电路结构，其将调变电路经由一放大器的放大后，串接一电阻及电感，以衔接一变容二极管，且该变容二极管以较高的直流偏压使其偏压至电容变化较小，但Q值特性与振荡器所用的石英振荡子的共振频率曲线于反向部份，以补偿电路的良好线性，而可达到理想的频率偏移，且可降低调变造成的失真。
综上所述，本发明将调变信号经由一放大器的放大，由该放大器的输出端串接一电阻及电感，以衔接一变容二极管至接地端，且该电感与放大器端的串联电阻的连接端并以一电阻衔接至一直流偏压，而能以较高的直流偏压使该变容二极管偏压至电容变化较小，但Q值特性与振荡器所用的石英振荡子的共振频率曲线于反向部分，可以补偿电路成良好线性，而可达到理想的频率偏移，且可降低调变造成的失真。其能借由变容二极管及放大器，使锁定回路达到理想的频率偏移及降低调变失真，而具有实质上的实用性，其不论在结构上或功能上皆有大幅改进，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
本发明的具体结构由以下实施例及其附图详细给出。
图1是现有习知的调变电路示意图。
图2是另一现有习知的调变电路示意图。
图3是本发明较佳实施例的示意图。
以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的相位锁定回路的调变电路结构其具体结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参阅图3所示，本发明相位锁定回路的调变电路结构，其相位锁定回路中的压控电容器(VCO)或压控电容器(CCO)30所得的电容与电感LI并连造成一共振频率F，经由放大器AMP1的放大后，通过F÷N的分频器31，再输送至相位侦测器32与参考频率33比较相位后送出一位准信号，经低通滤波器34送至压控电容器(VCO)或压控电容器(CCO)30的控制输入来改变其电容值，进而改变F的频率与相位，以达到相位锁定的目的，因此，若在参考频率端作一频率偏移3K的调变，则在F的输出端可得频率偏移3K×N的调变于F上，如此可用石英振荡子35作为参考频率振荡而得到一微小频率偏移的稳定输出频率，但若信号大小与DC偏压不够大且选用的变容二极管36不正确，则不易达成，一般的变容二极管或如规格所述，只需些许的伏特电压变化即会有1-2P的电容变化，但实际在回路中，因该变容二极管36的电容变化曲线受制于石英振荡子35的高Q值、低频宽特性，而无法在接收机解调到一低失真的调变基频信号，而丧失高传真传送的目的，因此，本发明使用一特别的变容二极管36，并做较高的直流偏压将该变容二极管偏压至电容变化较小，但其Q值曲线恰与组合成的振荡器所使用的石英振荡子的共振频带曲线在反向部分，因此造成整个电路的结构线性被补偿回来成一线性良好结构，可以达到理想的频率偏移量，且可降低调变所造成的失真，同时，因是在参考频率端作频率调变，故低频特性并不会如在压控电容器(VCO)或压控电容器(CCO)30端作调变般那样，受制于相位锁定回路的锁定时间/停住范围特性而低频响应不佳，但因偏压变容二极管36在较高DC偏压处会形成该二极管36对外加电压的电容灵敏度减小，因此，在信号输入端加设有一放大器37，予以放大外加调变信号后，才送至变容二极管36作频率偏移的调变。
本发明亦可以第三或第五谐波(OVERTONE)的石英振荡子取代基本频石英振荡子，因该等振荡子的Q值较基本波低，故可提供的频宽比基本波石英振荡子高出许多，如此，只需选定一适当直流偏压及此范围内线性良好的变容二极管，且其发射载波的频率偏移量符合下列条件即可第三谐波(OVERTONE)或第五谐波(OVERTONE)的石英振荡子频宽(载波频率偏移量÷N)(BW＝ΔF÷N)；亦即，只需选定的N够大，且因调变是在参考频率处，故低频特性不会受相位锁定回路的锁定时间/停住范围等等特性的影响而低频响应不佳。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非作任何限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更与等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种相位锁定回路的调变电路结构，其特征在于其主要设有一放大器，使调变信号经由该放大器的放大后，在该放大器输出端串接有一电阻及电感，以衔接一变容二极管至接地端，且该电感与放大器端的串联电阻的连接端并以一电阻衔接至一直流偏压，而以较高的直流偏压使该变容二极管偏压至电容变化较小，但Q值特性与振荡器所用的石英振荡子的共振频率曲线于反向部分，以补偿电路的良好线性，达到理想的频率偏移且降低调变造成的失真。
2.根据权利要求1所述的相位锁定回路的调变电路结构，其特征在于其中所述的石英振荡子为基本波石英振荡子，其可以一第三或第五谐波(OVERTONE)的石英振荡子取代，以提供电路较高的频宽。
全文摘要
一种相位锁定回路的调变电路结构，是将调变信号经由一放大器的放大，由该放大器的输出端串接一电阻及电感，以衔接一变容二极管至接地端，且该电感与放大器端的串联电阻的连接端并以一电阻衔接至一直流偏压，而能以较高的直流偏压使该变容二极管偏压至电容变化较小，但Q值特性与振荡器所用的石英振荡子的共振频率曲线于反向部分，以补偿电路成良好线性，可达到理想的频率偏移，且可降低调变造成的失真。
文档编号H03J3/32GK1160309SQ9610340
公开日1997年9月24日 申请日期1996年3月20日 优先权日1996年3月20日
发明者吴明宙 申请人:吴明宙