专利名称：大功率接近开关的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种无触点电子开关，特别是一种电感式的大功率接近开关。
由沈阳机电学院主编，机械工业出版社于1983年12月出版的《电子电器》一书等八章第202页公开了一种交流接近开关，该开关由感辨头、振荡器、检波及触发器、微触发小可控硅、稳压器、桥式整流器组成。当检测体接近感辨头使振荡器停振，检波及触发器输出的高电平经一限流电阻送入微触发小可控触发极使之导通，输出电流带动负载工作。其不足之处由触发器输出的触发电流只有1mA左右，只能触发小可控硅，远远不能满足大功率可控硅的触发电流，使该开关输出电流只能达到几百毫安，以致于该接近开关只能驱动小功率负载。若要驱动大功率负载时，还必需通过中间环节，先带动中间继电器或交流接触器，然后由它们带动大功率负载。
本实用新型的目的是设计一种能够直接带动大功率负载的大功率接近开关。
为了达到上述目的，本实用新型采用以下技术解决方案在检波及触发器与原含有的可控硅T1支路之间增设一级功率放大触发电路，该电路中的可控硅T2触发极与检波及触发器输出端相连接，输出端与可控硅T1触发极相连接，输入端与可控硅T1输入端相连接。
当检测体接近感辨头，振荡器停振使开关动作，触发器输出高电平经限流电阻送入功率放大触发电器中的小可控硅T2触发极使之导通，小可控硅输出电流送入大可控硅I1触发极。由于经过小可控硅这一级的功率放大环节，大可控硅触发极获的较大的触发电流，满足了大可控硅所要求的触发电流，使大可控硅导通，输出电流达到几十安培，从而实现了能够直接带动大功率负载的目的。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实施例的电路方框图。
图2为图1电路原理图，其中，感辨头、振荡器部分原理图为现有技术，未画出。
图3为图2实施例大功率接近开关纵剖面图。
图4为图3右视图。
由图1可知，本实施例由感辨头、振荡器、检波及触发器、功率放大触发电路、大功率可控硅T1、稳压器(D5、D6、D7)、大功率桥式整流电路(D1、D2、D3、D4)组成，其中，功率放大触发电器设置在检波及触发器与大功率可控硅T1支路之间，主要由小可控硅T2构成。小可控硅T2触发极通过一限流电阻R与检波及触发器输出端即三极管BG1集电极相连接，在小可控硅T2支路上串联一限流二极管D8，小可控硅T2输出端与大功率可控硅T1触发极相连接，输入端与大功率可控硅T1输入端相连接。在大功率控硅T1支路上串联若干个大功率稳压二极管D5-D7后连接在桥式整流电路的两输出端。
当检测体接近感辨头，振荡器停振，触发器中的三极管BG1截止，集电极电流经电阻R送入功率放大触发电路中的小可控硅T2触发极使之导通，小可控硅输出电流送入大可控硅T1触发极，由于经过小可控硅这一级的功率放大环节，大可控硅T1触发极获的较大的触发电流，满足了大可控硅T1所要求的触发电流，使大可控硅导通，输出大电流，从而实现了能够直接带动大功率负载的目的。但随之而来的大功率元器件由于受到产品结构、体积的限制，其散热是一个关键的问题，针对该问题，采用的办法是将大功率元器件所需的散热片(2)设置在壳体(1)上，并设置在开关外壳(1)底座上(如图3所示)，大功率发热元器件(4)安装在散热片(2)上，并在开关外壳底座上设置若干个支座(3)(如图3、图4所示)，促进空气的流通，改善其散热效果。
综上所述，本实用新型与现有技术相比具有以下优点1、散热效果好；2、输出电流大；3、结构简单；4、为大功率负载的老设备的更新、改造带来方便。
权利要求1.一种含有感辨头、振荡器、检波及触发器、可控硅T1、稳压器(D5、D6、D7)、桥式整流电路(D1、D2、D3、D4)及外壳的大功率接近开关，其特征在于在检波及触发器与可控硅T1支路之间增设一级功率放大触发电路，该电路中的可控硅T2触发极与检波及触发器输出端相连接，输出端与可控硅T1触发极相连接，输入端与可控硅T1输入端相连接。
2.根据权利要求1所述的大功率接近开关，其特征在于大功率发热元器件所需的散热片(2)设置在壳体(1)上。
3.根据权利要求2所述的大功率接近开关，其特征在于散热片(2)设置在壳体(1)底部上。
4.根据权利要求3所述的大功率接近开关，其特征在于在壳体底座上设有若干个支座(3)。
专利摘要本实用新型涉及一种无触点电子开关，特别是一种电感式的大功率接近开关，其特征在于在检波及触发器与可控硅T
文档编号H03K17/945GK2262780SQ9621670
公开日1997年9月17日 申请日期1996年6月21日 优先权日1996年6月21日
发明者曾国平 申请人:曾国平