用于光刻膜技术印刷电路的低温共烧陶瓷基板生带制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于光刻膜技术印刷电路的低温共烧陶瓷基板生带制作方法及其制作方法以及半导体封装装置。
【背景技术】
[0002]随着科技进步，目前电子产品以小型化及轻薄化为导向。以无线通讯产业中的手机为例，短短几年内，手机的体积由最早的黑金刚缩小至不及一手掌大小。同时，手机的功能由最简单的语音传送，发展到能够传输数据、图文。由此可见，轻、薄、短、小是电子产品目前设计的重点及趋势，而低温共烧陶瓷(LTCC)技术可以完成此需求的技术。
[0003]低温共烧陶瓷技术具有有源元件、模块及无源元件的整合能力。其堆叠多个低温共烧陶瓷基板，并且嵌埋无源元件或集成电路(IC)于这些低温共烧陶瓷基板中。此外，低温共烧陶瓷基板可与低阻抗、低介电损失的金属共烧，以及不受层数限制、能将电感电容等无源元件埋入等优点，因此非常适合应于整合元件。另外，低温共烧陶瓷技术可以缩小电子产品的体积及降低成本，并实现将电子产品轻、薄、短、小化的目标。
[0004]然而，低温共烧陶瓷基板具有高硬度及易脆等特性，使得切割机于切割较硬的基板时，该基板与切割刀片会产生一较大的摩擦力，而此摩擦产生的应力会转移到切割刀片，造成电子产品撷毁或切割刀片损毁，以致于工艺良率降低。因此，如何在切割制作陶瓷基板时，产生较低的阻力以提升良率，实属当前重要课题之一。
【发明内容】
[0005]
【发明内容】
有鉴于上述课题，本发明的目的为提供用于光刻膜技术印刷电路的低温共烧陶瓷基板生带制作方法。
[0006]因此，为达上述目的，本发明提供一种低温共烧陶瓷基板，其包含多个基板单元及至少一切割图案，切割图案配置于两相邻的这些基板单元之间。
[0007]为达上述目的，本发明提供一种低温共烧陶瓷基板的制作方法，其包括下列步骤:制备多个陶瓷生胚片；形成多个区域及至少一切割图案于这些陶瓷生胚片上，其中切割图案形成于两相邻的这些区域之间；形成至少一导电图案于这些陶瓷生胚片的至少其中之一；以及叠压这些陶瓷生胚片。
[0008]为达上述目的，本发明提供一种半导体封装装置，其包括一基板单元、一电子单元及一封胶。基板单元的侧表面具有一切割图样。电子单元设置于基板单元的一表面并电性连接基板单元。封胶设置于基板单元，并包覆电子单元。
[0009]承上所述，因依据本发明的低温共烧陶瓷基板及其制作方法以及半导体封装装置，通过设置切割图案于低温共烧陶瓷基板上，使得切割设备于切割低温共烧陶瓷基板时，产生较少的摩擦应力，以降低陶瓷基板损毁的机率，由此提高生产良率,进而降低成本。
【附图说明】
[0010]图1至图4为显示依据本发明优选实施例的一低温共烧陶瓷基板的示意图:
图5为显示依据本发明优选实施例的一低温共烧陶瓷基板的制作方法的一流程图；
图6A至图6E为与图5的流程配合的示意图；
图7为显示依据本发明优选实施例的一半导体封装装置的一示意图；以及图8至图12为显示半导体封装装置的切割图样的示意图；
附图标记说明
1、3:低温共烧陶瓷基板
I1、41:基板单兀
I 2,22:切割图案 I 21:沟槽 122:孔洞
123:切割道
2:陶瓷生胚片
2UA:区域
23:导电图案
24:金属层
4:半导体封装装置
42:电子单兀
43:封胶
A01、A11、A21、A31:曲面 SlI?S16:步骤。
【具体实施方式】
[0011]以下将参照相关图示，说明依据本发明优选实施例的低温共烧陶瓷基板及其制作方法以及半导体封装装置。
[0012]请参照图1所示，本发明优选实施例的一低温共烧陶瓷基板I包含多个基板单元II以及至少一切割图案12。在本实施例中，以四个基板单元11为例，但并非用以限制基板单元II的个数，使用者可以依据其需求，以增加或减少基板单元Ii的个数。
[0013]切割图案I 2配置于两相邻的基板单元II之间，以使得切割设备得以沿着切割图案I 2来进行切割动作。其中，切割图案12可如图1所示，其为一沟槽121，或如图2所示，其为多孔洞122，又如图3所示，其具有一沟槽121及一切割道I 23。当然，亦可如图4所示，切割图案I 2由沟槽I 2 1、孔洞I 22及切割道I 23的组合，其目的是方便切割设备易于切割，且在切割时产生较少的摩擦应力，以降低陶瓷基板I损毁的机率。
[0014]在本实施例中，这些孔洞I 22的形状可为椭圆形、圆形或多边形(矩形或三角形)。在此，这些孔洞122酌形状以椭圆形为例。
[0015]请参照图5所示，本发明优选实施例的一低温共烧陶瓷基板的制作方法包括步骤SII至步骤S16。以下请同时参照图6A至图6E。
[0016]请参照图6A所示，步骤Sll制备多个陶瓷生胚片2。请参照图6B所示，步骤S12形成多个区域21及至少一切割图案22于陶瓷生胚片2上，而切割图案22形成于两相邻的区域21之间。
[0017]在本实施例中，通过一切割设备于陶瓷生胚片2上形成具有至少一沟槽的切割图案22，以定义出四个区域2 I。在此，区域21的个数并不仅限于四个，使用者可以依据其需求，以增加或减少区域21的个数。另外，切割图案22亦可通过一打孔设备于陶瓷生胚片2上打孔(punching)以形成多个孔洞。再者，切割图案22的态样众多，当切割图案22同时具有沟槽及孔洞时，首先，其通过切割设备于陶瓷生胚片2上形成沟槽；接着，通过打孔设备于每一沟槽中再形成孔洞，其形成顺序当然也可相互调换。而切割图案22的实施态样可例如是图1一图4的切割图案12。在此，本实施例的切割图案22以一沟槽为例。
[0018]请参照图6C所示，步骤S13为形成至少一导电图案23于陶瓷生胚片2的至少其中之一。在本实施例中，导电图案23以形成于最上层的陶瓷生胚片2的一表面为例。
[0019]请参照图6D所示，步骤S14为叠压上述的陶瓷生胚片2。步骤S15为烘烤叠压后的陶瓷生胚片2以形成一低温共烧陶瓷基板3。
[0020]请参照图6E所示，步骤S16为电镀一金属层24于导电图案23上，其中金属层的材料包含镍/金。
[0021]此外，使用者可通过一切割设备沿着切割图案22以切割低温共烧陶瓷基板3，以将其区分为多个基板单元21。由于本发明的低温共烧陶瓷基板3具有切割图案22，使得切割设备于低温共烧陶瓷基板3切割时，其切割刃具与低温共烧陶瓷基板3产生的摩擦应力较小，使得低温共烧陶瓷基板3不易产生破碎的现象以提高生产良率。
[0022]值得一提的是，上述步骤并不仅限于此顺序，其可依据工艺的需要而进行步骤的调换。请参照图7所示，本发明优选实施例的一半导体封装装置4包含一基板单元4 1、一电子单元42以及一封胶43。电子单元42设置于基板单元41的一表面，并以倒装片接合、打线接合或表面安装方式与基板单元41电性连接，本实施例中以打线接合为例。封胶43设置于基板单元41上，并包覆电子单元42。其中，电子单元42可为一有源芯片或一整合型无源元件。需注意的是，承低温共烧陶瓷基板的制作方法所述，由于低温共烧陶瓷基板具有一切割图案(cutting pattern)。因此,本实施例的基板单元41的侧表面具有一切割图样(cutting type)。以下,请参照图8至图1 2所示以就切割图样进行说明，其中图8至图12为图7中区域A的放大图。当切割设备于低温共烧陶瓷基板进行切割时，由于切割刀具的宽度会小于沟槽宽度，使得低温共烧陶瓷基板切割成多个基板单元41时，如图8所示，每一基板单元41的侧表面的切割图样为一阶梯结构:或如图9所示，基板单元41的侧表面的切割图样具有阶梯结构及多个椭圆曲面AOI ;又可如图10所示，基板单元41的侧表面的切割图样具有阶梯结构及多个多边形曲面AU。
[0023]当然，若切割设备的精密度较高，或基板单元41在切割之后再经过处理，其侧表面将不具有阶梯结构，如图1I所示，其仅于基板单元41的侧表面形成多个椭圆曲面A21的切割图样；又或者如图12所示，其于基板单元41的侧表面形成多个多边形曲面A31的切割图样。
[0024]综上所述，因依据本发明的半导体封装装置、低温共烧陶瓷基板及其制作方法，通过设置切割图案于低温共烧陶瓷基板上，使得切割设备于切割低温共烧陶瓷基板时，产生较少的摩擦应力，以降低陶瓷基板损毁的机率，由此提高生产良率，进而降低成本。
[0025]以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等同修改或变更，均应包含于所附的权利要求中。
【主权项】
1.一种低温共烧陶瓷基板，包含:多个基板单元；以及至少一切割图案，配置于两相邻的这些基板单元之间。
2.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板，其中该切割图案包含一沟槽。
3.如权利要求2所述的低温共烧陶瓷基板，其中该沟槽中设置多个孔洞。
4.如权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板，其中该切割图案包含多个孔洞。
5.一种低温共烧陶瓷基板的制作方法，包含:制备多个陶瓷生胚片； 形成多个区域及至少一切割图案于这些陶瓷生胚片上，其中该切割图案形成于两相邻的这些区域之间；形成至少一导电图案于这些陶瓷生胚片的至少其中之一；以及叠压这些陶瓷生胚片。
6.如权利要求5所述的低温共烧陶瓷基板的制作方法，其中在叠压这些陶瓷生胚片之后，还包含:烘烤这些陶瓷生胚片以形成一低温共烧陶瓷基板。
7.如权利要求6所述的低温共烧陶瓷基板的制作方法，其中在烘烤这些陶瓷生胚片之后，还包含:电镀一金属层于这些导电图案上。
8.如权利要求5所述的低温共烧陶瓷基板的制作方法，其中该切割图案通过一切割设备于该基板形成至少一沟槽。
9.如权利要求8所述的低温共烧陶瓷基板的制作方法，还包含于该沟槽中形成多个孔洞。
10.如权利要求5所述酌低温共烧陶瓷基板的制作方法，其中该切割图案通过一打孔设备于该陶瓷生胚上形成多个孔洞。
【专利摘要】本发明公开了用于光刻膜技术印刷电路的低温共烧陶瓷基板生带制作方法。该低温共烧陶瓷基板包含多个基板单元及至少一切割图案。其中切割图案配置于两相邻的这些基板单元之间。本发明亦披露一种低温共烧陶瓷基板的制作方法及一种半导体封装装置。通过设置切割图案于低温共烧陶瓷基板上，使得切割设备于切割低温共烧陶瓷基板咐，产生较少的摩擦应力，以降低陶瓷基板损毁的机率，由此提高生产良率，进而降低成本。
【IPC分类】H05K3-00, H05K1-02
【公开号】CN104684246
【申请号】CN201510101843
【发明人】肖可
【申请人】深圳市微英格科贸有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年3月9日