线路板的钻孔方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种线路板的钻孔方法。
【背景技术】
[0002]现有的线路板制作过程中，通常会经过压合(laminat1n)、钻孔以及通孔电镀(Plating Through Hole，PTH)等工艺过程，其中压合及钻孔工艺，是将铜箔与树脂片(prepreg)压合后,利用激光对线路板进行钻孔。在铜箔制作时,铜箔的毛面(Matte side)面需进行瘤化处理，以增加表面积，从而增加铜箔和树脂片之间的附着力。而生产铜箔时所进行的瘤化处理(Nodulizat1n)，会在铜箔压合面与树脂片的接合面之间残留砷、锌、铬、镍等金属。
[0003]此外，在铜箔与树脂片压合后，以及利用激光对线路板钻孔前，通常会对铜箔进行黑氧化(black oxide treatment)或棕氧化处理，以在铜箔表面上形成黑氧化层或棕氧化层。利用黑氧化层或棕氧化层，能增加铜箔表面对激光的吸收率，让激光能顺利地烧蚀(ablating)铜箔以及其底下的树脂片。现有的黑氧化层成分比例中包括重量百分比介于4至5%的碳，重量百分比介于22至24%的氧以及重量百分比介于71至73%的铜，其中前述重量百分比是指黑氧化层内各元素的重量(例如铜、氧或碳)与黑氧化层总重量之间的比例。
[0004]在利用激光对线路板钻孔后，会进行除胶渣流程(desmear)，而将铜箔表面的黑氧化层或棕氧化层去除，才能进行后续的电镀工艺。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种线路板的钻孔方法，其利用光泽度偏低的导电层与绝缘层压合，以帮助激光钻孔的进行。
[0006]本发明一实施例提供线路板的钻孔方法，其包括:
[0007]提供一基板，该基板包括一导电层以及一与该导电层面对面地连接的绝缘层，其中该导电层具有一光吸收面与一相对于该光吸收面的接合面，该绝缘层连接并接触该接合面，且该接合面的十点平均粗糙度(ten point height of irregularities, Rz)小于1.5微米，其中该导电层的成分包括重量百分比介于3至6%的碳，重量百分比介于I至3%的氧，以及重量百分比介于92至95%的铜；以及
[0008]照射一激光束于该光吸收面，以移除部分该导电层与部分该绝缘层。
[0009]优选地，该光吸收面的十点平均粗糙度小于4微米。
[0010]优选地，该导电层包括:
[0011]一光吸收层，具有该光吸收面；以及
[0012]一主体层，形成于该光吸收层与该绝缘层之间。
[0013]优选地，该导电层更包括一接合层，该接合层具有该接合面，而该主体层位在该接合层与该光吸收层之间。
[0014]优选地，该光吸收层的成分含铜、氧以及碳。
[0015]优选地，该激光束的波长介于770纳米至15微米。
[0016]优选地，该光吸收层是由多个相连的纳米颗粒所构成。
[0017]优选地，该接合层是由多个相连的纳米颗粒所构成。
[0018]优选地,各该纳米颗粒的粒径小于500纳米。
[0019]基于上述方法，在以激光对线路板钻孔前，不需要对导电层进行黑氧化或棕氧化处理。如此，可以减少线路板的制造步骤，从而帮助缩短线路板的制造时间。
[0020]为了能更进一步了解本发明的特征及功效，请参阅以下详细说明以及所附附图。然而，所附附图仅提供参考与举例说明，并非用来对本发明的权利保护范围加以限制。
【附图说明】
[0021]图1A至图1C为本发明一实施例的线路板的钻孔方法的流程剖面示意图。
[0022]其中，附图标记说明如下:
[0023]1、I，、I”:基板
[0024]10a、10b:导电层
[0025]10’:线路层
[0026]101:光吸收层
[0027]10a:光吸收面
[0028]102:主体层
[0029]103:接合层
[0030]10b:接合面
[0031]lla、llb:绝缘层
[0032]110:结合面
[0033]12:开口
[0034]13:金属柱
[0035]20:激光束
【具体实施方式】
[0036]图1A至图1C为线路板钻孔工艺中不同步骤的线路板的剖面示意图。请参阅图1A，首先，提供一基板I，其例如是具有金属箔片的基板、金属核心板(metal core substrate)或是线路板的半成品，其中上述具有金属箔片的基板可以是铜箔基板(Copper CladLaminate, CCL)。线路板的半成品例如是在增层法(built-up)制造过程中，刚压合好树脂片与金属箔片(例如铜箔)，并在前述铜箔前的线路基板上形成盲孔或通孔。图1A的基板I是线路板的半成品为例说明。
[0037]在本实施例中，基板I具有多层导电层以及多层绝缘层，其中导电层与绝缘层交替堆栈，并且每一导电层至少与一绝缘层面对面地连接。在本发明实施例中，基板I为四层板。也就是说，本实施例的基板I是由四层导电层夹置三层绝缘层IlaUlb而形成，其中四层导电层包括两层导电层1a及两层导电层10b。两层导电层1a夹合绝缘层11a，并且导电层1a已经过蚀刻工艺而形成图案化的线路层。绝缘层Ilb及导电层1b则分别被压合于导电层1a上，并且导电层1b位于最外侧。另外，导电层1b尚未形成盲孔或通孔。
[0038]绝缘层Ila可以是由树脂片固化而形成，而构成树脂片的材质例如是酚醛树脂(phenolic resin)、环氧树月旨(epoxy)或聚亚酰胺树脂(bismaleimide triazine)等热固型树脂。绝缘层Ilb具有结合面110，其与导电层1b相互接合。
[0039]具体而言，导电层1b包括光吸收层101、主体层102及接合层103，其中主体层102位于光吸收层101与接合层103之间。在本发明实施例中，导电层1b可以是表面经过纳米处理的金属箔片(例如铜箔)，而金属箔片的上下表面经纳米处理之后，形成氧化铜层，从而形成光吸收层101与接合层103。也就是说，构成主体层102的主要材料为铜，而构成光吸收层101及接合层103的主要材料为氧化铜。
[0040]光吸收层101具有一光吸收面100a，而接合层103具有一接合面100b，其中光吸收面10a与接合面10b分别为导电层1b的两相对表面。在本发明实施例中，接合面10b是指当金属箔片贴合于绝缘层Ilb时和绝缘层Ilb接合的面，而光吸收面10a是指在后续的工艺中，将被激光束20照射的表面。实质上，光吸收面1