导电图案的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及导电图案的制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，对于触摸面板、太阳能电池和电容器等领域中使用的电路基板等电子部件而言，除了薄膜化、轻量化或降低环境负担之类的要求之外，为了提高价格竞争力，还要求彻底地改善成品率。
[0003]作为在电路基板上形成导电图案的方法、即导电图案的制造方法，已知有如下方法:涂布在树脂中分散有导电性颗粒的糊剂并干燥、曝光、显影，形成微细图案后，使加热而形成的图案收缩而使导电性颗粒彼此接触，从而表现出导电性的方法(参照专利文献1~3)。
[0004]现有技术文献专利文献
专利文献1:日本特愿平4-327423号公报专利文献2:日本特愿2009-286095号公报专利文献3:日本特愿2009-276102号公报。
【发明内容】
[0005]发明要解决的问题
然而，以往的导电图案的制造方法需要以高温且长时间进行用于使导电性颗粒彼此接触而表现出导电性的加热处理，将其应用于实际生产时的生产效率明显低。另外，高温且长时间的加热处理使基板等部件发生劣化的可能性也高，因此现状是:寻求在规避这些问题的同时用于获得微细导电图案的制造方法。
[0006]因而，本发明的目的在于提供如下的导电图案的制造方法，其通过用具有广谱的光进行曝光，能够获得导电性良好的导电图案、能够显著提高生产效率而无需伴随高温且长时间的加热处理。
[0007]用于解决问题的手段
为了解决上述课题，本发明具有以下的(1)~ (11)的技术方案。
[0008](I)导电图案的制造方法，其具备如下曝光工序:用具有广谱的光对包含导电性颗粒A和有机化合物B的基板上的膜或图案进行曝光，从而得到导电膜或导电图案。
[0009](2)上述(I)所述的导电图案的制造方法，其具备对上述膜进行显影而得到导电图案的显影工序。
[0010](3)上述(I)或(2)所述的导电图案的制造方法，其具备进一步用具有广谱的光对上述导电图案进行曝光的第二曝光工序。
[0011](4)上述(1)~ (3)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述具有广谱的光的最小波长和最大波长在200~3000nm的范围内。
[0012](5)上述(1)~ (4)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述具有广谱的光为选自氣气灯的光、氣气闪光灯的光、以及齒素灯的光中的光。
[0013](6)上述(1)~ (5)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述曝光工序中，对波长不足400nm的光进行遮光。
[0014](7)上述(1)~ (6)中任一项所述的制造方法，其中，上述导电性颗粒A的体积平均粒径为0.05-5 μ mo
[0015](8)上述(1)~ (7)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述导电性颗粒A的体积平均粒径为1~5 μπι。
[0016](9)上述(1)~ (8)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述有机化合物B具有不饱和双键、缩水甘油基或羧基。
[0017](10)上述(1)~ (9)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述膜或图案在400nm以上的波长区域具有吸收带。
[0018](11)上述(1)~ (10)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述曝光工序中，脉冲照射具有广谱的光。
[0019](12)上述(1)~ (11)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，基板为玻璃板或膜。
[0020](13)上述(1)~ (12)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述基板的表面被选自透明导电膜装饰膜和绝缘膜中的膜所覆盖。
[0021](14)上述(1)~ (13)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述导电图案的膜厚为l~30ym。
[0022](15)上述(1)~ (14)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，上述导电图案的线宽为10~100ym。
[0023](16)上述(1)~ (15)中任一项所述的导电图案的制造方法，其中，导电图案的有机成分含量为5质量％以上且不足40质量％。
[0024](17)接触式传感器，其具备利用上述(I) ~ (16)中任一项所述的导电图案的制造方法制造得到的导电图案。
[0025](18)触摸面板，其具备上述(17)所述的接触式传感器。
[0026](19)显示面板，其具备上述(18)所述的接触式传感器。
[0027]发明的效果
根据本发明，通过用具有广谱的光进行曝光，能够获得导电性良好的导电图案、能够显著提高生产效率而无需伴随高温且长时间的加热处理。
【具体实施方式】
[0028]本发明的第一方式的导电图案的制造方法的特征在于，其具备如下曝光工序:用具有广谱的光对包含导电性颗粒A和有机化合物B的膜进行曝光，从而得到导电膜。
[0029]另外，本发明的第二方式的导电图案的制造方法的特征在于，其具备曝光工序:用具有广谱的光对包含导电性颗粒A和有机化合物B的图案进行曝光，从而得到导电图案。
[0030]作为导电性颗粒Α，可列举出例如Ag、Au、Cu、Pt、Pb、Sn、N1、Al、W、Mo、氧化"!了、Cr、Ti或铟、或者这些金属的合金的颗粒，从导电性的观点出发，优选为Ag、Cu或Au的颗粒，从低成本和稳定性的观点出发，更优选为Ag的颗粒。
[0031]导电性颗粒A的体积平均粒径优选为0.01~10 μπκ更优选为0.05~5 μπκ进一步优选为1~5 μπι。体积平均粒径为0.05 μπι以上时，导电性颗粒A彼此的接触概率提高、所得导电图案的比电阻值和断线概率变低。另外，由于用于曝光的光顺利地在干燥膜中透过，因此容易形成微细的图案。进而，体积平均粒径为I μπι以上时，容易获得更均匀的分散状态、比电阻值进一步变低。另一方面，体积平均粒径为5 μπι以下时，所得导电图案的表面平滑度、图案精度和尺寸精度提高。需要说明的是，导电性颗粒A的体积平均粒径可以使用光散射式粒度分布计(例如HORIBA公司制)利用动态光散射法来测定。
[0032]导电性颗粒A的添加量相对于导电糊剂中的全体固体成分优选为70~95质量％、更优选为80~90质量％，所述导电糊剂成为供于曝光工序的膜或图案的原料。为70质量％以上时，固化收缩中的导电性颗粒A彼此的接触概率显著提高、所得导电图案的比电阻值和断线概率变低。为95质量％以下时，由于用于曝光的光顺利地在干燥膜中透过，因此容易形成微细的图案。此处，导电糊剂中的全体固体成分是指不包括有机溶剂在内的导电糊剂的所有成分。
[0033]作为有机化合物B，优选为具有不饱和双键、缩水甘油基或羧基的化合物。作为具有不饱和双键的化合物，优选为感光性有机化合物。作为感光性有机化合物，可列举出例如具有聚合性不饱和基团的单体、低聚物或聚合物。
[0034]作为聚合性不饱和基团，可列举出例如乙烯基、烯丙基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基等烯键式不饱和基团或者丙烯酰胺基。
[0035]作为具有聚合性不饱和基团的单体，可列举出例如烯丙基化环己基二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甘油二丙烯酸酯、甲氧基化环己基二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、三甘油二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、双酚A 二丙烯酸酯、环氧乙烷改性双酚Α、二丙烯酸酯、环氧丙烷改性双酚A 二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸2- (2-乙氧基乙氧基)乙酯、丙烯酸四氢呋喃酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸2-苯氧基乙酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸十三烷基酯、1，3-丁二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、双酚A 二丙烯酸酯、双酚F 二丙烯酸酯、或者双酚A-环氧乙烷加成物的二丙烯酸酯、双酚F-环氧乙烷加成物的二丙烯酸酯或者双酚A-环氧丙烷加成物的二丙烯酸酯等丙烯酸环氧酯、或者上述化合物的丙烯酰基中的一部分或全部置换成甲基丙烯酰基而成的化合物。
[0036]具有聚合性不饱和基团的单体的添加量相对于导电糊剂中的全部固体成分优选为1~15质量％、更优选为2~10质量％。不足I质量％时，灵敏度降低、难以形成微细的图案。超过15质量％时，曝光掩膜接触所产生的折缝(夕、y夕)而被污染，从而产生性能劣化等问题。
[0037]作为将烯键式不饱和基团导入至低聚物或聚合物的方法，可列举出例如使0.05-1摩尔当量的具有缩水甘油基或异氰酸酯基的烯键式不饱和化合物或丙烯酰氯、甲基丙烯酰氯或烯丙基氯与低聚物或聚合物所具有的巯基、氨基、羟基或羧基发生加成反应的方法。
[0038]作为具有缩水甘油基的烯键式不饱和化合物，可列举出例如丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油基醚、乙基丙烯酸缩水甘油酯、巴豆酰基缩水甘油基醚、巴豆酸缩水甘油醚、或者异巴豆酸缩水甘油醚。作为具有异氰酸酯基的烯键式不饱和化合物，可列举出例如(甲基)丙烯酰基异氰酸酯或(甲基)丙烯酰基乙基异氰酸酯。
[0039]另外，在有机化合物B中，为了使导电性颗粒A彼此接触或者提高其与基板的密合性，优选包含不具有不饱和双键的非感光性单体、低聚物或聚合物。这些不具有不饱和双键的非感光性单体等为了更有效