振荡电路、振荡器、电子设备和移动体的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及振荡电路、振荡器、电子设备和移动体。
【背景技术】
[0002]为了使振荡电路的频率可变，公知有对配置在振荡电路内的可变电容元件施加电压来改变电容的方法。利用电压来控制频率的振荡器一般被称为VCXO (VoltageControlled X’tal Oscillator:压控石英振荡器)。在使用该原理针对温度抑制频率偏差的振荡器中，存在 TCXO(Temperature Compensated V tal Oscillator) ο
[0003]近年来，石英振荡器也要求小型化，振荡电路的集成电路化取得发展。但是，在使用集成电路的情况下，由于可使用的可变电容元件的可变量有限，所以，存在无法得到必要的频率可变幅度和直线性(线性)的问题。
[0004]在专利文献I中公开了通过加法电路对频率调整电压和温度补偿电压进行相加并将其施加给频率调整电路的振荡器。
[0005]专利文献1:国际公开W002/19514号
[0006]在专利文献I中，由于对频率调整电压和温度补偿电压进行相加并将其施加给频率调整电路，所以，与独立进行频率调整和温度补偿的情况相比，必须扩宽能够利用频率调整电路来变化的频率幅度。因此，例如，在频率调整电路使用可变电容的情况下，与独立进行频率调整和温度补偿的情况相比，当仅使用可变电容灵敏度的直线性良好的区域时，频率可变幅度可能不足，当使用比可变电容灵敏度的直线性良好的区域更宽的区域时，频率调整的精度可能劣化。
【发明内容】
[0007]本发明是鉴于以上情况而完成的，根据本发明的几个方式，能够提供可抑制频率调整的精度劣化并且扩宽可变幅度的振荡电路、振荡器、电子设备和移动体。
[0008]本发明是为了解决所述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下方式或应用例来实现。
[0009][应用例I]
[0010]本应用例的振荡电路具有:振荡部，其输出振荡信号；第I特性调整部和第2特性调整部，它们分别具有与所述振荡部电连接的第I端子，并且对所述振荡信号的特性进行调整；以及电压施加部，其向所述第I特性调整部的第I端子和所述第2特性调整部的第I端子施加第I电压，向所述第I特性调整部的第2端子施加与所述第I电压不同且与所述第I电压联动地变化的第2电压。
[0011]根据本应用例，由于电压施加部使第2电压与第I电压联动地变化，所以，例如在第I特性调整部和第2特性调整部使用可变电容元件的情况下，容易将第I特性调整部的两端间的电压的中央值设定在可变电容元件的直线性良好的范围内。并且，由于能够独立控制第I特性调整部和第2特性调整部，所以，例如在第I特性调整部和第2特性调整部使用可变电容元件的情况下，与利用I个可变电容元件进行频率调整的情况相比，能够扩宽频率调整的可变幅度。因此，能够实现可抑制频率调整的精度劣化并且扩宽可变幅度的振荡电路。
[0012][应用例2]
[0013]在上述振荡电路中优选的是，所述第I特性调整部和所述第2特性调整部包括可变电容元件。
[0014]根据本应用例，通过控制可变电容元件的两端间的电压来控制可变电容元件的电容值，由此，能够控制振荡电路输出的振荡信号的频率。
[0015][应用例3]
[0016]在上述振荡电路中优选的是，所述电压施加部包括经由电阻而串联连接的第I可变电阻部和第2可变电阻部，从所述第I可变电阻部与所述第2可变电阻部之间输出所述第I电压和所述第2电压，所述第I可变电阻部的电阻值的大小变化和所述第2可变电阻部的电阻值的大小变化以相反的方式联动地变化。
[0017]根据本应用例，通过使第I可变电阻部和第2可变电阻部的电阻值的大小联动地变化，能够使第2电压与第I电压联动地变化，所以，能够实现可抑制频率调整的精度劣化并且扩宽可变幅度的振荡电路。
[0018][应用例4]
[0019]在上述振荡电路中优选的是，所述振荡电路包括存储部，该存储部存储使所述第I电压以及所述第2电压联动地变化的设定信息，所述电压施加部根据所述设定信息对所述第I电压以及所述第2电压进行控制。
[0020]根据本应用例，由于能够根据存储部中存储的设定信息对第I电压和第2电压进行控制，所以，能够容易地将振荡电路输出的振荡信号的频率用作期望的频率。
[0021][应用例5]
[0022]本应用例的振荡电路具有:振荡单元，其输出振荡信号；第I特性调整单元和第2特性调整单元，它们与所述振荡单元电连接，对所述振荡信号的特性进行调整；以及电压施加单元，其向所述第I特性调整单元和所述第2特性调整单元输出第I电压和与所述第I电压不同的第2电压，并且向所述第2特性调整单元施加所述第I电压，向所述第I特性调整单元施加作为所述第I电压和与所述第I电压联动地变化的所述第2电压之差的电压。
[0023]根据本应用例，由于电压施加单元使第2电压与第I电压联动地变化，所以，例如在第I特性调整单元和第2特性调整单元使用可变电容元件的情况下，容易将第I特性调整单元的两端间的电压的中央值设定在可变电容元件的直线性良好的范围内。并且，由于能够独立控制第I特性调整单元和第2特性调整单元，所以，例如在第I特性调整单元和第2特性调整单元使用可变电容元件的情况下，与利用I个可变电容元件进行频率调整的情况相比，能够扩宽频率调整的可变幅度。因此，能够实现可抑制频率调整的精度劣化并且扩宽可变幅度的振荡电路。
[0024][应用例6]
[0025]本应用例的振荡器包括上述任意一个振荡电路以及振子。
[0026]根据本应用例，由于包括能够抑制频率调整的精度劣化并且扩宽可变幅度的振荡电路，所以，能够实现可抑制频率调整的精度劣化并且扩宽可变幅度的振荡器。
[0027][应用例7]
[0028]本应用例的电子设备包括上述任意一个振荡电路。
[0029][应用例8]
[0030]本应用例的移动体包括上述任意一个振荡电路。
[0031]根据这些应用例的电子设备和移动体，由于包括能够抑制频率调整的精度劣化并且扩宽可变幅度的振荡电路或振荡器，所以，能够实现动作精度较高的电子设备和移动体。
【附图说明】
[0032]图1是示出第I实施方式的振荡电路I和振荡器1000的电路图。
[0033]图2是示出电压施加部40的具体结构例的电路图。
[0034]图3是示意地示出将开关SWl?开关SW6控制成连接状态的信号与第I电压Vl以及第2电压V2之间的关系的曲线图。
[0035]图4是示出电阻R3和电阻R4的结构例的电路图。
[0036]图5的㈧是示意地示出振荡电路I相对于温度补偿电压生成部70输出的第4电压V4的频率灵敏度的曲线图，图5的⑶是示意地示出振荡电路I相对于电压施加部40输出的第2电压V2的频率灵敏度的曲线图。
[0037]图6是示出第2实施方式的振荡电路Ia和振荡器100a的电路图。
[0038]图7是示出第3实施方式的振荡电路Ib和振荡器100b的电路图。
[0039]图8是本实施方式的电子设备300的功能框图。
[0040]图9是示出作为电子设备300的一例的智能手机的外观的一例的图。
[0041]图10是示出本实施方式的移动体400的一例的图(俯视图)。
[0042]标号说明
[0043]UlaUb:振荡电路；10:振荡部；11:第I端子；12:第2端子；20:第I特性调整部；21:第I端子;22:第2端子；30:第2特性调整部;31:第I端子;32:第2端子;40、40a、40b:电压施加部;41、41a、40b:电压生成部；42:控制部；50:存储部；60:第3特性调整部；61:第I端子；62:第2端子；70:温度补偿电压生成部；71:温度传感器；80:第4特性调整部；81:第I端子；82:第2端子；100:振子；300:电子设备；310:倍增电路；320:CPU ；330:操作部；340:ROM ；350:RAM ；360:通信部；370:显示部；380:声音输出部；400:移动体；420:控制器；430:控制器；440:控制器；450:电池；460:备用电池;1000、1000a:振荡器；Cl?C4:可变电容元件；C10?C15:电容元件；Q:NPN晶体管；R1:第I可变电阻部；R2:第2可变电阻部；R3、R4:电阻；R5:第I可变电阻部；R6:第2可变电阻部；R10?R15:电阻；R41?R46:电阻；R101?R109:电阻；S:电流源；S0?S3:信号；SW1?SW6:开关。
【具体实施方式】
[0044]下面，使用附图对本发明的优选实施例进行详细说明。所使用的附图是为了便于说明。另外，以下说明的实施例并不是对权利要求书所记载的本发明的内容进行不当限定。并且，以下说明的结构不一定全部都是本发明必须结构要件。
[0045]1.振荡电路