镓系半导体。3.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其中所述LED群组中的每一个包括发光二极管，所述发光二极管包括生长基板及生长于所述生长基板上的半导体层，所述半导体层生长于所述生长基板的非极化表面上。4.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置，还包括: 选择器，用于将所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个输出至所述LED群组。5.根据权利要求4所述的发光二极管驱动装置，还包括: LED驱动控制单元，控制所述选择器基于预设参考值来输出所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个。6.根据权利要求4所述的发光二极管驱动装置，其中所述选择器在所述经整流电压的电压电平高于或等于所述预设参考值时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述发光二极管，并在所述经整流电压的所述电压电平低于所述预设参考值时将所述第一驱动信号输出至所述发光二极管。7.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置，还包括: 温度传感器，感测所述LED群组的温度以产生测量温度值， 其中所述选择器在所述温度传感器的所述测量温度值高于或等于参考温度时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述发光二极管，并在所述温度传感器的所述测量温度值低于所述参考温度时将所述第一驱动信号输出至所述发光二极管。8.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其中所述第二脉冲驱动信号包括使所述LED群组接通的高区及使所述LED群组关断的低区，所述高区与所述低区具有相同宽度。9.根据权利要求8所述的发光二极管驱动装置，其中所述第二脉冲驱动信号的所述高区具有为所述第一驱动信号的电压电平的两倍的电压电平。10.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其中所述第二脉冲驱动信号具有60Hz以上的驱动频率。11.一种发光二极管驱动装置，包括: 电源，供应交流电压； 整流单元，通过对自所述电源供应的所述交流电压进行整流来产生经整流电压； 多个LED驱动单元，利用所述经整流电压产生第一驱动信号；以及 多个LED驱动信号调制单元，通过调制所述第一驱动信号来产生第二脉冲驱动信号， 其中由所述第二脉冲驱动信号驱动多个LED群组。12.根据权利要求11所述的发光二极管驱动装置，其中所述LED群组中的每一个包括发光二极管，所述发光二极管包括生长基板及生长于所述生长基板上的半导体层，所述生长基板及所述半导体层包含氮化镓系半导体。13.根据权利要求11所述的发光二极管驱动装置，其中所述LED群组中的每一个包括发光二极管，所述发光二极管包括生长基板及生长于所述生长基板上的半导体层，所述半导体层生长于所述生长基板的非极化表面上。14.根据权利要求11所述的发光二极管驱动装置，还包括: 多个选择器，用于将所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个输出至所述多个LED群组。15.根据权利要求14所述的发光二极管驱动装置，还包括: LED驱动控制单元，各别地控制所述多个选择器基于预设参考值来输出所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个。16.根据权利要求14所述的发光二极管驱动装置，其中所述选择器在所述经整流电压的电压电平高于或等于所述预设参考值时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述发光二极管，并在所述经整流电压的所述电压电平低于所述预设参考值时将所述第一驱动信号输出至所述发光二极管。17.根据权利要求14所述的发光二极管驱动装置，还包括: 温度传感器，感测所述LED群组的温度以产生测量温度值， 其中所述选择器在所述温度传感器的所述测量温度值高于或等于参考温度时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述LED群组，并在所述温度传感器的所述测量温度值低于所述参考温度时将所述第一驱动信号输出至所述LED群组。18.根据权利要求11所述的发光二极管驱动装置，其中所述第二脉冲驱动信号包括使所述LED群组接通的高区及使所述LED群组关断的低区，所述高区与所述低区具有相同宽度。19.根据权利要求18所述的发光二极管驱动装置，其中所述第二脉冲驱动信号的所述高区具有为所述第一驱动信号的电压电平的两倍的电压电平。20.根据权利要求11所述的发光二极管驱动装置，其中所述第二脉冲驱动信号具有60Hz以上的驱动频率。21.一种用于驱动发光二极管的方法，包括: 供应交流电压； 对所述交流电压进行整流； 利用所述经整流电压产生第一驱动信号； 通过调制所述第一驱动信号来产生第二脉冲驱动信号；以及 将所述第二脉冲驱动信号供应至多个LED群组。22.根据权利要求21所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述LED群组中的每一个包括发光二极管，所述发光二极管包括生长基板及生长于所述生长基板上的半导体层，所述生长基板及所述半导体层包含氮化镓系半导体，所述半导体层生长于所述生长基板的非极化表面上。23.根据权利要求21所述的用于驱动发光二极管的方法，还包括: 选择所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个，接着将所述被选驱动信号输出至所述LED群组。24.根据权利要求21所述的用于驱动发光二极管的方法，还包括: 基于预设参考值来输出所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个。25.根据权利要求23所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述选择所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个的步骤包括:在所述经整流电压的电压电平高于或等于所述预设参考值时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述LED群组，并在所述经整流电压的所述电压电平低于所述预设参考值时将所述第一驱动信号输出至所述LED群组。26.根据权利要求21所述的用于驱动发光二极管的方法，还包括: 感测所述LED群组的温度， 其中在测量温度高于或等于参考温度时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述LED群组，并在所述测量温度低于所述参考温度时将所述第一驱动信号输出至所述LED群组。27.根据权利要求21所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述第二脉冲驱动信号包括使所述LED群组接通的高区及使所述LED群组关断的低区，所述高区与所述低区具有相同宽度。28.根据权利要求27所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述第二脉冲驱动信号的所述高区具有为所述第一驱动信号的电压电平的两倍的电压电平。29.一种用于驱动发光二极管的方法，包括: 供应交流电压； 对所述交流电压进行整流； 利用所述经整流电压产生第一驱动信号； 通过调制所述第一驱动信号来产生第二脉冲驱动信号；以及 将所述第二脉冲驱动信号供应至多个LED群组。30.根据权利要求29所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述LED群组中的每一个包括发光二极管，所述发光二极管包括生长基板及生长于所述生长基板上的半导体层，所述生长基板及所述半导体层包含氮化镓系半导体，所述半导体层生长于所述生长基板的非极化表面上。31.根据权利要求29所述的用于驱动发光二极管的方法，还包括: 选择所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个。32.根据权利要求29所述的用于驱动发光二极管的方法，还包括: 基于预设参考值来输出所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个。33.根据权利要求31所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述选择所述第一驱动信号与所述第二脉冲驱动信号中的一个的步骤包括:在所述经整流电压的电压电平高于或等于所述预设参考值时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述LED群组，并在所述经整流电压的所述电压电平低于所述预设参考值时将所述第一驱动信号输出至所述LED群组。34.根据权利要求29所述的用于驱动发光二极管的方法，还包括: 感测所述LED群组的温度， 其中在测量温度高于或等于参考温度时将所述第二脉冲驱动信号输出至所述LED群组，并在所述测量温度低于所述参考温度时将所述第一驱动信号输出至所述LED群组。35.根据权利要求29所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述第二脉冲驱动信号包括使所述LED群组接通的高区及使所述LED群组关断的低区，所述高区与所述低区具有相同宽度。36.根据权利要求35所述的用于驱动发光二极管的方法，其中所述第二脉冲驱动信号的所述高区具有为所述第一驱动信号的电压电平的两倍的电压电平。37.一种发光二极管照明模块，包括: LED群组，包含至少一个发光二极管； 电源，供应交流电压； 整流单元，对自所述电源供应的所述交流电压进行整流； 驱动信号产生器，利用来自所述整流单元的经整流电压产生第一驱动信号，所述第一驱动信号具有IA以上的电流值； LED驱动信号调制单元，通过调制所述第一驱动信号来产生第二脉冲驱动信号；以及驱动信号供应器，在未施加单独的驱动控制信号时将所述第二脉冲驱动信号以70A/cm2以上的峰值电流密度供应至所述LED群组。38.根据权利要求37所述的发光二极管照明模块，其中所述发光二极管包括生长基板及生长于所述生长基板上的半导体层，所述生长基板及所述半导体层包含氮化镓系半导体。39.根据权利要求37所述的发光二极管照明模块，其中所述发光二极管包括生长基板及生长于所述生长基板上的半导体层，所述半导体层生长于所述生长基板的非极化表面上。
【专利摘要】本发明揭示一种能够同时实现优异的散热功能及高效率驱动的发光二极管驱动装置。所揭示的LED驱动装置包括：电源单元，用于提供交流电压；整流单元，用于对来自所述电源单元的交流电压进行整流；驱动信号产生单元，用于通过利用来自所述整流单元的经整流电压来产生第一驱动信号；以及LED驱动信号调制单元，用于通过调制所述第一驱动信号来产生第二脉冲驱动信号，其中由所述第二脉冲驱动信号驱动LED群组。
【IPC分类】H05B37/02
【公开号】CN104885570
【申请号】CN201380069496
【发明人】金彰渊, 任台爀, 金永郁
【申请人】首尔伟傲世有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2013年11月18日
【公告号】DE112013005480T5, US20150317930, WO2014077644A1