基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，具体是指一种基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统。
【背景技术】
[0002]放大器是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。放大器是一个从功能的角度命名的电路单元，可以由分立的器件实现，也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展，大部分的放大器是以单芯片的形式存在。随着电子技术的不断发展，放大器已广泛应用于电子行业当中。然而目前使用的放大器把信号放大后经常会出现信号失真，其电流、电压不稳定的情况，给后续对信号的处理带来很大的麻烦。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前放大器所放大的信号出现失真，其电流、电压不稳定的缺陷，提供一种能够使信号不失真、电流电压稳定的基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统，由放大电路，场效应管Q1，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极作为信号输入端的极性电容Cl，一端与场效应管Ql的栅极相连接、另一端接地的电阻R4，与场效应管Ql的源极相连接的电流源电路，设置在电流源电路和放大电路之间的线性驱动电路，以及设置在场效应管Ql的漏极与线性驱动电路之间的降压型恒定电流电路组成；所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT7，三极管VT8，放大器P2，P极顺次经电容C6、电阻R19、电阻R18、电容C7后与降压芯片U2的REG脚相连接、N极经电阻R20后与降压芯片U2的FSET脚相连接的二极管D4，正极经电阻R21后与降压芯片U2的OUT脚相连接、负极经电阻R22后与降压芯片U2的BST脚相连接的电容C8，P极经电阻R23后与放大器P2的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管VT7的基极相连接的二极管D5，正极与放大器P2的正极输入端相连接、负极经电阻R24后与三极管VT7的发射极相连接的电容C9，负极顺次经电阻R26、电阻R25后与三极管VT7的基极相连接、正极与三极管VT8的集电极相连接的电容C10,以及一端与放大器P2的负极输入端相连接、另一端与三极管VT8的发射极相连接的电阻R17组成；所述降压芯片U2的VDD脚与电阻R20与二极管D4的连接点相连接，其FB脚则与放大器P2的输出端相连接，其GND脚接地；所述三极管VT7的集电极接地；所述三极管VT8的基极与电容C9的负极相连接；所述二极管D4的P极与场效应管Ql的漏极相连接；同时，三极管VT7的基极则与线性驱动电路相连接；所述二极管D5的N极还与电容CS的正极相连接。
[0005]所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，正极与电流源电路相连接、负极经电阻RlO后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C3，一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R12后与三极管VT3的基极相连接的电阻RlI，正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C5，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C4，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R14，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R13，N极与三极管VT6的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D2，正相端与三极管VT6的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R15后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R16，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接的二极管D3组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT6的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接；所述三极管VT5的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管VT3的基极相连接；所述三极管VT3的集电极与三极管VT7的基极相连接，二极管D3的N极与放大电路相连接。
[0006]所述的电流源电路由三极管VTl，三极管VT2，N极与三极管VTl的基极相连接、P极经电阻R2后与三极管VTl的发射极相连接的稳压二极管D1，一端与三极管VTl的基极相连接、另一端接地的电阻R1，以及负极与场效应管Ql的漏极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C2组成；所述三极管VTl的集电极与场效管Ql的源极相连接、其发射极则与三极管VT2的基极相连接，所述三极管VT2的发射极经电阻R3后与电容C3的正极相连接、其集电极接地；所述稳压二极管Dl的P极与外部电源相连。
[0007]所述的放大电路由放大芯片P，一端经电阻R7后与放大芯片P的正向端相连接、另一端接地的电阻R5，一端与电阻R5和电阻R7的连接点相连接、另一端经电阻R8后与放大芯片P的反向端相连接的电阻R6，串接于放大芯片P的反向端和输出端之间的电阻R9组成；电阻R5和电阻R7的连接点与二极管D3的N极相连接，电阻R6和电阻R8的连接点接地。
[0008]为确保本发明的使用效果，该驱动芯片U为LM387集成芯片，降压芯片U2为A718EGT集成芯片。
[0009]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0010](I)本发明的降压型恒定电流电路，能稳定的驱动放大器系统的电流、电压，从而改良放大器的放大效果。
[0011](2)本发明采用LM387芯片作为驱动芯片，其灵敏度高、价格便宜。
[0012](3)本发明采用A718EGT的芯片作为降压芯片，其具有自举升压、电压和电流自动恒定、实用性高。
【附图说明】
[0013]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0015]实施例
[0016]如图1所示，本发明由放大电路，场效应管Q1，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极作为信号输入端的极性电容Cl，一端与场效应管Ql的栅极相连接、另一端接地的电阻R4，与场效应管Ql的源极相连接的电流源电路，设置在电流源电路和放大电路之间的线性驱动电路，以及设置在场效应管Ql的漏极与线性驱动电路之间的降压型恒定电流电路组成。
[0017]所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT4，三极管VT5，放大器P2，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27，电容C6，电容C7，电容C8，电容C9，电容C10，二极管D4，以及二极管D5组成。
[0018]连接时，二极管D4的P极顺次经电容C6、电阻R19、电阻R18、电容C7后与降压芯片U2的REG脚相连接、N极经电阻R20后与降压芯片U2的FSET脚相连接。电容C8的正极经电阻R21后与降压芯片U2的OUT脚相连接、负极经电阻R22后与降压芯片U2的BST脚相连接。二极管D5的P极经电阻R23后与放大器P2的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管TH的基极相连接。
[0019]其中，电容C9的正极与放大器P2的正极输入端相连接、负极经电阻R24后与三极管VT7的发射极相连接。电容ClO的负极顺次经电阻R26、电阻R25后与三极管VT7的基极相连接、正极与三极管VT8的集电极相连接。以及电阻R17的一端与放大器P2的负极输入端相连接、另一端与三极管VT8的发射极相连接。
[0020]为了更好的实施本发明，所述的降压芯片U2优先采用型号为A718EGT集成芯片来实现，其内置2.5A功率MOS开关；其具有自举升压、短路保护、欠电闭锁、开路保护、过热保护、电压和电流自动恒定、低功耗调节等功能；A718EGT集成芯片采用绿色工艺，输入电源电压范围为6?36V ;其静态工作电流为625?900 μ A，关断电流为95?160 μ Α，恒定输出电流为2Α。
[0021]连接时，降压芯片U2的VDD脚与电阻R20与二极管D4的连接点相连接，其FB脚则与放大器Ρ2的输出端相连接，其GND脚接地；所述三极管VT7的集电极接地；所述三极管VT8的基极与电容C9的负极相连接；所述二极管D4的P极与场效应管Ql的漏极相连接；同时，三极管VT7的基极则与线性驱动电路相连接；所述二极管D5的N极还与电容CS的正极相连接。
[0022]为确保本发明更好的实施，所述的电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17
采用极性