一种直接加热式恒温晶体振荡器的制造方法

文档序号:9306374阅读:574来源:国知局
一种直接加热式恒温晶体振荡器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于石英晶体振荡器技术领域,尤其涉及一种直接加热式恒温晶体振荡器。
【背景技术】
[0002]石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
[0003]恒温晶体振荡器简称恒温晶振,英文简称为OCXO(Oven Controlied CrystalOscillator),是利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定,将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。
[0004]恒温晶体振荡器内部的晶片需要加热,目前,业内对于恒温晶体振荡器内部晶片的加热大多采用间接加热的方式。如图1、图2所示,图1、图2为恒温晶体振荡器内部晶片加热的现有技术,参考图1、图2可得知,现有的恒温晶体振荡器内部晶片的加热方式,需要在恒温晶体振荡器的内部装配与加热相关的部件,如图1加热方式中的:T0-8基座10、陶瓷基板11 (陶瓷基板11上有加热电路)、Τ0-8上盖12、绝缘环13、金属壳14、石英晶片15 ;如图2加热方式中的:Τ0-8基座20、支撑柱21、陶瓷基板23 (陶瓷基板23上有控制电路)、发热器件24、石英晶片25、Τ0-8上盖22。
[0005]现有的恒温晶体振荡器内部晶片的加热方式,需要在恒温晶体振荡器的内部装配与加热相关的部件,并且由于间接加热晶片,需要耗费较大的功耗。

【发明内容】

[0006]鉴于此,本发明提供一种不需要在晶体振荡器内部进行复杂的装配且能降低加热功耗的恒温晶体振荡器。
[0007]本发明技术方案:
[0008]一种直接加热式恒温晶体振荡器,包括上盖、基座以及晶片,所述上盖与所述基座相扣合形成所述晶片的安装空间,所述基座上设置有至少两个贯穿所述基座的支撑柱,所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片,所述支撑柱位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚,所述晶片的表面设置有导线,所述导线的两端各连接一个所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端。
[0009]优选地,所述导线为铂金材料。
[0010]优选地,所述导线为两根,两根所述导线均具有导线第一端以及远离所述导线第一端的导线第二端,两根所述导线的导线第一端连接一个支撑柱位于所述安装空间内部的一端,两根所述导线的导线第二端连接另一个支撑柱位于所述安装空间内的一端。
[0011]优选地,所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面,两根所述导线均位于所述晶片上表面。
[0012]优选地,所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面,两根所述导线均位于所述晶片下表面。
[0013]优选地,所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面,两根所述导线分别位于所述晶片下表面和所述晶片上表面。
[0014]优选地,所述晶片的表面还设置有测温器件,所述测温器件与所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端电连接,与所述测温器件连接的支撑柱和与所述导线连接的支撑柱为不同支撑柱。
[0015]优选地,所述测温器件为温度传感器或热敏电阻。
[0016]本发明有益效果:
[0017]本发明所述的恒温晶体振荡器,包括上盖、基座以及晶片,所述上盖与所述基座相扣合形成所述晶片的安装空间,所述基座上设置有至少两个贯穿所述基座的支撑柱,所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片,所述支撑柱位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚,所述晶片的表面设置有导线,所述导线的两端各连接一个所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端;本发明在晶片的表面设置有导线,导线的两端各连接一个支撑柱位于安装空间内部的一端,支撑柱位于安装空间外部的一端连接晶体引脚,由此,通过支撑柱和晶体引脚将晶片表面的导线与外部电路连接,在外部电路中给所述导线通电流后,导线发热即可实现对晶片的加热。本发明所述的恒温晶体振荡器不需要在晶体振荡器内部装配额外的晶片加热部件,只需要在晶片的表面一次性设置导线即可完成对晶片的加热,并且由于导线直接接触地加热晶片,不会造成加热功耗的浪费,能整体上降低晶片的加热功耗。
【附图说明】
[0018]图1为恒温晶体振荡器内部晶片加热的一种现有技术的示意图。
[0019]图2为恒温晶体振荡器内部晶片加热的另一种现有技术的示意图。
[0020]图3是本发明一种直接加热式恒温晶体振荡器的剖面图。
[0021]图4是本发明一种直接加热式恒温晶体振荡器中的晶片的俯视图。
[0022]图5是本发明一种直接加热式恒温晶体振荡器中的晶片表面设置测温器件的俯视图。
[0023]图1 中:
[0024]10、T0-8基座;11、陶瓷基板(陶瓷基板上有加热电路);12、T0-8上盖;13、绝缘环;14、金属壳;15、石英晶片。
[0025]图2 中:
[0026]20、T0-8基座、21、支撑柱、23、陶瓷基板(陶瓷基板上有控制电路)、24、发热器件、25、石英晶片、22、Τ0-8上盖。
[0027]图3至图5中:
[0028]1、上盖;2、基座;3、石英晶片;4、支撑柱;5、晶体引脚;6、导线;61、导线第一端;62、导线第二端;7、测温器件。
【具体实施方式】
[0029]为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0030]实施例一
[0031]图3是本发明一种直接加热式恒温晶体振荡器的剖面图。参见图3,一种直接加热式恒温晶体振荡器,包括上盖1、基座2以及晶片3,所述上盖I与所述基座2相扣合形成所述晶片3的安装空间,所述基座2上设置有至少两个贯穿所述基座2的支撑柱4,所述支撑柱4位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片3,所述支撑柱4位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚5,所述晶片3的表面设置有导线6,所述导线6的两端各连接一个所述支撑柱4位于所述安装空间内部的一端。
[0032]优选地,在所述基座2上设置有六个贯穿所述基座2的支撑柱4,这六个支撑柱4均匀的分布在所述基座2上并贯穿所述基座2,六个支撑柱4分别引出六根晶体引脚5 ;这六根晶体引脚5分别为:第一接地引脚、第二接地引脚、第一晶体引脚、第二晶体引脚、正极导线引脚和负极导线引脚,第一接地引脚和第二接地引脚用于恒温晶体振荡器电路上的接地,第一晶体引脚和第二晶体引脚用于采集恒温晶体振荡器内晶体的振动频率,正极导线引脚和负极导线引脚用于给恒温晶体振荡器内的导线加电压通电流;这六根晶体引脚5还可以分别为:接地引脚、供电引脚、频率控制引脚、频率输出引脚、正极导线引脚和负极导线引脚,接地引脚用于恒温晶体振荡器电路上的接地,供电引脚用于给恒温晶体振荡器供电,频率控制引脚用于控制恒温晶体振荡器振动的频率,频率输出引脚用于采集并输出恒温晶体振荡器振动的频率,正极导线引脚和负极导线引脚用于给恒温晶体振荡器内的导线加电压通电流。
[0033]本发明在晶片3的表面设置有导线6,导线6的两端各连接一个支撑柱4位于安装空间内部的一端,支撑柱4位于安装空间外部的一端连接晶体引脚5,由此通过支撑柱4和晶体引脚5将晶片表面的导线6与外部电路连接,即导线6的两端分别连接一个晶体引脚5,分别为正极导线引
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