脚和负极导线引脚，通过正极导线引脚和负极导线引脚给导线6加电压通电流后，导线6发热即可实现对晶片3的加热。
[0034]本发明所述的恒温晶体振荡器不需要在晶体振荡器内部装配额外的晶片加热部件，只需要在晶片的表面一次性电镀导线即可完成对晶片的加热，并且由于导线直接接触地加热晶片，节省了现有的加热陶瓷基板以传热给晶片的这部分功耗，整体上降低了加热功耗。
[0035]优选地，本发明中所述的导线选用铂金材料。铂金导线作为金属，具有导电性；铂金导线还有一个特性:铂金导线的阻值与铂金导线的温度呈一定的对应关系，即铂金导线有“阻值一温度”对照表，只要知道铂金导线的阻值，参考此对照表，可得到铂金导线的温度。利用铂金导线的这一特性，在本发明中，铂金导线既可以导电发热来给晶片加热，又可以用来测量晶片的温度，用作加热和测温的复用器件。本发明中所述的导线选用铂金材料可同时实现对晶片的加热和测温。
[0036]实施例二
[0037]本发明在晶片的表面设置用于给晶片加热的导线。所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面。本发明对导线的设置方式不做限制，可在晶片表面上设置多根导线，可将导线设置在晶片上表面，可将导线设置在晶片下表面，可将导线设置在晶片上表面和晶片下表面。下面给出导线设置的一个实施例。
[0038]图4是本发明一种直接加热式恒温晶体振荡器中的晶片的一个俯视图。
[0039]参见图4，在所述晶片3的上表面设置有导线6，所述导线6为两根，所述两根导线6均具有导线第一端61以及远离所述导线第一端的导线第二端62，两根所述导线6的导线第一端61连接一个支撑柱4位于所述安装空间内部的一端，两根所述导线6的导线第二端62连接另一个支撑柱4位于所述安装空间内的一端。按图4所示的方式设置两根导线6，两根导线6在电路上并联。
[0040]同样地，可将所述两根导线6均设置在所述晶片下表面:即在所述晶片3的下表面设置有导线6，所述导线6为两根，两根所述导线6均具有导线第一端61以及远离所述导线第一端的导线第二端62，两根所述导线6的导线第一端61连接一个支撑柱4位于所述安装空间内部的一端，两根所述导线6的导线第二端62连接另一个支撑柱4位于所述安装空间内的一端。按这种设置方式，两根导线6在电路上并联。
[0041]同样地，可将两根所述导线6分别设置所述晶片下表面和所述晶片上表面:即在所述晶片3的下表面设置有一根导线6，在所述晶片3的上表面设置有一根导线6，两根导线6均具有导线第一端61以及远离所述导线第一端的导线第二端62，两根导线6的导线第一端61连接一个支撑柱4位于所述安装空间内部的一端，两根导线6的导线第二端62连接另一个支撑柱4位于所述安装空间内的一端。按这种设置方式，两根导线6在电路上并耳关。
[0042]当然，可在晶体表面上设置3根、4根等等多根导线，本发明对此不作限制。
[0043]本发明中，晶片的表面设置导线的方式可通过电镀方式或者其他工艺方式，本发明对此不作限制。
[0044]本发明所述的恒温晶体振荡器在晶片的表面一次性设置导线，给导线加电压通电流，导线发热直接接触地给晶片加热；本发明不需要在晶体振荡器内部装配额外的晶片加热部件，并且由于导线直接接触地加热晶片，节省了现有的加热陶瓷基板以传热给晶片的这部分功耗，整体上降低了加热功耗。
[0045]实施例三
[0046]图5是在本发明一种直接加热式恒温晶体振荡器中的晶片表面还设置测温器件的俯视图。
[0047]本发明可在晶片表面设置测温器件，所述测温器件可设置在晶片上表面或设置在晶片下表面。
[0048]参见图5，在所述晶片3的上表面设置有导线6和测温器件7，所述导线6均具有导线第一端61以及远离所述导线第一端的导线第二端62，所述导线6的导线第一端61连接一个支撑柱4位于所述安装空间内部的一端，所述导线6的导线第二端62连接另一个支撑柱4位于所述安装空间内的一端，所述测温器件7通过导线分别与两个不连接导线6的支撑柱4连接，从而将测温器件7与支撑柱4电连接，支撑柱4位于安装空间外部的一端连接晶体引脚，所以通过支撑柱和晶体引脚可将测温器件7接入外部电路，从而实现对晶片的测温。所述测温器件7可为温度传感器或热敏电阻，例如测温器件7选择热敏电阻时，通过检测热敏电阻的阻值，即可测得晶片的温度。
[0049]本发明在晶片表面设置测温器件，可实现对晶片的测温；将测温器件设置在晶片表面，可提高对晶片测温的精准度。
[0050]综上，本发明所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器在晶片的表面设置导线，给导线加电压通电流，导线发热直接接触地给晶片加热，本发明不需要在晶体振荡器内部装配额外的晶片加热部件，并且由于导线直接接触地加热晶片，节省了现有的加热陶瓷基板以传热给晶片的这部分功耗，整体上降低了加热功耗；本发明在晶片表面设置测温器件，可实现对晶片的测温，将测温器件设置在晶片表面，可提高对晶片测温的精准度。
[0051]以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，包括上盖、基座以及晶片，所述上盖与所述基座相扣合形成所述晶片的安装空间，所述基座上设置有至少两个贯穿所述基座的支撑柱，所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片，所述支撑柱位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚，所述晶片的表面设置有导线，所述导线的两端各连接一个所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端。2.根据权利要求1所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述导线为铂金材料。3.根据权利要求1所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述导线为两根，两根所述导线均具有导线第一端以及远离所述导线第一端的导线第二端，两根所述导线的导线第一端连接一个支撑柱位于所述安装空间内部的一端，两根所述导线的导线第二端连接另一个支撑柱位于所述安装空间内的一端。4.根据权利要求3所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面，两根所述导线均位于所述晶片上表面。5.根据权利要求3所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面，两根所述导线均位于所述晶片下表面。6.根据权利要求3所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面，两根所述导线分别位于所述晶片下表面和所述晶片上表面。7.根据权利要求1至6中任一项所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述晶片的表面还设置有测温器件，所述测温器件与所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端电连接，与所述测温器件连接的支撑柱和与所述导线连接的支撑柱为不同支撑柱。8.根据权利要求7所述的一种直接加热式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述测温器件为温度传感器或热敏电阻。
【专利摘要】本发明属于石英晶体振荡器技术领域，尤其涉及一种直接加热式恒温晶体振荡器。本发明在晶片的表面设置有导线，导线的两端各连接一个支撑柱位于安装空间内部的一端，支撑柱位于安装空间外部的一端连接晶体引脚，由此，通过支撑柱和晶体引脚将晶片表面的导线与外部电路连接，在外部电路中给所述导线通电流后，导线发热即可实现对晶片的加热。本发明所述的恒温晶体振荡器不需要在晶体振荡器内部装配额外的晶片加热部件，只需要在晶片的表面一次性设置导线即可完成对晶片的加热，并且由于导线直接接触地加热晶片，不会造成加热功耗的浪费，能整体上降低晶片的加热功耗。
【IPC分类】H03H9/19, H03H9/08
【公开号】CN105024667
【申请号】CN201510451927
【发明人】王义锋, 刘朝胜
【申请人】广东大普通信技术有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年7月27日