。
[0047]需要说明的是，由于铂金导线的电阻与其长度和截面积密切相关，因此不同长度不同截面积的铂金导线，其“阻值一温度”对应关系不同。
[0048]本实施例将铂金导线直接设置在晶片上，可实现对晶片的直接加热和对晶片本身的精确测温；同时不需要在恒温晶体振荡器内部装配其他加热测温辅助部件，使得恒温晶体振荡器的装配简单易于制造。
[0049]实施例三
[0050]本实施例中，测温器件为热敏电阻。
[0051]参见图3，一种直接测温式恒温晶体振荡器，包括上盖1、基座2以及晶片3，所述上盖I与所述基座2相扣合形成所述晶片3的安装空间，所述基座2上设置有至少两个贯穿所述基座2的支撑柱4，所述支撑柱4位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片3，所述支撑柱4位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚5，所述晶片3的表面设置有测温器件6，所述测温器件6为热敏电阻6，所述热敏电阻6的两端各连接一个支撑柱4位于所述安装空间内部的一端。
[0052]所述热敏电阻6可位于所述晶片上表面32或者所述晶片下表面31，本发明对此不作限制。
[0053]热敏电阻是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器(PTC)和负温度系数热敏电阻器(NTC)。热敏电阻的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值，即热敏电阻有“阻值-温度”的对应关系。以下提出两种测量热敏电阻阻值的方法，从而获得热敏电阻当前所测量的晶片的温度。
[0054]1、如图5所示，热敏电阻RT —端连接的晶体引脚接地，热敏电阻RT另一端连接的晶体引脚连接电阻Rl的一端，电阻Rl的另一端接电压VCC ;其中，电压VCC已知，电阻Rl已知。图中，电压测量处A的电压可测得，假定测得电压测量处A的电压为V，则VCC/(R1+RT)=V/RT ;关系式VCC/(R1+RT) = V/RT中，VCC已知、Rl已知、V已知，可得到热敏电阻RT的阻值。
[0055]热敏电阻RT有“阻值-温度”的对应关系，热敏电阻RT的阻值已得到，那么可获得热敏电阻RT当前的温度；热敏电阻RT设置在晶片上，热敏电阻RT当前的温度即为晶片当前的温度。
[0056]2、如图6所示，电容Cl和热敏电阻RT如图所示连接，图中电容Cl的大小已知，在A端加电压给Cl充电，在给Cl充电的过程中，B端的电压随时间的延长会越来越高，直到Cl充满。通过电阻电容充放电的原理可推算出热敏电阻RT的阻值大小。例如，在A端加电压给Cl充电，充电t时间，取B端电压为Vt，热敏电阻RT的大小可由计算公式t =RT*C*Ln[(Vl-VO)/(Vl-Vt)]计算得到，其中，C为电容Cl的容值大小，Vl为充电时A端加的电压，VO为充电开始时电容Cl上的初始电压值，Vt为t时刻电容Cl上的电压值。
[0057]3、在以上公式中，t、C、V1、V0、Vt均已知，求R即可，即图6中的RT。
[0058]热敏电阻RT有“阻值-温度”的对应关系，热敏电阻RT的阻值已得到，那么可获得热敏电阻RT当前的温度；热敏电阻RT设置在晶片上，热敏电阻RT当前的温度即为晶片当前的温度。
[0059]本发明将热敏电阻直接设置在晶片上，实现对晶片本身的精确测温；同时不需要在恒温晶体振荡器内部装配别的测温辅助部件，使得恒温晶体振荡器的装配简单易于制造。
[0060]实施例四
[0061 ] 本实施例中，测温器件为数字温度传感器。
[0062]参见图3，一种直接测温式恒温晶体振荡器，包括上盖1、基座2以及晶片3，所述上盖I与所述基座2相扣合形成所述晶片3的安装空间，所述基座2上设置有至少两个贯穿所述基座2的支撑柱4，所述支撑柱4位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片3，所述支撑柱4位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚5，所述晶片3的表面设置有测温器件6，所述测温器件6为数字温度传感器6，所述数字温度传感器6的引脚各连接一个支撑柱4位于所述安装空间内部的一端。
[0063]数字温度传感器6可位于所述晶片上表面32或者所述晶片下表面31，本发明对此不作限制。
[0064]本实施例以DS1820型号的数字温度传感器为例进行说明。DS1820型号的数字温度传感器有三个引脚:接地引脚、电源引脚和信号引脚。在晶片3的表面设置DS1820型号的数字温度传感器6，所述DS1820型号的数字温度传感器6的三个引脚各连接一个支撑柱4位于所述安装空间内部的一端，即DS1820型号的数字温度传感器6的三个引脚分别通过三个不同的支撑柱4连接三个晶体引脚5，这三个晶体引脚5分别对应DS1820型号的数字温度传感器6的三个引脚。通过三个晶体引脚5可将DS1820接入外部电路，DS1820工作即可获得晶片3的温度。
[0065]数字温度传感器与传统的热敏电阻有所不同的是，使用集成芯片，采用单总线技术，其能够有效的减小外界的干扰，提高测量的精度，同时，它可以直接将被测温度转化成串行数字信号供微机处理，接口简单，使数据传输和处理简单化。
[0066]本发明将数字温度传感器直接设置在晶片上，实现对晶片本身的精确测温；同时不需要在恒温晶体振荡器内部装配别的测温辅助部件，使得恒温晶体振荡器的装配简单易于制造。
[0067]实施例五
[0068]恒温晶体振荡器的核心在于控温，控温包含两方面的内容:给晶片加热和测量晶片的温度。本发明一个对晶片同时加热和测温的实施例:在晶片上表面上设置加热导线，在晶片下表面上设置测温器件，同时实现对晶片的加热和测温。
[0069]参见图7，一种直接测温式恒温晶体振荡器，包括上盖1、基座2以及晶片3，所述上盖I与所述基座2相扣合形成所述晶片3的安装空间，所述基座2上设置有至少两个贯穿所述基座2的支撑柱4，所述支撑柱4位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片3，所述支撑柱4位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚5，所述晶片3的上表面设置有导线7，所述导线7的两端各连接一个所述支撑柱4位于所述安装空间内部的一端，所述晶片3的下表面设置有测温器件6，所述测温器件6与所述支撑柱4位于所述安装空间内部的一端电连接，与所述导线7连接的支撑柱和与所述测温器件6电连接的支撑柱为不同支撑柱。
[0070]导线7接入外部电路，可对晶片3加热；测温器件6接入外部电路，可实现对晶片3的测温。
[0071]为达到较好的加热效果，可并联两根导线7。两根导线的并联结构为:所述导线为两根，所述两根导线均具有导线第一端以及远离所述导线第一端的导线第二端，所述两根导线的导线第一端连接同一支撑柱位于所述安装空间内部的一端，所述两根导线的导线第二端连接不同于所述导线第一端连接的支撑柱位于所述安装空间内的一端。
[0072]综上，本发明将测温器件直接设置在晶片上，实现对晶片本身的精确测温；同时不需要在恒温晶体振荡器内部装配别的测温辅助部件，使得恒温晶体振荡器的装配简单易于制造。
[0073]以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，包括上盖、基座以及晶片，所述上盖与所述基座相扣合形成所述晶片的安装空间，所述基座上设置有至少两个贯穿所述基座的支撑柱，所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端连接并支撑所述晶片，所述支撑柱位于所述安装空间外部的一端连接晶体引脚，所述晶片的表面设置有测温器件，所述测温器件与所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端电连接。2.根据权利要求1所述的一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面，所述测温器件位于所述晶片上表面。3.根据权利要求1所述的一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述晶片具有靠近所述基座的晶片下表面以及远离所述基座的晶片上表面，所述测温器件位于所述晶片下表面。4.根据权利要求2或3所述的一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述测温器件为铂金导线，所述铂金导线的两端各连接一个支撑柱位于所述安装空间内部的一端。5.根据权利要求2或3所述的一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述测温器件为热敏电阻，所述热敏电阻的两端各连接一个支撑柱位于所述安装空间内部的一端。6.根据权利要求2或3所述的一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述测温器件为数字温度传感器，所述数字温度传感器的引脚各连接一个支撑柱位于所述安装空间内部的一端。7.根据权利要求1至3任一项所述的一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述晶片的表面还设置有导线，所述导线的两端各连接一个所述支撑柱位于所述安装空间内部的一端，与所述导线连接的支撑柱和与所述测温器件连接的支撑柱为不同支撑柱。8.根据权利要求7所述的一种直接测温式恒温晶体振荡器，其特征在于，所述导线为两根，两根所述导线均具有导线第一端以及远离所述导线第一端的导线第二端，两根所述导线的导线第一端连接一个支撑柱位于所述安装空间内部的一端，两根所述导线的导线第二端连接另一个支撑柱位于所述安装空间内的一端。
【专利摘要】本发明属于石英晶体振荡器技术领域，尤其涉及一种直接测温式恒温晶体振荡器。本发明所述的直接测温式恒温晶体振荡器不需要在晶体振荡器内部装配晶片测温的额外部件，而是将测温器件设置在晶片的表面上以对晶片本身的温度直接测温，从而实现对晶片本身的精确测温。本发明所述的恒温晶体振荡器结构简单、易于生产制造，直接对晶片本身测温使得测温更精确。
【IPC分类】H03H9/19, H03H9/08
【公开号】CN105024668
【申请号】CN201510447954
【发明人】王义锋, 刘朝胜
【申请人】广东大普通信技术有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年7月27日