一种板面不平整pcb板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及PCB制作领域，尤其涉及一种板面不平整PCB板的制作方法。
【背景技术】
[0002]干膜是一种感光抗蚀层，在受到紫外光线照射后，感光部分产生聚合反应稳定的附着在PCB板面，未感光部分通过药水冲洗掉，形成阻挡电镀和蚀刻的抗蚀层。
[0003]正常的PCB板面应是平整的，但有些板面，因为在前工序制作时，搬运、操作、压合，甚至电镀都可能导致板面有凹坑凹痕的问题。当有严重凹坑凹痕的PCB贴抗蚀层干膜时，会出现贴不紧，显影后出现甩膜，继而线路、孔、PAD及铜面在凹坑凹痕处蚀刻后出现缺口，开路的现象。
[0004]当制作精密线路的PCB时，由于细密线路无法修补，所以凹坑凹痕问题产生的开路都会导致很高的报废率，严重影响PCB厂商的品质控制及生产效益问题。
[0005]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0006]鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种板面不平整PCB板的制作方法，旨在解决板面不平整的PCB出现缺口及开路等问题。
[0007]本发明的技术方案如下:
一种板面不平整PCB板的制作方法，其中，包括步骤:
A、在制作至全板电镀的PCB板上均匀涂覆湿膜，使PCB板上的凹坑及凹痕被填满；
B、对涂覆湿膜的PCB板进行烘烤使湿膜干燥；
C、利用贴膜机在湿膜上热压一层干膜；
D、将PCB板静置一段时间，然后利用曝光机的紫外光线使湿膜及干膜产生聚合反应，从而将图形转移到PCB板；
E、曝光后的PCB板静置一段时间，然后利用碱性显影药水将未被曝光聚合的干膜及湿膜显影掉，使已曝光聚合的干膜及湿膜留在板面上从而形成线路。
[0008]所述的板面不平整PCB板的制作方法，其中，所述步骤E之后还包括:
F、对PCB板进行镀铜、锡处理。
[0009]所述的板面不平整PCB板的制作方法，其中，所述步骤F之后还包括:
G、利用碱性蚀刻药水将干膜及湿膜下的无用铜蚀刻掉，再退掉锡。
[0010]所述的板面不平整PCB板的制作方法，其中，所述步骤B中，烘烤时间为lOmin。
[0011]所述的板面不平整PCB板的制作方法，其中，所述步骤D中，静置时间为15min。
[0012]所述的板面不平整PCB板的制作方法，其中，所述步骤E中，静置时间为15min。
[0013]有益效果:本发明通过填充PCB板的凹坑凹痕，掩盖非导通孔，解决了板面不平整PCB板在贴抗蚀层干膜时，显影后出现甩膜，继而线路、孔、PAD及铜面在凹坑处蚀刻后出现缺口，开路的问题。本发明的方法适用于所有厚度尺寸的凹坑凹痕的铜面，或者基材以及中间有裸空，芯板凹陷的PCB板，提升制作良率。
【附图说明】
[0014]图1为本发明一种板面不平整PCB板的制作方法较佳实施例的流程图。
[0015]图2至图4为采用本发明制作方法不同状态时的结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]本发明提供一种板面不平整PCB板的制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0017]请参阅图1，图1为本发明一种板面不平整PCB板的制作方法较佳实施例的流程图，其中，包括步骤:
51、在制作至全板电镀的PCB板上均匀涂覆湿膜，使PCB板上的凹坑及凹痕被填满；
52、对涂覆湿膜的PCB板进行烘烤使湿膜干燥；
53、利用贴膜机在湿膜上热压一层干膜；
54、将PCB板静置一段时间，然后利用曝光机的紫外光线使湿膜及干膜产生聚合反应，从而将图形转移到PCB板；
55、曝光后的PCB板静置一段时间，然后利用碱性显影药水将未被曝光聚合的干膜及湿膜显影掉，使已曝光聚合的干膜及湿膜留在板面上从而形成线路。
[0018]本发明是先利用湿膜流动性好的特点，将凹坑凹痕处填充，再在湿膜上面盖一层干膜来掩孔。然后紫外曝光，从而将图形转移到PCB板，最后进行显影，本发明既能填充凹坑凹痕，又能掩盖非导通孔，是一种非常好的解决PCB板面有凹坑凹痕时线路图形制作困难的方法，可以有效解决板面有凹坑凹痕板线路贴膜贴不紧导致的线路开路问题，提升制作良率。
[0019]具体的，先按工程设计的尺寸规格进行开料，烤板；将准备好的基板，按照正常流程制作至全板电镀；如图2所示，先在PCB板(包括基材100和铜面200)上均匀涂覆湿膜300，具体是在具有凹坑凹痕的铜面200上涂敷湿膜300，可采用涂布机进行表面涂覆，湿膜300的厚度控制在5-15 μ m左右，例如为10 μ m，保证凹坑凹痕被填满。
[0020]湿膜的主要成分是:70份丙烯酸不饱和聚酯、12份安息香二甲醚、3份钛白粉、2份滑石粉、2.5份立德粉、9份羟丙基甲基纤维素、7份丙烯酸甲酯、9份聚丙烯酸酯、12份酞青绿、18份苯偶酰二甲基缩铜。
[0021 ] 然后对涂覆湿膜300的PCB板进行烘烤使湿膜300干燥，烘烤温度可以是150度，烘烤1min使其干燥。
[0022]如图3所示，再利用贴膜机在湿膜上热压一层干膜400 (感光干膜)，以掩盖不需要导通的孔；干膜的厚度优选为30~40 μ m，例如35 μ m。
[0023]干膜从上至下分为三层:聚酯膜、光致抗蚀层、聚乙烯膜。
[0024]然后将压好干膜的PCB板静置一段时间，具体的静置时间可以是15min，可以在室温下静置，例如25度。
[0025]再利用曝光机的紫外光线使湿膜及干膜产生聚合反应，从而将图形转移到PCB板；透光处产生聚合反应附着在板面上，遮光处未聚合。
[0026]如图4所示，曝光后的PCB板静置15min后，利用碱性显影药水将未被曝光聚合的干膜及湿膜显影掉，已曝光聚合的干膜及湿膜则留在板面上从而形成线路；碱性显影药水配方可以是:温水(35度)750ml、米吐尔3.5g、无水也硫酸钠45g、对苯二酸12g、无水碳酸钠45g、溴化钾2g，加冷水至1000ml。显影时的喷淋压力为2.5kg/cm2。
[0027]在PCB板的凹坑凹痕处，因有干膜和湿膜两层抗蚀层，显影时可调整显影参数或显影两次，但同时也要注意防止显影过度的情况出现。
[0028]将以上确认没有问题的PCB板进行镀铜及镀锡处理，使裸露铜的线路铜面处加厚铜及镀上一层抗蚀层锡；
然后利用碱性蚀刻药水将干膜及湿膜下的无用铜蚀刻掉，再退掉锡，即完成了 PCB的图形制作，形成了线路图形。蚀刻温度为40~50°C，例如45°C，温度过高时，蚀刻速率增大，但册13的挥发量也大大增加，导致污染环境，且化学组分比例失调。碱性蚀刻药水中的Cu 2+的浓度为150g/L，较佳为510g/L，浓度过低，蚀刻时间长，浓度过高，溶液不稳定，容易产生沉淀，本发明优选的浓度蚀刻速率高且溶液稳定。NH4Cl的含量在150g/l，其浓度过低，蚀刻速率下降，以致于失去蚀刻能力，含量过高，会引起抗蚀层被侵蚀。pH为8.0~8.8之间，较佳为8.5，pH下降时，对金属抗蚀层不利，且铜不能完全络合成铜氨络离子，形成泥状沉淀，pH过高，则氨过饱和，释放到大气中，导致环境污染。
[0029]综上所述，本发明通过填充PCB板的凹坑凹痕，掩盖非导通孔，解决了板面不平整PCB板在贴抗蚀层干膜时，显影后出现甩膜，继而线路、孔、PAD及铜面在凹坑处蚀刻后出现缺口，开路的问题。本发明的方法适用于所有厚度尺寸的凹坑凹痕的铜面，或者基材以及中间有裸空，芯板凹陷的PCB板，提升制作良率。
[0030]应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种板面不平整PCB板的制作方法，其特征在于，包括步骤: A、在制作至全板电镀的PCB板上均匀涂覆湿膜，使PCB板上的凹坑及凹痕被填满； B、对涂覆湿膜的PCB板进行烘烤使湿膜干燥； C、利用贴膜机在湿膜上热压一层干膜； D、将PCB板静置一段时间，然后利用曝光机的紫外光线使湿膜及干膜产生聚合反应，从而将图形转移到PCB板； E、曝光后的PCB板静置一段时间，然后利用碱性显影药水将未被曝光聚合的干膜及湿膜显影掉，使已曝光聚合的干膜及湿膜留在板面上从而形成线路。2.根据权利要求1所述的板面不平整PCB板的制作方法，其特征在于，所述步骤E之后还包括: F、对PCB板进行镀铜、锡处理。3.根据权利要求1所述的板面不平整PCB板的制作方法，其特征在于，所述步骤F之后还包括: G、利用碱性蚀刻药水将干膜及湿膜下的无用铜蚀刻掉，再退掉锡。4.根据权利要求1所述的板面不平整PCB板的制作方法，其特征在于，所述步骤B中，烘烤时间为1min。5.根据权利要求1所述的板面不平整PCB板的制作方法，其特征在于，所述步骤D中，静置时间为15min。6.根据权利要求1所述的板面不平整PCB板的制作方法，其特征在于，所述步骤E中，静置时间为15min。
【专利摘要】本发明公开一种板面不平整PCB板的制作方法，其包括步骤：A、在制作至全板电镀的PCB板上均匀涂覆湿膜，使PCB板上的凹坑及凹痕被填满；B、对涂覆湿膜的PCB板进行烘烤使湿膜干燥；C、利用贴膜机在湿膜上热压一层干膜；D、将PCB板静置一段时间，然后利用曝光机的紫外光线使湿膜及干膜产生聚合反应，从而将图形转移到PCB板；E、曝光后的PCB板静置一段时间，然后利用碱性显影药水将未被曝光聚合的干膜及湿膜显影掉，使已曝光聚合的干膜及湿膜留在板面上从而形成线路。本发明解决了板面不平整PCB板蚀刻后出现缺口，开路的问题。本发明的方法提升制作良率。
【IPC分类】H05K3/00
【公开号】CN105142345
【申请号】CN201510469804
【发明人】张霞, 王俊, 曾平
【申请人】深圳市景旺电子股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月4日