一种逐比特控制的突发自动增益控制电路的制作方法_2

文档序号:9455537阅读:来源:国知局
具体实施方式】对本发明做进一步说明。
[0030]实施例1
[0031 ] 一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,包括:
[0032]一跨阻放大器,本实施例中,该放大器为共源共栅正向放大器。需要说明的是,本发明的技术思路可以适用于各种放大器中,并不局限于本实施例中。所述放大器包括第一MOS管ml和第二 MOS管m2 ;第一 MOS管ml的漏极和第二 MOS管m2的源极连接、栅极与输入电源连接、漏极接地;第二 MOS管的漏极通过反馈电阻Rl与第一 MOS管ml的栅极连接。
[0033]反馈电阻R1,其两端分别与放大器的输入端和输出端连接;
[0034]限幅二极管Dl,其阳极与第一 MOS管ml的栅极连接,阴极与第二 MOS管m2的漏极连接。
[0035]当输入电源增加时,反馈电阻Rl两端产生的压降也随之增加,当压降增加到足以使所述限幅二极管Dl导通时,所述二极管Dl正向导通,部分输入电源从二极管Dl中流过,从而减小了反馈电阻Rl中流过的电流。避免了在输入电流较大时,反馈电阻Rl中的电流过大而产生的过大的脉冲失真,拓宽了动态范围,实现了自动增益的效果。上述的自动增益控制电路去掉了传统突发自动增益控制电路中的低通滤波环节,从而避免收敛时间的影响,实现超快速无延时的增益控制。
[0036]实施例2
[0037]一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,包括:
[0038]一跨阻放大器,本实施例中,该放大器为共源共栅正向放大器。需要说明的是,本发明的技术思路可以适用于各种放大器中,并不局限于本实施例中。所述放大器包括第一MOS管ml和第二 MOS管m2 ;第一 MOS管ml的漏极和第二 MOS管m2的源极连接、栅极与输入电源连接、漏极接地;第二 MOS管的漏极通过反馈电阻Rl与第一 MOS管ml的栅极连接。
[0039]反馈电阻R1,其两端分别与放大器的输入端和输出端连接;
[0040]二极管连接形式的第三MOS管m3,其漏极与栅极连接后与与第一 MOS管ml的栅极连接,源极与第二 MOS管m2的漏极连接。
[0041]当输入电源增加时,反馈电阻Rl两端产生的压降也随之增加,当压降增加到足以使所述第三MOS管m3的栅极和源极导通时,所述第三MOS管m3,部分输入电源从第三MOS管m3的栅极流向源极中流过,从而减小了反馈电阻Rl中流过的电流。避免了在输入电流较大时,反馈电阻Rl中的电流过大而产生的过大的脉冲失真,拓宽了动态范围,实现了自动增益的效果。上述的自动增益控制电路去掉了传统突发自动增益控制电路中的低通滤波环节,从而避免收敛时间的影响,实现超快速无延时的增益控制。
[0042]实施例3
[0043]一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,包括:
[0044]一跨阻放大器,本实施例中,该放大器为共源共栅正向放大器。需要说明的是,本发明的技术思路可以适用于各种放大器中,并不局限于本实施例中。所述放大器包括第一MOS管ml和第二 MOS管m2 ;第一 MOS管ml的漏极和第二 MOS管m2的源极连接、栅极与输入电源连接、漏极接地;第二 MOS管的漏极通过反馈电阻Rl与第一 MOS管ml的栅极连接。
[0045]反馈电阻R1,其两端分别与放大器的输入端和输出端连接;
[0046]压空电流源m0,其漏极与输入电流连接,栅极与与第二MOS管m2的漏极连接,漏极接地。
[0047]当无电流输入时,压空电流源mO的源极与栅极的点位相等,压空电流源mO处于关断状态;当输入电源增加时,压空电流源mO的源极电压逐渐升高,栅极电压逐渐降低,最终使得压空电流源mO导通,分流部输入电流,从而减小了反馈电阻Rl中流过的电流。避免了在输入电流较大时,反馈电阻Rl中的电流过大而产生的过大的脉冲失真,拓宽了动态范围,实现了自动增益的效果。上述的自动增益控制电路去掉了传统突发自动增益控制电路中的低通滤波环节,从而避免收敛时间的影响,实现超快速无延时的增益控制。
[0048]以上所述,仅为本发明较佳实施例,不以此限定本发明实施的范围,依本发明的技术方案及说明书内容所作的等效变化与修饰,皆应属于本发明涵盖的范围。
【主权项】
1.一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,其特征在于包括: 反馈电阻R1,其两端分别与放大器的输入端和输出端连接; 分流元件,所述分流元件随着放大器输入端输入电流的增加而导通,使得部分输入电流从所述分流元件流过。2.根据权利要求1所述的一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,其特征在于:所述分流元件为限幅元件,与所述反馈电阻Rl并联。3.根据权利要求1所述的一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,其特征在于:所述分流元件为限流元件,与放大器的输入端并联。4.根据权利要求1所述的一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,其特征在于:所述放大器为共源共栅正向放大器,其包括第一 MOS管ml和第二 MOS管m2 ;第一 MOS管ml的漏极和第二 MOS管m2的源极连接、栅极与输入电源连接、漏极接地;第二 MOS管的漏极通过反馈电阻Rl与第一 MOS管ml的栅极连接。5.根据权利要求4所述的一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,其特征在于:所述分流元件为限幅二极管Dl,其阳极与第一 MOS管ml的栅极连接,阴极与第二 MOS管m2的漏极连接。6.根据权利要求4所述的一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,其特征在于:所述分流元件为采用二极管连接形式的第三MOS管m3,其漏极与栅极连接后与与第一 MOS管ml的栅极连接,源极与第二 MOS管m2的漏极连接。7.根据权利要求4所述的一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,其特征在于:所述分流元件为压空电流源m0,其漏极与输入电流连接,栅极与与第二MOS管m2的漏极连接,漏极接地。
【专利摘要】本发明提供了一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,包括:反馈电阻R1,其两端分别与放大器的输入端和输出端连接;分流元件,所述分流元件随着放大器输入端输入电流的增加而导通,使得部分输入电流从所述分流元件流过。本发明提供了一种逐比特控制的突发自动增益控制电路,去掉了传统突发自动增益控制电路中的低通滤波环节,从而避免收敛时间的影响,实现超快速无延时的增益控制。
【IPC分类】H03G3/20
【公开号】CN105207634
【申请号】CN201510598674
【发明人】林少衡
【申请人】厦门优迅高速芯片有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月18日
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