一种半加成法线铜面针孔的制作方式的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种针孔的制作方式，尤其涉及一种半加成法线铜面针孔的制作方 式。
【背景技术】
[0002] 在印制板制造工艺中，加成法是指在没有覆铜箱的胶板上印制电路后，以化学镀 铜的方法在胶板上镀出铜线路图形，形成以化学镀铜层为线路的印制板。由于线路是后来 加到印制板上去的，所以叫做加成法。加成法对化学镀铜的要求很高，对镀铜与基体的结合 力要求也很严格，这种工艺的优点是工艺简单，不用覆铜板（材料成本较低），不担心电镀 分散能力的问题（完全是采用化学镀铜），因此这种工艺大量用于制造廉价的双面板。
[0003] 半加成法是采用覆铜板制作印制线路板，其中线路的形成是用减成法，即用正像 图形保护线路，而让非线路部分的铜层被减除。再用加成法让通孔中形成铜连接层，将双层 或多层板之间的线路连接起来，这是大部分线路板的主要制作方法。由于只是孔金属化采 用的是加成法，所以叫半加成法。
[0004] 目前，印制线路板情况大致如下：1.使用材料：市场常用双面或多层覆铜板；2.线 路范围：小于50μπι精细线路；3.使用范围：半加成法制作超细线路；4.缺点：镀铜针孔，减 铜过程中导致漏铜。
【发明内容】
[0005] 为避免上述已有技术中存在的不足之处，本发明提供一种半加成法线铜面针孔的 制作方式，其能避免漏基材导致铜面不能上铜的情况发生。
[0006] 本发明是通过以下技术方案实现的：一种半加成法线铜面针孔的制作方式，其包 括以下步骤：激光钻孔、黑孔、电镀填孔、减薄铜、光致前处理、贴膜、曝光、显影、图形电镀、 剥膜、去基材铜；其中：所述制作方式还包括等离子、沉铜两个步骤；所述制作方式的步骤 依次为：激光钻孔、黑孔、电镀填孔、减薄铜、等离子、沉铜、光致前处理、贴膜、曝光、显影、图 形电镀、剥膜、去基材铜。
[0007] 作为上述方案的进一步改进，所述沉铜这个步骤包括以下工序：膨松、中和、整孔、 微蚀、预浸、活化、速化、化学铜。
[0008] 优选地，膨松工序：采用膨松剂。
[0009] 优选地，中和工序：采用中和剂，中和清除除胶渣后的残液，并除去孔内及版面上 残留下之高价锰。
[0010] 优选地，整孔工序：清洁孔壁表面并调整相应表面的电荷。
[0011] 优选地，微蚀工序：采用微蚀剂，蚀刻孔壁内层及板面的铜层。
[0012] 优选地，预浸工序：采用预浸剂，调整铜面及保护活化槽液。
[0013] 优选地，活化工序：采用活化剂，为一胶体状的锡化钯。
[0014] 优选地，加速工序：采用加速剂，将锡化钯胶体上过多的锡除去，使催化钯金属外 露。
[0015] 优选地，化学铜工序：通过催化钯之作用，使在孔壁及铜面沉积一层细致的铜层为 电镀加厚铜提供导电基体；所述化学铜采用包含以下成分的化学药水：8~10g/L的氢氧化 钠、4~6g/L的甲醛、大于0.05M〇1/L的络合剂、2.0~2.4g/L铜，并以12~15μ^ ^的 沉积速率、温度为28~32°C、时间为12~15min的条件下进行化学铜这工序。
[0016] 本发明的半加成法线铜面针孔的制作方式，能克服现有技术的缺陷（漏聚酰亚胺 (PI)的表面没有铜，图形电镀过程不能导电，表面不可能发生电镀过程，导致漏镀），本发 明增加等离子、沉铜两个步骤后，这样形成的沉铜层，在后续电镀过程中，铜离子会在沉铜 层上堆积，能避免漏基材导致铜面不能上铜的情况发生，因而不会发生漏镀。
【附图说明】
[0017] 图1为本发明较佳实施例提供的半加成法线铜面针孔的制作方式的沉铜的流程 示意图。
【具体实施方式】
[0018] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施实例，对本发 明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用 于限定本发明。
[0019] 本发明的半加成法线铜面针孔的制作方式包括以下步骤：激光钻孔一一黑孔一一 电镀填孔一一减薄铜一一等离子一一沉铜一一光致前处理一一贴膜一一曝光一一显 影一一图形电镀一一剥膜一一去基材铜。本发明最大的亮点在于：增加特设的等离子、沉铜 两个步骤，从而本发明能克服现有技术的缺陷（漏PI的表面没有铜，图形电镀过程不能导 电，表面不可能发生电镀过程，导致漏镀），本发明增加等离子、沉铜两个步骤后，这样形成 的沉铜层，在后续电镀过程中，铜离子会在沉铜层上堆积，能避免漏基材导致铜面不能上铜 的情况发生，因而不会发生漏镀。尤其是沉铜这个步骤采用了非常规的方式、特殊的药水配 方。
[0020] 请参阅图1，所述沉铜包括以下步骤：膨松一一中和一一整孔一一微蚀一一预 浸一一活化剂一一速化剂一一化学铜，下面对每个步骤进行详细介绍。
[0021 ] 膨松工序：采用膨松剂，膨松及软化基材使易于被ΚΜη04咬蚀。
[0022] 中和工序：采用中和剂，中和清除除胶渣后的残液，并除去孔内及版面上残留下之 高价锰，确保孔壁为最佳状态。
[0023] 整孔工序：清洁孔壁表面并调整其电荷，使催化剂易于吸附。
[0024] 微蚀工序：采用微蚀剂SPS，蚀刻孔壁内层及板面的铜层，增强电镀铜层与基材铜 层的结合力。
[0025] 预浸工序：采用预浸剂，调整铜面及保护活化槽液。
[0026] 活化工序：采用活化剂，为一胶体状的锡化钯，可以使没有导电性能的表面具有金 属导电性能及催化化学铜反应。
[0027] 加速工序：采用加速剂，将锡钯胶体上过多的锡除去，使催化钯金属外露，强固底 材与化学铜电镀皮膜间的密着力。
[0028] 化学铜工序：通过催化钯之作用，使在孔壁及铜面沉积一层细致的铜层为电镀加 厚铜提供导电基体。
[0029] 化学铜工序采用特殊的药水配方采，从而基本能杜绝漏基材导致铜面不能上铜的 情况发生。化学铜工序采用包含以下成分的化学药水：8~10g/L的氢氧化钠、4~6g/L的 甲醛、大于〇.〇5Mol/L的络合剂、2.0~2.4g/L铜，并以12~15μ''的沉积速率、温度为 28~32°C、时间为12~15min的条件下进行化学铜这工序，如表1所示。
[0030] 表1药水配方
[0031]
[0032] 本发明进行了分批试验，共分5个批次，每个批次的温度均为30度左右，误差不超 过〇. 5度，时间均为13分钟，误差不超过0. 05秒。每个批次的试验数量为10次，第1批次， 氢氧化钠控制范围相同，其余控制范围均不同，但都处于理想的控制范围内；第2批次，甲 醛控制范围相同，其余控制范围均不同，但都处于理想的控制范围内；第3批次，络合剂控 制范围相同，其余控制范围均不同，但都处于理想的控制范围内；第4批次，铜控制范围相 同，其余控制范围均不同，但都处于理想的控制范围内；第5批次，沉积速率控制范围相同， 其余控制范围均不同，但都处于理想的控制范围内。试验表明，按照本发明制作方式制成的 铜面针孔，基本能杜绝漏基材导致铜面不能上铜的情况发生，效果非常不错。
[0033] 以上内容是结合具体的实施例对本发明所作的详细说明，不能认定本发明具体实 施仅限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前 提下，还可以做出若干简单替换和变更，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确 定的发明保护范围。
【主权项】
1. 一种半加成法线铜面针孔的制作方式，其包括以下步骤：激光钻孔、黑孔、电镀填 孔、减薄铜、光致前处理、贴膜、曝光、显影、图形电镀、剥膜、去基材铜；其特征在于：所述制 作方式还包括等离子、沉铜两个步骤；所述制作方式的步骤依次为：激光钻孔、黑孔、电镀 填孔、减薄铜、等离子、沉铜、光致前处理、贴膜、曝光、显影、图形电镀、剥膜、去基材铜。2. 根据权利要求1所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：所述沉铜这 个步骤包括以下工序：膨松、中和、整孔、微蚀、预浸、活化、速化、化学铜。3. 根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：膨松工序：采 用膨松剂。4. 根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：中和工序：采 用中和剂，中和清除除胶渣后的残液，并除去孔内及版面上残留下之高价锰。5. 根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：整孔工序：清 洁孔壁表面并调整相应表面的电荷。6. 根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：微蚀工序：采 用微蚀剂，蚀刻孔壁内层及板面的铜层。7. 根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：预浸工序：采 用预浸剂，调整铜面及保护活化槽液。8. 根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：活化工序：采 用活化剂，为一胶体状的锡化钯。9. 根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：加速工序：采 用加速剂，将锡化钯胶体上过多的锡除去，使催化钯金属外露。10.根据权利要求2所述的半加成法线铜面针孔的制作方式，其特征在于：化学铜工 序：通过催化钯之作用，使在孔壁及铜面沉积一层细致的铜层为电镀加厚铜提供导电基体； 所述化学铜采用包含以下成分的化学药水：8~10g/L的氢氧化钠、4~6g/L的甲醛、大于 0. 05M〇1/L的络合剂、2.0~2. 4g/L铜，并以12~15μ"的沉积速率、温度为28~32°C、 时间为12~15min的条件下进行化学铜这工序。
【专利摘要】本发明公开了一种半加成法线铜面针孔的制作方式，其包括以下步骤：激光钻孔、黑孔、电镀填孔、减薄铜、等离子、沉铜、光致前处理、贴膜、曝光、显影、图形电镀、剥膜、去基材铜。本发明的半加成法线铜面针孔的制作方式，能克服现有技术的缺陷(漏PI的表面没有铜，图形电镀过程不能导电，表面不可能发生电镀过程，导致漏镀)，本发明增加等离子、沉铜两个步骤后，这样形成的沉铜层，在后续电镀过程中，铜离子会在沉铜层上堆积，能避免漏基材导致铜面不能上铜的情况发生，因而不会发生漏镀。
【IPC分类】H05K3/10
【公开号】CN105307407
【申请号】CN201510695296
【发明人】柴志强, 刘燕
【申请人】安捷利电子科技（苏州）有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年10月22日