高频传输线路、天线以及电子电路基板的制作方法

文档序号:9548812阅读:394来源:国知局
高频传输线路、天线以及电子电路基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及高频传输线路、天线W及电子电路基板。
【背景技术】
[0002] 为了传输电信号的传输线路被设置于电子元件。在近年来的高度信息化时代,传 输线路所传输的交流电信号的频带向高频带移动。例如,便携式信息末端上的通信频带从 数百[MHz]到数[GHz]。在传输像运样的高频带的交流电信号的高频传输线路中被要求提 高其电导率并且要减少传输损耗。
[0003] 另外,由伴随于电子元件小型化的高频传输线路的细线化而高频传输线路的截面 积变小,并且高频传输线路的交流电阻变高。高频传输线路的交流电阻越高则在高频传输 线路上发生的焦耳热就变得越大。被焦耳热加热的高频传输线路容易发生断线(烙断)。 另外,提供给高频传输线路的功率越大则高频传输线路越容易断线。
[0004] 在W下所述专利文献1中公开有通过碳纳米管彼此在导体图形中形成网络从而 提高导体图形的电导率W及乃电压电流性。
[O(K)日]现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 :日本国际公开第W02011/062072号册子

【发明内容】

[0008] 然而,本发明人发现在由上述专利文献1所公开的导体图形来传输高频带的交流 电信号的情况下导体图形的交流电阻不会充分减小。另外,本发明人发现如果将大的功率 提供给由上述专利文献1所公开的导体图形的话则导体图形会发生断线。
[0009] 本发明就是借鉴了W上所述技术问题而做出的不懈努力之结果,其目的在于提供 一种交流电阻小并且难W断线的高频传输线路、具备该高频传输线路的天线W及电子电路 基板。
[0010] 本发明的一个侧面所设及的高频传输线路是一种传输交流电信号的高频传输线 路,包含金属W及碳纳米管,碳纳米管偏在于垂直于交流电信号传输方向的高频传输线路 的截面的中央部。
[0011] 在本发明的一个侧面所设及的高频传输线路中,中央部中的碳纳米管的含有率可 W是0.5~20体积%。
[0012] 本发明的一个侧面所设及的天线具备上述本发明的一个侧面所设及的高频传输 线路。
[0013] 本发明的一个侧面所设及的电子电路基板具备上述本发明的一个侧面所设及的 高频传输线路。
[0014] 根据本发明就能够提供一种交流电阻小并且难W断线的高频传输线路、具备该高 频传输线路的天线W及电子电路基板。
【附图说明】
[0015] 图1是本发明的一个实施方式所设及的电子电路基板的一部分W及高频传输线 路的模式图。
[0016] 图2(a)化及图2化)是垂直于交流电信号传输方向的方向上的图1的高频传输线 路的模式截面图。 阳017] 图3(a)、图3化)、图3(c)W及图3(d)是表示本发明的一个实施方式所设及的高 频传输线路的制造方法的示意图。
[0018] 图4是本发明其他实施方式所设及的高频传输线路的示意立体图。
[0019] 图5是表示由高频传输线路进行传输的交流电信号的频率F与各个频率F上的高 频传输线路的交流电阻R之间的关系的图表。
【具体实施方式】
[0020] W下是根据不同情况参照附图来就本发明的优选的实施方式进行说明。但是,本 发明丝毫不限定于W下所述实施方式。还有,在各个附图中将相同的符号标注于相同或者 同等的构成要素。
[0021] 如图1所示,本实施方式所设及的电子电路基板16具备高频传输线路2、基板 4。高频传输线路2是沿着基板4的表面被设置的。高频传输线路2传输交流电信号。图 1所表示的直线状的箭头朝向交流电信号的传输方向。交流电信号的频率F例如可W是 100 [MHz]~3. 0 [GHz]。高频传输线路2的两端部分别电连接于端子10。高频传输线路2 的形状为迂回曲折图形(meanderpattern)。高频传输线路2可W是天线(福射导体W及 吸收导体)。在高频传输线路2为天线的情况下,供电用的端子10被电连接于高频传输线 路2的一个端部,高频供电线路(没有图示)被电连接于供电用的端子10,高频供电线路 可W被接地。还有,高频传输线路2的形状并不限定于迂回曲折图形(meanderpattern)。 高频传输线路2例如既可W是直线状,也可W是曲线状。
[0022] 高频传输线路2整体的厚度并没有特别的限定,例如可W是3~50ym的程度。所 谓高频传输线路2整体的厚度是指在垂直于基板4表面的方向上的高频传输线路2整体的 宽度。在平行于基板4表面的方向上的高频传输线路2整体的宽度并没有特别的限定,例 如可W是10ym~30mm的程度。高频传输线路2的线路长并没有特别的限定,例如可W是 0. 1~IOOmm的程度。
[0023] 高频传输线路2包含金属W及碳纳米管。但是,高频传输线路2也可W包含除了 金属W及碳之外的其他元素。
[0024] 被包含于高频传输线路2的金属例如可W是选自铜、侣、银、金、白金、钮、铭、铁W 及粗当中的至少一种。包含于高频传输线路2的金属也可W是包含上述金属当中两种W上 的合金。在上述金属当中尤其是铜具有相对比较高的电导率,并且相对价廉。
[0025] 包含于高频传输线路2的碳纳米管并没有特别的限定。所谓碳纳米管例如是由W 圆筒状进行闭合的没有接缝的石墨片(graphenesheet)构成的。碳纳米管将构成管的层 (石墨片)数作为基准被分类成一层结构的单壁碳纳米管(SWCNT)、二层结构的双壁碳纳米 管值WCNT)、或者由S层W上构成的多层结构的多壁碳纳米管(MWCNT)。所谓MWCNT换言之 具有W圆筒状进行闭合的多层石墨片W嵌套状被层叠的结构。碳纳米管可W是选自SWCNT、DWCNT、MWCNT当中的至少一种。碳纳米管可W是直线状。碳纳米管也可W是弯曲的。在碳 纳米管的弯曲部分或者在碳纳米管截面的闭塞部分也可W存在由碳构成的六元环W外的 环(例如五元环或者屯元环)。碳纳米管被化学修饰,并且碳纳米管可W具有官能团。碳纳 米管例如是由光学蒸锻沉积法、催化剂气相沉积法、电弧放电法、或者激光蒸发法进行制造 的。 阳0%] 碳纳米管的直径(粗细)例如可W是!~50nm。碳纳米管的长度例如可W是100~ 250000nm。碳纳米管的纵横比例如可W是100~5000。所谓纵横比是指碳纳米管的长度 (nm)除W碳纳米管的直径(nm)的值。
[0027] 如图2a或者图化所示,在垂直于交流电信号传输方向的方向上的高频传输线路2 的截面具有周缘部8和中央部6。换言之,具有周缘部8和中央部6的截面的垂线(法线) 平行于交流电信号的传输方向。所谓周缘部8是高频传输线路2的一部分,并且是自高频 传输线路2表面的距离(深度)为SymW下的部分。周缘部8也可W是自高频传输线路2 表面的距离(深度)为2ymW下或者IymW下的部分。所谓中央部6是高频传输线路2 的一部分,并且是被周缘部8包围的部分。如图2a所示,中央部6也可W不完全被周缘部 8包围。中央部6没有被周缘部8包围的部分没有必要如图2a所示处于下面侧,例如既可 W处于侧面侧也可W处于顶面侧。如图化所示,中央部6也可W完全被周缘部8包围。还 有,周缘部8在交流电信号的传输方向上连续地进行延伸,被周缘部8包围的中央部6也在 交流电信号的传输方向上连续地进行延伸。
[0028] 在中央部6上偏在有多个碳纳米管。目P,多个碳纳米管偏在于在交流电信号的传 输方向上连续地进行延伸的中央部6内。
[0029] 在传输高频带的交流电信号的高频传输线路2上发生趋肤效应。所谓趋肤效应是 指在高频电信号(电流)流到高频传输线路2的时候电流密度在高频传输线路2的表面附 近变高,离表面越远就变得越低。在此,所谓高频传输线路2的表面附近是指例如从高频传 输线路2的表面往下的距离(深度)为SymW下、W下、或者IymW下的区域。如W 上所述周缘部8因为是从高频传输线路2的表面往下的距离(深度)为5ymW下的部分, 所W所谓周缘部8可W换言称之为高频传输线路2的表面附近。目P,所谓周缘部8可W说 成是电流由趋肤效应而进行集中的部分。交流电信号的频率越高则高频传输线路2的周缘 部8(表面附近)
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