覆金属箔基板、电路基板和电子部件搭载基板的制作方法

文档序号:9548815阅读:455来源:国知局
覆金属箔基板、电路基板和电子部件搭载基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及覆金属锥基板、电路基板和电子部件搭载基板。
【背景技术】
[0002] 近年来,伴随着电子设备的高功能化等要求,上述电子设备所具备的电子部件的 高密度集成化W及高密度安装化等发展。作为搭载运些电子部件的印刷配线基板,要求对 由电子部件的驱动而产生的噪声的传播进行抑制的基板。
[0003] 作为运样的印刷配线基板(电路基板),例如,专利文献1中公开了如下制造的印 刷配线基板。首先,使树脂组合物浸渗到由玻璃纤维等构成的纤维基材中。其后,使树脂组 合物半固化,得到具备纤维基材和树脂层的形成片状的预浸料。接下来,准备对该预浸料张 贴有金属锥的覆金属锥基板(层叠板)。最后,通过将该金属锥图案化而得到印刷配线基板 (例如,参照专利文献1)。
[0004] 为了确实地抑制前述的噪声传播,要求该印刷配线基板的制造中使用的预浸料具 有均匀的厚度。作为得到运样的预浸料的方法,已知在纤维基材的两面层压膜状的树脂层 的层压法。 阳〇化]该层压法中,例如,使用真空层压装置,在减压下从纤维基材的两面重叠树脂层。 该状态下,用加热到树脂层烙融的溫度W上的层压漉将纤维基材与树脂层接合而得到接合 体。由此,使树脂层的烙融物浸渗于纤维基材。其后,进一步使用热风干燥装置,W树脂层 烙融的溫度W上的溫度对接合体进行加热处理来制造预浸料。
[0006] 然而,使用运样的层压法的制造方法中,有如下问题:需要真空层压装置、热风干 燥装置运样的大型装置,预浸料的制造需要时间和精力。
[0007]另外,要求能够在不对搭载上述印刷配线基板的其他结构体(电子设备所具备的 壳体等)的整体形状造成制约的情况下将印刷配线基板搭载于其他结构体。进而要求实现 其他结构体的小型化。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本特开2012 - 158637号公报

【发明内容】

[0011] 本发明的目的在于提供一种覆金属锥基板,其能够不需要大型装置、不需要时间 和精力地制造出不对其他结构体的整体形状造成制约的、可搭载于其他结构体的电路基 板。另外,本发明的另一目的在于提供使用上述覆金属锥基板制造的电路基板和在上述电 路基板搭载有电子部件的电子部件搭载基板。 阳〇1引运样的目的通过下述(1)~(11)所述的本发明实现。
[0013] (1) 一种覆金属锥基板,其特征在于,用于形成电连接地搭载电子部件的电路基 板,
[0014] 具备金属锥、形成于上述金属锥的一个表面的树脂层、形成于上述树脂层的与上 述金属锥相反的表面的绝缘部,
[0015] 具有上述金属锥、上述树脂层和上述绝缘部向上述金属锥侧或者上述绝缘部侧弯 曲的至少一个弯曲部,
[0016] 上述绝缘部由含有第1热固性树脂的第1树脂组合物的硬化物构成,
[0017] 上述树脂层由含有树脂材料的第2树脂组合物的硬化物或者固化物构成。
[0018] (2)根据上述(1)所述的覆金属锥基板,其中,上述至少一个弯曲部包含具有邻接 的2个弯曲部的多个弯曲部,
[0019] 上述多个弯曲部位于远离要搭载上述电子部件的位置的方向,
[0020] 上述邻接的2个弯曲部中的一个向上述金属锥侧弯曲,
[0021] 上述邻接的2个弯曲部中的另一个向上述绝缘部侧弯曲。 阳0巧 做根据上述(1)或似所述的覆金属锥基板,其中,上述树脂材料含有第2热固 性树脂。
[002引 (4)根据上述做所述的覆金属锥基板,其中,上述第2热固性树脂含有环氧树脂。
[0024] 妨根据上述(1)~(4)中任一项所述的覆金属锥基板,其中,上述树脂材料含有 重均分子量为1.OXIO4~1.OX105的树脂成分。
[00对 (6)根据上述(1)~妨中任一项所述的覆金属锥基板,其中,上述第2树脂组合 物进一步含有填料。
[00%] (7)根据上述(6)所述的覆金属锥基板,其中,上述填料是主要由氧化侣构成的粒 状体。
[0027] (8)根据上述(6)或(7)所述的覆金属锥基板,其中,上述填料分散在上述树脂层 的上述绝缘部侧。
[00測 (9)根据上述(1)~做中任一项所述的覆金属锥基板,其中,上述第1热固性树 脂含有酪醒树脂。
[0029] (10)根据上述(1)~(9)中任一项所述的覆金属锥基板,其中,上述第1树脂组合 物与上述第2树脂组合物相互不同。
[0030] (11) 一种电路基板,其特征在于,是使用上述(1)~(10)中任一项所述的覆金属 锥基板形成的,
[0031] 具有对上述金属锥进行图案化而形成的、具备电连接上述电子部件的端子的电 路。
[0032] (12) -种电子部件搭载基板具备上述(11)所述的电路基板、和与上述端子电连 接而搭载于上述电路基板的上述电子部件。
[0033] 通过成为本发明的覆金属锥基板的构成,能够不需要大型装置、不需要时间和精 力地制造出能够抑制由要搭载的电子部件的驱动而产生的噪声的传播的电路基板。
[0034] 因此,通过在本发明的电路基板搭载电子部件而得到电子部件搭载基板,从而在 电子部件搭载基板中,利用电路基板能够确实地抑制或者防止由电子部件的驱动而产生的 噪声的传播。
[0035]另外,通过成为本发明的覆金属锥基板的构成,能够在不对其他结构体的整体形 状造成制约的情况下将由该覆金属锥基板制造的电路基板搭载于其他结构体。
【附图说明】
[0036] 图1是表示本发明的电子部件搭载基板的第1实施方式的纵截面图。
[0037]图2是用于对图1的电子部件搭载基板的制造中使用的覆金属锥基板的制造方法 进行说明的图。
[0038]图3是用于对图1的电子部件搭载基板的制造中使用的覆金属锥基板的制造方法 进行说明的图。
[0039]图4是表示本发明的电子部件搭载基板的第2实施方式的纵截面图。
[0040] 图5是表示本发明的电子部件搭载基板的第3实施方式的纵截面图。
[0041]图6是表示本发明的电子部件搭载基板的第4实施方式的纵截面图。
[0042] 图7是表示本发明的电子部件搭载基板的第5实施方式的纵截面图。
[0043] 图8是表示实施例中使用的覆金属锥基板的纵截面图。
[0044] 图9是表示实施例的覆金属锥基板的弯曲部附近的切断面处的金属锥、树脂层和 绝缘部的显微镜照片。
【具体实施方式】
[0045]W下,基于附图所示的优选的实施方式对本发明的覆金属锥基板、电路基板W及 电子部件搭载基板进行详细说明。
[0046] 首先,在对本发明的覆金属锥基板和电路基板进行说明之前,对本发明的电子部 件搭载基板进行说明。
[0047]应予说明,W下,作为本发明的电子部件搭载基板,将具备半导体元件作为电子部 件的半导体装置搭载于电路基板的情况作为一个例子进行说明。
[0048] <电子部件搭载基板>
[0049] <<第1实施方式>>
[0050] 图1是表示本发明的电子部件搭载基板的第1实施方式的纵截面图。应予说明, W下,为了便于说明,将图1中的上侧称为"上",将图1中的下侧称为"下",将图1中的右 侧称为"右",将图1中的左侧称为"左"。另外,各图中,夸张地示意性图示出电子部件搭载 基板及其各部,电子部件搭载基板及其各部的大小和其比率与实际大大不同。
[0051] 图1所示的电子部件搭载基板50具有作为电子部件的半导体装置1和搭载该半 导体装置1的电路基板(本发明的电路基板)10。应予说明,通常,在电路基板10,除了半 导体装置1W外,还搭载有例如电阻器、晶体管等其他电子部件(构件),但为了便于说明, 图1中省略其记载。
[0052] 半导体装置1是具备半导体元件(未图示)的半导体封装体,具有密封该半导体 元件(半导体晶片)的模制部(密封部)11和与半导体元件(半导体晶片)电连接的连接 端子12。
[0053] 半导体元件没有特别限定,使用SiC(碳化娃)、GaN(氮化嫁)构成。该半导体元 件通过其驱动而产生噪声。
[0054]另外,模制部11通常由各种树脂材料的硬化物构成,通过包围半导体元件来密封 半导体元件。 阳化日]并且,连接端子12例如由化、Fe、Ni、它们的合金等各种金属材料构成。连接端子 12与半导体元件所具备的端子W及与电路基板10所具有的配线4所具备的端子连接。由 此,将半导体元件所具备的端子与配线4所具备的端子电连接。
[0056] 电路基板10(配线基板)具备电连接半导体装置1的配线4和基材(基部)8,该 基材(基部)8设置于该配线4的下表面(与半导体装置1相反的一侧的面;一个面),支 承配线4,其俯视形状为平板状(片状)。
[0057] 配线(电路)4W规定的图案形成。通过该图案的形成而设置的端子(未图示) 与半导体装置1所具备的连接端子(端子)12电连接。由此,半导体元件所具备的端子与 配线4所具备的端子电连接。
[0058] 该配线(导体部)4与搭载于电路基板10上的包含半导体装置1的电子部件电连 接,将后述的覆金属锥基板IOA所具备的金属锥4A进行图案化而形成。
[0059] 作为配线4的构成材料,例如,可举出铜、铜系合金、侣、侣系合金等各种金属材 料。 柳6〇] 配线(导体部)4的厚度(平均厚度)t4例如优选3ym~120ym,更优选5ym~ 70ym。通过将配线4的厚度设定在运样的数值范围,能够在不导致电路基板10大型化的 情况下确保作为配线4发挥功能的导电性。 阳06U 另外,配线4的厚度方向的导热系数优选为3W/m*K~500W/m,KW下,更优选为 lOW/m?K~400W/m?KW下。运样的配线4具有优异的导热系数,能够将由半导体装置1 所具备的半导体元件的驱动而产生的热介由配线4向基材8侧高效地传递。
[0062] 基材8具备成为平板状(片状)的树脂层5和设置于该树脂层5的下表面(相反 的面)的绝缘部6。该基材8具有如下功能:支承搭载于配线4上的半导体装置1,并且抑 制或者防止由半导体装置1 (半导体元件)的驱动而产生的噪声的传播。
[0063] 树脂层(接合层)5被设置于配线4的下表面,即,被设置于配线4与位于该配线 4的下侧的绝缘部6之间。经由树脂层5,配线4与绝缘部6被接合。该树脂层5具有绝缘 性。由此,确保配线4与相对于该树脂层5位于下侧的其他部件(例如,其他电路基板)的 绝缘状态。另外,能够抑制或者防止上述噪声向其他部件传播。
[0064] 该树脂层5的厚度(平均厚度)没有特别限定,如图1所示,比绝缘部6的厚度 t褲,具体而言,优选为50ym~250ym左右,更优选为SOym~200ym左右。由此,能够 在不导致基材8大型化的情况下确保树脂层5的绝缘性。另外,能够可靠地抑制或者防止 由半导体装置1的驱动而产生的噪声的传播。 W65] 另外,优选树脂层5的导热系数高,具体而言,优选为IW/m'K~15W/m'K,更优选 为5W/m?K~lOW/m?K。由此,半导体装置1侧的热通过树脂层5向绝缘部6侧高效地传 递。因此,能够将半导体装置1的由半导体元件的驱动而产生的热经由配线4和树脂层5 向绝缘部6高效地传递。其结果,能够将半导体装置1中产生的热从绝缘部6侧高效地放 热。
[0066] 并且,树脂层5的玻璃化转变溫度优选为100°C~200°C。由此,树脂层5的刚性 高,能够减少树脂层5的翅曲。其结果,能够抑制电路基板10中翅曲的产生。
[0067] 应予说明,树脂层5的玻璃化转变溫度可W基于JISC6481如下测定。
[0068] 测定使用动态粘弹性测定装置(TAInstruments公司制DMA/983)。氮气气氛下 (200ml/分钟),对树脂层5施加拉伸负载。在频率IHz、一 50°C
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