利用射频芯片温度补偿晶体特性的装置及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子通信技术领域，具体涉及一种温度补偿晶体特性的装置及方法。
【背景技术】
[0002]当前，移动通信用户对通信质量与容量的要求不断提高，为满足需求，移动通信标准一直处于演进之中，当前我国国内使用的移动通信标准已从2G(The SecondGenerat1n Mobile Telecommunicat1n,第二代移动通信)的全球通信系统(GSM,Global System for Mobile Communicat1ns)发展到4G(The Fourth Generat1n MobileTelecommunicat1n,第四代移动通信)的长期演进技术(LTE, Long Term Evolut1n)。
[0003]移动通信技术的演进来自于多种通信技术的优化与新技术的引入，其中重要一项优化针对的是调制技术，目前使用的调制方式已经从2G时代的GMSK(Gaussian MinimumShift Keying,高斯最小频移键控)升级到4G时代的64-QAM(Quadrature AmplitudeModulat1n, 64正交幅相调制)，调制阶数的增加对移动终端内部时钟器件输出频率的准确度与稳定度提出了越来越高的要求。
[0004]移动终端内部时钟器件广泛采用石英晶体振荡器，石英晶体振荡器是利用具有压电效应的石英晶体片制成的，优点在于体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度好。但是，石英晶体振荡器具有振荡频率随周围温度而变化的特性，输出频率误差可达到+/-10ppm，为提高时钟精度则需进行温度补偿。振荡频率温度补偿的方式有多种，最常见的温度补偿晶体振荡器(TCX0, Temperature Compensate Crystal Oscillator)利用温度补偿网络来产生补偿电压从而改善温度补偿晶体振荡器的输出频率温度特性，然而这种补偿技术的温度补偿网络较为复杂，需要单独的热敏器件，增加了成本。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，提供一种利用射频芯片温度补偿晶体特性的装置，解决以上技术问题。
[0006]本发明的目的还在于，提供一种利用射频芯片温度补偿晶体特性的方法，解决以上技术问题。
[0007]本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0008]利用射频芯片温度补偿晶体特性的装置，用于移动终端，所述移动终端的内部设置有射频芯片和控制器，所述控制器产生频率控制参数控制所述射频芯片工作，其中，
[0009]所述射频芯片包括射频收发单元和紧贴所述射频收发单元设置的晶体振荡器；所述射频收发单元内置温度感测单元，用于获取所述射频收发单元的当前温度；所述控制器与所述温度感测单元耦接，用以根据所述射频收发单元的当前温度修正所述频率控制参数，所述射频收发单元在修正后的所述频率控制参数的作用下以补偿所述晶体振荡器产生的频率变化。
[0010]优选地，包括一存储单元，与所述控制器连接，用以存储所述射频收发单元的温度和与所述温度对应的输出频率修正值。
[0011]优选地，所述存储单元存储有所述射频收发单元的温度和与所述温度对应的所述晶体振荡器的输出频率；
[0012]所述控制器根据所述射频收发单元的温度查询获得对应的所述晶体振荡器的输出频率，并根据所述晶体振荡器的输出频率计算对应的输出频率修正值。
[0013]优选地，所述存储单元还存储所述温度感测单元获取的感测值和与所述感测值对应的射频收发单元的温度，所述控制器根据所述温度感测单元的感测值查询获得所述射频收发单元的温度。
[0014]优选地，包括第一寄存器，设置于所述射频收发单元内，用以存储所述温度感测单元的感测值。
[0015]优选地，包括第二寄存器，设置于所述射频收发单元内，用以存储所述频率控制参数。
[0016]优选地，所述温度感测单元采用一温度-电压变换电路，所述感测值为电压值。
[0017]本发明还提供一种利用射频芯片温度补偿晶体特性的方法，其中，应用于上述的利用射频芯片温度补偿晶体特性的装置，包括以下步骤，
[0018]步骤1，检测晶体振荡器中振荡晶体的温度；
[0019]步骤2，依据振荡晶体的当前温度读取对应的输出频率修正值；
[0020]步骤3，调取当前的频率控制参数，与输出频率修正值相加以获得修正后的频率控制参数；
[0021]步骤4，将修正后的频率控制参数发送给射频芯片实现频率补偿。
[0022]优选地，步骤1中，通过读取射频收发单元的当前温度推算所述振荡晶体的当前温度。
[0023]优选地，步骤1之前，还包括建立射频收发单元的温度与输出频率修正值的对应关系并进行存储。
[0024]有益效果:由于采用以上技术方案，本发明提出一种利用射频芯片温度补偿晶体特性的装置及方法，简化了温度补偿系统，可以为移动终端提供具有温度稳定性能的时钟器件，使得高阶调制技术在移动终端的实现成为可能。
【附图说明】
[0025]图1为本发明的装置架构示意图；
[0026]图2为本发明的方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0028]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0029]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0030]参照图1，利用射频芯片温度补偿晶体特性的装置，用于移动终端，移动终端的内部设置有射频芯片和控制器2，控制器2产生频率控制参数控制射频芯片工作，其中，
[0031]射频芯片包括射频收发单元1和紧贴射频收发单元1设置的晶体振荡器4 ;射频收发单元1内置温度感测单元3，用于获取射频收发单元1的当前温度；控制器2与温度感测单元3耦接，用以根据射频收发单元1的当前温度修正频率控制参数，射频收发单元1在修正后的频率控制参数的作用下以补偿晶体振荡器4产生的频率变化。
[0032]作为本发明的一种优选的实施例，包括一存储单元，与控制器2连接，用以存储射频收发单元1的温度和与温度对应的输出频率修正值。
[0033]作为本发明的一种优选的实施例，存储单元还可以存储有射频收发单元1的温度和与温度对应的晶体振荡器4的输出频率；控制器根据射频收发单元1的温度查询获得对应的晶体振荡器的输出频率，并根据晶体振荡器的输出频率计算对应的输出频率修正值。
[0034]作为本发明的一种优选的实施例，存储单元还可以存储温度感测单元3获得的感测值和与感测值对应的射频收发单元1的温度，控制器根据感测值查询获得射频收发单元1的温度。
[0035]本发明的控制器2根据温度感测单元3获得的射频收发单元1的感测值计算射频收发单元1对应的温度，由于晶体振荡器4的振荡晶体都是紧贴射频芯片放置，因此可推算二者温度基本相同。由此可得振荡晶体的温度，利用温度与输出频率及输出频率修正值之间的关系以调整频率