半固化片及其制造方法
【专利说明】半固化片及其制造方法
[0001]本申请要求于2014年9月5日提交的题为“Prepreg and Method forManufacturing the Same (半固化片及其制造方法)”的第10-2014-0118779号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于本申请中。
技术领域
[0002]本公开涉及一种半固化片及其制造方法。
【背景技术】
[0003]随着电子装置的发展，基本上嵌在电子装置中的印刷电路板也应该重量轻、纤薄化且小型化。在印刷电路板中，用于连接电路的布线层和用作层间绝缘层的绝缘层交替地堆叠。这里，布线层主要由金属材料(诸如，铜等)制成，绝缘层由树脂或聚合树脂(诸如，环氧树脂等)制成。
[0004]在这种情况下，为了使印刷电路板纤薄，应使绝缘层保持薄的厚度，但当绝缘层的厚度越薄，越难调节抗翘曲性质。也就是说，由于与由金属材料制成的布线层相比，难以调节绝缘层的性质(诸如，低热膨胀系数(CTE)、高玻璃转化温度(Tg)和高模量)，因此使电学性质、热学性质和机械性质劣化。
[0005]因此，当印刷电路板变得纤薄时，电路板的质量变得不稳定，因此，介电常数、介电损耗等会劣化，从而在高频区域会出现信号传输缺陷，并且在安装电子组件时会出现由翘曲现象引起的连接缺陷。
[0006]为了解决这些问题，通过增大印刷电路板的芯部的芯层的玻璃转化温度、模量和刚度或者通过施加具有均匀的厚度的厚的覆铜板(CCL)并由树脂材料形成积层(build-uplayer)，可防止翘曲，并且可实现尺寸稳定性。
【发明内容】
[0007]本公开的一个目的在于提供一种表面粗糙度的不均匀性减小并且表面光滑度优异的半固化片。
[0008]本公开的另一目的在于提供一种制造如上所述的半固化片的方法。
[0009]根据本公开的示例性实施例，提供一种半固化片，所述半固化片包括:芯部材料；第一绝缘层，形成在芯部材料上；第二绝缘层，通过使芯部材料填充到所述第二绝缘层中而形成在第一绝缘层的下面，其中，芯部材料的表面的一部分位于与第一绝缘层和第二绝缘层之间的结合界面相同的表面上。
[0010]根据本公开的示例性实施例，提供了一种半固化片，所述半固化片包括:芯部材料，填充到呈B阶段状态的第二绝缘层的上部中；第一绝缘层，堆叠在所述第二绝缘层上，以使芯部材料的表面的一部分位于与第二绝缘层和第一绝缘层之间的结合界面相同的表面上，其中，第一绝缘层的表面粗糙度为0.02μπι至0.3μπι。
[0011]根据本公开的另一示例性实施例，提供了一种制造半固化片的方法，所述方法包括:预先使上绝缘层以C阶段状态固化；将芯部材料放置在以C阶段状态固化的上绝缘层与呈A阶段状态的下绝缘层之间；对上绝缘层、芯部材料和下绝缘层进行加压。
[0012]呈C阶段状态的上绝缘层可通过将呈A阶段状态或B阶段状态的树脂组成物涂敷在基板上，并通过热处理或UV照射使涂敷的树脂组成物固化来形成。
[0013]在这种情况下，树脂组成物可包含热固性树脂或UV固化树脂。
【附图说明】
[0014]图1是根据本公开的示例性实施例的半固化片的截面图。
[0015]图2至图4是示出根据本公开的制造半固化片的工艺的示例的截面图，其中，图2是示出制备C阶段第一绝缘层的工艺的截面图，图3是示出将芯部材料布置在C阶段第一绝缘层与A阶段绝缘层之间的工艺的截面图，图4是示出对按位置布置的C阶段第一绝缘层、芯部材料和A阶段绝缘层进行压制和固化的工艺的截面图。
[0016]图5是用于描述通过辊压层压工艺制造根据本公开的半固化片的方法的示意性截面图。
【具体实施方式】
[0017]本说明书中使用的术语用于描述具体示例性实施例而非限制本公开。除非明确地描述为与之相反，否则本说明书中的单数形式包括复数形式。另外，在此使用的“包含”和/或“包括”不排除存在或添加所述的形状、数量、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。
[0018]通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它目的、特征和优势将被更清楚地理解。在说明书中，在对整个附图的组件添加标号时，应注意的是，即使组件被示出在不同的附图中，相同的标号也指示相同的组件。此外，当确定与本公开相关的本领域已知的详细描述会使本公开的主旨模糊时，将省略对其的详细描述。在描述中，术语“第一”、“第二”等用于将一个元件与另一元件区分开，元件不受上述术语的限定。
[0019]在下文中，将参照图1至图5详细描述根据本公开的半固化片(PPG)及其制造方法。
[0020]图1是根据本公开的示例性实施例的半固化片的截面图。
[0021]如图1所示，根据本示例性实施例的半固化片100构造为包括:芯部材料110 ;第一绝缘层120a，形成在芯部材料110上；第二绝缘层120b，通过使绝缘树脂填充到芯部材料110中而形成在第一绝缘层120a的下面。
[0022]芯部材料110可由玻璃布或纤维布制成，以在增大半固化片100的玻璃转化温度(Tg)、模量和强度的同时，减小热膨胀系数(CTE)。
[0023]芯部材料110的厚度不受特别限制，但考虑到半固化片100的纤薄化，优选地，芯部材料110形成为具有几十μπι或更小的厚度，例如，10 μπι至30 μπι的厚度。这里，当芯部材料110的厚度小于10 μ m时，难以操作芯部材料110,当厚度大于30 μ m时，绝缘层变得相对薄，从而布线掩埋性质会不足。
[0024]当芯部材料110的厚度在上述范围内时，在保持半固化片100的强度的同时，能够促进半固化片1〇〇的纤薄化。此外，可获得具有优异的层间连接加工性或可靠性的半固化片 100〇
[0025] 第一绝缘层120a和第二绝缘层120b通过堆叠分别以C阶段(C-stage)状态和B阶段(B-stage)状态固化的绝缘树脂来形成。
[0026]第一绝缘层120a以C阶段状态形成在芯部材料110上，并由第一树脂组成物制成。在这种情况下，第一树脂组成物包含热固性树脂或UV固化树脂。
[0027] 可使用本领域已知的任何树脂作为热固性树脂，而不受限制，只要该树脂可通过加热来固化即可。例如，可使用脲醛树脂，三聚氰胺树脂，双马来酰亚胺树脂，聚氨酯树脂，具有苯并恶嗪环的树脂，氰酸酯树脂，双酚S型环氧树脂，双酚F型环氧树脂，双酚S和双酚F的共聚环氧树脂等。具体地讲，在这些树脂之中，可最好使用氰酸酯树脂。
[0028]在第一绝缘层120a由热固性树脂(具体地，氰酸酯树脂)制成的情况下，可减小半固化片1〇〇的热膨胀系数。此外，可改善半固化片1〇〇的电学性能(低介电常数、低介电损耗)等。
[0029] 可使用本领域已知的任何树脂作为UV固化树脂，而不受限制，只要该树脂可通过UV来固化即可。作为示例，可使用丙烯酸树脂。
[0030] 如上所述的固化树脂的含量不受具体限制，而是优选地，其含量可以为全部第一树脂组成物的5wt%至50wt%。这里，当固化树脂的含量小于全部第一树脂组成物的5wt%时，根据第一树脂组成物的熔体粘度等，会难以形成半固化片100 ;当固化树脂的含量大于全部第一树脂组成物的50wt%时，根据固化树脂的种类或其重均分子量等，会使半固化片100的强度劣化。
[0031]当考虑到制造工艺需要时，第一树脂组成物还可包含用于增大固化速率的固化促进剂。固化促进剂不受具体限制，而可以是，例如，脂族多胺，芳香族多胺，仲胺，叔胺，咪唑衍生物，有机酸酰肼，二氰胺及其衍生物、脲衍生物等。在这些固化促进剂之中，更优选地为咪唑衍生物。
[0032]使用如上所述的咪唑化合物，从而能够为由第一树脂组成物制成的第一绝缘层120a提供低的热膨胀性(受热膨胀速率低的性质)或低的吸收性质，同时改善第一树脂组成物的耐热性。
[0033]在使用固化促进剂的情况下，其含量不受具体限制，而优选地，可以为全部第一树脂组成物的0.0lwt%至3wt%。在固化促进剂的含量小于0.0lwt%的情况下，促进固化的效果会不足，在固化促进剂的含量大于3wt%的情况下，会劣化保存半固化片100时的稳定性。
[0034]此外，除了固化促进剂之外，第一树脂组成物还可包含无机填充剂或有机填充剂，以改善半固化片1〇〇的物理性质。
[0035] 可最好将不劣化半固化片的介电性质的非导电材料作为包含在第一树脂组成物中的无机填充剂。可使用本领域已知的材料作为包含在第一树脂组成物中的无机填充剂。例如，可使用碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、氧化锌、氧化钛、氧化镁、硅酸镁、硅酸钙、硅酸锆、水合氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铝、硫酸钡、二氧化娃、滑石等。
[0036] 可使用预先通过偶联剂等进行表面处理的无机填充剂或者未进行表面处理的无机填充剂作为包含在第一树脂组成物中的无机填充剂。
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