功放控制方法、装置、GaN功放及GaAs功放的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及通信领域，具体而言，涉及一种功放控制方法、装置、GaN功放及GaAs功放。
【背景技术】
[0002]在射频领域常用的功率放大器主要是横向扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral double-diffused metal-oxide semiconductor,简称为 LDMOS),该 LDM0S 基于Si材料，此类功放管技术已相对成熟，效率和频段的提升相对较难。而GaN这种新的材料正好解决了此问题。GaN为第三代半导体材料，其频率、效率可以做到更高。这得益于GaN的宽带半导体特性，高饱和电子迁移率以及更高的击穿电压。同时GaN材料还具备很高的热传导特性，这使得GaN功放管能够承受更高的温度，具有更高的功率容量。
[0003]在相关技术中，GaN功放主要是借鉴LDM0S的设计生产经验，但是GaN功放芯片的漏极电气特性，是与传统的LDM0S功放芯片完全不同的，其器件的导电沟道在未加栅压或栅极对地短路的情况下是完全打开的，即在无栅压的情况下，漏极的电气特性是对地短路的。并且在此种情况下加漏压功放管极易烧毁，因此需要避免在这种情况下漏压的加载。而GaN功放在生产过程中，难免出现栅极焊接对地短路或虚焊的现象，一旦出现这种情况，在生产测试中加漏压就会出现功放管烧毁问题出现，造成极大的资金浪费，因此需要在生产初期排查出相应的焊接不良单板。
[0004]因此，在相关技术中，功放(例如，GaN功放)在出现栅极焊接对地短路或虚焊的现象，如果在测试中加漏压则会出现功放管烧毁问题，导致浪费的问题。
【发明内容】
[0005]本发明提供了一种功放控制方法、装置、GaN功放及GaAs功放，以至少解决相关技术中，功放(例如，GaN功放)在出现栅极焊接对地短路或虚焊的现象，如果在测试中加漏压则会出现功放管烧毁问题，导致浪费的问题。
[0006]根据本发明的一个方面，提供了一种功放控制方法，包括:对所述功放的漏极是否短路进行检测；依据检测获得的检测结果，确定用于控制所述功放漏极电压的开关信号；依据所述开关信号对所述功放的漏极电压进行控制。
[0007]优选地，对所述功放的漏极是否短路进行检测包括:通过检测电路输出预定小电流检测所述功放的漏极是否短路。
[0008]优选地，依据检测获得的所述检测结果，确定用于控制所述功放漏极电压的所述开关信号包括:将所述检测结果转换为逻辑信号；通过对所述逻辑信号进行逻辑运算，确定所述逻辑信号对应的开关信号。
[0009]优选地，依据所述开关信号对所述功放的漏极电压进行控制包括:在所述漏压正常加载，以及所述开关信号为启动的情况下，对所述漏压以及所述检测电路进行隔离。
[0010]优选地，所述功放包括以下至少之一:GaN功放、GaAs功放。
[0011]根据本发明的另一方面，提供了一种功放控制装置，包括:检测模块，用于对所述功放的漏极是否短路进行检测；确定模块，用于依据检测获得的检测结果，确定用于控制所述功放漏极电压的开关信号；控制模块，用于依据所述开关信号对所述功放的漏极电压进行控制。
[0012]优选地，所述检测模块包括:检测单元，用于通过检测电路输出预定小电流检测所述功放的漏极是否短路。
[0013]优选地，所述确定模块:转换单元，用于将所述检测结果转换为逻辑信号；确定单元，用于通过对所述逻辑信号进行逻辑运算，确定所述逻辑信号对应的开关信号。
[0014]优选地，所述控制模块包括:控制单元，用于在所述漏压正常加载，以及所述开关信号为启动的情况下，对所述漏压以及所述检测电路进行隔离。
[0015]根据本发明的还一方面，提供了一种GaN功放，包括上述任一项所述的功放控制
目-ο
[0016]根据本发明的再一方面，提供了一种GaAs功放，包括上述任一项所述的功放控制
目-Ο
[0017]通过本发明，采用对所述功放的漏极是否短路进行检测；依据检测获得的检测结果，确定用于控制所述功放漏极电压的开关信号；依据所述开关信号对所述功放的漏极电压进行控制，解决了相关技术中，功放(例如，GaN功放)在出现栅极焊接对地短路或虚焊的现象，如果在测试中加漏压则会出现功放管烧毁问题，导致浪费的问题，进而达到了不管出现任何焊接问题均不会损坏功放管，对功放进行了有效保护的效果。
【附图说明】
[0018]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
[0019]图1是根据本发明实施例的功放控制方法的流程图；
[0020]图2是根据本发明实施例的功放控制装置的结构框图；
[0021]图3是根据本发明实施例的功放控制装置中检测模块22的优选结构框图；
[0022]图4是根据本发明实施例的功放控制装置中确定模块24的优选结构框图；
[0023]图5是根据本发明实施例的功放控制装置中控制模块26的优选结构框图；
[0024]图6是根据本发明实施例的GaN功放的结构示意图；
[0025]图7是根据本发明实施例的GaAs功放的结构示意图；
[0026]图8是根据本发明实施例的功放控制装置的硬件架构示意图；
[0027]图9是根据本发明实施例的功放控制方法的流程图。
【具体实施方式】
[0028]下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0029]在本实施例中提供了一种功放控制方法，图1是根据本发明实施例的功放控制方法的流程图，如图1所示，该流程包括如下步骤:
[0030]步骤S102，对功放的漏极是否短路进行检测，其中，该功放可以包括多种类型，例如，可以是GaN功放，也可以是GaAs功放；
[0031]步骤S104，依据检测获得的检测结果，确定用于控制功放漏极电压的开关信号；
[0032]步骤S106，依据开关信号对功放的漏极电压进行控制。
[0033]通过上述步骤，依据对功放的漏极进行控制，不仅解决了相关技术中，GaN功放在出现栅极焊接对地短路或虚焊的现象，如果在测试中加漏压则会出现功放管烧毁问题，导致浪费的问题，进而达到了不管出现任何焊接问题均不会损坏功放管，对功放进行了有效保护的效果。
[0034]在对功放的漏极是否短路进行检测时，可以采用多种方式，例如，可以通过检测电路输出预定小电流检测功放的漏极是否短路。在依据检测获得的检测结果，确定用于控制功放漏极电压的开关信号时，可以先将检测结果转换为逻辑信号；通过对逻辑信号进行逻辑运算，确定逻辑信号对应的开关信号。
[0035]依据开关信号对功放的漏极电压进行控制时，除了通过简单的开关信号的开启与关闭对功放的漏极电压进行控制外，还可以在漏压正常加载，以及开关信号为启动的情况下，对漏压以及检测电路进行隔离，使得两者不会相互影响，即检测电路不对漏压产生影响及漏压不对检测电路造成损害。隔离的方式可以多种，例如，采用隔离元器件或是隔离电路均可以实现两者之间的隔离。
[0036]在本实施例中还提供了一种功放控制装置，该装置用于实现上述实施例及优选实施方式，已经进行过说明的不再赘述。如以下所使用的，术语“模块”可以实现预定功能的软件和/或硬件的组合。尽管以下实施例所描述的装置较佳地以软件来实现，但是硬件，或者软件和硬件的组合的实现也是可能并被构想的。
[0037]图2是根据本发明实施例的功放控制装置的结构框图，如图2所示，该装置包括检测模块22、确定模块24和控制模块26，下面对该装置进行说明。
[0038]检测模块22，用于对功放的漏极是否短路进行检测；确定模块24，连接至上述检测模块22，用于依据检测获得的检测结果，确定用于控制功放漏极电压的开关信号；控制模块26，连接至上述确定模块24，用于依据开关信号对功放的漏极电压进行控制。
[0039]图3是根据本发明实施例的功放控制装置中检测模块22的优选结构框图，如图3所示，该检测模块22包括检测单元32，下面对该装置进行说明。
[0040]检测单元32，用于通过检测电路输出预定小电流检测功放的漏极是否短路。
[0041]图4是根据本发明实施例的功放控制装置中确定模块24的优选结构框图，如图4所示，该确定模块24包括转换单元42和确定单元44，下面对该确定模块24进行说明。
[0042]转换单元42，用于将检测结果转换为逻辑信号；确定单元44，连接至上述转换单元42，用于通过对逻辑信号进行逻辑运算，确定逻辑信号对应的开关信号。
[0043]图5是根据本发明实施例的功放控制装置中控制模块26的优选结构