0上，且线圈20的高度与外框11的高度齐平。
[0035]第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35由奈米铁合金所形成，包含铁，以及铌、铜、硅及硼的至少其中之一。第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35在微结构观察下，其晶格结构处于非晶形(amphorous)及多晶形(polycrystalline)之间的微晶形(microcrystalline)，晶粒大小为5至50nm,较佳为10至20nm。此外，第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35的厚度为0.01至0.1mm,较佳为0.03mm。
[0036]第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35可以为奈米铁合金的粉体组成或片状，各至少一第一奈米铁合金层31可以利用一粘着层40分别连接或粘附于各至少一连接部13的第一表面131，第二奈米铁合金层33亦可以利用粘着层连接或粘附于外框11的第二表面111，以及第三奈米铁合金层35同样可以利用粘着层连接或粘附于中心座12的第三表面121。粘着层40可以为双面胶。第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35也可以用镶嵌的方式，分别嵌入外框11的第二表面111及中心座12的第三表面121。第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层350也可以以电镀、无电镀、蒸镀、溅镀，或原子层沉积，分别镀覆于连接部13的第一表面131、外框11的第二表面111、以及中心座12的第三表面121。
[0037]由于奈米化的特性，使得第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35与传统的铁芯在物理性质及大幅度的变化。例如，奈米铁合金层组30的居理温度为400?600°C，例如570°C。较高的居理温度，能够维持电子装置在高温使用下，维持高温下金属屏蔽效果，进而能使发热功率维持稳定。此外，第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35在20KHz下的导磁率大于20，000Gs/0e,高于传统铁氧体铁芯约十倍。同时，第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35的电阻率(约60?100 μ Ω.cm)与传统铁氧体铁芯(约106μ Ω.cm)大幅地下降，从而能够减少热效应以及能源的耗损。相关物理性质，如表1所表1仅为实验的量测，仅表现物理特性级距上的差异，并非用以限定实际上的数字。
[0038]由于奈米化所造成的优秀物理性质，第一奈米铁合金层31、第二奈米铁合金层33及第三奈米铁合金层35的厚度可以大幅地降低，从而在重量上也能大幅地减轻，因而使用者在使用及安装上，也能更加地轻巧。
[0039]本发明的技术特点，主要在于利用铁合金层奈米化的功效，改善传统电子装置在高温使用时金属屏蔽效应降低、导磁率不佳、以及功率消耗升高的问题。
【主权项】
1.一种发热线盘，其特征在于，用于一电子装置，包含: 一线盘支架本体，包含一外框、一中心座及至少一连接部，该至少一连接部分别连接该中心座及该外框； 一线圈，套接于该中心座，并紧靠该连接部；以及 一奈米铁合金层组，包含至少一第一奈米铁合金层、一第二奈米铁合金层、以及一第三奈米铁合金层，该至少一第一奈米铁合金层、该第二奈米铁合金层及该第三奈米铁合金层中的晶粒大小为5至50nm, 各该至少一第一奈米铁合金层形成于各该至少一连接部的一第一表面，该第二奈米铁合金层形成于该外框的一第二表面，而该第三奈米铁合金层形成于该中心座的一第三表面，该第二表面及该第三表面与该线圈位于该线盘支架本体的同一侧，而该第一表面与该线圈位于该线盘支架本体的不同侧。2.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该至少一第一奈米铁合金层、该第二奈米铁合金层、及该第三奈米铁合金层的晶粒大小为10至20nm。3.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该至少一第一奈米铁合金层、该第二奈米铁合金层、及该第三奈米铁合金层包含铁，及铌、铜、硅及硼的至少其中之一。4.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该至少一第一奈米铁合金层、该第二奈米铁合金层、及该第三奈米铁合金层的厚度为0.01至0.1mm。5.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该至少一第一奈米铁合金层为奈米铁合金的粉体组成或片状，各该至少一第一奈米铁合金层以一粘着层连接于各该至少一连接部的该第一表面。6.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该第二奈米铁合金层及该第三奈米铁合金层为奈米铁合金的粉体组成或片状，且该第二奈米铁合金层及该第三奈米铁合金层分别以一粘着层连接于该外框的该第二表面，及该中心座的该第三表面。7.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该线盘支架本体还包含至少一固定部，该至少一固定部连接于该外框的一外围。8.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该至少一第一奈米铁合金层、该第二奈米铁合金层、及该第三奈米铁合金层系以电镀、无电镀、蒸镀、溅镀，或原子层沉积的至少其中之一形成。9.如权利要求1所述的发热线盘，其特征在于，该第二奈米铁合金层、及该第三奈米铁合金层为奈米铁合金的粉体组成或片状，分别嵌入于该外框的该第二表面，及该中心座的该第二表面。
【专利摘要】一种发热线盘，包含线盘支架本体、线圈以及多个奈米铁合金层，线盘支架本体包含外框、中心座及连接部，奈米铁合金层位于连接部的第一表面、外框的第二表面及中心座的第三表面上，奈米铁合金层具有微晶形的奈米晶格结构，相较于传统的铁氧体铁芯具有较高的居理温度及导磁率、较低的电阻率等物理性质，从而有效提升电子装置在高温下使用的稳定性，并能维持电子装置发热功率，达到发热效率高、省电及安全的效果，更能降低奈米铁合金层的厚度，从而在重量上也能大幅地减轻，因而在使用者在使用及安装上能更加地轻巧。
【IPC分类】H05B6/36
【公开号】CN105451386
【申请号】CN201410250644
【发明人】任红贤, 邱明达, 鹿杰, 王周春
【申请人】名硕电脑(苏州)有限公司, 和硕联合科技股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年6月6日