可调谐滤波器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及使用具有LiNb化基板的弹性波谐振器来构成的可调谐滤波器。
【背景技术】
[0002] 例如在下述专利文献1中公开了具有由弹性波谐振器构成的串联臂谐振器和由弹 性波谐振器构成的并联臂谐振器的可调谐滤波器。在该可调谐滤波器中，串联臂谐振器分 别串联及并联地连接着可变电容器。同样地，并联臂谐振器也分别串联及并联地连接着可 变电容器。
[0003] 在下述非专利文献1所记载的可调谐滤波器所采用的声表面波谐振器中，Cu电极 被埋入设置在压电基板的表面的沟槽中。该声表面波谐振器利用基于洛夫波的谐振特性。
[0004] 在先技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:肝特开2009-130831号公报
[0007] 非专利文献
[000引 非专利文献 1:Band 化SS Type of Tunable Filters composed of 叫 1:ra Wide Band SAW Resonators by adjusting Capacitors connected SAW Resonators,2011 IEEE International Ultrasonics Symposium Proceedings
【发明内容】
[0009] 发明所要解决的技术问题
[0010] 然而，在专利文献1所记载的可调谐滤波器中，存在频率可变宽度狭窄的问题。
[0011] 另一方面，在非专利文献1所记载的可调谐滤波器中，化电极被埋入所采用的压电 基板表面的沟槽中。因此，存在制造工序繁杂、成本昂贵的问题。再者，构成IDT电极、反射器 的每1根电极指的反射系数小。因而，阻带的宽度变得狭窄，难W在宽的频域中获得良好的 谐振特性。再有，反谐振频率附近的滤波器特性容易劣化。
[0012] 本发明的目的在于，提供一种利用洛夫波且滤波器特性的睹峭性优越、还能扩展 频率可变宽度的可调谐滤波器。
[0013] 用于解决技术问题的手段
[0014] 本发明设及的可调谐滤波器，具备：压电谐振器;频带扩展用电感，其与上述压电 谐振器连接;和可变电容，其与上述压电谐振器连接，上述可调谐滤波器利用洛夫波，上述 压电谐振器具有Li师化基板、和被设置在LiNb化基板上的IDT电极，通频带及衰减频带位于 比下述值低的低频域，该值是在LiNb化基板中传播慢的横波的声速除W由上述IDT电极的 周期决定的波长而得到的。
[0015] 在本发明设及的可调谐滤波器的某一特定的方面中，具有:输入端子；和输出端 子，上述压电谐振器具有：第1压电谐振器，其被设置在连结上述输入端子与上述输出端子 的串联臂、且由弹性波谐振器构成；W及第2压电谐振器，其被设置在连结上述串联臂与接 地电位的并联臂、且由弹性波谐振器构成，上述频带扩展用电感具有:第I电感，其与上述第 1压电谐振器连接、且对上述第1压电谐振器的相对频带进行扩展；W及第2电感，其与上述 第2压电谐振器连接、且对上述第2压电谐振器的相对频带进行扩展，上述可变电容具有:第 1可变电容，其与上述第1压电谐振器连接、且与第1压电谐振器及上述第1电感一起构成了 第1可变谐振电路；W及第2可变电容，其与上述第2压电谐振器及上述第2电感一起构成了 第2可变谐振电路。
[0016] 在本发明设及的可调谐滤波器的其他特定的方面中，上述IDT电极由Pt膜构成，在 将Pt膜的膜厚设为H(A)、将上述Li师化基板的欧拉角设为(邓，9, \|/)时，目处于从-64960 X H3+19831 XH2-2068.4 XH+169.7-10。...（式1)到-64960 XH3+19831 XH2-2068.4 XH+169.7 +6° ...(式2)的范围内，巧处于-27°~+27°的范围内，4处于-47°~+47°的范围内。
[0017] 在本发明设及的可调谐滤波器的又-特定的方面中，上述Pt膜的厚度H为0.023入W 上。
[0018] 在本发明设及的可调谐滤波器的另一特定的方面中，在将上述IDT电极的厚度设 为H(A)、将该IDT电极的密度P与Pt的密度时t之比P/Ppt设为A时，在欧拉角（巧，6，V]/)中，
[0019] 目处于从-64960X化/A)3+19831 X化/A)2-2068.4XH/A+169.7-10°...(式3)到-64960X 化/A)3+19831 X 化/A)2-2068.4X (H/A) + 169.7+6° ...(式4)的范围内，取处于-27° ~+27°的范围内处于-47°~+47°的范围内。
[0020] 在本发明设及的可调谐滤波器的再一特定的方面中，上述第1电感具有与上述第1 压电谐振器并联连接的第1并联电感。
[0021] 在本发明设及的可调谐滤波器的又一特定的方面中，上述第1电感具有与上述第1 压电谐振器串联连接的第1串联电感。
[0022] 在本发明设及的可调谐滤波器的再一特定的方面中，上述第2电感具有与上述第2 压电谐振器串联连接的第2串联电感。
[0023] 在本发明设及的可调谐滤波器的又一特定的方面中，上述第2电感具有与上述第2 压电谐振器并联连接的第2并联电感。
[0024] 在本发明设及的可调谐滤波器的再一特定的方面中，上述第1可变电容具有第1串 联可变电容和第1并联可变电容之中的至少一方，该第1串联可变电容与上述第1压电谐振 器串联连接，该第1并联可变电容与上述第1压电谐振器并联连接。
[0025] 在本发明设及的可调谐滤波器的又一特定的方面中，上述第2可变电容具有第2串 联可变电容和第2并联可变电容之中的至少一方，该第2串联可变电容与上述第2压电谐振 器串联连接，该第2并联可变电容与上述第2压电谐振器并联连接。
[0026] 在本发明设及的可调谐滤波器的再一特定的方面中，上述第1压电谐振器和第2压 电谐振器构成于同一 LiNb化基板上。
[0027] 发明效果
[002引根据本发明设及的可调谐滤波器，由于通频带及衰减频带位于比在Li师化基板中 传播慢的横波的声速除W由IDT电极的周期所决定的波长而得到的值更低的低频域，故既 能减少洛夫波的漏泄又能传播洛夫波。因此，能够获得低损耗且睹峭性优越的滤波器特性。 进而，由于具备频带扩展用的电感器，故能够扩展频率可变宽度。
【附图说明】
[0029] 图1是本发明的第1实施方式设及的可调谐滤波器的电路图。
[0030] 图2(a)及图2(b)是表示本发明所采用的压电谐振器的一例的俯视图及沿着图2 (a)中的C-C线的部分的剖视图。
[0031 ]图3是表示压电谐振器的阻抗特性的图。
[0032] 图4是表示压电谐振器的相位特性的图。
[0033] 图5是表示瑞利波引起的寄生极小的Pt厚度和欧拉角0的关系的图。
[0034] 图6是表示洛夫波的谐振频率Fr、反谐振频率Fa及瑞利波的谐振频率Fr的由Pt厚 度与声速引起的变化的图。
[0035] 图7是表示洛夫波及瑞利波的欧拉角的0引起的机电禪合系数k2的变化的图。
[0036] 图8是表示洛夫波及瑞利波的欧拉角的0引起的声速的变化的图。
[0037] 图9是表示洛夫波、瑞利波及第2寄生模式中的欧拉角的巧与机电禪合系数k2的关 系的图。
[0038] 图10是表示洛夫波、瑞利波及第2寄生模式中的欧拉角的巧与声速的关系的图。
[0039] 图11是表示洛夫波、瑞利波及第2寄生模式中的欧拉角的4与机电禪合系数k2的关 系的图。
[0040] 图12是表示洛夫波、瑞利波及第2寄生模式中的欧拉角的4与声速的关系的图。
[0041] 图13是表示利用了洛夫波的压电谐振器、和利用了甜型漏泄波的压电谐振器的阻 抗特性的图。
[0042] 图14是表示利用了洛夫波的压电谐振器、和利用了甜型漏泄波的压电谐振器的相 位特性的图。
[0043] 图15(a)及图15(b)是表示第1压电谐振器的阻抗特性及第1压电谐振器并联地连 接了 1 OnH的电感时的阻抗特性的图。
[0044] 图16(a)是表示第1压电谐振器并联地连接了化H的第1电感时的阻抗特性的图，图 16(b)是表示第1压电谐振器并联地连接了 5nH的第1电感时的阻抗特性的图。
[0045] 图17是表示第1压电谐振器并联地连接了化哺勺电感时的阻抗特性的图。
[0046] 图18是表示使用了Li师化