电路装置以及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种电路装置以及电子设备等。
【背景技术】
[0002]在对直流电机等驱动对象进行驱动的电路装置中，设置有过热保护电路，所述过热保护电路防止电路装置等由构成Η桥电路的晶体管的过电流所产生的过热而遭到损坏的情况。作为具备这样的过热保护电路的电路装置的现有技术，例如已知专利文献1、2中所公开的技术。在该现有技术中，在电路装置中配置温度传感器部，基于该温度传感器部的温度检测结果而检测由过电流所产生的过热，并通过使Η桥电路的晶体管断开，从而实现过热保护功能。
[0003]但是，在上述现有技术中，对于电路装置的芯片上的温度传感器部的布局配置没有任何考虑。因此，即使在Η桥电路的开关元件用的晶体管的源极和漏极间流通有过电流，从而在该晶体管的附近温度上升，该温度上升传递至温度传感器部也需要花费时间，从而存在过热保护动作延迟的可能。此外，过热保护动作的延迟会导致电路装置的损坏、可靠性降低等问题。
[0004]专利文献1:日本特开2005-347377号公报
[0005]专利文献2:日本特开2007-82365号公报
【发明内容】
[0006]根据本发明的几个方式，能够提供一种可提高过热保护的检测性能的电路装置以及电子设备等。
[0007]本发明的一个方式涉及一种电路装置，包括:桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管；至少一个温度传感器部；过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，所述温度传感器部与所述过热检测部相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。
[0008]根据本发明的一个方式，在具有桥接电路的电路装置中，过热检测部基于来自温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测。此外，实施温度检测的温度传感器部与过热检测部相比，被配置在距桥接电路较近的位置处。如此一来，在例如由于桥接电路中的过电流而成为了过热状态的情况下，能够利用被配置在距该桥接电路较近的位置处的温度传感器部，而在更短的时间内检测出过热状态的温度。因此，与在距桥接电路较远的位置处配置温度传感器部的情况相比，能够提高过热保护的检测性能。
[0009]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。
[0010]如上文所述，如果将温度传感器部配置于桥接电路的配置区域中，则能够在更短的时间内检测出过热状态的温度，因此能够进一步改善过热保护的检测精度、检测时间等检测性能。
[0011]本发明的一个方式涉及一种电路装置，包括:桥接电路，其具有高侧的晶体管与低侧的晶体管；至少一个温度传感器部；过热检测部，其基于来自所述温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，所述温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中。
[0012]根据本发明的一个方式，在具有桥接电路的电路装置中，实施温度检测的温度传感器部被配置在桥接电路的配置区域中。如此一来，由于能够使温度传感器部与桥接电路的距离最短，因此能够在短时间内检测出过热状态的温度，从而能够提高过热保护的检测精度。
[0013]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，在将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较远的第一端边的区域设为第一端边侧区域，并将所述桥接电路的配置区域中的沿着距所述过热检测部较近的第二端边的区域设为第二端边侧区域的情况下，所述温度传感器部被配置在所述第二端边侧区域中。
[0014]如此一来，温度传感器部被配置在距过热检测部较近的第二端边侧区域中，从而能够进一步提高过热保护的检测精度。
[0015]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，包括被供给低电位侧电源的低电位侧电源衬垫，所述温度传感器部与所述桥接电路的所述低侧的晶体管相比，被配置在距所述低电位侧电源衬垫较近的位置处。
[0016]如此一来，能够以低阻抗向温度传感器部供给来自低电位侧电源衬垫的低电位侧电源，从而能够抑制由于噪声等而引起的过热检测的检测性能的降低。
[0017]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，包括驱动电路，所述驱动电路向所述桥接电路的所述高侧的晶体管、所述低侧的晶体管输出驱动信号，所述温度传感器部与所述驱动电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。
[0018]如此一来，由于温度传感器部与桥接电路的驱动电路相比，被配置在距桥接电路较近的位置处，因此能够缩短温度传感器部与桥接电路的距离，从而能够提高过热检测的检测性能。
[0019]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，即，包括控制电路，所述控制电路实施所述桥接电路的所述高侧的晶体管以及所述低侧的晶体管的导通、断开控制，所述温度传感器部与所述控制电路相比，被配置在距所述桥接电路较近的位置处。
[0020]如此一来，由于温度传感器部与对桥接电路进行控制的控制电路相比，被配置在距桥接电路较近的位置处，因此能够缩短温度传感器部与桥接电路的距离，从而能够提高过热检测的检测性能。
[0021]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，作为至少一个所述温度传感器部，配置多个温度传感器部。
[0022]如此一来，由于能够基于来自多个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测，因此可实现过热检测的检测性能的进一步提尚。
[0023]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述高侧的晶体管的配置区域中，所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的所述低侧的晶体管的配置区域中。
[0024]如此一来，例如，关于由于桥接电路的高侧的晶体管中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第一温度传感器部而进行检测，关于由于桥接电路的低侧的晶体管中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第二温度传感器部而进行检测。
[0025]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域中，所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述桥接电路的配置区域的外侧区域。
[0026]如此一来，能够使用被配置在桥接电路的配置区域中的第一温度传感器部中的温度检测结果与被配置在桥接电路的配置区域的外侧区域中的第二温度传感器部中的温度检测结果，而实施过热检测。
[0027]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，包括具有高侧的晶体管与低侧的晶体管的第二桥接电路，所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部被配置在作为所述桥接电路的第一桥接电路的配置区域中，所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部被配置在所述第二桥接电路的配置区域中。
[0028]如此一来，关于由于第一桥接电路中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第一温度传感器部而进行检测，关于由于第二桥接电路中的过电流而引起的过热状态，例如能够通过第二温度传感器部而进行检测。
[0029]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述多个温度传感器部中的第三温度传感器部被配置在所述第一桥接电路与所述第二桥接电路之间。
[0030]如此一来，能够基于被分散配置于第一、第二桥接电路的配置区域中的第一、第二、第三温度传感器部中的温度检测结果，而实施过热检测。
[0031]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述过热检测部基于来自所述多个温度传感器部中的第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自所述多个温度传感器部中的第二温度传感器部的第二温度检测信号，而实施过热检测。
[0032]如此一来，能够使用来自第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自第二温度传感器部的第二温度检测信号双方，而实施过热检测。因此，与基于来自一个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测的情况相比，能够提高过热检测的检测性能等。
[0033]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述过热检测部基于所述第一温度检测信号与所述第二温度检测信号的比较结果，而实施过热检测。
[0034]如此一来，由于能够通过来自第一温度传感器部的第一温度检测信号与来自第二温度传感器部的第二温度检测信号的比较处理而实施过热检测，因此能够实现利用电路装置的多个位置处的温度差等的过热检测。
[0035]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述过热检测部基于从所述多个温度传感器部分时输入的温度检测信号，而实施过热检测。
[0036]如此一来，能够基于从多个温度传感器部分时输入的温度检测信号，而进行用于过热检测的各种判断处理，从而能够实现更高的检测性能的过热检测。
[0037]在本发明的一个方式中，也可以采用如下的方式，S卩，所述高侧的晶体管与所述低侧的晶体管为DM0S结构的晶体管，所述温度传感器部通过DM0S结构的晶体管的体二极管而被形成。
[0038]如此一来，能够有效地活用构成桥接电路的晶体管的DM0S结构，而实现作为温度传感器部的温度检测元件的体二极管。
[0039]本发明的其他方式涉及一种包括上述任一方式所述的电路装置。
【附图说明】
[0040]图1为本实施方式的电路装置的结构例。
[0041]图2为本实施方式的比较例中的温度传感器部的配置例。
[0042]图3为温度传感器部的其他的配置例。
[0043]图4为本实施方式的电路装置的电路结构例。
[0044]图5中(A)、(B)为桥接电路的动作说明图。
[0045]图6为使用了检测电阻的斩波动作的控制方法的说明图。
[0046]图7为温度传感器部、过热检测部的结构例。
[0047]图8为表示温度检测电压与基准电压的关系的图。
[0048]图9为配置多个温度传感器部的情况下的配置例。
[0049]图10为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。
[0050]图11为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。
[0051]图12为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。
[0052]图13为配置多个温度传感器部的情况下的其他配置例。
[0053]图14为基于来自多个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测的方法的说明图。
[0054]图15为基于来自多个温度传感器部的温度检测信号而实施过热检测的情况下的详细的结构例。
[0055]图16中的(A)、(B)为基于从多个温度传感器部分时输入的温度检测信号而实施过热检测的方法的说明图。
[0056]图17为DM0S结构的N型晶体管的剖视图。
[0057]图18为DM0S结构的P型晶体管的剖视图。
[0058]图19为利用了 DM0S结构的温度传感器部的温度检测元件的实现例。
[0059]图20为电子设备的结构例。
【具体实施方式】
[0060]以下，对本发明的优选的实施方式进行详细说明。此外，以下所进行说明的本实施方式并非不当地对权利要求书中所记载的本发明的内容进行限定的方式，并且在本实施方式中所说明的全部结构并非都是作为本发明的解决方法所必须的。
[0061]1、电路装置的结构