包括透视部分的电磁干扰emi屏蔽件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本公开总体上涉及包括透视部分（see-through portions)的EMI屏蔽件 (sheild)，例如包括透视部分的封盖、盖或上盖等。
【背景技术】
[0002] 此部分提供与本公开有关的背景信息，其未必是现有技术。
[0003] 电子装置的操作中的常见问题是在设备的电子电路内生成电磁辐射。这种辐射可 能导致电磁干扰（EMI)或射频干扰（RFI)，这些干扰可妨碍在特定距离内的其它电子装置 的操作。在没有足够的屏蔽的情况下，EMI/RFI干扰可导致重要信号的劣化或者完全损失， 从而致使电子设备效率低或者无法操作。
[0004] 改善EMI/RFI的影响的常见解决方案是通过使用能够吸收和/或反射和/或重定 向EMI能量的屏蔽件。这些屏蔽件通常用于将EMI/RFI限制在其源内，并且将邻近EMI/RFI 源的其它装置绝缘。
[0005] 如本文所使用的术语"EMI "应该被认为通常包括并表示EMI发射和RFI发射，术 语"电磁"应该被认为通常包括并表示来自外部源和内部源的电磁和射频。因此，术语屏 蔽（如本文所用）广义地包括并表示为了例如政府合规和/或为了电子部件系统的内部功 能，例如通过吸收、反射、阻挡和/或重定向能量或其一些组合来减轻（或限制）EMI和/或 RFI，以使得它不再干扰。
【发明内容】
[0006] 此部分提供本公开的总体概述，不是其完整范围或其所有特征的全面公开。
[0007] 根据各个方面，公开了包括透视部分的EMI屏蔽件的示例性实施方式。在示例性 实施方式中，EMI屏蔽设备或组件通常包括封盖、盖或上盖。所述封盖的至少一部分是透视 的。另外，公开了与制备EMI屏蔽设备或组件有关的方法的示例性实施方式。另外，公开了 与为基板上的一个或更多个部件提供屏蔽有关的方法的示例性实施方式。
[0008] 进一步的应用领域将从本文提供的描述而变得显而易见。此
【发明内容】
中的描述和 具体示例仅旨在用于说明目的，而不旨在限制本公开的范围。
【附图说明】
[0009] 本文所述的附图仅用于说明所选择的实施方式，而非所有可能的实现方式，并非 旨在限制本公开的范围。
[0010] 图1是根据示例性实施方式的包括框架以及能够附接到框架的封盖的屏蔽设备 的分解立体图，其中封盖至少有一部分是透视的（例如，透明的、半透明的、基本上透明的、 透亮的、清澈的等）；
[0011] 图2是示出根据示例性实施方式的可用于图1所示的封盖的示例层的分解立体 图，其包括第一或顶部导电层或部分、第二或中间导电粘合层或部分以及第三或底部介电 层或部分；
[0012] 图3提供可用于示例性实施方式中的框架的示例尺寸（毫米（英寸）），并且还示 出包括清澈的导电膜的封盖的侧视图；
[0013] 图4A、图4B、图4C和图4D示出根据示例性实施方式的可用于屏蔽设备的封盖的 膜上的导电材料的示例图案；
[0014] 图5是根据示例性实施方式的可用于屏蔽设备的封盖的透视膜的立体图；
[0015] 图6是根据示例性实施方式的包括框架以及附接到框架的封盖的示例屏蔽设备 的立体图，其中封盖包括图5所示的透视膜；
[0016] 图7A是根据示例性实施方式的图6所示的屏蔽设备的俯视图，并且示出封盖如何 允许透过封盖查看屏蔽设备的内部；
[0017] 图7B是图7A所示的屏蔽设备的一部分的近视图，并且示出金属网片，其被层叠到 膜（例如，聚酯介电膜等）的下侧从而沿着膜的下侧提供导电性，而无需完全消除透视膜的 能力；
[0018] 图8A、图8B、图8C和图8D分别是根据示例性实施方式的屏蔽设备的示例框架的 俯视图、正视图、侧视图和横截面图，至少有一部分透视的封盖可附接到该框架，其中仅出 于示例目的而提供尺寸（毫米（英寸））；以及
[0019] 图9是根据示例性实施方式的针对三个原型屏蔽设备测量的屏蔽效果（分贝 (dB))对频率（200兆赫至18千兆赫）的线图，所述原型屏蔽设备包括具有透视部分的封 盖。
【具体实施方式】
[0020] 现在将参照附图更充分地描述示例实施方式。
[0021] 在诸如智能电话、平板等的电子装置中可使用板级屏蔽（BLS)。传统BLS组件是常 用的，但是它们可包括无法透视的金属的不透明封盖。由于封盖是不透明的并且无法透视， 所以封盖不允许透过封盖光学检查或查看屏蔽设备内部的部件。因此，只有在封盖不在框 架上的情况下（例如，在将封盖附接到框架之前或者在将封盖从框架移除之后）才能够光 学检查或查看部件（例如，对人眼不可见等）。
[0022] 本文公开了包括透视的（例如，透明的、半透明的、基本上透明的、透亮的、清澈的 或者非不透明的等）一个或更多个部分（例如，封盖、盖或上盖等）的EMI屏蔽件、屏蔽设 备或者组件的示例性实施方式。在示例性实施方式中，EMI屏蔽件、屏蔽设备或者组件通常 包括框架以及可附接到框架的封盖、盖或上盖。封盖至少包括至少部分地透视的部分。可 透过封盖的透视部分光学检查或查看由框架和封盖协作限定的内部。例如，可在框架已被 安装（例如，焊接等）到PCB之后将部件设置在屏蔽设备的内部。然后可透过封盖的透视 部分光学检查或查看内部的部件（例如，对人眼可见等），而无需首先将封盖从框架移除。
[0023] 在另一示例性实施方式中，EMI屏蔽设备或组件通常包括一个或更多个侧壁以及 能够附接或者附接到一个或更多个侧壁的封盖、盖或上盖。所述一个或更多个侧壁可包括 单个侧壁，可包括彼此分离或分立的多个侧壁，或者可包括作为单件式框架的整体部分的 多个侧壁等。封盖至少包括至少部分地透视（例如，透明的、半透明的、基本上透明的、透亮 的、清澈的、非不透明的等）部分。可透过封盖的透视部分光学检查或查看由侧壁和封盖协 作地限定的内部。例如，可在侧壁已被安装（例如，焊接等）到PCB之后将部件设置在屏蔽 设备的内部。然后可透过封盖的透视部分光学检查或查看内部的部件，而无需首先将封盖 从侧壁移除。
[0024] 在示例性实施方式中，封盖、盖或上盖包括多个层或部分，使得本文中封盖也可被 称作封盖组件。例如，封盖可包括第一或顶部导电层或部分、第二导电粘合层或部分以及第 三或底部介电层或部分。第一层或顶层可包括诸如Mylar K聚酯膜、其它聚酯膜、聚酰亚胺 (PI)膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)膜、高温聚合物膜的 膜、其它膜或材料等。导电材料可被设置（例如，按照网格或者网孔图案印刷等）在膜上。 例如，导电（例如，银等）墨或膏可被丝网印刷在膜上。第二层可包括压敏粘合剂（PSA)。 第二层可以是具有开口中间部分的环形，使得粘合剂仅沿着第一层的周界边缘部分，而不 阻碍透过第一层的视野。第三层或底层可包括沿着封盖的下侧或者在封盖的下侧上的介电 膜（例如，介电聚酯膜等）以防止封盖下方所接纳的部件短路。在一些实施方式中， 封盖不包括第三介电层，使得第二层是底层。
[0025] 在一些实施方式中，封盖包括光学透明度或者透光率为70 %或更高（例如，70 %、 80%、90%、大于80%等）的一个或更多个透视部分。光学透明度或者透光率将取决于用于 封盖的具体材料。
[0026] 封盖可具有周界或覆盖区（footprint)，其尺寸和形状与框架的周界或覆盖区的 尺寸和形状匹配或对应。在一些实施方式中，封盖的覆盖区或周界可小于框架的覆盖区或 周界，使得封盖不会延伸超过框架的任何边缘。框架可包括限定框架的开放顶部的一个或 更多个侧壁。封盖可沿着框架的上表面附接或者附接到框架的上表面，以覆盖框架的开放 顶部。当一个或更多个部件在由框架以及附接到框架的封盖协作地限定的内部时，屏蔽设 备可能够操作以屏蔽基板上的一个或更多个部件。
[0027] 侧壁可被整体地形成，使得侧壁具有单件或单一构造。在这种情况下，框架将在相 邻对的侧壁之间不包括允许EMI泄漏的任何间隙。随着框架的侧壁将整体地连接到彼此， 框架也将不包括将分离的侧壁彼此连接的任何接头。另选地，代替框架，EMI屏蔽设备可包 括由多个分离的零件组成的侧壁。
[0028] 可利用粘合剂（例如，导电PSA等）将封盖、盖或上盖施加到框架或侧壁。封盖 可具有与框架基本上相同的形状，使得封盖将基本上覆盖由框架限定的所有周界或开放顶 部。例如，封盖可被施加到框架的第一侧以形成覆盖框架的开放顶部以及由框架限定的内 部的表面。由框架限定的内部可基本上为中空的，并且可被封盖覆盖，使得框架和封盖可协 作地为由框架和封盖协作地限定的内部所接纳的部件提供屏蔽。封盖可为透视的，从而允 许查看由框架和封盖协作地限定的内部所接纳的部件，而无需移除封盖。
[0029] 在一些实施方式中，封盖可包括电绝缘体或电介质作为封盖的底层。介电层可结 合至第一层（例如，导电透视层等）和/或第二层（例如，压敏层等）。电绝缘体或电介质可 提供电绝缘以防止封盖使由框架和封盖协作地限定的内部在封盖下方接纳的任何部件电 短路。电绝缘体或介电层可包括Mylar R介电聚酯膜、其它介电聚酯膜、介电聚酰亚胺（PI) 膜、