一种屏蔽膜及连续式屏蔽膜制作系统及方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种屏蔽膜及屏蔽膜制作系统及方法，尤其设及一种屏蔽膜及连续式 屏蔽膜制作系统及方法。
【背景技术】
[0002] 随着电子产品的快速发展，越来越多的产品需要进行电磁屏蔽，导电布及导电无 纺布的制造，通过该技术制造的导电布及导电无纺布具有优异的导电性及屏蔽效能，可广 泛地应用于电子产品中需要进行电磁波屏蔽的地方。如图1所示，现行制作屏蔽材料使用电 锻的方式，然而电锻会有如下影响：低效率：由于电锻的过程速度无法太快，因此制作产品 时会降低整体效率。环境污染：为了确保电锻的效率与品质，每隔一段时间，需重新更换电 锻液，由于电锻液需为强酸与强碱，因此废弃的电锻液对于环境具有非常大的破坏影响。浪 费电力：电锻液需要藉由通电进而产生氧化还原反应，因此电力的浪费将会增加成本上 升。浪费水资源:经过电锻液的基材，需要用大量水清洗才能彻底洗净强酸与强碱，然而对 于日渐珍贵的水资源，无疑是一种浪费。
【发明内容】
[0003] 本发明解决的技术问题是:构建一种新型的屏蔽膜及连续式屏蔽膜制作系统及方 法，克服现有技术屏蔽膜制作低效率、环境污染大、浪费电力和水资源的技术问题。
[0004] 本发明的技术方案是:构建一种屏蔽膜，依次包括屏蔽层、基材层，所述屏蔽层涂 布在所述基材层的一面，所述屏蔽层由导电浆料涂布形成，所述导电浆料包括导电材料、树 脂材料、溶剂，所述导电材料质量百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为5%至 30%的树指材料，所述溶剂的质量百分比为5%至20%。
[000引本发明的进一步技术方案是：所述导电浆料为银浆、纳米银线、铜浆、石墨締、石 墨、导电高分子中的任意一种或多种。
[0006] 本发明的进一步技术方案是:所述导电浆料通过狭缝式涂布方式涂布到所述基材 层的一面。
[0007] 本发明的进一步技术方案是:所述导电材料、所述树指材料和所述溶剂混合形成 质量百分比为50%至95%的所述导电浆料。
[0008] 本发明的技术方案是:构建一种连续式屏蔽膜制作系统，包括表面处理单元、涂布 单元、干燥单元、压合单元，所述表面处理单元对基材进行表面处理，所述涂布单元对表面 处理后的基材的一面涂布导电浆料，所述干燥单元对涂布后的屏蔽膜进行干燥处理，所述 压合单元对屏蔽膜进行压合成膜，所述表面处理单元、所述涂布单元、所述干燥单元和所述 压合单元依次连续工作，所述导电浆料包括导电材料、树脂材料、溶剂，所述导电材料质量 百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为5%至30%的树指材料，所述溶剂的质量 百分比为5 %至20 %。
[0009] 本发明的进一步技术方案是:所述涂布单元包括狭缝式涂布模块，所述狭缝式涂 布模块将所述导电浆料通过狭缝式涂布方式涂布到所述基材层的一面。
[0010] 本发明的进一步技术方案是:所述涂布单元还包括调节模块，所述调节模块调节 所述狭缝式涂布模块通过调节所述导电浆料的流量、所述涂布单元单位时间内机台移动的 距离控制屏蔽膜的厚度。
[0011] 本发明的技术方案是:提供一种连续式屏蔽膜制作方法，包括如下步骤： 表面处理:对基材进行表面处理； 涂布导电浆料:对基材的一面涂布导电浆料，所述导电浆料包括导电材料、树脂材料、 溶剂，所述导电材料质量百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为5%至30%的树 指材料，所述溶剂的质量百分比为5%至20% ; 干燥处理:对涂布后的屏蔽膜进行干燥处理； 压合处理:对干燥后的屏蔽膜进行压合成膜； 表面处理、涂布导电浆料、干燥处理、压合处理依次连续进行。
[0012] 本发明的进一步技术方案是:将所述导电浆料通过狭缝式涂布方式涂布到所述基 材层的一面。
[0013] 本发明的进一步技术方案是:根据屏蔽膜宽度通过调节所述导电浆料的流量、单 位时间内涂布机台移动的距离控制屏蔽膜的厚度。
[0014] 本发明的技术效果是:本发明一种屏蔽膜及连续式屏蔽膜制作系统及方法，通过 对基材进行表面处理;对基材的一面涂布导电浆料，所述导电浆料包括导电材料、树脂材 料、溶剂，所述导电材料质量百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为5%至30% 的树指材料，所述溶剂的质量百分比为5%至20%;对涂布后的屏蔽膜进行干燥处理;对干 燥后的屏蔽膜进行压合成膜;表面处理、涂布导电浆料、干燥处理、压合处理依次连续进行。 本发明的屏蔽膜及连续式屏蔽膜制作系统及方法，可连续不断生产，提高了生产效率，同 时，生产过程中不需要使用电锻液与水，对于环境保护具有重要贡献。
【附图说明】
[0015] 图1为本发明的现有技术结构示意图。
[0016] 图2为本发明的结构示意图。
[0017] 图3为本发明的湿膜厚度与电阻率的关系图。
【具体实施方式】
[0018] 下面结合具体实施例，对本发明技术方案进一步说明。
[0019] 本发明的【具体实施方式】是：构建一种屏蔽膜，依次包括屏蔽层、基材层，所述屏蔽 层涂布在所述基材层的一面，所述屏蔽层由导电浆料涂布形成，所述导电浆料包括导电材 料、树脂材料、溶剂，所述导电材料质量百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为 5%至30%的树指材料，所述溶剂的质量百分比为5%至20%。
[0020] 本发明的具体实施过程是：制作导电浆料，所述导电浆料包括导电材料、树脂材 料、溶剂，所述导电材料质量百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为5%至30% 的树指材料，所述溶剂的质量百分比为5%至20%。所述导电材料、所述树指材料和所述溶 剂混合形成质量百分比为50%至95%的所述导电浆料。基材层经过清洁等表面处理后，将制 作好的导电浆料涂到所述基材层的一面形成所述屏蔽层，从而形成屏蔽膜。具体实施例中， 所述导电浆料为银浆、纳米银线、铜浆、石墨締、石墨、导电高分子中的任意一种或多种。所 述导电浆料通过狭缝式涂布方式涂布到所述基材层的一面。
[0021 ]如图2所示，本发明的具体实施过程如下是：构建一种连续式屏蔽膜制作系统，包 括表面处理单元1、涂布单元2、干燥单元3、压合单元4,所述表面处理单元1对基材进行表面 处理，所述涂布单元2对表面处理后的基材的一面涂布导电浆料，所述干燥单元3对涂布后 的屏蔽膜进行干燥处理，所述压合单元4对屏蔽膜进行压合成膜，所述表面处理单元1、所述 涂布单元2、所述干燥单元3和所述压合单元4依次连续工作，所述导电浆料包括导电材料、 树脂材料、溶剂，所述导电材料质量百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为5% 至30%的树指材料，所述溶剂的质量百分比为5%至20%。
[0022] 如图2所示，本发明的具体实施过程是：制作导电浆料，所述导电浆料包括导电材 料、树脂材料、溶剂，所述导电材料质量百分比为50%至80%，所述树指材料质量百分比为 5%至30%的树指材料，所述溶剂的质量百分比为5%至20%。所述导电材料、所述树指材料 和所述溶剂混合形成质量百分比为50%至95%的所述导电浆料。所述涂布单元2对表面处理 后的基材的一面涂布导电浆料，所述干燥单元3对涂布后的屏蔽膜进行干燥处理，所述压合 单元4对屏蔽膜进行压合成膜，所述表面处理单元1、所述涂布单元2、所述干燥单元3和所述 压合单元4依次连续工作。具体实施例中，所述导电浆料为银浆、纳米银线、铜浆、石墨締、石 墨、导电高分子中的任意一种或多种。所述导电浆料通过狭缝式涂布方式涂布到所述基材 层的一面。
[0023] 如图3所示，本发明的优选实施方式是:所述涂布单元2还包括调节模块，所述调节 模块调节所述狭缝式涂布模块通过调节所述导电浆料的流量、所述涂布单元单位时间内机 台移动的距离控制屏蔽膜的厚度。
[0024] 如图3所示，确定75%导电银浆的湿膜厚度(Wet Film Thickness;湿膜厚度，简称 ('WFT")与电阻率(Electri