多层配线基板的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及多层配线基板的制造方法，尤其涉及使用填充电镀液来形成层间连接 的多层配线基板的制造方法。
【背景技术】
[0002] 以往，采用如下多层配线基板的制造方法:在形成有配线的内层材料上，将半固化 片或树脂膜和其上层的金属箱层叠一体化，利用激光设置通孔用孔，形成基底无电解镀层 后，通过采用填充电镀液形成的电镀层（以下，有时简称为"填充电镀层"。）来填埋上述通孔 用孔。
[0003] 此时，尤其对于孔径与绝缘层厚度相比为同等程度、即纵横比为1左右以上的通 孔，有在孔内部容易产生镀层空洞（以下，有时简称为"空洞"。）的倾向。作为抑制这样的镀 层空洞的方法，提出了以低电流密度长时间进行的电镀方法、阶段性地控制电流密度的电 镀方法(专利文献1)。此外，关于通孔的填埋，提出了从表面平滑性的观点出发将电镀层的 形成分2次进行的方法(专利文献2)。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开2003-318544号公报 [0007] 专利文献2:日本特开2009-21581号公报
【发明内容】
[0008] 发明所要解决的课题
[0009] 在通过利用敷形法、直接激光法的激光加工而形成的通孔用孔中，在作为激光加 工入口的通孔用孔的开口部产生金属箱的突出，而由于该金属箱的突出，使得通孔用孔的 截面形状中，开口部有时甚至变得比内部或底部窄。对于这样的通孔用孔，在由填充电镀物 进行填充时，在开口部的金属箱的突出上析出的填充电镀层会在填充电镀物填充于通孔用 孔内部之前堵住通孔用孔的开口部，成为产生镀层空洞的原因之一。
[0010] 近年来，小型化、薄型化的要求越来越高，从而有通孔用孔的直径变得更小、绝缘 层厚度变得更薄、纵横比变得更大的倾向，而伴随于此，该开口部的金属箱的突出相对于通 孔用孔的直径、深度而言相对变大，因而容易影响镀层空洞的产生。还认为，在通孔内部产 生的空洞会由于长时间的使用、严酷条件下的使用而产生不良状况。
[0011] 专利文献1的方法中，作为具有由包含聚酰亚胺树脂等有机绝缘材料的绝缘层与 包含铜等导体材料的配线交替层叠而成的多层结构的多层配线基板的制造方法，示出了控 制电流密度以抑制空洞产生的方法，但本发明人进行了研究，结果是无法完全消除空洞。此 外，专利文献2的方法中，虽然凹陷产生量得以减少，但没有得到抑制空洞产生的效果。
[0012] 本发明的目的在于，提供一种对具有与绝缘层厚度同等程度的直径的通孔用孔也 能够抑制填充电镀层的镀层空洞的多层配线基板的制造方法。
[0013]用于解决课题的方法 [00M]本发明涉及以下内容。
[0015] 1. -种多层配线基板的制造方法，其具有：
[0016] 工序（1)，将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箱层叠一体 化，使用敷形法或直接激光法，在上述上层配线用金属箱和绝缘层中设置:从上述上层配线 用金属箱到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箱的突 出、以及在该金属箱的突出与上述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；
[0017] 工序(2)，在上述通孔用孔内和上层配线用金属箱上形成基底无电解镀层后，通过 形成填充电镀层来填埋上述通孔用孔，从而形成将上述上层配线用金属箱与内层配线连接 的通孔；以及
[0018] 工序(3)，对形成上述填充电镀层后的上层配线用金属箱进行配线形成，从而形成 上层配线；
[0019] 上述工序（2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋如下进行：在填充 电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低，再使其增加；
[0020] 上述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机:形成于通孔 用孔的开口部的上层配线用金属箱的突出与上述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充 电镀物填充，并且在通孔用孔的底面析出的填充电镀层的厚度小于或等于在上述通孔用孔 的内壁和上述上层配线用金属箱上析出的填充电镀层的厚度之时。
[0021 ] 2.根据项1中的多层配线基板的制造方法，上述工序(2)中使填充电镀的电流密度 暂时降低的时机为如下时机：
[0022] 通孔的截面形状为，形成于通孔用孔的开口部的上层配线用金属箱的突出与上述 通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，并且，在通孔用孔的底面析出的填充 电镀层的厚度小于或等于在上述通孔用孔的内壁和上述上层配线用金属箱上析出的填充 电镀层的厚度之时，
[0023] 其中，维持与通孔用孔的深度相对于上述填充电镀前的通孔用孔的开口径之比即 纵横比同等或其以上的纵横比之时。
[0024] 3.根据项1或2中的多层配线基板的制造方法，上述工序(2)中使填充电镀的电流 密度暂时降低的时机为如下时机：
[0025] 形成于通孔用孔的开口部的上层配线用金属箱的突出与上述通孔用孔的内壁之 间的下方空间被填充电镀物填充，并且在形成镀层空洞之前。
[0026] 4.根据项1至3中任一项中的多层配线基板的制造方法，上述工序(2)中在填充电 镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低时电流密度的降低率大于或等于即将使其降低 之前的50%。
[0027] 5.根据项1至4中任一项中的多层配线基板的制造方法，上述工序(2)中在填充电 镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加时的电流密度大于或等于上述即 将使其暂时降低之前的电流密度。
[0028]发明的效果
[0029]根据本发明，能够提供一种即使对具有与绝缘层厚度同等程度的直径的通孔用孔 也能够抑制填充电镀层的镀层空洞的多层配线基板的制造方法。
【附图说明】
[0030] 图1表示本发明的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序 ⑴。
[0031] 图2表示本发明的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序 ⑵。
[0032] 图3表示本发明的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序 ⑶。
[0033] 图4表示比较例2的多层配线基板的制造方法的工序(2)。
[0034] 图5表示比较例1的多层配线基板的制造方法的工序(2)。
[0035] 图6表示本发明的一个实施方式(实施例2)的多层配线基板的制造方法的填充电 镀的电流密度。
【具体实施方式】
[0036] 作为本发明的多层配线基板的制造方法，可举出如下多层配线基板的制造方法， 该制造方法具有:工序（1)，将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箱层 叠一体化，使用敷形法或直接激光法，在上述上层配线用金属箱和绝缘层中设置:从上述上 层配线用金属箱到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箱 的突出、以及在该金属箱的突出与上述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；
[0037] 工序(2)，在上述通孔用孔内和上层配线用金属箱上形成基底无电解镀层后，通过 形成填充电镀层来填埋上述通孔用孔，从而形成将上述上层配线用金属箱与内层配线连接 的通孔；以及
[0038] 工序(3)，对形成上述填充电镀层后的上层配线用金属箱进行配线形成，从而形成 上层配线；
[0039] 上述工序（2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋如下进行：在填充 电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低，再使其增加，
[0040] 上述工序(2)中使填充电镀的电流密度暂时降低的时机为如下时机:形成于通孔 用孔的开口部的上层配线用金属箱的突出与上述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充 电镀物填充，并且在通孔用孔的底面析出的填充电镀层的厚度小于或等于在上述通孔用孔 的内壁和上述上层配线用金属箱上析出的填充电镀层的厚度之时。
[0041] 本发明的多层配线基板的制造方法中，在工序（1)中，由于使用敷形法或直接激光 法来设置通孔用孔，因此在通孔用孔的开口部产生上层配线用金属箱的突出，在该上层配 线用金属箱的突出与通孔用孔的内壁之间形成下方空间。上层配线用金属箱的突出的背面 附近的区域即正下部，成为下方空间中填充电镀液难以流入的区域。因此，包含该正下部的 下方空间容易吸附填充电镀液的促进剂，在填充电镀的初期阶段，首先以该正下部为起点 而在下方空间形成填充电镀层，填充下方空间。在此，下方空间是指上层配线用金属箱的突 出与通孔用孔的内壁之间所包围的空间，详细地，是指从上层配线用金属箱的突出的前端 向通孔用孔的底部方向垂下的垂线与通孔用孔的内壁之间所包围的空间。镀层促进剂具有 如下性质：一旦吸附，则在以相同的电流密度继续进行填充电镀的期间会原样留存。因此， 如果如以往技术那样以相同的电流密度继续进行填充电镀，则填充了下方空间的填充镀层