多层配线基板的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及多层配线基板的制造方法，尤其涉及使用填充电镀液来形成层间连接 的多层配线基板的制造方法。
【背景技术】
[0002] 以往采用如下多层配线基板的制造方法:在形成有配线的内层材料上，将半固化 片或树脂膜和其上层的金属箱层叠一体化，利用激光设置通孔用孔，形成基底无电解镀层 后，通过采用填充电镀液形成的电镀层（以下，有时简称为"填充电镀层"。）来填埋上述通孔 用孔。
[0003] 此外，以往还制造了不填埋通孔用孔的多层配线基板，对于孔径(通孔用孔的开口 径)与绝缘层厚度(通孔用孔的深度)相比为大于或等于1.2倍左右之大、即纵横比小于或等 于0.8左右的通孔，要求以较少的镀层厚度进行层间连接而制造多层配线基板。作为制造不 填埋通孔用孔的多层配线基板的方法，使用如下方法:在内层配线上层叠绝缘树脂和金属 箱，通过激光打孔机打出非贯通孔，进行无电解镀铜和一般的电镀铜(不是填充电镀的电镀 铜）（专利文献1)。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开2008-182273号公报
【发明内容】
[0007] 发明所要解决的课题
[0008] 通过利用敷形法、直接激光法的激光加工而形成的通孔用孔中，在作为激光加工 入口的通孔用孔的开口部产生金属箱的突出，而由于该金属箱的突出，使得通孔用孔的截 面形状中，开口部有时甚至变得比内部或底部窄。
[0009] 对于这样的通孔用孔，利用以往的一般的电镀铜来进行不填埋通孔用孔的电镀铜 时，有如下问题：由于向通孔用孔的内部的分散能力（throwing power)低，因此若要形成用 于确保连接可靠性的厚度的电镀铜层，则在表面的金属箱上也会形成厚的电镀铜层，从而 要对表面的金属箱和电镀铜层加在一起的厚度进行蚀刻，因此微细配线形成性差。
[0010]此外，作为使表面的金属箱上的电镀铜层的厚度变薄的方法，可考虑优先在通孔 用孔内形成镀层的、使用填充电镀的方法。然而，在使用填充电镀时，有如下问题:在开口部 的金属箱的突出析出的填充电镀层会在通孔用孔的内部被填充电镀物填充之前堵住通孔 用孔的开口部，成为产生镀层空洞的原因之一。
[0011]此外，近年来，小型化、薄型化的要求越来越高，有通孔用孔的直径变得更小、绝缘 层厚度变得更薄、纵横比变得更大的倾向，但也存在许多具有纵横比较小、无需由填充电镀 物填充的通孔用孔(一般的通孔用孔)的多层配线基板。对这样的多层配线基板的通孔用孔 进行电镀铜时，使用填充电镀设备进行作业便于减少使用设备，使工序简化。
[0012] 本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种多层配线基板的制造方法，其 在避免表面的金属箱上的电镀层变厚的同时抑制通孔用孔内的镀层空洞的产生，并且能够 通过填充电镀设备来形成未被填充电镀物填充的一般通孔。
[0013] 用于解决课题的方法 [00M]本发明涉及以下内容。
[0015] 1. -种多层配线基板的制造方法，其具有：
[0016] 工序（1)，将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箱层叠一体 化，使用敷形法或直接激光法，在上述上层配线用金属箱和绝缘层中设置:从上述上层配线 用金属箱到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箱的突 出、以及在该金属箱的突出与上述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；工序(2)，在上述 通孔用孔内和上层配线用金属箱上形成基底无电解镀层后，形成填充电镀层，从而形成将 上述上层配线用金属箱与内层配线连接的通孔；以及工序(3)，对形成上述填充电镀层后的 上层配线用金属箱进行配线形成，从而形成上层配线，
[0017] 上述工序（2)中填充电镀层的形成如下进行：在上述填充电镀层堵住上述通孔用 孔的开口部之前，将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电 流密度变化反复进行两次以上。
[0018] 2.根据项1中的多层配线基板的制造方法，通过将上述工序(2)中在填充电镀层堵 住上述通孔用孔的开口部之前反复进行使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的 电流密度变化，从而上述填充电镀层形成为追随通孔用孔的内壁和底面的形状。
[0019] 3.根据项1或2中的多层配线基板的制造方法，上述工序(2)中使填充电镀的电流 密度暂时降低的时机为如下时机:形成于通孔用孔的开口部的上层配线用金属箱的突出与 上述通孔用孔的内壁之间的下方空间被填充电镀物填充，并且在形成镀层空洞之前。
[0020] 4.根据项1至3的任一项中的多层配线基板的制造方法，上述工序(2)中在填充电 镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低时电流密度的降低率大于或等于即将使其降低 之前的50%。
[0021] 5.根据项1至4的任一项中的多层配线基板的制造方法，上述工序(2)中在填充电 镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加时的电流密度大于或等于上述即 将使其暂时降低之前的电流密度。
[0022]发明的效果
[0023] 根据本发明，能够提供一种多层配线基板的制造方法，其在避免表面的金属箱上 的电镀层变厚的同时抑制通孔用孔内的镀层空洞的产生，并且能够通过填充电镀设备来形 成未被填充电镀物填充的一般通孔。
【附图说明】
[0024] 图1表示本发明的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序 ⑴。
[0025] 图2表示本发明的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序 ⑵。
[0026] 图3表示本发明的一个实施方式(实施例1~5)的多层配线基板的制造方法的工序 ⑶。
[0027] 图4表示比较例的多层配线基板的制造方法的工序(2)。
[0028] 图5表示本发明的一个实施方式(实施例1)的多层配线基板的制造方法的填充电 镀的电流密度。
【具体实施方式】
[0029] 作为本发明的多层配线基板的制造方法，可举出如下多层配线基板的制造方法， 其具有:工序(1 )，将形成有内层配线的内层材料、绝缘层及上层配线用金属箱层叠一体化， 使用敷形法或直接激光法，在上述上层配线用金属箱和绝缘层中设置:从上述上层配线用 金属箱到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箱的突出、 以及在该金属箱的突出与上述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；工序(2)，在上述通孔 用孔内和上层配线用金属箱上形成基底无电解镀层后，形成填充电镀层，从而形成将上述 上层配线用金属箱与内层配线连接的通孔；以及工序(3)，对形成上述填充电镀层后的上层 配线用金属箱进行配线形成，从而形成上层配线，
[0030] 上述工序（2)中填充电镀层的形成如下进行：在上述填充电镀层堵住上述通孔用 孔的开口部之前将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电 流密度变化反复进行两次以上。
[0031] 本发明的多层配线基板的制造方法中，在工序（1)中，使用敷形法或直接激光法来 设置通孔用孔，因此在通孔用孔的开口部产生上层配线用金属箱的突出，在该上层配线用 金属箱的突出与通孔用孔的内壁之间形成下方空间。上层配线用金属箱的突出的背面附近 的区域即正下部成为下方空间中填充电镀液难以流入的区域。因此，包含该正下部的下方 空间容易吸附填充电镀液的促进剂，在填充电镀的初期阶段，首先以该正下部为起点而在 下方空间形成填充电镀层，填充下方空间。在此，下方空间为在上层配线用金属箱的突出与 通孔用孔的内壁之间所包围的空间，详细地，是指从上层配线用金属箱的突出的前端向通 孔用孔的底部方向垂下的垂线与通孔用孔的内壁之间所包围的空间。镀层促进剂具有如下 性质：一旦吸附，则在以相同的电流密度继续进行填充电镀的期间会原样留存。因此，若如 以往技术那样以相同的电流密度继续进行填充电镀，则填充了下方空间的填充镀层会以正 下部为起点继续生长，与通孔用孔的内部相比先堵住开口部，因此有在通孔用孔的内部容 易产生镀层空洞的倾向。
[0032] 正下部是指在上层配线用金属箱的突出与通孔用孔的内壁之间形成的下方空间 中，上层配线用金属箱的突出的背面附近的区域。该正下部如下形成:在利用敷形法或直接 激光法来形成通孔用孔时，在形成绝缘层的树脂和正上方的金属箱之间，激光加工容易性 (热分解温度)存在较大差异，因此位于金属箱正下方的绝缘层的内壁与金属箱的开口前端 相比凹陷。尤其在使用具有增强纤维的半固化片作为绝缘层时，在金属箱的正下部存在用 于粘接的树脂，由于该树脂与增强纤维相比容易进行激光加工，因而有正下部的树脂与金 属箱、通孔用孔内部的内壁相比大幅凹陷的倾向。因此，填充电镀液的促进剂容易吸附于该 正下部，因而有填充电镀层生长得快(厚