横向耦合多模单片滤波器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的特定方面涉及横向耦合多模单片滤波器。
【背景技术】
[0002]高频通信系统使用例如2GHz或更大的高频带来执行高速且大容量通信。作为用于高频器件的滤波器，已经知道使用具有高声速的压电膜的横向耦合多模单片滤波器。横向耦合多模单片滤波器具有被设计为具有跨越压电膜形成的地电极和信号电极的结构。信号电极包括如在例如日本专利申请公开号2009-188484和2009-188599中公开的施加有信号的两个或更多个电极。
[0003]然而，信号电极的纵横比在滤波器的输入阻抗和输出阻抗被调节时可能增加。信号电极的纵横比的增加导致应力集中于压电膜并且可能导致破裂等。另选地，声波可能在信号电极的横向方向上泄露。
【发明内容】
[0004]根据本发明的一个方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括:衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；以及多个信号电极，所述多个信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且彼此并联布置，所述第二表面与所述第一表面相反，所述多个信号电极中的每一个包括第一电极指和第二电极指，其中，所述第一电极指和所述第二电极指具有不同的电位；所述多个信号电极中的相邻信号电极彼此相距一定距离，所述距离大于所述第一电极指和所述第二电极指的节距。
[0005]根据本发明的另一方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括:衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；以及信号电极，该信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且包括第一电极指和第二电极指，所述第二表面与所述第一表面相反，所述第二电极指具有与所述第一电极指的电位不同的电位，其中，所述压电膜在所述第一电极指和所述第二电极指的布置方向上在所述信号电极的外侧的至少一部分被去除。
[0006]根据本发明的另一方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括:衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；信号电极，该信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且包括第一电极指和第二电极指，所述第二表面与所述第一表面相反，所述第二电极指具有与所述第一电极指的电位不同的电位；以及介电膜，该介电膜在所述第一电极指和所述第二电极指的布置方向上形成在在所述信号电极的外侧的所述压电膜中并且与所述压电膜不同。
[0007]根据本发明的另一方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括:衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；信号电极，该信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且包括第一电极指和第二电极指，所述第二表面与所述第一表面相反，所述第二电极指具有与所述第一电极指的电位不同的电位；以及反相电极，该反相电极在所述第一电极指和所述第二电极指的布置方向上在所述信号电极的外侧包括第三电极指和第四电极指，所述第三电极指具有与所述第一电极指的电位相同的电位，所述第四电极指具有与所述第二电极指的电位相同的电位，其中，彼此相邻的所述第一电极指和所述第三电极指具有相同的电位，或者彼此相邻的所述第二电极指和所述第四电极指具有相同的电位。
【附图说明】
[0008]图1A是根据第一比较例的滤波器的平面图，并且图1B是沿着图1A中的线A-A截取的横截面图；
[0009]图2A和图2B是例示了压电膜相对于位置的位移的图，并且图2C是频率对衰减的图；
[0010]图3A是根据第二比较例的滤波器的平面图，并且图3B是沿着图3A中的线A-A截取的横截面图；
[0011 ] 图4A至图4C是例示了压电膜相对于位置的位移的图，并且图4D是频率对衰减的图；
[0012]图5A是根据第三比较例的滤波器的平面图，并且图5B是沿着图5A中的线A-A截取的横截面图；
[0013]图6A是根据第四比较例的滤波器的平面图，并且图6B是沿着图6A中的线A-A截取的横截面图；
[0014]图7A是根据第三比较例的另选的滤波器的平面图，并且图7B是沿着图7A中的线A-A截取的横截面图；
[0015]图8A是根据第一实施方式的滤波器的平面图，并且图SB是沿着图8A中的线A-A截取的横截面图；
[0016]图9A是根据第一实施方式的第一变化的滤波器的平面图，并且图9B是沿着图9A中的线A-A截取的横截面图；
[0017]图1OA是根据第一实施方式的第二变化的滤波器的平面图，并且图1OB是沿着图1OA中的线A-A截取的横截面图；
[0018]图1lA是根据第一实施方式的第三变化的滤波器的平面图，并且图1lB是沿着图1lA中的线A-A截取的横截面图；
[0019]图12A是根据第一实施方式的第四变化的滤波器的平面图，并且图12B是沿着图12A中的线A-A截取的横截面图；
[0020]图13A是根据第二实施方式的滤波器的平面图，并且图13B是沿着图13A中的线A-A截取的横截面图；
[0021]图14A是根据第二实施方式的第一变化的滤波器的平面图，并且图14B是沿着图14A中的线A-A截取的横截面图；
[0022]图15A是根据第二实施方式的第二变化的滤波器的平面图，并且图15B是沿着图15A中的线A-A截取的横截面图；以及
[0023]图16A和图16B分别是根据第三实施方式和第三实施方式的第一变化的滤波器的横截面图。
【具体实施方式】
[0024]首先将给出根据比较例的横向耦合多模单片滤波器的描述。图1A是根据第一比较例的滤波器的平面图，并且图1B是沿着图1A中的线A-A截取的横截面图。图1A清楚地例示了压电膜14。图1B是示意性地例示了沿着图1A中的线A-A截取的横截面的横截面图，并且图1A和图1B在细节上可以稍微不同。这适用于下文的附图。如图1A和图1B所例示的，滤波器110包括形成在衬底10上的压电膜14。地电极12形成在压电膜14的第一表面(图1B中的下表面)上。信号电极18形成在压电膜14的第二表面(图1B中的上表面)上，第二表面与第一表面相反。地电极12被提供有地电位。信号电极18包括电极指16a和电极指16b。电极指16a和电极指16b具有不同的电位。空隙30形成在衬底10与地电极12之间。
[0025]图2A和图2B是例示了压电膜相对于位置的位移的图，并且图2C是频率对衰减的图。在图2A和图2B中，位置表示在图1A中的A-A方向上的位置，并且位移表示压电膜14中的由于声波而导致的位移。在图2C中，衰减表示在电极指16a与电极指16b之间发送的高频信号的衰减。如图2A和图2B所例示的，在压电膜14中，对电极指16a和电极指16b施加高频信号激发压电对称的对称模式SO和压电反对称的反对称模式A0。如