622中形成的晶体管被互连作为反向器222;在区域624中形成的晶体管被互连作为或门212和214以及与门216;并且在区域626中形成的晶体管被互连作为反向器218。
[0063]第一导电层Ml包括第一供电轨120、第二供电轨130、导电线642、644、646、652、654、656和在图6A中未标出的其它导电线。导电线642、644和646对应于逻辑部件110的第一供电节点112;并且导电线652、654和656对应于逻辑部件110的第二供电节点116。如图6A所描绘的，导电线652、654和656与第二供电轨130—体地形成。因此，备用单元600的第二供电节点116与第二供电轨130电親合。另一方面，导电线642、644和646与第一供电轨120分离。
[0064]第二导电层M2包括导电线662、664、666、668和672和在图6A中未标出的其它导电线。导电线662对应于输入端子A。导电线664对应于输入端子B。导电线666对应于输入端子S ο导电线668对应于输出端子Z。
[0065]此外，导电线672具有通过对应的过孔Vl与导电线642、644和646电耦合并且对应于第一供电节点112的第一部分672a。导电线672还具有与第一供电轨120重叠的第二部分672b。然而，在备用单元600处于非激活模式中时，过孔一层Vl中没有过孔将导电线672的第二部分672b与第一供电轨120连接。因此，备用单元600的供电节点112不与第一供电轨120电親合。
[0066]图6B示出根据本公开实施例的当备用单元600处于激活模式时的备用单元示例600’的顶视图，描述了其从栅电极层GS和过孔零层VO直到第二导电层M2的特征。图6B按布局图风格进行描绘，并且在图6B中并未示出备用单元600’的每个特征。图6B中的与图6A中的部件相同或相似的部件被给予相同的附图标记，并且因而省略其详细描述。
[0067]相比于图6A中的备用单元600，图6B中的过孔一层Vl还包括将导电线672的第二部分672b与第一供电轨120连接的过孔682。因此，备用单元600的第一供电节点112变得与第一供电轨120电親合。
[0068]如图6A和图6B所描绘的，备用单元600(即，在备用单元600处于非激活模式中时)与备用单元600’(S卩，在备用单元600处于激活模式中时)之间的区别仅在于过孔一层Vl中的特征。因此，在电路设计者计划激活备用单元600以便基于工程改动命令来修正集成电路的设计时，在电路单元层级，仅改变与制造过孔一层Vl对应的布局图案。与激活区域和栅极结构对应的布局图案保持不变。这样，在这一示例中，仅替换了与制造过孔一层Vl对应的掩膜。与用于制造激活区域、栅极结构或甚至第一和第二导电层Ml和M2的掩膜相比，在一些实施例中，与制造过孔一层Vl对应的掩膜通常较不昂贵。另外，与改变激活区域、栅极结构或甚至第一和第二导电层Ml和M2的布局图案相比，在一些实施例中，改变过孔一层Vl的布局图案较不可能对生产的集成电路的产出率或性能造成显著的影响。
[0069]此外，对于备用单元100或600，由于从第一供电轨120通过逻辑部件110的各个晶体管的漏-源极路径到第二供电轨130的泄漏路径被断开电连接，因此备用单元100/600与其第一供电节点仍与第一供电轨耦合的比对备用单元相比，具有更大的泄漏设计余量。这样，在一些实施例中，根据本公开的逻辑部件110的晶体管由更快(并且有时具有更高的泄漏)的晶体管(诸如低阈值电压(LVT)或超低阈值电压(ULVT)晶体管)形成。
[0070]图7示出根据本公开实施例的概述形成备用单元的处理示例700的流程图。应理解，可以在图7中所描绘的工艺700之前、期间和/或之后执行附加的操作。工艺700在S701开始并且继续到S710。
[0071]在S710处，基于用于形成多个晶体管的布局图案的集合在集成电路的衬底上形成在集成电路中的备用单元的多个晶体管。在一些示例中，形成用于图3中描绘的备用单元100的多个晶体管包括形成激活区域312和314以及栅极结构GS。在一些实施例中，布局图案的集合因而包括用于在衬底之上形成激活区域和/或栅极结构的布局图案。
[0072]在一些实施例中，在备用电路单元在激活模式中时形成多个晶体管和在备用电路单元在非激活模式中时形成多个晶体管是基于备用电路单元的相同晶体管布局配置来执行的。
[0073]在S720处，确定备用单元将被配置在激活模式中还是在非激活模式中。如果确定备用单元将被配置在激活模式中，则工艺继续到S730。如果确定备用单元将被配置在非激活模式中，则工艺继续到S740。
[0074]在一些实施例中，在响应于用以制造新版本的集成电路的工程改动命令而执行工艺700时，S720还包括更改与制造集成电路的互连结构以及制作用于形成用于新版本集成电路的经更改的导电和/或过孔层的新掩膜对应的布局图案。在至少一个示例中，为了激活非激活备用单元，仅与第二导电层M2对应的掩膜或与过孔一层Vl对应的掩膜用新掩膜来替换。
[0075]在S730处，基于第一互连布局设计来形成互连结构以使得备用单元的供电节点与对应的供电轨电耦合。例如，如图3和图4B所描绘的，多个晶体管被电互连在备用电路单元100的第一供电节点112和第二供电节点116之间。第二供电节点116与第二供电轨130电耦合。在备用单元100处于激活模式中时，第一供电节点112与第一供电轨120电耦合。在一些实施例中，形成互连结构包括形成被配置为承载第一电源电压的第一供电轨120，形成被配置为承载第二电源电压的第二供电轨130，以及形成导电结构。
[0076]在一个不例中，如图4B中描绘的，导电结构包括导电线452和454，以及在过孔一层Vl中的对应的过孔。因此，形成导电结构包括在第二导电层M2中形成导电线446和448，形成将导电线446和448与第一供电轨120电耦合的过孔，在第二导电层M2中形成导电线442和444，形成将导电线442和444与第一供电节点电耦合的过孔，并且在备用单元处于激活模式中时，形成将导电线442和446连接成导电线452的导电线以及形成将导电线444和448连接成导电线454的导电线。
[0077]在另一不例中，如图6B中所描绘的，导电结构包括在过孔一层Vl中的导电线672和过孔682。因此形成导电结构包括在第二导电层M2中形成导电线682，形成将导电线672与第一供电节点电耦合的过孔，以及形成将导电线672与第一供电轨120电耦合的过孔682。
[0078]在S740处，基于第二互连布局设计来形成互连结构以使得备用单元的供电节点不与对应的供电轨电耦合。例如，在备用单元100处于非激活模式中时，第一供电节点112与第一供电轨120电隔离。
[0079]在一些实施例中，形成互连结构包括形成被配置为承载第一电源电压的第一供电轨120，形成被配置为承载第二电源电压的第二供电轨130，以及形成导电结构。在一个示例中，如图4A中所描绘的，导电结构包括导电线442、444、446和448，以及在过孔一层Vl中的对应过孔。在另一示例中，导电结构包括如图6A中所描绘的导电线672并且不具有如图6B中所描绘的过孔682。
[0080]在S730或S740之后，该工艺继续至S799并终止。
[0081]虽然已经结合作为示例提出的其具体实施例描述了本公开的方面，但是可以对示例做出替换、修改和变化。因此，本文所阐述的实施例旨在于是说明性而不是限制性的。存在可以在不偏离随附权利要求的范围的情况下做出的改变。
【主权项】
1.一种集成电路，包括: 多个功能电路单元，所述功能电路单元中的单元分别包括: 一组第一电互连晶体管，限定第一逻辑组件，所述一组第一电互连晶体管通过形成在所述集成电路的第一导电层中的第一组导电线而互连;和 第一供电轨，被配置为承载第一供电电压，所述一组第一电互连晶体管通过形成在所述集成电路的第二导电层中的电互连而电耦合到所述第一供电轨；以及 多个非激活的备用功能电路单元，所述非激活的备用功能电路单元中的单元分别包括: 一组第二电互连晶体管，被配置为限定第二逻辑组件，所述一组电互连晶体管通过形成在所述第一导电层中