一种电源的下电装置及系统的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种电源的下电装置及系统，用以加快下电速度，使电源下电完整。该装置包括：下电行为检测模块，用于当检测到电源的下电行为时，发送触发信号给快速下电控制模块；快速下电控制模块，用于在所述触发信号的触发下，将所述电源接地，实现对该电源的快速下电。
【专利说明】
-种电源的下电装置及系统
技术领域
[0001] 本发明设及电学技术领域，尤其设及一种电源的下电装置及系统。
【背景技术】
[0002] 随着电子产品的快速发展，电子产品的供电系统也越来越复杂。在通信技术领域， W及工业控制等许多领域，随着嵌入式系统的开发，嵌入式电路集成电路也广泛应用，且其 供电系统也越来越复杂。特别是在多电源供电的系统中，电源的供电方式和供电大小有所 不同。
[0003] 而在电路系统运行时，经常会遇到运样一个问题，对于设备的正常下电和上电，系 统运行都正常，而快速上下电，则系统运行异常。而原因通常在于电源的下电不完全，继而 立马又上电，导致系统中某些忍片只有部分电源下电，而其他部分在下电到无效值W前，又 重新上电，导致上下电不完整，影响系统工作。
[0004] 例如：一个包含处理器和内存的系统，如果由于快速上下电，出现内存电源完全下 电再上电，而处理器并没有完全掉电到停止工作，就重新上电，运样会导致处理器在运次快 速上下电之中，维持工作。但是由于内存已经重启，内存里面的数据已经丢失，此时处理器 按照没有数据的内存来运行，必然导致系统崩溃。 阳〇化]针对上述问题，目前现有技术中，一般采用下面两种方法。一种方法是：利用限定 用户开关机的时间间隔的方法解决问题。例如，让用户一旦关闭电源，必须再经过一段时间 后，才能重新开启，用W保证电源完全掉电。另一种方法是：通过上电复位信号，控制所有电 源都下电的技术。
[0006] 然而，现有技术中的电源下电速度较慢，容易导致下电不完整。
【发明内容】
[0007] 本发明实施例提供了一种电源的下电装置及系统，用W加快下电速度，使电源下 电完整。
[000引本发明实施例提供了一种电源的下电装置，该装置包括：
[0009] 下电行为检测模块，用于当检测到电源的下电行为时，发送触发信号给快速下电 控制模块；
[0010] 快速下电控制模块，用于在所述触发信号的触发下，将所述电源接地，实现对该电 源的快速下电。
[0011] 具体地，通过该装置，首先下电行为检测模块当检测到电源的下电行为时，发送触 发信号给快速下电控制模块，然后快速下电控制模块在所述触发信号的触发下，将所述电 源接地，实现对该电源的快速下电。从而加快下电速度，使得电源下电完整。
[0012] 较佳地，所述下电行为检测模块，包括：第一电阻、电容和第一开关器件； 阳〇1引其中，
[0014] 第一电阻，其一端连接电源输入端，另一端连接所述电容；
[0015] 电容，其一端连接所述第一电阻，另一端接地；
[0016] 第一开关器件，其第一端连接电源输入端，第二端连接第一电阻与电容相连的一 端，第Ξ端连接在所述下电行为检测模块的输出端与所述快速下电控制模块的输入端之 间；
[0017] 其中，第一电阻与电容满足如下条件之一：
[0020] 其中，Ri代表所述第一电阻的阻值，C代表所述电容的电容值，Μ代表电源供电时 的电压，A代表预设电压值，A小于或等于Μ，g代表电源的下电速度，Vth代表第一开关器件 的导通电压；
[0021] 若第一电阻与电容满足上述条件一，则当电源的电压下降到A时，第一开关器件 的第二端与第Ξ端导通，触发信号通过第一开关器件的第Ξ端发给快速下电控制模块； 阳022] 若第一电阻与电容满足上述条件二，则当电源下电时，第一开关器件的第二端与 第Ξ端导通，触发信号通过第一开关器件的第Ξ端发给快速下电控制模块。
[0023] 较佳地，所述快速下电控制模块，包括：第二开关器件；
[0024] 其中，
[00巧]第二开关器件的第一端连接在所述快速下电控制模块的输入端与所述下电行为 检测模块的输出端之间，第二端连接电源输入端，第Ξ端接地；
[00%]当接收到所述触发信号时，所述第二开关器件的第二端与第Ξ端导通，并通过第 二开关器件的第Ξ端对所述电源下电。
[0027] 较佳地，所述快速下电控制模块，还包括：第二电阻和第Ξ电阻； 阳02引其中，
[0029] 第二电阻的一端连接所述第二开关器件的第一端，另一端接地；
[0030] 第Ξ电阻的一端连接所述第二开关器件的第Ξ端，另一端接地。
[0031] 较佳地，所述第一开关器件和/或所述第二开关器件为：场效应晶体管，或继电 器。
[0032] 较佳地，所述第一开关器件为第一场效应晶体管；
[0033] 当第一场效应晶体管为P沟道的场效应晶体管时，所述P沟道的场效应晶体管的 栅极为第一开关器件的第一端，其源极为第一开关器件的第二端，漏极为第一开关器件的 Λ-Λ--- JLjJU 弟二綱；
[0034] 当第一场效应晶体管为N沟道的场效应晶体管时，所述N沟道的场效应晶体管的 栅极为第一开关器件的第二端，其源极为第一开关器件的第一端，漏极为第一开关器件的 第Ξ端。
[0035] 较佳地，所述第二开关器件为第二场效应晶体管：
[0036] 当第二场效应晶体管为P沟道的场效应晶体管时，所述P沟道的场效应晶体管的 栅极为第二开关器件的第二端，其漏极为第二开关器件的第Ξ端，源极为第二开关器件的 第一端；
[0037] 当第二场效应晶体管为Ν沟道的场效应晶体管时，所述Ν沟道的场效应晶体管的 栅极为第二开关器件的第一端，其漏极为第二开关器件的第Ξ端，其源极为第二开关器件 的第二端。
[0038] 本发明实施例提供了一种电源的下电系统，该电源的下电系统包括上述任一电源 的下电装置。
【附图说明】
[0039] 图1为本发明实施例提供的一种电源的下电装置的结构示意图；
[0040] 图2为本发明实施例提供的一种电源的下电装置的结构示意图；
[0041] 图3为本发明实施例提供的一种电源的下电装置的控制信号时序图。
【具体实施方式】
[0042] 本发明实施例提供了一种电源的下电装置及系统，用W加快下电速度，使电源下 电完整。
[0043] 参见图1，本发明提供的一种电源的下电装置，该装置包括：
[0044] 下电行为检测模块11，用于当检测到电源的下电行为时，发送触发信号给快速下 电控制模块；
[0045] 其中，下电行为检测模块包括第一电阻、电容和第一开关器件。
[0046] 其中，第一电阻，其一端连接电源输入端，另一端连接所述电容；电容，其一端连接 所述第一电阻，另一端接地；第一开关器件，其第一端连接电源输入端，第二端连接第一电 阻与电容相连的一端，第Ξ端连接在所述下电行为检测模块的输出端与所述快速下电控制 模块的输入端之间。
[0047] 其中，第一电阻与电容满足如下条件之一：
[0050] 其中，Ri代表所述第一电阻的阻值，C代表所述电容的电容值，Μ代表电源供电时 的电压，A代表预设电压值，A小于或等于Μ，g代表电源的下电速度，Vth代表第一开关器件 的导通电压。
[0051] 本发明实施例中预设电压值为A，即当电源的当前电压值小于或等于预设电压值 时，使得第一电阻和电容的乘积满足
则第一开关器件的第二端与第 Ξ端导通，触发信号通过第Ξ端发给快速下电控制模块。或者，当确定电源的下电速度后， 可w调节使得第一电阻和电容的乘积满足
则第一开关器件的第二端与 第Ξ端导通，触发信号通过第Ξ端发给快速下电控制模块。
[0052] 快速下电控制模块12,用于在所述触发信号的触发下，将所述电源接地，实现对该 电源的快速下电。
[0053] 本发明实施例中，快速下电控制模块是通过电源的接地回路，加快电源下电速度， 使得电源下电完整。
[0054] 其中，快速下电控制模块，包括：第二开关器件； 阳化5]第二开关器件的第一端连接在所述快速下电控制模块的输入端与所述下电行为 检测模块的输出端之间，第二端连接电源输入端，第Ξ端接地；当接收到所述触发信号时， 所述第二开关器件的第二端与第Ξ端导通，并通过第二开关器件的第Ξ端对所述电源下 电。
[0056] 其中，快速下电控制模块，还包括：第二电阻和第Ξ电阻；
[0057] 第二电阻的一端连接所述第二开关器件的第一端，另一端接地；
[0058] 第Ξ电阻的一端连接所述第二开关器件的第Ξ端，另一端接地。
[0059] 需要强调的是，本发明实施例提供的第一开关器件和/或第二开关器件可W为场 效应晶体管，或继电器。
[0060] 其中，当第一场效应晶体管为P沟道的场效应晶体管时，所述P沟道的场效应晶体 管的栅极为第一开关器件的第一端，其源极为第一开关器件的第二端，漏极为第一开关器 件的第Ξ端；
[0061] 当第一场效应晶体管为N沟道的场效应晶体管时，该N沟道的场效应晶体管的栅 极为第一开关器件的第二端，其源极为第一开关器件的第一端，漏极为第一开关器件的第 --玉山 二乂而。
[0062] 其中，当第二场效应晶体管为P沟道的场效应晶体管时，该P沟道的场效应晶体管 的栅极为第二开关器件的第二端，其漏极为第二开关器件的第Ξ端，源极为第二开关器件 的第一端；
[0063] 当第二场效应晶体管为N沟道的场效应晶体管时，该N沟道的场效应晶体管的栅 极为第二开关器件的第一端，其漏极为第二开关器件的第Ξ端，其源极为第二开关器件的 Λ-Λ---玉山 束^ 乂而。
[0064] 本发明实施例中，通过采用无源被动器件完成电源快速下电功能，并且不依赖任 何供电忍片，也不受供电电压的限制，从而能应用在所有电源电压系统中，具有极强的兼容 性，同时提高了用户的体验感。 W65] 下面结合附图和具体实施例，对本发明进行详细说明。
[0066] 需要说明的是实施例1中第一开关器件和第二开关器件均为场效应晶体管。 W67] 实施例1
[0068] 参见图2,本发明实施例提供的电源的下电装置包括： W例下电行为检测模块，用于当检测到电源的下电行为时，发送触发信号给快速下电 控制模块。
[0070] 其中，下电行为检测模块包括第一电阻Rl，电容c和P沟道的场效应晶体管PMOS。
[0071] 具体地，第一电阻R1，其一端连接电源输入端，另一端连接电容C，且电源输入端 为曰点。 阳072] 电容C，其一端连接第一电阻R1，另一端接地，且电容C与第一电阻R1连接点为b 点。
[0073] P沟道的场效应晶体管PM0S，其栅极G连接电源输入端，其源极S连接第一电阻R1 与电容C相连的一端，即源极S连接在b点，其漏极D连接在下电行为检测模块的输出端与 快速下电控制模块的输入端之间。其中，下电行为检测模块的输出端与快速下电控制模块 的输入端的连接点为C点。具体地，PM0S的漏极D端为下电行为检测模块的输出端。
[0074] 其中，当预设电压值为A，即当电源的当前电压值小于或等于预设电压值时，P沟 道的场效应晶体管PM0S的源极S和漏极D导通，触发信号通过漏极D发给快速下电控制模 块。为了使得电路满足当电源的电压值达到A值时，P沟道的场效应晶体管PM0S的源极S 和漏极D导通，需要使得第一电阻和电容满足条巧
其中，Ri代表第一 电阻的阻值，C代表电容的电容值，Μ代表电源供电时的电压，A代表预设电压值，且A小于 或等于M，g代表电源的下电速度，Vth代表P沟道的场效应晶体管PM0S的导通电压。
[0075] 或者，当确定电源的下电速度g后，为使电源的下电速度满足让P沟道的场效 应晶体管PM0S的源极S和漏极D导通条件，也可W通过调节第一电阻和电容的值，使得
贝1J P沟道的场效应晶体管PM0S的源极S和漏极D导通，触发信号通过漏 极D发给快速下电控制模块。
[0076] 具体地，下面结合公式详细描述通过预设电压值来确定第一电阻和电容的计算过 程和通过电源的下电速度来确定第一电阻和电容的计算过程。
[0077] -、通过预设电压值确定第一电阻和电容的计算过程。
[0078] 一般地，电容C的放电过程用公式（1)表示。
[0079] νω = Vc · (l-e~(t/巧1 · 〇)) (1)
[0080] 其中，V (t)为电容C放电到t时刻的电压值；
[0081] Vc为电容C的初始电压值； 阳0間 e为常数。 阳08引从公式（1)中可W看出，当R1 · C的值越大时，电容C放电到同一电压值的时间t 就越长。所W电容C的放电速度与R1 -C的值成反比，即当R1 -C的值越小时，则电容C的 放电速度越快；当R1 · C的值越大时，则电容C的放电速度越慢。
[0084] 又知，当P沟道场效应晶体管PM0S的源极S的电压大于或等于栅极G的电压达到 Vth值（V th代表场效应管M0S的导通电压）时，PM0S的源极S与漏极D导通。从图2中可 知，当b点电压高于a点电压Vth时，PM0S的源极S与漏极D导通，该触发信号通过漏极D 发给快速下电控制模块。否则，该PM0S不导通，该下电行为检测模块不起作用，电源下电装 置也不起作用。
[00财具体地，a点电压的变化曲线与电源的下电特性和电源的预设电压值有关，b点电 压与电容的放电特性有关。所W要想满足b点电压大于或等于a点电压Vth的条件，则需要 根据电源的预设值电压值、电源的下电特性W及电容的放电特性确定预设值。
[0086] 下面W电源线性下电为例，详细描述通过预设电压值确定第一电阻和电容的计算 过程。
[0087] 当电源断开时，a点的下电过程用公式（2)表示。
[0088] F (1:) = M-g · t 似
[0089] 其中，FW代表a点的当前电压值，Μ代表电源下电前的初始电压，g代表该电源 的下电速度系数，下电速度系数值越大，电源的下电速度越快。
[0090] 预设电压值是根据用户自愿的选择进行设定。当确定预设电压值为A时，其中， A《M，根据公式（2)，解出电源下降到预设电压值A时的时间t满足关系式t = (M-A)/g。 [00川又因为b点电压大于或等于a点电压Vth的条件时，PM0S的源极S与漏极D才能 导通，也就是满足公式（3)。 阳0巧 V(t)-F(t) > Vth 做
[009引所W，将公式（1)、似化及t= (M-A)/g代入公式（3)中，其中因为电容C的初始 电压值为电源供电时的电压值，所W V。= M，可W得出
[0094] Μ
中可W得出，当用户希望电源的电压到达一定值 A时，实现电源的快速下电，则通过调节电路中第一电阻R1与电容C的值，使R1 · C满足
'则PM0S的源极S与漏极D导通，触发信号通过漏极D发给快 速下电控制模块。
[0095] 二、通过电源的下电速度来确定第一电阻和电容的计算过程 阳096]当电源的下电速度为g，则电源的下电特性满足公式（2)，电容的放电特性满足公 式（1)，为使该电源快速下电，则需要满足公式（3)。所W将公式（1)和似代入方程（3)， 其中因为电容C的初始电压值为电源电压值，所W Vc= M，则得到方程（3)的解可W用关系 式（4)表示。
[0097]
(4) 阳09引其中，关系式（4)中，可W通过调节R1和C，使得R1'C满足
'则 PM0S的源极S与漏极D导通，下电行为检测模块发送触发信号给快速下电控制模块。
[0099] 综上两种计算方法，本发明实施例当确定电源的下电点压值为A(A值的大小，用 户可W自由设定）后，则调节R1和C的值使得
'则PM0S的源 极S与漏极D导通，下电行为检测模块起作用，并触发快速下电控制模块；或者当确定电源 的下电速度后，通过调节R1和C的值使箱
'则PM0S的源极S与漏极D导 通，下电行为检测模块起作用，并触发快速下电控制模块。
[0100] 需要说明的是，在实际应用中，一般都是根据预设电压值，来确定第一电阻和电容 的值，使得第一开关器件的第二端与第Ξ端导通，运种方法的应用范围广泛，适用于所有电 源。当根据电源的下电速度，来确定第一电阻和电容的值，使得第一开关器件的第二端与第 Ξ端导通，运种方法是适用于有下电行为的任何电源系统中，但实际应用中，不能根据自己 设定电压值来确定是否需要快速下电。 阳101] 快速下电控制模块，在所述触发信号的触发下，将所述电源接地，实现对该电源的 快速下电。
[0102] 其中，快速下电控制模块包括N沟道的场效应晶体管NM0S，第二电阻R2和第Ξ电 阻R3。
[0103] 具体地，N沟道的场效应晶体管NM0S，其栅极G连接在快速下电控制模块的输入端 与下电行为检测模块的输出端之间，其源极S连接电源输入端，其漏极D连接第二电阻R2。
[0104] 第二电阻R2,其一端连接NM0S的漏极D，其另一端接地。 阳1化]第Ξ电阻R3,其一端连接NM0S的栅极G，其另一端接地。 阳106] 其中，当第二电阻R2或者第Ξ电阻R3取值为0时，代表短路，当取值为正无穷时， 代表开路。 阳107] 其中，当快速下电控制模块接收下电行为检测模块的触发信号后，NM0S的源极S 与漏极D导通，则a点电压通过该NM0S和第二电阻R2对低放电，从而加速了电源的下电速 度，同时加速了电容C的放电速度。需要强调的是，第二电阻R2的取值可W为0,或者较小 的电阻值。第Ξ电阻R3的取值范围为0~正无穷。 阳10引具体地，下面W电源先上电再下电操作为例，详细说明。 阳109] 首先，当电源输入电压时，a点电压值升高，且电源通过第一电阻R1向电容C充电， 在充电过程中，b点电压值一直低于a点电压，所W下电行为检测模块中的PM0S保持关断， 并且由于R1的存在，快速下电控制模块中的NM0S保持关断。电源不进行放电，并且该状态 一直保持到a点电压值等于电源电压值。
[0110] 其次，当电源输入断开时，a点电压值开始下降，同时电容C经过第一电阻R1向a 点放电，且a点电压低于b点电压。假设a点电压下降的速度越快，则a点与b点的电压差 也就越大，当a点电压小于b点电压值Vth时，下电行为检测模块中的PM0S导通，且触发导 通信号给快速下电控制模块。此时，快速下电控制模块中的C点电压等于b点电压，且该模 块中的NM0S的栅极G电压等于C点电压也等于b点电压，其源极S的电压为a点电压，因 为a点电压小于b点电压值Vth，所W该NM0S导通。即：a点通过NM0S和第二电阻R2对地 放电，从而加速了电源的下电速度。同时，由于a点电压下电速度变快，则a点电压越低，从 而电容C的放电速度也越快，从而保证当电源第二次进行上电时，a点电压为0,保证第二次 电源正常上电。
[0111] 需要说明的是，实施例1中下电行为检测模块中的PM0S可W用NM0S代替，快速下 电控制模块中的NM0S也可W用PM0S代替，其工作原理相同，此处不再详细说明。 阳11引 实施例2
[0113] 下面结合附图3, W电源电压为12V，PM0S的导通电压Vth= 2V为例，进行详细描 述电源的下电过程。
[0114] 假设电源W线性特征进行下电，电容C W线性特征进行充电和放电。 阳11引如图3所示，
[0116] 第一阶段，0时刻时，电源输入电压，a点电压W线性特征从0V开始上升，到达1ms， a点电压等于电源电压12V ;
[0117] 从0时刻起，b点电压W线性特征从0V开始上化到达1.5ms，b点电压等于电源 电压12V ;且b点电压一直低于a点电压，所W下电行为检测模块中的PM0S不导通；
[0118] C点电压在第一阶段一直为0。
[0119] 第二阶段，在时间1. 5ms至3ms之间，所有a点、b点和C点电压分别保持不变。
[0120] 第Ξ阶段，从3ms开始，电源断开，其中， 阳12U a点电压W线性特征从12V开始下降，在3. 5ms时，a点电压下降到6V ; 阳12引 b点电压W线性特征从12V开始放电，在3. 5ms时，b点电压下降到8V，此时，b点 电压大于a点电压2V，也就是PM0S的源极S电压高于栅极G电压2V，满足导通条件，所W PM0S的源极S和漏极D导通；
[0123] C点电压在3. 5ms之前一直为0, 3. 5ms之后，接收到PM0S的源极S和漏极D导通 信号，则C点电压瞬间升高为8V，且NM0S的栅极G电压高于源极S电压2V，NM0S的源极S 和漏极D导通。 阳124] 第四阶段，从3. 5ms之后，
[012引 a点电压W线性特征从6V开始下降，且下电速度加快，是因为NM0S的源极S和漏 极D导通，使得a点对地放电，从而加速下电，直到a点电压为0 ; 阳1%] b点电压W线性特征从8V开始放电，且放电速度加快，是因为a点对地放电，且a 点放电速度变快，则b点放电速度变快，直到b点电压为0 ;
[0127] C点电压W线性特征从8V开始放电，因为PM0S的源极S和漏极D导通，使得C点 电压等于b点电压，从而C点放电速度与b点放电速度相同，直到C点电压为0。
[0128] 需要强调的是，本发明实施例W电源是线性特征下电，且电容的也是线性特征进 行充电和放电，为例进行详细描述，当电源W曲线进行下电或者电容W曲线形式进行充电 和放电，其电源的下电原理相同，此处不再寶述。本发明实施例是W开关器件为场效应管为 例，进行详细描述，当开关器件为继电器时，同样适用，其工作原理相同，此处不再寶述。
[0129] 本发明实施例提供的下电行为检测模块和快速下电控制模块，是W功能为基础， 并不仅限于实施例中描述电路，只要其效果和功能描述一致，各个功能模块可W用特定符 号的忍片，或者硬件可编程器件等予W实现，都属于本发明的保护范围。
[0130] 综上所述，本发明实施例提供的电源下电装置包括下电行为检测模块和快速下电 控制模块，其中下电行为检测模块，用于在当检测到电源的下电行为时，发送触发信号给快 速下电控制模块，快速下电控制模块，用于在所述触发信号的触发下，将所述电源接地，实 现对该电源的快速下电。用W加快下电速度，使电源下电完整。 阳131] 显然，本领域的技术人员可W对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。运样，倘若本发明的运些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含运些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种电源的下电装置，其特征在于，该装置包括： 下电行为检测模块，用于当检测到电源的下电行为时，发送触发信号给快速下电控制 丰吴块； 快速下电控制模块，用于在所述触发信号的触发下，将所述电源接地，实现对该电源的 快速下电。2. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下电行为检测模块，包括：第一电阻、 电容和第一开关器件； 其中， 第一电阻，其一端连接电源输入端，另一端连接所述电容； 电容，其一端连接所述第一电阻，另一端接地； 第一开关器件，其第一端连接电源输入端，第二端连接第一电阻与电容相连的一端，第 三端连接在所述下电行为检测模块的输出端与所述快速下电控制模块的输入端之间； 其中，第一电阻与电容满足如下条件之一：其中，Ri代表所述第一电阻的阻值，C代表所述电容的电容值，Μ代表电源供电时的电 压，Α代表预设电压值，Α小于或等于M，g代表电源的下电速度，Vth代表第一开关器件的导 通电压； 若第一电阻与电容满足上述条件一，则当电源的电压下降到A时，第一开关器件的第 二端与第三端导通，触发信号通过第一开关器件的第三端发给快速下电控制模块； 若第一电阻与电容满足上述条件二，则当电源下电时，第一开关器件的第二端与第三 端导通，触发信号通过第一开关器件的第三端发给快速下电控制模块。3. 根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述快速下电控制模块，包括：第二开关 器件； 其中， 第二开关器件的第一端连接在所述快速下电控制模块的输入端与所述下电行为检测 模块的输出端之间，第二端连接电源输入端，第三端接地； 当接收到所述触发信号时，所述第二开关器件的第二端与第三端导通，并通过第二开 关器件的第三端对所述电源下电。4. 根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述快速下电控制模块，还包括：第二电 阻和第三电阻； 其中， 第二电阻的一端连接所述第二开关器件的第一端，另一端接地； 第三电阻的一端连接所述第二开关器件的第三端，另一端接地。5. 根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一开关器件和/或所述第二开关器 件为：场效应晶体管，或继电器。6. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一开关器件为第一场效应晶体管； 当第一场效应晶体管为P沟道的场效应晶体管时，所述P沟道的场效应晶体管的栅极 为第一开关器件的第一端，其源极为第一开关器件的第二端，漏极为第一开关器件的第三 端； 当第一场效应晶体管为N沟道的场效应晶体管时，所述N沟道的场效应晶体管的栅极 为第一开关器件的第二端，其源极为第一开关器件的第一端，漏极为第一开关器件的第三 端。7. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二开关器件为第二场效应晶体管： 当第二场效应晶体管为P沟道的场效应晶体管时，所述P沟道的场效应晶体管的栅极 为第二开关器件的第二端，其漏极为第二开关器件的第三端，源极为第二开关器件的第一 端； 当第二场效应晶体管为N沟道的场效应晶体管时，所述N沟道的场效应晶体管的栅极 为第二开关器件的第一端，其漏极为第二开关器件的第三端，其源极为第二开关器件的第 --上山8. -种电源的下电系统，其特征在于，该电源的下电系统包括权利要求1-7任一权项 所述的电源的下电装置。
【文档编号】H03K17/687GK105871364SQ201510030592
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年1月21日
【发明人】邓志吉, 张兴明
【申请人】浙江大华技术股份有限公司