附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法

附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法
【专利摘要】本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。具体提供一种极薄铜层的激光打孔性良好，适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箔，且极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下。
【专利说明】
附载体铜菊、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的 制造方法
技术领域
[0001] 本发明设及一种附载体铜锥、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造 方法。
【背景技术】
[0002] 印刷配线板一般是经过在使绝缘基板粘附于铜锥而制成覆铜积层板后，利用蚀刻 在铜锥面形成导体图案的步骤来制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增 大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，对印刷配线板要求导体图案微细 化(微间距化)或应对高频等。
[0003] 应对微间距化，最近要求厚度下、进而厚度扣mW下的铜锥，但运种极薄的铜 锥因为机械强度较低，容易在制造印刷配线板时破裂或产生皱權，所W出现了附载体铜锥， 其是使用具有厚度的金属锥作为载体，并在该金属锥上隔着剥离层电沉积极薄铜层而成。 在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板而进行热压接后，载体经由剥离层被剥离去除。在露 出的极薄铜层上利用阻剂形成电路图案后，形成特定电路。
[0004] 运里，为了提高印刷配线板的集成电路密度，一般有形成激光孔，并通过该孔使内 层与外层连接的方法。另外，伴随窄间距化的微细电路形成方法可W使用在极薄铜层上形 成配线电路后，利用硫酸-过氧化氨类的蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除的方法（MSAP: Modified-Semi-Additive-Process)，所W极薄铜层的激光打孔性在制作高密度集成电路 基板方面为重要项目。极薄铜层的激光打孔性因为和孔径精度W及激光输出等各条件相 关，所W会给集成电路的设计及生产性带来较大影响。
[0005] 在一般的激光打孔加工中，为了提高激光波长的吸收性而利用药液对极薄铜层表 面实施黑化处理或微小凹凸处理，然后进行激光打孔。但是，随着高集成化，多数情况下不 进行如上所述的处理而直接向极薄铜锥表面照射激光，形成激光孔。通常所使用的激光为 二氧化碳激光，因为铜具有反射该波长区域的特性，所W如果不进行将表面粗化等处理，那 么激光打孔性不会得到改善。作为运种技术，专利文献1中记载有通过覆铜积层板的外层铜 锥使用波状的铜锥，能够提供一种激光打孔性良好的覆铜积层板。
[0006] [现有技术文献]
[0007] [专利文献]
[000引[专利文献1]日本专利第3261119号公报

【发明内容】

[0009] [发明所要解决的课题]
[0010] 但是，如果粗化极薄铜层表面，那么会产生损害微细电路形成性的问题。因此，本 发明的课题在于提供一种极薄铜层的激光打孔性良好，适合制作高密度集成电路基板的附 载体铜锥。
[0011] [解决课题的技术手段]
[0012] 为了达成所述目的，本
【发明人】反复进行努力研究，结果发现，通过控制极薄铜层的 中间层侧表面的MD方向（长度方向，周向）的光泽度，或通过控制极薄铜层的中间层侧表面 的TD方向（宽度方向，横向）的光泽度，能够提供一种极薄铜层的激光波长的吸收提高，极薄 铜层的激光打孔性良好，适合制作高密度集成电路基板的附载体铜锥。
[0013] 本发明是基于所述见解而完成，在一形态中是一种附载体铜锥，其是依序具有载 体、中间层、及极薄铜层的附载体铜锥，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60 度镜面光泽度为140W下。
[0014] 本发明的附载体铜锥在一实施方式中，所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光 泽度为130W下。
[0015] 本发明的附载体铜锥在另一实施方式中，所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面 光泽度为120W下。
[0016] 本发明的附载体铜锥在另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD 方向的60度镜面光泽度为now下。
[0017] 本发明在另一形态中是一种附载体铜锥，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层 的附载体铜锥，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65W 下。
[0018] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的TD方向的60度镜面光泽度为60 W下。
[0019] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的TD方向的60度镜面光泽度为55 W下。
[0020] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的利用接触式粗糖度计测得的MD方向的平均粗糖度Rz为1.5ymW下。
[0021] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的利用接触式粗糖度计测得的MD方向的十点平均粗糖度Rz为0.80ymW上。
[0022] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的利用接触式粗糖度计测得的TD方向的平均粗糖度Rz为1.7ymW下。
[0023] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽 度为2.05W下。
[0024] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽 度为1.95W下。
[0025] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的利用接触式粗糖度计测得的MD方向的平均粗糖度Rz/所述极薄铜层的所述中间层侧表面 的利用接触式粗糖度计测得的TD方向的平均粗糖度Rz为0.55 W上。
[0026] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，在本发明的附载体铜锥在载体的一 面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面具 有选自由粗化处理层、耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1 种w上的层，或
[0027] 在本发明的附载体铜锥在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极 薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶联处理层 所组成的群中的1种W上的层。
[0028] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述粗化处理层是包含选自由铜、 儀、钻、憐、鹤、神、钢、铭及锋所组成的群中的任一单质或含有任一种W上的单质的合金的 层。
[0029] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，在选自由所述粗化处理层、所述耐 热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种W上的层上具备树脂 层。
[0030] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。
[0031] 本发明的附载体铜锥在进而另一实施方式中，所述树脂层是粘附用树脂、及/或半 固化状态的树脂。
[0032] 本发明在进而另一形态中是一种积层体，其是使用本发明的附载体铜锥而制造。
[0033] 本发明在进而另一形态中是一种积层体，其是包含本发明的附载体铜锥与树脂的 积层体，且所述附载体铜锥的端面的一部分或全部由所述树脂所覆盖。
[0034] 本发明在进而另一形态中是一种积层体，其是将一个本发明的附载体铜锥从所述 载体侧或所述极薄铜层侧积层在另一个本发明的附载体铜锥的所述载体侧或所述极薄铜 层侧而成。
[0035] 本发明在进而另一形态中是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜锥而制 造。
[0036] 本发明在进而另一形态中是一种电子机器，其是使用本发明的印刷配线板而制 造。
[0037] 本发明在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:准备 本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0038] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板;及
[0039] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，经过剥离所述附载体铜锥的载体的步骤而 形成覆铜积层板，
[0040] 之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成 电路。
[0041] 本发明在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:在本 发明的附载体铜锥的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；
[0042] W埋没所述电路的方式在所述附载体铜锥的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧 表面形成树脂层；
[0043] 在所述树脂层上形成电路；
[0044] 在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离;及
[0045] 在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此使形 成于所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。
[0046] 本发明在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:将本 发明的附载体铜锥从所述载体侧积层在树脂基板；
[0047] 在所述附载体铜锥的所述极薄铜层侧表面形成电路；
[0048] W埋没所述电路的方式在所述附载体铜锥的所述极薄铜层侧表面形成树脂层；
[0049] 在所述树脂层上形成电路；
[0050] 在所述树脂层上形成电路后，剥离所述载体;及
[0051] 在剥离所述载体后，去除所述极薄铜层，由此使形成于所述极薄铜层侧表面或所 述载体侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。
[0052] 本发明在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:积层 本发明的附载体铜锥的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板；
[0053] 在所述附载体铜锥的与和树脂基板积层的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所 述载体侧表面设置至少1次树脂层与电路运2层;及
[0054] 在形成所述树脂层及电路运2层后，从所述附载体铜锥剥离所述载体或所述极薄 铜层。
[0055] 本发明在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:积层 本发明的附载体铜锥的所述载体侧表面与树脂基板；
[0056] 在所述附载体铜锥的与和树脂基板积层的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面设置 至少1次树脂层与电路运2层;及
[0057] 在形成所述树脂层及电路运2层后，从所述附载体铜锥剥离所述载体。
[0058] 本发明在进而另一形态中是一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:在本 发明的积层体的任一面或两面设置至少1次树脂层与电路运2层;及
[0059] 在形成所述树脂层及电路运2层后，从构成所述积层体的附载体铜锥将所述载体 或所述极薄铜层剥离。
[0060] [发明的效果]
[0061] 根据本发明，能够提供一种极薄铜层的激光打孔性良好，适合制作高密度集成电 路基板的附载体铜锥。
【附图说明】
[0062] 图1A~C是使用本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体例的至锻敷 电路、去除阻剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0063] 图2D~F是使用本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体例的从积层 树脂及第二层附载体铜锥至激光打孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0064] 图3G~I是使用本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体例的从形成 通孔填充物(via fill)至剥离第一层载体为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0065] 图4J~K是使用本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的具体例的从快速 蚀刻至形成凸块、铜柱为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[0066] 图5是表示电解滚筒的研磨方法的示意图。
[0067] 符号说明 [006引UT极薄铜层
【具体实施方式】
[0069] <附载体铜锥>
[0070] 本发明的附载体铜锥依序具有载体、中间层、极薄铜层。附载体铜锥本身的使用方 法为业者所熟知，例如可将极薄铜层的表面贴合在纸基材酪树脂、纸基材环氧树脂、合成纤 维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂 及玻璃布基材环氧树脂、聚醋膜、聚酷亚胺膜等绝缘基板，在热压接后剥离载体，将粘附于 绝缘基板的极薄铜层蚀刻为目标导体图案，最终制造印刷配线板。
[0071] < 载体 >
[0072] 本发明中能够使用的载体典型地为金属锥或树脂膜，例如是W铜锥、铜合金锥、儀 锥、儀合金锥、铁锥、铁合金锥、不诱钢锥、侣锥、侣合金锥、绝缘树脂膜、聚酷亚胺膜、LCD膜、 氣树脂膜的形态提供。
[0073] 本发明中能够使用的载体典型地是W压延铜锥或电解铜锥的形态提供。一般来 说，电解铜锥是利用硫酸铜锻浴在铁或不诱钢的滚筒上电解析出铜而制造，压延铜锥是反 复进行利用压延漉的塑性加工与热处理而制造。作为铜锥的材料，除了精铜(JIS H3100合 金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS册510合金编号C1011)等高纯度 的铜W外，也能够使用例如渗Sn铜、渗Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Μ及Si等 的科森系铜合金运样的铜合金。此外，在本说明书中，当单独使用用语"铜锥"时，也包括铜 合金锥在内。
[0074] 关于本发明中能够使用的载体的厚度，也并没有特别限制，只要适当调节为在发 挥作为载体的功能方面合适的厚度即可，例如可W设为扣mW上。但是如果过厚，那么生产 成本会增高，所W通常优选设为35皿W下。因此，载体的厚度典型地为8~70μπι，更典型地为 12~70μπι，更典型地为18~35μπι。另外，从降低原料成本的观点来说，优选载体的厚度较小。 因此，载体的厚度典型地为扣mW上且35皿W下，优选扣mW上且1祉mW下，优选扣mW上且 12皿W下，优选扣mW上且llymW下，优选扣mW上且10皿W下。此外，在载体的厚度较小的 情况下，容易在载体的通锥时产生權皱。为了防止产生權皱，有效的是例如使附载体铜锥制 造装置的搬送漉变得平滑、或缩短搬送漉与下一搬送漉的距离。此外，在作为印刷配线板的 制造方法之一的嵌入方法(嵌入法化nbedded Process))中使用附载体铜锥的情况下，载体 的刚性必须较高。因此，在用于嵌入方法的情况下，载体的厚度优选1祉mW上且300ymW下， 优选上且150ymW下，优选35皿W上且lOOymW下，更进一步优选35ymW上且70ymW 下。
[0075] 此外，可W在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理 层。可W使用众所周知的方法设置该粗化处理层，也可W利用下述粗化处理来设置。在载体 的与设置极薄铜层的一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层具有如下优点:将载体从 具有该粗化处理层的表面侧积层在树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板变得不易剥离。
[0076] W下，示出使用电解铜锥作为载体时的制造条件的一例。
[0077] <电解液组成>
[007引铜：90 ~llOg/L [00 巧]硫酸：90~llOg/L
[0080]氯：50 ~lOOppm
[0081 ] 整平剂1(双(3-横丙基)二硫酸）：10~30ppm
[0082] 整平剂2(胺化合物）：10~30ppm
[0083] 所述胺化合物可W使用W下的化学式的胺化合物。
[0084] 此外，本发明中所使用的电解、表面处理或锻敷等所使用的处理液的剩余部分只 要没有明确记载，那么就为水。
[0085] [化U
[0086]
[0087] (所述化学式中，Ri及R2是选自由径烷基、酸基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和控 基、烷基所组成的一群中的基）
[0088] <制造条件>
[0089] 电流密度:70~100A/血2
[0090] 电解液溫度:50~60°C
[0091] 电解液线速度:3~5m/sec
[0092] 电解时间:0.5~10分钟
[0093] <中间层>
[0094] 在载体的单面或双面上设置中间层。在载体与中间层之间可W设置其它层。本发 明中所使用的中间层只要是如下构成，那么就并没有特别限定:在附载体铜锥向绝缘基板 积层的步骤前极薄铜层不易从载体剥离，另一方面，在向绝缘基板积层的步骤后极薄铜层 能够从载体剥离。例如，本发明的附载体铜锥的中间层可W含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、 T i、W、P、化、A1、化、运些的合金、运些的水合物、运些的氧化物、有机物所组成的群中的一种 或两种W上。另外，中间层也可W是数层。
[00M]另外，例如，中间层可W通过如下方式构成:从载体侧形成W选自由化、Ni、Co、Fe、 1〇、11、胖、？、加、41、化所构成的元素群的一种元素所组成的单一金属层、或^选自由化、化、 仿、。6、1〇、11、胖、？、化、41、化所构成的元素群的一种或两种^上的元素所组成的合金层、或 包含有机物的层，并在其上形成W选自由化、化、仿^6、1〇、11、胖、？、〇1、41、化所构成的元素 群的一种或两种W上的元素的单一金属层或合金层或水合物或氧化物或有机物所组成的 层。
[0096]在只在单面设置中间层的情况下，优选在载体的相反面设置锻Μ层等防诱层。此 夕h在利用铭酸盐处理或锋铭酸盐处理或锻敷处理设置中间层的情况下，认为存在铭或锋 等附着金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。
[0097] 另外，例如，中间层可W在载体上依序积层儀、儀-憐合金或儀-钻合金与铭而构 成。因为儀与铜的粘附力高于铭与铜的粘附力，所W当剥离极薄铜层时，会在极薄铜层与铭 的界面进行剥离。另外，对中间层的儀期待防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻障效果。 中间层中的儀的附着量优选1 (K)yg/dm2 W上且400(K)yg/dm2 W下，更优选1 (K)yg/dm2 W上且 4000yg/dm2W 下，更优选 100yg/dm2W 上且 2500yg/dm2W 下，更优选 100yg/dm2W 上且未达 lOO^gMm2,中间层中的铭的附着量优选扣g/dm2W上且l(K)yg/dm2W下。在只在单面设置中 间层的情况下，优选在载体的相反面设置锻儀层等防诱层。
[0098] 此外，中间层可W通过对载体进行电锻、无电锻敷及浸溃锻敷运样的湿式锻敷、或 瓣锻、CVD、PVD运样的干式锻敷而设置。此外，在载体使用树脂膜，且利用湿式锻敷设置中间 层的情况下，在形成中间层前需要进行活化处理等用W对载体进行湿式锻敷的预处理。所 述预处理只要为能够对树脂膜进行湿式锻敷的处理，那么任何处理均可使用，能够使用众 所周知的处理。
[0099] <极薄铜层>
[0100] 在中间层上设置极薄铜层。在中间层与极薄铜层之间可W设置其它层。极薄铜层 可W通过利用硫酸铜、焦憐酸铜、氨基横酸铜、氯化铜等电解浴的电锻而形成，从用于一般 的电解铜锥、且能够在高电流密度下形成铜锥的方面来说，优选硫酸铜浴。极薄铜层的厚度 并没有特别限制，通常薄于载体，例如为下。典型地为0.01~12μπι，更典型地为0.05 ~12μηι，更典型地为0.1~12μηι，更典型地为1~扣m，进而典型地为1.5~如m，进而典型地为 2~如m。此外，也可W在载体的双面设置极薄铜层。
[0101] <极薄铜层的中间层侧表面的60度镜面光泽度>
[0102] 本发明的附载体铜锥在一形态中，极薄铜层的中间层侧表面的MD方向下，也称 为长度方向或周向;MD方向：垂直于电解铜锥制造装置中的铜锥的通锥方向的方向）的60度 镜面光泽度被控制为140W下。另外，本发明的附载体铜锥在另一形态中，极薄铜层的中间 层侧表面的TD方向下，也称为宽度方向、横向；TD方向：电解铜锥制造装置中的铜锥的通 锥方向）的60度镜面光泽度被控制为65W下。
[0103] 将附载体铜锥贴合在绝缘基板，并在热压接后剥离载体，将粘附于绝缘基板的极 薄铜层蚀刻为目标导体图案而形成电路。W所述方式使基板成为多层构造而制作印刷配线 板。运里，为了提高运种印刷配线板的集成电路密度，形成激光孔，通过该孔使内层与外层 连接。运时，如果难W在极薄铜层打出激光孔，那么当然会成为问题，激光孔过大过小均会 引起各种问题，所W必须形成为适度的大小。如上所述，极薄铜层的激光打孔性因为和孔径 精度W及激光输出等各条件相关，所W是会给集成电路的设计及生产性带来较大影响的重 要特性。在本发明中，发现该极薄铜层的激光打孔性通过将极薄铜层的中间层侧表面的MD 方向（周向）的60度镜面光泽度控制为140W下、或将极薄铜层的中间层侧表面的TD方向（横 向）的60度镜面光泽度控制为65W下而变得良好。如果极薄铜层的中间层侧表面的MD方向 的60度镜面光泽度超过140、或极薄铜层的中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度超过 65,那么会产生如下问题:极薄铜层的中间层侧表面的MD方向或TD方向的60度镜面光泽度 过大，打孔加工时的激光的吸收性过剩，孔变得过大。
[0104] 极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度优选130W下，更优选120W 下，更优选now下。另外，极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度的下限并 没有特别限定，可W是0.1W上、0.5W上、1.0W上、5.0W上、或10.0W上。
[0105] 极薄铜层的中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度优选60W下，更优选55W 下，进而更优选45W下。另外，极薄铜层的中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度的下限 并没有特别限定，可W是0.1W上、0.5W上、1.0W上、5.0W上、或10.0W上。
[0106] <极薄铜层的中间层侧表面的十点平均粗糖度Rz>
[0107] 关于本发明的附载体铜锥，极薄铜层的中间层侧表面的利用接触式粗糖度计测得 的MD方向（周向）的十点平均粗糖度Rz (JIS B06011982)优选1.5μπι W下。利用运种构成，能 够控制打孔加工时的激光的吸收性，极薄铜层的激光打孔性变得更良好。极薄铜层的中间 层侧表面的十点平均粗糖度Rz更优选1.4ymW下，进而更优选1.3ymW下。另外，极薄铜层的 中间层侧表面的MD方向（周向）的十点平均粗糖度RzQlS B06011982)的下限并没有特别限 定，可W是0.01皿W上、0.05皿W上、或0.1皿W上。此外，在极薄铜层的中间层侧表面的MD 方向（周向）的十点平均粗糖度Rz(JIS B06011982)为0.80皿W上、优选0.85ymW上、优选 0.90ymW上的情况下，能够更良好地控制打孔加工时的激光的吸收性，极薄铜层的激光打 孔性变得更良好。
[0108] 关于本发明的附载体铜锥，极薄铜层的中间层侧表面的利用接触式粗糖度计测得 的TD方向（横向）的十点平均粗糖度Rz (JIS B06011982)优选1.7皿W下。利用运种构成，能 够控制打孔加工时的激光的吸收性，极薄铜层的激光打孔性变得更良好。极薄铜层的中间 层侧表面的十点平均粗糖度Rz更优选1.6ymW下，进而更优选1.5ymW下。另外，极薄铜层的 中间层侧表面的TD方向（横向）的十点平均粗糖度RzQlS B0601 1982)的下限并没有特别 限定，可W是0.01皿W上、0.05皿W上、或0.1皿W上。
[0109] 能够W如下方式控制本发明的所述极薄铜层的中间层侧表面的MD方向及TD方向 的60度镜面光泽度、及十点平均粗糖度化。也就是说，在形成了中间层的载体的该中间层侧 表面，W利用特定的研磨方法研磨过极薄铜层形成面的电解滚筒形成载体。在该电解滚筒 的研磨方法中，不只是沿电解滚筒表面的旋转方向(MD方向）进行研磨，也沿TD方向进行研 磨。具体来说，如图5所示，一边使电解滚筒旋转一边使研磨带抵接于电解滚筒的旋转方向 (MD方向）进行研磨，并且使研磨带一边也沿电解滚筒的TD方向振动一边移动，由此也进行 电解滚筒的TD方向的研磨。运时，可W使用铁制滚筒作为电解滚筒。另外，作为研磨带，可W 使用如下研磨带，其使用碳化娃制研磨粒、氧化侣制研磨粒或碳化鹤制研磨粒作为研磨粒。 另外，研磨粒的粒度优选设为JIS R60011998中所规定的F240~F1200或#320~#4000的粒 度。另外，研磨带在TD方向的振动宽度设为0.01~5mm，研磨带在横向的移动(行程:在电解 滚筒表面的TD方向，研磨带的中屯、在一定时间内返回到相同位置的次数)设为50~300次/ min,研磨带在TD方向的移动速度(托架速度)设为20~lOOcm/min，电解滚筒的旋转速度设 为5~15巧m。研磨带的宽度可W设为50~300mm。
[0110] 通过使用像运样表面的MD方向及TD方向经研磨的电解滚筒而形成载体，能够控制 在该载体上隔着中间层而形成的所述极薄铜层的中间层侧表面的MD方向及TD方向的60度 镜面光泽度及十点平均粗糖度Rz。
[0111] 另外，从激光的容易吸收性的方面来说，所述MD方向的60度镜面光泽度/所述TD方 向的60度镜面光泽度优选2.05 W下，更优选2.00 W下，更进一步优选1.95 W下，更进一步优 选1.9〇W下。
[0112] 另外，从激光的容易吸收性的方面来说，所述MD方向的十点平均粗糖度Rz/所述TD 方向的十点平均粗糖度Rz优选0.55 W上，更优选0.60 W上，更进一步优选0.63 W上。
[0113] 关于本发明附载体铜锥，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面 光泽度为65W下，且在所述极薄铜层的所述中间层侧表面可W满足W下（2-1)~（2-14)的 项目中的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个或13个或 14个：
[0114] (2-l)MD方向的60度镜面光泽度为140W下、
[0115] (2-2)MD方向的60度镜面光泽度为130W下、
[0116] (2-3)MD方向的60度镜面光泽度为120W下、
[0117] (2-4)MD方向的60度镜面光泽度为now下、
[011引（2-5) TD方向的60度镜面光泽度为65 W下、
[0119] (2-6) TD方向的60度镜面光泽度为60 W下、
[0120] (2-7) TD方向的60度镜面光泽度为55 W下、
[0121] (2-8) TD方向的60度镜面光泽度为50 W下、
[0122] (2-9)利用接触式粗糖度计测得的MD方向的十点平均粗糖度Rz化.5皿W下、
[0123] (2-10)利用接触式粗糖度计测得的MD方向的十点平均粗糖度Rz为0.祉mW上、
[0124] (2-11)利用接触式粗糖度计测得的TD方向的十点平均粗糖度Rz为1.7ymW下、
[0125] (2-12 )MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为2.05 W下、
[0126] (2-13)MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为1.95W下、
[0127] (2-14)利用接触式粗糖度计测得的MD方向的十点平均粗糖度Rz/利用接触式粗糖 度计测得的TD方向的十点平均粗糖度Rz为0.55 W上。
[0128] <粗化处理及其它表面处理>
[0129] 在极薄铜层的表面，例如为了使其与绝缘基板的密接性变得良好等，可W通过实 施粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可W通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进 行。粗化处理也可W是微细的粗化处理。粗化处理层可W是W选自由铜、儀、憐、鹤、神、钢、 铭、铁、饥、钻及锋所组成的群中的任一单质或含有任一种W上的单质的合金所组成的层 等。另外，在利用铜或铜合金形成粗化粒子后，也可W进而进行利用儀、钻、铜、锋的单质或 合金等设置二次粒子或Ξ次粒子的粗化处理。之后，可W利用儀、钻、铜、锋的单质或合金等 形成耐热层或防诱层，也可W进而对其表面实施铭酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。或者也 可W不进行粗化处理，而利用儀、钻、铜、锋、锡、钢、鹤、憐、神、铭、饥、铁、侣、金、银、销族元 素、铁、粗的单质及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或娃化物等形成耐热层或防诱层， 进而对其表面实施铭酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。也就是说，可W在粗化处理层的表面 形成选自由耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种W上的 层，也可W在极薄铜层的表面形成选自由耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶联处理层 所组成的群中的1种W上的层。此外，所述粗化处理层、耐热层、防诱层、铭酸盐处理层、硅烷 偶联处理层可W分别W数层形成(例如2层W上、3层W上等）。
[0130] 例如，作为粗化处理的铜-钻-儀合金锻敷能够W利用电解锻敷形成附着量为15~ 40mg/dm2的铜-100~3000yg/dm2的钻-100~1500yg/dm 2的儀运样的3元系合金层的方式来 实施。如果Co附着量未达100yg/dm2,那么存在耐热性变差，蚀刻性变差的情况。如果Co附着 量超过3000yg/dm2,那么当必须考虑磁性的影响时不优选，存在产生蚀刻斑点，另外，耐酸 性及耐化学品性变差的情况。如果Μ附着量未达10化g/dm2,那么存在耐热性变差的情况。 另一方面，如果Ni附着量超过15(K)yg/dm2,那么存在蚀刻残留增多的情况。优选的Co附着量 为1000~2500yg/dmM尤选的儀附着量为500~1200yg/dm2。运里，所谓蚀刻斑点，是指当利 用氯化铜进行蚀刻时，Co不溶解而残留，并且所谓蚀刻残留，是指当利用氯化锭进行碱蚀刻 时，Ni不溶解而残留。
[0131] 用W形成运种3元系铜-钻-儀合金锻层的一般浴及锻敷条件的一例如下所述：
[0132] 锻浴组成:CulO ~20g/L、Col ~10g/L、Nil ~lOg/L
[0133] pH:l ~4
[0134] 溫度:30 ~50°C
[0135] 电流密度 Dk:20 ~30A/dm2
[0136] 锻敷时间：1~5秒
[0137] 所述铭酸盐处理层是指利用包含铭酸酢、铭酸、重铭酸、铭酸盐或重铭酸盐的溶液 进行过处理的层。铭酸盐处理层可W含有Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等元 素(可W是金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态）。作为铭酸盐处理层的具体例， 可W列举利用铭酸酢或重铭酸钟水溶液进行过处理的铭酸盐处理层、或利用包含铭酸酢或 重铭酸钟及锋的处理液进行过处理的铭酸盐处理层等。
[0138] 所述硅烷偶联处理层可W使用众所周知的硅烷偶联剂而形成，可W使用环氧系娃 烧、氨基系硅烷、甲基丙締酷氧基系硅烷、琉基系硅烷、乙締系硅烷、咪挫系硅烷、二嗦系娃 烧等硅烷偶联剂等而形成。此外，运种硅烷偶联剂也可W将巧巾W上混合而使用。其中，优选 使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂而形成的硅烷偶联处理层。
[0139] 另外，可W对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防诱层、硅烷偶联处理层或铭酸盐处 理层的表面进行国际公开编号W02008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第 5024930号、国际公开编号W02006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号W02006/ 134868、日本专利第5046927号、国际公开编号W02007/105635、日本专利第5180815号、日本 特开2013-19056号中所记载的表面处理。
[0140] W如上方式制造具备载体、积层在载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜 层的附载体铜锥。附载体铜锥本身的使用方法为业者所熟知，例如可W将极薄铜层的表面 贴合在纸基材酪树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环 氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚醋膜、聚酷亚胺 膜等绝缘基板，在热压接后剥离载体而制成覆铜积层板，并将粘附于绝缘基板的极薄铜层 蚀刻为目标导体图案，最终制造印刷配线板。
[0141] 另外，具备载体、及在载体上积层中间层且积层在中间层上的极薄铜层的附载体 铜锥可W在所述极薄铜层上具备粗化处理层，也可W在所述粗化处理层上具备一层W上选 自由耐热层、防诱层、铭酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的层。
[0142] 另外，可W在所述极薄铜层上具备粗化处理层，可W在所述粗化处理层上具备耐 热层、防诱层，可W在所述耐热层、防诱层上具备铭酸盐处理层，也可W在所述铭酸盐处理 层上具备硅烷偶联处理层。
[0143] 另外，所述附载体铜锥可W在所述极薄铜层上、或所述粗化处理层上、或所述耐热 层、防诱层、或铭酸盐处理层、或硅烷偶联处理层上具备树脂层。所述树脂层可W是绝缘树 脂层。
[0144] 所述树脂层可W是粘附剂，也可W是粘附用的半固化状态(B阶段)的绝缘树脂层。 所谓半固化状态(B阶段状态），包括如下状态：即使W手指触碰其表面也没有粘着感，可将 该绝缘树脂层重叠进行保管，如果进而受到加热处理那么就会产生固化反应。
[0145] 另外，所述树脂层可W包含热固化性树脂，也可W是热塑性树脂。另外，所述树脂 层可W含有热塑性树脂。其种类并没有特别限定，例如，作为合适的树脂，可W列举包含选 自环氧树脂、聚酷亚胺树脂、多官能性氯酸醋化合物、马来酷亚胺化合物、聚马来酷亚胺化 合物、马来酷亚胺系树脂、芳香族马来酷亚胺树脂、聚乙締醇缩醒树脂、氨基甲酸醋树脂 (Urethane resin)、聚酸讽（也称为Polyethersulfone)、聚酸讽（也称为 Polyethersulfone)树脂、芳香族聚酷胺树脂、芳香族聚酷胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚 胺、芳香族聚胺、聚酷胺酷亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、簇基改质丙締腊-下 二締树脂、聚苯酸、双马来酷亚胺Ξ嗦树脂、热固化性聚苯酸树脂、氯酸醋系树脂、簇酸的 酢、多元簇酸的酢、具有能够交联的官能基的线性聚合物、聚苯酸树脂、2,2-双(4-氯酸醋基 苯基)丙烷、含憐的酪化合物、环烧酸儘、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯酸-氯酸醋 系树脂、硅氧烷改质聚酷胺酷亚胺树脂、氯基醋树脂、麟腊系树脂、橡胶改质聚酷胺酷亚胺 树脂、异戊二締、氨化型聚下二締、聚乙締醇缩下醒、苯氧基树脂、高分子环氧树脂、芳香族 聚酷胺、氣树脂、双酪、嵌段共聚聚酷亚胺树脂及氯基醋树脂的群中的一种W上的树脂。
[0146] 另外，所述环氧树脂只要分子内具有2个W上环氧基，能够用于电气、电子材料用 途，那么就可W没有特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选使用分子内具有2个W上缩 水甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。另外，可W使用选自双酪A型环氧树脂、双 酪F型环氧树脂、双酪S型环氧树脂、双酪AD型环氧树脂、酪醒清漆型环氧树脂、甲酪酪醒清 漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、漠化(brominated)环氧树脂、苯酪酪醒清漆型环氧树脂、 糞型环氧树脂、漠化双酪A型环氧树脂、邻甲酪酪醒清漆型环氧树脂、橡胶改质双酪A型环氧 树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氯尿酸Ξ缩水甘油醋、N，N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油 胺化合物、四氨邻苯二甲酸二缩水甘油醋等缩水甘油醋化合物、含憐的环氧树脂、联苯型环 氧树脂、联苯酪醒清漆型环氧树脂、Ξ径基苯基甲烧型环氧树脂、四苯基乙烧型环氧树脂的 群中的1种或将巧巾W上混合而使用，或可W使用所述环氧树脂的氨化物或面化物。
[0147] 作为所述含憐的环氧树脂，可W使用众所周知的含有憐的环氧树脂。另外，所述含 憐的环氧树脂例如优选如下环氧树脂：其是W源自分子内具备2个W上环氧基的9,10-二 氨-9-氧杂-10-憐杂菲-10-氧化物的衍生物的形式获得。
[0148] 所述树脂层可W含有众所周知的树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、介电体 (可W使用包含无机化合物及/或有机化合物的介电体、包含金属氧化物的介电体等任何介 电体）、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等。另外，所述树脂层例如可W使用国 际公开编号W02008/004399号、国际公开编号W02008/053878、国际公开编号W02009/ 084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开 编号W097/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、 日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第 3992225、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专 利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506 号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第 4178415号、国际公开编号W02004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923 号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号W02006/028207、日本专 利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号W02006/134868、日本专利第 5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号W02007/105635、日本专利第5180815 号、国际公开编号W02008/114858、国际公开编号W02009/008471、日本特开2011-14727号、 国际公开编号W02009/001850、国际公开编号W02009/145179、国际公开编号W02011/ 068157、日本特开2013-19056号中所记载的物质(树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、 介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等)及/或树脂层的形成方法、形成装 置而形成。
[0149] 将所述运些树脂溶解于例如甲基乙基酬(MEK)、甲苯等溶剂中而制成树脂溶液，例 如利用漉涂法等将该树脂溶液涂布于所述极薄铜层上、或所述耐热层、防诱层、或所述铭酸 盐皮膜层、或所述硅烷偶联剂层上，接着根据需要进行加热干燥，去除溶剂而设为郎介段状 态。干燥例如使用热风干燥炉即可，干燥溫度为100~250°c、优选130~200°C即可。
[0150] 具备所述树脂层的附载体铜锥（附有树脂的附载体铜锥)是W如下形态使用:在使 其树脂层重叠于基材后对整体进行热压接而使该树脂层热固化，接着剥离载体而露出极薄 铜层(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面），并在此形成特定的配线图案。
[0151] 如果使用该附有树脂的附载体铜锥，那么能够减少制造多层印刷配线基板时的预 浸体材的使用片数。并且，可W将树脂层的厚度设为能够确保层间绝缘的厚度，或即使完全 没有使用预浸体材也能够制造覆铜积层板。另外，运时，也可W在基材的表面底涂绝缘树脂 而进一步改善表面的平滑性。
[0152] 此外，在不使用预浸体材的情况下，有如下优点:节约预浸体材的材料成本，另外， 积层步骤也变得简略，所W在经济方面变得有利，并且所制造的多层印刷配线基板的厚度 减薄了预浸体材的厚度量，能够制造1层的厚度为lOOymW下的极薄的多层印刷配线基板。
[0153] 该树脂层的厚度优选0.1~80μπι。如果树脂层的厚度薄于Ο.?μπι，那么粘附力降低， 当不隔着预浸体材而将该附有树脂的附载体铜锥积层在具备内层材的基材时，存在难W确 保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。
[0154] 另一方面，如果使树脂层的厚度厚于80μπι，那么难W利用1次涂布步骤形成目标厚 度的树脂层，耗费额外的材料费与工时，在经济方面变得不利。进而，所形成的树脂层因其 可晓性较差，所W存在处理时容易产生龟裂等，另外，在与内层材的热压接时产生过度的树 脂流动而难W顺利地积层的情况。
[0155] 进而，作为该附有树脂的附载体铜锥的另一产品形态，也能够在所述极薄铜层上、 或所述耐热层、防诱层、或所述铭酸盐处理层、或所述硅烷偶联处理层上利用树脂层进行被 覆，设为半固化状态后，接着剥离载体，W不存在载体的附有树脂的铜锥的形式制造。
[0156] 进而，通过在印刷配线板上搭载电子零件类而完成印刷电路板。在本发明中，"印 刷配线板"也包括运样搭载了电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。
[0157] 另外，可W使用该印刷配线板来制作电子机器，可W使用该搭载了电子零件类的 印刷电路板来制作电子机器，也可w使用该搭载了电子零件类的印刷基板来制作电子机 器。W下，示出一些使用本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造步骤的例子。
[0158] 在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤:准备本发明 的附载体铜锥与绝缘基板;积层所述附载体铜锥与绝缘基板;及将所述附载体铜锥与绝缘 基板W极薄铜层侧与绝缘基板相对向的方式积层后，经过剥离所述附载体铜锥的载体的步 骤而形成覆铜积层板，之后利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及减成法中的任一 方法而形成电路。绝缘基板也能够设为带有内层电路的绝缘基板。
[0159] 在本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜锥巧晶层上进行较薄的无电锻 敷，形成图案后，使用电锻及蚀刻而形成导体图案的方法。
[0160] 因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括 如下步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0161] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0162] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0163] 利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥离所述载体而露出的极薄 铜层全部去除；
[0164] 在通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂上设置通孔或/及盲孔 (blind via)；
[0165] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
[0166] 对包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电锻敷层；
[0167] 在所述无电锻敷层上设置锻敷阻剂；
[0168] 对所述锻敷阻剂进行曝光，之后去除将要形成电路的区域的锻敷阻剂；
[0169] 在去除了所述锻敷阻剂的所述将要形成电路的区域设置电解锻敷层；
[0170] 去除所述锻敷阻剂;及
[0171] 利用快速蚀刻等去除位于所述将要形成电路的区域W外的区域的无电锻敷层。
[0172] 在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下 步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0173] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0174] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0175] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔；
[0176] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
[0177] 利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥离所述载体而露出的极薄 铜层全部去除；
[0178] 对通过利用蚀刻等去除所述极薄铜层而露出的包含所述树脂及所述通孔或/及盲 孔的区域设置无电锻敷层；
[0179] 在所述无电锻敷层上设置锻敷阻剂；
[0180] 对所述锻敷阻剂进行曝光，之后去除将要形成电路的区域的锻敷阻剂；
[0181] 在去除了所述锻敷阻剂的所述将要形成电路的区域设置电解锻敷层；
[0182] 去除所述锻敷阻剂;及
[0183] 利用快速蚀刻等去除位于所述将要形成电路的区域W外的区域的无电锻敷层。
[0184] 在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下 步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0185] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0186] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0187] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔；
[0188] 利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥离所述载体而露出的极薄 铜层全部去除；
[0189] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
[0190] 对通过利用蚀刻等去除所述极薄铜层而露出的包含所述树脂及所述通孔或/及盲 孔的区域设置无电锻敷层；
[0191] 在所述无电锻敷层上设置锻敷阻剂；
[0192] 对所述锻敷阻剂进行曝光，之后去除将要形成电路的区域的锻敷阻剂；
[0193] 在去除了所述锻敷阻剂的所述将要形成电路的区域设置电解锻敷层；
[0194] 去除所述锻敷阻剂;及
[0195] 利用快速蚀刻等去除位于所述将要形成电路的区域W外的区域的无电锻敷层。
[0196] 在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下 步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0197] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0198] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0199] 利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，将剥离所述载体而露出的极薄 铜层全部去除；
[0200] 对通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂的表面设置无电锻敷层； [0201 ]在所述无电锻敷层上设置锻敷阻剂；
[0202] 对所述锻敷阻剂进行曝光，之后去除将要形成电路的区域的锻敷阻剂；
[0203] 在去除了所述锻敷阻剂的所述将要形成电路的区域设置电解锻敷层；
[0204] 去除所述锻敷阻剂;及
[0205] 利用快速蚀刻等去除位于所述将要形成电路的区域W外的区域的无电锻敷层及 极薄铜层。
[0206] 在本发明中，所谓改良型半加成法，是指如下方法:在绝缘层上积层金属锥，利用 锻敷阻剂保护非电路形成部，利用电解锻敷形成电路形成部的铜，然后去除阻剂，并利用 (快速)蚀刻去除所述电路形成部W外的金属锥，由此在绝缘层上形成电路。
[0207] 因此，在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式 中，包括如下步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0208] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0209] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0210] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
[0211] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
[0212] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电锻敷层；
[0213] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置锻敷阻剂；
[0214] 在设置所述锻敷阻剂后，利用电解锻敷而形成电路；
[0215] 去除所述锻敷阻剂;及
[0216] 利用快速蚀刻去除通过去除所述锻敷阻剂而露出的极薄铜层。
[0217] 在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包 括如下步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0218] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0219] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0220] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层上设置锻敷阻剂；
[0221] 对所述锻敷阻剂进行曝光，之后去除将要形成电路的区域的锻敷阻剂；
[0222] 在去除了所述锻敷阻剂的所述将要形成电路的区域设置电解锻敷层；
[0223] 去除所述锻敷阻剂;及
[0224] 利用快速蚀刻等去除位于所述将要形成电路的区域W外的区域的无电锻敷层及 极薄铜层。
[0225] 在本发明中，所谓部分加成法，是指如下方法:在设置导体层而成的基板、根据需 要打出通孔或导通孔用的孔而成的基板上设置催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，根据 需要设置阻焊剂或锻敷阻剂，然后在所述导体电路上对通孔或导通孔等利用无电锻敷处理 进行锻敷，由此制造印刷配线板。
[0226] 因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包 括如下步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0227] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0228] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0229] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
[0230] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
[0231 ]对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；
[0232] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂；
[0233] 对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；
[0234] 利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催化 剂核而形成电路；
[0235] 去除所述蚀刻阻剂；
[0236] 在利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催 化剂核而露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或锻敷阻剂;及
[0237] 在未设置所述阻焊剂或锻敷阻剂的区域设置无电锻敷层。
[0238] 在本发明中，所谓减成法，是指如下方法:利用蚀刻等选择性地去除覆铜积层板上 的铜锥的不需要的部分而形成导体图案。
[0239] 因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括如 下步骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0240] 积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0241] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0242] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
[0243] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
[0244] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电锻敷层；
[0245] 在所述无电锻敷层的表面设置电解锻敷层；
[0246] 在所述电解锻敷层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；
[0247] 对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；
[0248] 利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述无电 锻敷层及所述电解锻敷层而形成电路;及
[0249] 去除所述蚀刻阻剂。
[0250] 在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步 骤:准备本发明的附载体铜锥与绝缘基板；
[0251 ]积层所述附载体铜锥与绝缘基板；
[0252] 在积层所述附载体铜锥与绝缘基板后，剥离所述附载体铜锥的载体；
[0253] 在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；
[0254] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
[0255] 对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电锻敷层；
[0256] 在所述无电锻敷层的表面形成遮罩；
[0257] 在未形成遮罩的所述无电锻敷层的表面设置电解锻敷层；
[0258] 在所述电解锻敷层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；
[0259] 对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；
[0260] 利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述无电 锻敷层而形成电路;及
[0%1]去除所述蚀刻阻剂。
[0262] 也可W不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及之后的去污步骤。
[0263] 运里，使用附图详细地说明使用本发明的附载体铜锥的印刷配线板的制造方法的 具体例。此外，运里，W具有形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜锥为例进行说明，但 并不限定于此，即使使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜锥，也可W同样地 实施下述印刷配线板的制造方法。
[0264] 首先，如图1-A所示，准备具有表面形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜锥 (第一层）。
[0265] 其次，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布阻剂，进行曝光、显影，将阻 剂蚀刻为特定的形状。
[0266] 其次，如图1-C所示，在形成电路用的锻层后，去除阻剂，由此形成特定形状的电路 锻层。
[0267] 其次，如图2-D所示，W覆盖电路锻层的方式埋没电路锻层的方式)在极薄铜层 上设置嵌入树脂而积层树脂层，其次从极薄铜层侧粘附另一个附载体铜锥(第二层）。
[0268] 其次，如图2-E所示，从第二层的附载体铜锥剥离载体。
[0269] 其次，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行激光打孔，使电路锻层露出而形成 盲孔。
[0270] 其次，如图3-G所示，向盲孔中嵌入铜而形成通孔填充物。
[0271] 其次，如图3-H所示，在通孔填充物上，像所述图1-B及图1-C那样形成电路锻层。
[0272] 其次，如图3-1所示，从第一层的附载体铜锥剥离载体。
[0273] 其次，如图4-J所示，利用快速蚀刻去除两表面的极薄铜层，露出树脂层内的电路 锻层的表面。
[0274] 其次，如图4-K所示，在树脂层内的电路锻层上形成凸块，并在该焊料上形成铜柱。 W所述方式制作使用本发明的附载体铜锥的印刷配线板。
[0275] 此外，在所述印刷配线板的制造方法中，也能够将"极薄铜层"替换成载体，将"载 体"替换成极薄铜层，在附载体铜锥的载体侧的表面形成电路，并利用树脂嵌入电路而制造 印刷配线板。
[0276] 所述另一个附载体铜锥(第二层)可W使用本发明的附载体铜锥，可W使用现有的 附载体铜锥，进而也可W使用通常的铜锥。另外，在图3-H所示的第二层的电路上，可W进而 形成1层或数层电路，可利用半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方 法形成运些电路。
[0277] 根据如上所述的印刷配线板的制造方法，因为成为电路锻层被埋入至树脂层的构 成，所W例如当如图4-J所示利用快速蚀刻去除极薄铜层时，电路锻层受到树脂层保护而保 持其形状，由此容易形成微细电路。另外，因为电路锻层受到树脂层保护，所W耐迁移性提 高，良好地抑制电路配线的导通。因此，容易形成微细电路。另外，如图4-J及图4-K所示，当 利用快速蚀刻去除极薄铜层时，因为电路锻层的露出面呈现从树脂层凹陷的形状，所W容 易在该电路锻层上形成凸块，进而容易在凸块上形成铜柱，制造效率提高。
[0278] 此外，嵌入树脂(resin)可W使用众所周知的树脂、预浸体。例如可W使用BT(双马 来酷亚胺Ξ嗦)树脂或作为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、Ajinomoto Fine-Techno股份 有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述嵌入树脂(resin)可W使用本说明书中所记载的树 脂层及/或树脂及/或预浸体。
[0279] 另外，所述第一层所使用的附载体铜锥也可W在该附载体铜锥的表面具有基板或 树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层所使用的附载体铜锥受到支撑，不易形成皱權， 所W有生产性提高的优点。此外，所述基板或树脂层只要为发挥支撑所述第一层所使用的 附载体铜锥的效果的基板或树脂层，那么所有基板或树脂层均可使用。例如，作为所述基板 或树脂层，可W使用本申请说明书中所记载的载体、预浸体、树脂层或众所周知的载体、预 浸体、树脂层、金属板、金属锥、无机化合物的板、无机化合物的锥、有机化合物的板、有机化 合物的锥。
[0280] 另外，本发明的印刷配线板的制造方法也可W是包括如下步骤的印刷配线板的制 造方法(无忍方法）：将本发明的附载体铜锥的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树 脂基板积层;在与和所述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附 载体铜锥的表面设置至少1次树脂层与电路运2层;及在形成所述树脂层及电路运2层后，从 所述附载体铜锥将所述载体或所述极薄铜层剥离。关于该无忍方法，作为具体的例子，首 先，将本发明的附载体铜锥的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层而制造积层 体。之后，在与和树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜 锥的表面形成树脂层。也可W在形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层进而将其它 附载体铜锥从载体侧或极薄铜层侧积层。另外，可W将如下积层体用于所述印刷配线板的 制造方法(无忍方法）：该积层体具有w树脂基板或树脂或预浸体为中屯、，在该树脂基板或 树脂或预浸体的两个表面侧，W载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的 顺序积层附载体铜锥的构成;或具有依序积层"载体/中间层/极薄铜层/树脂基板或树脂或 者预浸体/载体/中间层/极薄铜层"的构成。并且，在该积层体的两端的极薄铜层或载体露 出的表面设置另一树脂层，进而设置铜层或金属层，然后对该铜层或金属层进行加工，由此 也可W形成电路。进而，也可W在该电路上，W埋入该电路的方式设置其它树脂层。另外，也 可W进行1次W上运种电路及树脂层的形成(增层方法）。并且，对W所述方式形成的积层体 (W下，也称为积层体B)，可W将各附载体铜锥的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而 制作无忍基板。此外，所述无忍基板的制作也可W使用2个附载体铜锥，制作下述具有极薄 铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜 层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/ 极薄铜层的构成的积层体，并W该积层体为中屯、使用。可W在运些积层体下，也称为积 层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面设置树脂层及电路运2层1次W上，将树脂层及电路 运2层设置1次W上后，将各附载体铜锥的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无 忍基板。所述积层体在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜 层之间、极薄铜层与载体之间也可W具有其它层。其它层也可W是树脂基板或树脂层。此 夕h在本说明书中，关于"极薄铜层的表面"、"极薄铜层侧表面"、"极薄铜层表面"、"载体的 表面"、"载体侧表面"、"载体表面"、"积层体的表面"、"积层体表面"，在极薄铜层、载体、积 层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其它层的情况下，是包括该其它层的表面 (最表面)在内的概念。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜 层的构成。其原因在于，当使用该积层体制作无忍基板时，因为在无忍基板侧配置极薄铜 层，所W容易使用改良型半加成法在无忍基板上形成电路。另外，其原因在于，因为极薄铜 层的厚度较薄，所W容易去除该极薄铜层，并在去除极薄铜层后容易使用半加成法在无忍 基板上形成电路。
[0281 ]此外，在本说明书中，没有特别记载为"积层体A"或"积层体B"的"积层体"表示至 少包含积层体A及积层体B的积层体。
[0282]此外，在所述无忍基板的制造方法中，通过利用树脂覆盖附载体铜锥或所述积层 体(包括积层体A在内）的端面的一部分或全部，而在利用增层方法制造印刷配线板时，能够 防止药液渗入至中间层或构成积层体的一个附载体铜锥与另一个附载体铜锥之间，能够防 止由药液的渗入所引起的极薄铜层与载体的分离或附载体铜锥的腐蚀，能够提高良率。作 为运里所使用的"覆盖附载体铜锥的端面的一部分或全部的树脂"或"覆盖积层体的端面的 一部分或全部的树脂"，可W使用树脂层所能够使用的树脂或众所周知的树脂。另外，在所 述无忍基板的制造方法中，在附载体铜锥或积层体中俯视时附载体铜锥或积层体的积层部 分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜锥与另一个附载体铜锥的积层部分)的外 周的至少一部分可由树脂或预浸体所覆盖。另外，利用所述无忍基板的制造方法形成的积 层体(积层体A)也可W使一对附载体铜锥W能够相互分离的方式接触而构成。另外，也可W 是在该附载体铜锥中俯视时附载体铜锥或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部 分、或一个附载体铜锥与另一个附载体铜锥的积层部分）的外周的整体或积层部分的整个 面由树脂或预浸体覆盖而成。另外，俯视时树脂或预浸体优选大于附载体铜锥或积层体或 积层体的积层部分，优选设为如下积层体:其具有将该树脂或预浸体积层在附载体铜锥或 积层体的双面，并利用树脂或预浸体封闭（包围）附载体铜锥或积层体的构成。通过设为运 种构成，当俯视附载体铜锥或积层体时，附载体铜锥或积层体的积层部分由树脂或预浸体 所覆盖，能够防止其它构件从该部分的侧方向、也就是相对于积层方向为横向的方向接触， 结果能够减少处理中载体与极薄铜层或附载体铜锥彼此的剥离。另外，通过W不露出附载 体铜锥或积层体的积层部分的外周的方式利用树脂或预浸体覆盖，能够防止如上所述药液 处理步骤中药液渗入至该积层部分的界面，能够防止附载体铜锥的腐蚀或侵蚀。此外，从积 层体的一对附载体铜锥分离一个附载体铜锥时，或分离附载体铜锥的载体与铜锥（极薄铜 层)时，必须通过切断等来去除由树脂或预浸体所覆盖的附载体铜锥或积层体的积层部分 (载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜锥与另一个附载体铜锥的积层部分）。
[0283] 也可W将本发明的附载体铜锥从载体侧或极薄铜层侧积层在另一个本发明的附 载体铜锥的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可W是使所述一个附载体铜锥的 所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜锥的所述载体侧表面或所 述极薄铜层侧表面根据需要通过粘附剂直接积层而获得的积层体。另外，也可W将所述一 个附载体铜锥的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜锥的载体或极薄铜层进行接合。运 里，该"接合"在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，也包括隔着该表面处理层而相 互接合的形态。另外，该积层体的端面的一部分或全部可W由树脂所覆盖。
[0284] 载体彼此的积层除了单纯的重叠 W外，例如可W利用W下方法进行。
[0285] (a)冶金接合方法:烙焊(弧焊、TIG(鹤惰性气体)焊接、MIG(金属惰性气体)焊接、 电阻焊接、缝焊、点焊）、压力烙接(超声波焊接、摩擦揽拌焊接）、针焊；
[0286] (b)机械接合方法:馴接、利用馴钉的接合(利用自冲馴钉(Self-Piercing化vet) 的接合、利用馴钉的接合）、缝合(St i tcher);
[0287] (c)物理接合方法:粘附剂、（双面)胶带
[0288] 通过使用所述接合方法将一个载体的一部分或全部与另一个载体的一部分或全 部接合，能够制造积层一个载体与另一个载体，使载体彼此W能够分离的方式接触而构成 的积层体。在一个载体与另一个载体微弱地接合而将一个载体与另一个载体积层的情况 下，即使不去除一个载体与另一个载体的接合部，一个载体与另一个载体也能够分离。另 夕h在一个载体与另一个载体牢固地接合的情况下，通过利用切断或化学研磨(蚀刻等）、机 械研磨等去除一个载体与另一个载体接合的部位，能够分离一个载体与另一个载体。
[0289] 另外，通过实施在运样构成的积层体设置至少1次树脂层与电路运2层的步骤、及 在形成至少1次所述树脂层及电路运2层后从所述积层体的附载体铜锥剥离所述极薄铜层 或载体的步骤，能够制作不具有忍的印刷配线板。此外，可W在该积层体的一个或两个表面 设置树脂层与电路运2层。
[0290] 所述积层体中所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸体可W是本说明书中所记载 的树脂层，可W包括本说明书中所记载的树脂层所使用的树脂、树脂固化剂、化合物、固化 促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等。
[0291] 此外，所述附载体铜锥或积层体在俯视时可W小于树脂或预浸体或树脂基板或树 脂层。
[0292] [实施例]
[0293] W下，通过本发明的实施例更详细地说明本发明，但本发明并不受运些实施例的 任何限定。
[0巧4](实施例1~9、14~18、比较例1~5)
[0295] 在电解槽中配置铁制电解滚筒，且在滚筒的周围间隔极间距离而配置电极。其次， 在电解槽中，在下述条件下进行电解，使铜析出到电解滚筒的表面，将析出到电解滚筒的表 面的铜剥下，连续地制造厚度为1祉m的电解铜锥，并将其设为载体。
[0296] 运里，用W制造载体的电解条件如下所述。
[0巧7] 铜浓度：30~120g/L
[0巧引出S04浓度：20~120g/L
[0299] 电解液溫度:20~80°C
[0300] 电流密度：10~100A/血2
[0301] 运里，所述载体的形成所使用的电解滚筒使用事先利用W下方法进行了研磨的电 解滚筒。作为该研磨方法，如图5所示，一边使电解滚筒旋转一边使研磨带抵接于电解滚筒 的旋转方向（MD方向）进行研磨，并且使研磨带一边也沿电解滚筒的TD方向振动一边移动， 由此也进行电解滚筒的TD方向的研磨。运时，电解滚筒使用铁制滚筒，研磨带使用日立工机 制造的研磨带(粒度#320环形研磨带，研磨粒的种类与粒度:AA320(AA:氧化侣））。电解滚筒 在TD方向的长度为2400mm，研磨带的宽度为100mm。另外，将研磨带在TD方向的振动宽度、研 磨带在TD方向的移动(行程:在电解滚筒表面的TD方向，研磨带的中屯、在一定时间内返回到 相同位置的次数）、研磨带在TD方向的移动速度(托架速度）、电解滚筒的旋转速度示于表1。
[0302] 其次，在所述载体的滚筒面(光泽面)侧，通过在W下的条件下在卷对卷(roll to roll)型的连续锻敷线上进行电锻而形成4000ygAlm2的附着量的Ni层作为中间层。
[0303] .化层
[0304] 硫酸儀:250 ~300g/L [0305]氯化儀：35 ~45g/L
[0306] 乙酸儀:10 ~20g/L
[0307] 巧樣酸Ξ钢:15~30g/L
[0308] 光泽剂:糖精、下烘二醇等
[0309] 十二烷基硫酸钢：30~l(K)ppm [0；310] pH:4 ~6
[0311] 浴溫:50 ~70 °C
[0312] 电流密度:3~154/血2
[0313] 在水洗及酸洗后，接着在卷对卷型的连续锻敷线上，在W下的条件下进行电解铭 酸盐处理，由此使1化旨/血2的附着量的Cr层附着于Ni层上。
[0314] .电解铭酸盐处理
[0315] 溶液组成：重铭酸钟1~lOg/L、锋0~5g/L
[0316] pH:3 ~4
[0317] 液溫：50 ~60°C
[031引 电流密度:0.1~2.64/血2 [0319]库仑量:0.5 ~30AsAlm2
[0320] (实施例10至13)
[0321] 关于实施例10~13,在所述载体的滚筒面(光泽面)侧W如下方式形成中间层。
[0322] ?实施例10
[0323] <中间层>
[0324] (l)Ni-Mo层(儀钢合金锻层）
[0325] 在W下的条件下在卷对卷型的连续锻敷线上对载体进行电锻，形成3000yg/dm2的 附着量的Ni-Mo层。将具体的锻敷条件记于W下。
[03%](溶液组成)硫酸儀六水合物:50g/dm3、钢酸钢二水合物:60g/dm 3、巧樣酸钢:90g/ 血3
[0327](液溫)30°C
[032引（电流密度）1~44/血2
[03巧](通电时间）3~25秒
[0330] ?实施例11
[0331] <中间层>
[0332] (1)化层(锻儀）
[0333] 在与实施例1~9相同的条件下形成Ni层。
[0334] (2)有机物层(有机物层形成处理）
[0335] 其次，对(1)中所形成的Μ层表面进行水洗及酸洗后，接着在下述条件下对Μ层表 面淋洒包含浓度1~30g/L的簇基苯并Ξ挫(CBTA)的液溫40°C、Ρ册的水溶液20~120秒钟而 进行喷雾，由此形成了有机物层。
[0336] ?实施例12
[0337] <中间层>
[0；33引（l)Co-Mo层(钻钢合金锻层）
[0339] 在W下的条件下在卷对卷型的连续锻敷线上对载体进行电锻，由此形成4000yg/ 血2的附着量的Co-Mo层。将具体的锻敷条件记于W下。
[0340] (溶液组成)硫酸钻:50g/血3、钢酸钢二水合物:60g/血3、巧樣酸钢:90g/dm 3
[0341] (液溫)30°C
[0；342](电流密度）1~44/血2 [0%3](通电时间）3~25秒
[0344] ?实施例13
[0345] <中间层>
[0346] (1他层(锻铭）
[0；347](溶液组成）Cr〇3:200 ~400g/L、出 S04:1.5 ~4g/L
[0；34 引（pH)l ~4
[0349](液溫）45 ~60°C
[0；350](电流密度）10 ~40AAlm2
[0；351](通电时间）1~20秒
[0352] Cr附着量：35〇4旨/血2
[0353] 在形成中间层后，在中间层上在W下的条件下利用电锻形成厚度为0.8~扣m的极 薄铜层，制成附载体铜锥。也就是说，在电解槽中配置铁制电解滚筒，且在电解滚筒的周围 间隔极间距离而配置电极，在W下的条件下进行电解，由此在形成了中间层的载体的该中 间层侧表面形成极薄铜层。
[0354] ?极薄铜层 [03巧]铜浓度：30~120g/L [0；356]出 S〇4 浓度：20 ~120g/L [0357] 电解液溫度:20~8(TC
[0巧引 电流密度：10~100A/血2
[0359] 此外，在实施例1、4、7中，在极薄铜层上进而设置粗化处理层、耐热处理层、铭酸盐 层、硅烷偶联处理层。在实施例2、5、8中，在极薄铜层上进而设置耐热处理层、铭酸盐层、娃 烧偶联处理层。在实施例3、6、9中，在极薄铜层上进而设置铭酸盐层、硅烷偶联处理层。
[0360] .粗化处理
[0361] Cu:l〇~20g/L
[0362] Co:l~lOg/L
[0363] Ni:l~lOg/L
[0364] pH:l ~4
[03化]溫度：40~50 °C
[0366] 电流密度 Dk:20 ~30A/dm2
[0367] 时间：1~5秒
[0368] 化附着量：15~40mg/血2
[0369] Co 附着量：100 ~3000ygAlm2
[0370] Ni 附着量：100 ~lOOOygMmS [0371 ].耐热处理
[0372] 化:〇~20g/L
[0373] Ni:0~5g/L
[0374] pH:3.5
[0375] 溫度:40°C
[0376] 电流密度 Dk:0~1.7A/dm2
[0377] 时间：1秒
[0378] 化附着量：5~25化邑/血2
[0379] Ni附着量:5~30化邑/血2
[0380] ?铭酸盐处理
[0381] Κ2〇2〇7
[0382] (船2吐2〇7 或 Cr〇3):2~lOg/L
[0383] NaOH 或 K0H:10~50g/L
[0384] ZnO或 aiS〇47出 0:0.05~10g/L [03化]抑：7~13
[0386] 浴溫：20 ~8(TC
[0387] 电流密度0.05~54/血2
[038引时间：5~30秒
[0389] 化附着量：1〇~15化旨/血2
[0390] .硅烷偶联处理
[0391] 乙締 Ξ乙氧基硅烷水溶液
[0392] (乙締 Ξ乙氧基硅烷浓度:0.1~1.4wt % )
[0393] 抑:4 ~5
[0394] 时间：5~30秒
[0395] 对W所述方式获得的实施例及比较例的附载体铜锥，通过W下的方法实施各评 价。
[0396] <极薄铜层的厚度>
[0397] 所制作的附载体铜锥的极薄铜层的厚度是利用重量法进行测定。
[0398] 首先，在测定附载体铜锥的重量后，剥离极薄铜层，并测定所获得的载体的重量， 将前者与后者的差定义为极薄铜层的重量。成为测定对象的极薄铜层片是设为利用压机冲 裁而成的10cm见方的片材。然后，利用下式算出极薄铜层的厚度。
[0399] 极薄铜层的厚度(皿）=极薄铜层的重量(g)/{:铜的密度(8.94g/cm3)X极薄铜层 的面积（100cm2)} X l〇4(ym/cm)
[0400] 另外，重量计使用A&D股份有限公司制造的HF-400,压机使用NogucM-press股份 有限公司制造的HAP-12。
[0401] <60度镜面光泽度>
[0402] 对于附载体铜锥与基材(Ξ菱瓦斯化学股份有限公司制造:GHPk832NX-A)，进行 在220°C加热2小时的积层加压后，依据JIS C 6471 (1995，此外，剥离铜锥的方法设为8.1铜 锥的剥离强度8.1.1试验方法的种类（1)方法A(沿相对于铜锥去除面为90°方向剥离铜锥的 方法））剥离载体，使极薄铜层的中间层侧表面露出。其次，使用依据JIS Z8741的日本电色 工业股份有限公司制造的光泽度计化ndy Gloss Meter PG-1，W入射角60度分别测定极薄 铜层的中间层侧表面的MD方向（周向（长度方向、附载体铜锥制造装置的行进方向））的60度 镜面光泽度、TD方向（横向（宽度方向））的60度镜面光泽度。
[0403] <表面粗糖度(十点平均粗糖度Rz)的测定>
[0404] 对于附载体铜锥与基材(Ξ菱瓦斯化学股份有限公司制造:GHPk832NX-A)，进行 在220°C加热2小时的积层加压后，依据JIS C 6471 (1995，此外，剥离铜锥的方法设为8.1铜 锥的剥离强度8.1.1试验方法的种类（1)方法A(沿相对于铜锥去除面为90°方向剥离铜锥的 方法））剥离铜锥载体，使极薄铜层的中间层侧表面露出。其次，使用小阪研究所股份有限公 司制造的接触式粗糖度计Surfcorder SE-3C并依据JIS B0601-1982,分别对极薄铜层的中 间层侧表面的MD方向（周向（长度方向，附载体铜锥制造装置的行进方向））、TD方向（横向 (宽度方向））测定十点平均粗糖度Rz。在测定基准长度0.8mm、评价长度4mm、临界值0.25mm、 进给速度O.lmm/sec的条件下，沿与电解铜锥(附载体铜锥）的制造装置中的电解铜锥(附载 体铜锥）的行进方向垂直的方向（TD，也就是宽度方向）改变测定位置，分别进行10次，将10 次的测定值的平均值设为表面粗糖度(十点平均粗糖度Rz)的值。
[0405] <步骤能力指数:Cp>
[0406] 在处于管理状态的步骤中，将该步骤所具有的品质实现能力称为步骤能力。作为 步骤能力指数的Cp值越大，表示孔相对于标准的不均越小，激光孔的大小的精度越高。对于 各样品，利用下式算出该步骤能力指数Cp。
[0407] Cp =化化 _LSL)/6〇
[040引 · USL标准的上限值(激光孔径Φ60皿(50+10皿)）
[0409] · LSL标准的下限值(激光孔径Φ 40μπι(50 -1 Ομπι))
[0410] · ο:激光孔径的标准偏差
[0411] <激光打孔性>
[0412]对于附载体铜锥与基材(Ξ菱瓦斯化学股份有限公司制造:GHPk832NX-A)，进行 在220°C加热2小时的积层加压后，依据JIS C 6471 (1995，此外，剥离铜锥的方法设为8.1铜 锥的剥离强度8.1.1试验方法的种类（1)方法A(沿相对于铜锥去除面为90°方向剥离铜锥的 方法））剥离铜锥载体，使极薄铜层的中间层侧表面露出。然后，对所露出的附载体铜锥的极 薄铜层的中间层侧表面，在下述条件下照射1发或2发激光，利用显微镜观察照射后的孔形 状，并实施测量。表中，作为打孔的"实际数量"，在150个地点尝试打孔，观察实际上有几个 孔未能打出（未开口孔数）。此外，孔径设为包围孔的最小圆的直径。
[041引 ?气体种类:C02
[0414] ?铜锥开口径（目标）：50皿径
[041引 ?光束形状:顶帽
[0416] ?输出：2.40mJ/10ys(=240W)
[0417] ?脉冲宽度:3化8
[041引 ?发数：
[0419] 1发化极薄铜层的厚度为0.8~2μπι的情况下）
[0420] 2发(在极薄铜层的厚度为3~如m的情况下）
[0421 ]将试验条件及试验结果示于表1。
[0422]
[0423] (评价结果）
[0424] 实施例1~18中，极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度均为140W 下，或极薄铜层的中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65W下，极薄铜层的激光打 孔性良好。
[0425]比较例1~5中，极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度均超过140， 另外，极薄铜层的中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度超过65，极薄铜层的激光打孔 性不良。
【主权项】
1. 一种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下。2. 根据权利要求1所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方 向的60度镜面光泽度为65以下。3. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为130以下。4. 根据权利要求3所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方 向的60度镜面光泽度为65以下。5. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为120以下。6. 根据权利要求5所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方 向的60度镜面光泽度为65以下。7. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为110以下。8. 根据权利要求7所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方 向的60度镜面光泽度为65以下。9. 根据权利要求1、3、5、7中任一项所述的附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及 极薄铜层的附载体铜箱，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度 满足以下（1-1)~（1-4)的项目中的1个或2个或3个或4个， (1-1)65 以下、 (1-2)60 以下、 (1-3)55 以下、 (1-4)50 以下。10. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下。11. 一种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为60以下。12. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为55以下。13. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为50以下。14. 根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所 述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为1.5μπι以下。15. 根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所 述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.80μηι以上。16. 根据权利要求14所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的利 用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.80μηι以上。17. 根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所 述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为1.7μπι以下。18. 根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所 述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向 的60度镜面光泽度为2.05以下。19. 根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所 述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度/所述极薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向 的60度镜面光泽度为1.95以下。20. 根据权利要求1至8、10至13中任一项所述的附载体铜箱，其中，所述极薄铜层的所 述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz/所述极薄铜层 的所述中间层侧表面的利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为0.55以 上。21. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度镜面光泽度为140以下，在所述极薄铜层的所 述中间层侧表面满足以下（2-2)~(2-14)的项目中的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7 个或8个或9个或10个或11个或12个或13个： (2-2)MD方向的60度镜面光泽度为130以下、 (2-3)MD方向的60度镜面光泽度为120以下、 (2-4)MD方向的60度镜面光泽度为110以下、 (2-5)TD方向的60度镜面光泽度为65以下、 (2-6)TD方向的60度镜面光泽度为60以下、 (2-7)TD方向的60度镜面光泽度为55以下、 (2-8)TD方向的60度镜面光泽度为50以下、 (2-9)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为1.5μηι以下、 (2-10)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.8μηι以上、 (2-11)利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为1.7μηι以下、 (2-12)MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为2.05以下、 (2-13)MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为1.95以下、 (2-14)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz/利用接触式粗糙度计 测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为0.55以上。22. -种附载体铜箱，其是依序具有载体、中间层、及极薄铜层的附载体铜箱，且所述极 薄铜层的所述中间层侧表面的TD方向的60度镜面光泽度为65以下，在所述极薄铜层的所述 中间层侧表面满足以下(2-1)~(2-4)及(2-6)~(2-14)的项目中的1个或2个或3个或4个或 5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个或13个： (2-l)MD方向的60度镜面光泽度为140以下、 (2-2)MD方向的60度镜面光泽度为130以下、 (2-3)MD方向的60度镜面光泽度为120以下、 (2-4)MD方向的60度镜面光泽度为110以下、 (2-6)TD方向的60度镜面光泽度为60以下、 (2-7)TD方向的60度镜面光泽度为55以下、 (2-8)TD方向的60度镜面光泽度为50以下、 (2-9)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为1.5μηι以下、 (2-10)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz为0.8μηι以上、 (2-11)利用接触式粗糙度计测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为1.7μηι以下、 (2-12)MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为2.05以下、 (2-13)MD方向的60度镜面光泽度/TD方向的60度镜面光泽度为1.95以下、 (2-14)利用接触式粗糙度计测得的MD方向的十点平均粗糙度Rz/利用接触式粗糙度计 测得的TD方向的十点平均粗糙度Rz为0.55以上。23. 根据权利要求1至8、10至13、21、22中任一项所述的附载体铜箱，其中，在根据权利 要求1至8、10至13、21、22中任一项所述的附载体铜箱在载体的一面具有极薄铜层的情况 下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面具有选自由粗化处理层、 耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或 在根据权利要求1至8、10至13、21、22中任一项所述的附载体铜箱在载体的两面具有极 薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈 层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。24. 根据权利要求23所述的附载体铜箱，其中，所述粗化处理层是以选自由铜、镍、钴、 磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上的单质的合金所构成的 层。25. 根据权利要求23所述的附载体铜箱，其中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、 防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。26. 根据权利要求1至8、10至13、21、22中任一项所述的附载体铜箱，其中，在所述极薄 铜层上具备树脂层。27. 根据权利要求25所述的附载体铜箱，其中，所述树脂层是粘附用树脂、及/或半固化 状态的树脂。28. 根据权利要求26所述的附载体铜箱，其中，所述树脂层是粘附用树脂、及/或半固化 状态的树脂。29. -种积层体，其是使用根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箱而制造。30. -种积层体，其是包含根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箱与树脂的积 层体，且所述附载体铜箱的端面的一部分或全部由所述树脂所覆盖。31. -种积层体，其将一个根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箱从所述载体 侧或所述极薄铜层侧积层在另一个根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箱的所述 载体侧或所述极薄铜层侧。32. -种印刷配线板，其是使用根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箱而制 造。33. -种电子机器，其是使用根据权利要求32所述的印刷配线板而制造。34. -种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:准备根据权利要求1至28中任一项 所述的附载体铜箱与绝缘基板； 积层所述附载体铜箱与绝缘基板;及 在积层所述附载体铜箱与绝缘基板后，经过剥离所述附载体铜箱的载体的步骤而形成 覆铜积层板， 之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法而形成电 路。35. -种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:在根据权利要求1至28中任一项所 述的附载体铜箱的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路； 以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箱的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面 形成树脂层； 在所述树脂层上形成电路； 在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离;及 在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此使形成于 所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。36. -种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:将根据权利要求1至28中任一项所 述的附载体铜箱从所述载体侧积层在树脂基板； 在所述附载体铜箱的所述极薄铜层侧表面形成电路； 以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箱的所述极薄铜层侧表面形成树脂层； 在所述树脂层上形成电路； 在所述树脂层上形成电路后，剥离所述载体;及 在剥离所述载体后，去除所述极薄铜层，由此使形成于所述极薄铜层侧表面或所述载 体侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。37. -种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:积层根据权利要求1至28中任一项 所述的附载体铜箱的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板； 在所述附载体铜箱的与和树脂基板积层的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所述载 体侧表面设置至少1次树脂层与电路这2层;及 在形成所述树脂层及电路这2层后，从所述附载体铜箱剥离所述载体或所述极薄铜层。38. -种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤：积层根据权利要求1至28中任一项 所述的附载体铜箱的所述载体侧表面与树脂基板； 在所述附载体铜箱的与和树脂基板积层的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面设置至少1 次树脂层与电路这2层;及 在形成所述树脂层及电路这2层后，从所述附载体铜箱剥离所述载体。39. -种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:在根据权利要求29所述的积层体的 任一面或两面设置至少1次树脂层与电路这2层;及 在形成所述树脂层及电路这2层后，从构成所述积层体的附载体铜箱剥离所述载体或 所述极薄铜层。40. -种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:在根据权利要求30所述的积层体的 任一面或两面设置至少1次树脂层与电路这2层;及 在形成所述树脂层及电路这2层后，从构成所述积层体的附载体铜箱剥离所述载体或 所述极薄铜层。41. 一种印刷配线板的制造方法，其包括如下步骤:在根据权利要求31所述的积层体的 任一面或两面设置至少1次树脂层与电路这2层;及 在形成所述树脂层及电路这2层后，从构成所述积层体的附载体铜箱将所述载体或所 述极薄铜层剥离。
【文档编号】H05K1/09GK105873361SQ201610077098
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】古曳伦也
【申请人】Ｊｘ金属株式会社