光电子器件设备和用于运行光电子器件的方法
【专利摘要】在不同的实施例中提供一种光电子器件设备，所述光电子器件设备具有光电子器件(200)和用于控制光电子器件的控制设备；其中光电子器件(200)具有第一光学有源结构(324)和第二光学有源结构(326)，其中第一光学有源结构(324)构建用于发射第一电磁辐射(330)并且在运行中根据第一老化函数(140)来老化；并且其中第二光学有源结构(326)构建用于发射第二电磁辐射(340)并且在运行中根据第二老化函数(136，138)来老化；其中光电子器件(200)构成为使得在第一运行模式中至少发射第一电磁辐射(330)而在第二运行模式中至少发射第二电磁辐射(340)；其中控制设备构建成：降低在光电子器件设备运行期间第一老化函数(140)与第二老化函数(136，138)的差。
【专利说明】
光电子器件设备和用于运行光电子器件的方法
技术领域
[0001]在不同的实施方式中提供光电子器件设备和用于运行光电子器件的方法。
【背景技术】
[0002]有机基础的光电子器件、例如有机发光二极管(organic light emitting d1de，OLED)越来越广泛地应用于普通照明中。有机光电子器件(在图1A中示出)、例如OLED可以在衬底102之上具有阳极104和阴极106连带在其之间的有机功能层系统108。有机功能层系统108可以具有一个或多个发射器层110、112、114，在所述一个/多个发射器层中产生电磁福射(图1B); —个或多个载流子对生成层结构，所述一个或多个载流子对生成层结构分别由两个或更多个载流子对生成层(“charge generating layer”，CGL)构成以用于生成载流子对；以及一个或多个电子阻挡层116，也称作为空穴传输层116( “hole transport layer”，HTL);和一个或多个空穴阻挡层118，也称作为电子传输层118( “electron transportlayer”，ETL)，以便定向电流流动。白色OLED的典型结构在电极104、106之间具有发射器层110、112、114的层堆(stack)。发射器层的层堆可以具有发射红光120的第一有机发射器层110;发射绿光122的第二有机发射器层112和发射蓝光124的第三有机发射器层114。在运行中，将电压126施加到电极104、106上并且所得到的电流以串联的形式流动经过发射器层110、112、114。由此，发射器层110、112、114可以发射光，所述光在混合时例如显现为白色。由白色OLED发射的波长谱例如在图1B中作为波长130的函数的光谱功率128示出。
[0003]此外，在图1B中示出在制造(附图标记160)之后和在350个运行小时(附图标记162)之后的有机发光二极管的不同的发光密度中的光谱。
[0004]已经展示出具有大于10000小时的适合产品的寿命的白色有机发光二极管。在该寿命144之内(图1C)，其也称作为LT70，在要更换OLED之前，允许发光密度下降到初始发光密度的70%。到原始发光密度的50%的光密度下降也称作为LT50(图1C)。
[0005]人眼能够灵敏到使得已经能够察觉特定的色坐标的小的偏差。因此，由白色OLED发射的光的色坐标只允许在老化期间最小地改变。在普通照明中，特定的色坐标的在CIE值Cx和Cy上的大约+/-0.02的偏差是可容忍的。
[0006]白色OLED的发射器层110、112、114可以由不同的材料构成并且对总发射有不同的贡献。在图1A-D示出的白色OLED中，为了达到所发射的光的暖白色的色坐标(CIE色坐标:Cx= 0.45，Cy = 0.41)，使用由发红色磷光材料MDQ构成的第一发射器层110、由发绿色磷光材料Irppy构成的第二发射器层114和由发蓝色荧光材料SEB-097构成的第三发射器层114。
[0007]发射器层110、112、114可以构成为，使得归一化的发光密度132的下降作为运行持续时间134的函数跟随对于全部发射器材料类似的曲线，所述曲线可以大致借助拉伸指数下降(拉伸指数衰减)来描述(图1C)。在图1C中示出作为发射红光的发射器层110、136、发射绿光的发射器层112、138、发射蓝光的发射器层114、140的运行持续时间t的函数的以初始发光密度Lo归一化的发光密度L，为发射器层堆叠中的总发射142得到白光。
[0008]为了构成白光需要红光、绿光和蓝光中的不同的份额。为了设定暖白色的色坐标，发射红光的第一发射器层110在该运行电流的情况下相对于其他的发射器层112、114以最高的发光密度运行(7200cd/m2)并进而具有最短的寿命LT70(在图1B和IC中借助于发光密度132和光谱功率128与第二发射器层112、138和第三发射器层114、140相比更强的下降来示出)。换言之:第二发射器层112和第三发射器层114相比于第一发射器层以更小的发光密度运行，以便设定暖白色的色坐标;第二发射器层112(绿):2000cd/m2;第三发射器层114(蓝):800cd/m2。图1C中示出的、作为发射器层110、112、114的运行时间134的函数的归一化的发光密度132(在制造后以发光密度LO归一化)从在10倍高的运行电流的情况下加速的老化测试中确定。发射器层110、112、114因此具有如下寿命:第一发射器层110:1^70 = 12511;第二发射器层112:1^70 = 20011;和第三发射器层114:1^70 = 26011。第二发射器层112、138和第三发射器层114、140的寿命高于第一发射器层110、136的寿命，因为为了设定发射器层堆叠所发射的白光的色坐标，第一发射器层110、136相比于第二发射器层112、138和第三发射器层114、140以更高的发光密度运行。
[0009]从作为运行持续时间134的函数的归一化的发光密度132的曲线中可以确定发射器层110、112、114的老化函数。发射器层110、112、114可以构成为使得其老化特性(L/Lo(t))可以借助于形式exp-U/^Z的拉伸指数函数来描述。在此，L是关于运行时间134t的发光密度132;L0是初始发光密度；T1是特征常量，所述特征常量与发射器层的发射器材料相关;并且0是老化系数。发射器层110、112、114构成为，使得其具有数值为大约0.7的大约相同的老化系数β。然而，在不同的发射器层110、112、114中会发生不同的老化过程，使得发射器层110、112、114具有Ti的不同的数值。由此，白色OLED的发射器层110、112、114可以在一个运行电流的情况下具有不同的寿命LT70(图1Β)(参见发关于射器层136、138、140、142的LT70的发光密度144的运行持续时间134)。
[0010]白色OLED142的总寿命通过发射器层110、112、114来确定，所述发射器层对发射有最强的贡献(在此为第一发射器层110、136)。由此，暖白色OLED 142可以具有仅150h的运行持续时间。如果另外两个发射器层具有显著更短或更长的寿命，那么还会出现差分的色彩老化，即在光电子器件运行中借助于老化造成色坐标与特定色坐标的偏差。这对于上述暖白色OLED而言，针对作为色坐标的变化Δ Cx 148和Δ Cyl50的运行持续时间134的函数的CIE色坐标146在图1D中示出。当色坐标Cy 150在运行期间不变化时，在色坐标Cx 148中会由于差分的色坐标老化引起色坐标的显著的移动(示出:ACx 148 = -0.017; ACyl50 = 0)。由此，会引起白色OLED的暖白色色坐标的可见的色移。在白色OLED老化期间因此可看到朝蓝色的色移，即负的Cx变化(图1D)。
[0011]当器件具有耗费的色坐标调节装置(包含色彩传感器)时，可以校正色彩老化。因此，最小的色坐标移动的预设只能困难地被遵守(在图1D的边缘处示出色坐标偏差152、154的允许的公差)。由此，除了由于发射器层110、112、114的老化而减少运行持续时间之外还会减少白色OLED的运行持续时间和/或会需要色坐标校正。
[0012]在常规的方法中，将具有带有第一发射器层和第二发射器层的第一OLED单元和带有第三发射器层的第二 OLED单元的OLED用于色坐标调节。借助于改变通过第一 OLED单元和第二 OLED单元的电流可以设定在各个OLED单元的色坐标之间的色坐标。
[0013]在白色OLED的直流运行(direct current DC)中，当不同的发射器层是可单独控制时才可以进行色坐标校正。该色坐标设定通常借助于具有两个如上描述的OLED单元的单片的、颠倒堆叠的OLED来实现。对于在直流运行中的色坐标调节，需要三个端子和两个电压源(图3)。
[0014]在交流运行(alternating current AC)中，同样可以进行色坐标调节。对此通常使用具有单片的、电学上反并联堆叠的OLED单元的0LED。这具有的优点是:借助仅两个电流接触部和仅一个电流供应装置(图4)。该常规的方法基于:将两个OLED单元彼此反并联。以该方式，OLED单元对于另一OLED单元而言用作二极管整流器，即在交流运行中，其中一个OLED单元只在电流脉冲的正循环(正半波)中发射，而另一 OLED单元只在电流脉冲的负循环(负半波)中发射。在此，OLED单元可以在面中并排地或彼此叠置地堆叠。如果应用具有不同的发射器层的如上描述的OLED单元，那么在CIE图表中可以经由交流电流参数、例如电流脉冲高度或电流脉冲宽度来设定在各个OLED单元的色坐标之间的色坐标。
[0015]然而，由于不同的OLED单元的发射器层的差分的老化，在直流运行或交流运行期间，色坐标是不稳定的。为了稳定色坐标在常规的方法中应用在OLED单元的光路中的附加的色彩传感器的信号，以便将瞬时的色坐标信息回馈给电流源。在有色坐标偏差的情况下，根据色彩传感器所测量的信号来修正OLED单元的运行参数。
【发明内容】
[0016]在不同的实施方式中，提供光电子器件设备和用于运行光电子器件的方法，借助其可以在没有色彩传感器的情况下在运行期间以至少降低的色坐标偏差运行OLED。
[0017]在不同的实施方式中，提供一种光电子器件设备，所述光电子器件设备具有:光电子器件和用于控制光电子器件的控制设备;其中光电子器件具有第一光学有源结构和第二光学有源结构，其中第一光学有源结构构建用于发射第一电磁辐射并且在运行中根据第一老化函数来老化;并且其中第二光学有源结构构建用于发射第二电磁辐射并且在运行中根据第二老化函数来老化;其中光电子器件构成为使得在第一运行模式中至少发射第一电磁辐射而在第二运行模式中至少发射第二电磁辐射;其中控制设备构建为，以预设的控制间隔部分地在第一运行模式和部分地在第二运行模式中控制光电子器件，使得在光电子器件设备运行期间降低第一老化函数与第二老化函数的差。
[0018]在一个设计方案中，能够以预设的控制间隔部分地在第一运行模式中和部分地在第二运行模式中控制光电子器件。由此，在控制间隔中发射第三电磁辐射。因此，在发射第三电磁辐射期间降低第一老化函数与第二老化函数的差。由此，在光电子器件设备运行期间，与光电子器件设备的老化相关的第三电磁辐射的特性能够是稳定的。代替第一电磁辐射和第二电磁辐射而察觉第三电磁辐射的原因是人眼的惰性。如果控制间隔低于特定的持续时间，即在超过控制频率时，对于人员仅可见第一电磁辐射和第二电磁辐射构成的混合。第一电磁福射和第二电磁福射构成的混合称作为第三电磁福射。
[0019]在一个设计方案中，光电子器件可以构成为，使得第一老化函数和第二老化函数具有大致相同的老化系数。
[0020]在一个设计方案中，第一光学有源结构可以构成为，使得第一电磁辐射是蓝光。
[0021]在一个设计方案中，第二光学有源结构可以构成为，使得第二电磁辐射是黄光或者绿红光。
[0022]换言之:在一个设计方案中，第一光学有源结构可以构成为，使得第一电磁辐射是蓝光并且第二光学有源结构可以构成为，使得第二电磁辐射是黄光或绿红光。白光可以作为第三电磁辐射发射或察觉、即作为控制间隔的电磁辐射发射或者察觉。
[0023]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第三电磁辐射是白光，例如具有相关的色温在500K至11000K的范围中的白光。
[0024]在一个设计方案中，控制设备可以具有电能量源或与电能量源电连接，其中电能量源提供用于第一运行模式和用于第二运行模式的电能。
[0025]在一个设计方案中，用于第一运行模式的和/或用于第二运行模式的电能量源可以提供交流电流和/或交流电压。
[0026]在一个设计方案中，可以借助于交流电流和/或交流电压的幅度和/或频率构成第三电磁辐射的至少一个特性。
[0027]在一个设计方案中，交流电流可以具有直流电流份额，或者交流电压具有直流电压份额。
[0028]在一个设计方案中，交流电流和/或交流电压具有大于大约30Hz的频率。
[0029]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一光学有源结构可在第一运行模式中借助第一电压曲线来控制并且第二光学有源结构可在第二运行模式中借助第二电压曲线来控制，所述第二电压曲线与第一电压曲线不同。
[0030]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一电压曲线具有至少一个非线性的第一区域。
[0031]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一区域具有下述形式中的至少一个或下述形式之一的混合形式:脉冲、正弦半波、矩形、三角形、锯齿。
[0032]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第二电压曲线构成为直流运行。
[0033]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得在直流运行中提供恒定的直流电流。
[0034]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第二电压曲线具有非线性的第二区域。
[0035]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第二区域具有下述形式中的至少一个或下述形式之一的混合形式:脉冲、正弦半波、矩形、三角形、锯齿。
[0036]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得光电子器件在具有第一半波和第二半波的交流运行中运行。
[0037]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得借助从第一半波到第二半波的过渡进行从第一运行模式到第二运行模式的过渡。
[0038]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一半波和第二半波具有不同的电流方向。
[0039]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一半波和第二半波不对称地构成。
[0040]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一半波相对于第二半波不对称地构成。
[0041]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一半波具有与第二半波不同的幅度最大绝对值。
[0042]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一运行模式具有至少一个第一半波而第二运行模式具有至少一个第二半波。
[0043]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一半波具有与第二半波不同的脉冲宽度。
[0044]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得第一半波具有比第二半波更大的占空比。
[0045]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得老化函数的差小于阈值。
[0046]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得阈值是关于第一光学有源结构和第二光学有源结构的差分的色坐标老化方面的函数。
[0047]在一个设计方案中，控制设备可以构成为，使得阈值具有绝对值，使得借助于差分的色坐标老化关联的色坐标移动在CIE标准比色表中在Cx和/或Cy上小于0.02。
[0048]在不同的实施方式中，提供一种用于运行光电子器件的方法，其中光电子器件具有第一光学有源结构和第二光学有源结构，其中第一光学有源结构构建用于发射第一电磁辐射并且在运行中根据第一老化函数来老化;并且其中第二光学有源结构构建用于发射第二电磁辐射并且在运行中根据第二老化函数来老化;其中光电子器件构成为使得在第一运行模式中至少发射第一电磁辐射而在第二运行模式中至少发射第二电磁辐射；该方法具有:以预设的控制间隔部分地在第一运行模式中并且部分地在第二运行模式中控制光电子器件，使得在光电子器件设备运行期间降低第一老化函数与第二老化函数的差。
[0049]在一个设计方案中，能够以预设的控制间隔发射和/或察觉第三电磁辐射，并且光电子器件控制成，使得在发射第三电磁辐射期间降低第一老化函数与第二老化函数的差。
[0050]在该方法的一个设计方案中，可以控制光电子器件，使得第一光学有源结构和第二光学有源结构同时发射电磁福射。换言之:光电子器件可以构成和控制成，使得可以同时在第一运行模式中和在第二运行模式中运行。
[0051]在该方法的一个设计方案中，光电子器件可以构成为，使得第一老化函数和第二老化函数具有大约相同的老化系数。换言之，第一老化函数和第二老化函数可以借助拉伸指数下降来描述。老化函数的指数在第一老化函数和第二老化函数中具有大约相同的幂(见下文)。该相同的幂也可以称作为老化系数。
[0052]在该方法的一个设计方案中，第一光学有源结构可以构成为，使得第一电磁福射是蓝光。
[0053]在该方法的一个设计方案中，第二光学有源结构能够构成为，使得第二电磁辐射是黄光或绿红光。
[0054]在该方法的一个设计方案中，光电子器件可以控制成，使得由第一电磁辐射和第二电磁辐射构成的混合在控制间隔中为白光，尤其是具有在500K至11000K的范围中的(相关的)色温。换言之，第三电磁辐射可以是白光，例如是具有在500K至11000K的范围中的(相关的)色温。
[0055]在该方法的一个设计方案中，光电子器件可以与电能量源连接，其中电能量源提供用于第一运行模式和用于第二运行模式的电能量。
[0056]在该方法的一个设计方案中，电能量源提供交流电流和/或交流电压。
[0057]在该方法的一个设计方案中，可以借助于交流电压和/或交流电流的幅度和/或频率构成第三电磁辐射的至少一个特性。
[0058]在该方法的一个设计方案中，交流电流具有直流电流份额，或者交流电压具有直流电压份额。
[0059]在该方法的一个设计方案中，交流电流和/或交流电压具有大于大约30Hz的频率。
[0060]在该方法的一个设计方案中，第一运行模式可以具有用第一电压曲线控制第一光学有源结构和用第二电压曲线控制第二光学有源结构，所述第二电压曲线与第一电压曲线不同。
[0061]在该方法的一个设计方案中，第一电压曲线可以具有至少一个非线性的第一区域。
[0062]在该方法的一个设计方案中，第一区域可以具有下述形式中的至少一个或下述形式之一的混合形式:脉冲、正弦半波、矩形、三角形、锯齿。
[0063]在该方法的一个设计方案中，第二电压曲线可以构成为直流运行。
[0064]在该方法的一个设计方案中，在直流运行中可以提供恒定的直流电流。
[0065]在该方法的一个设计方案中，第二运行模式可以具有用非线性的电压曲线控制第二光学有源结构。
[0066]在该方法的一个设计方案中，第二电压曲线可以具有非线性的第二区域。
[0067]在该方法的一个设计方案中，第二区域可以具有下述形式中的至少一个或下述形式之一的混合形式:脉冲、正弦半波、矩形、三角形、锯齿。
[0068]在该方法的一个设计方案中，光电子器件可以在交流运行中用第一半波和第二半波来运行。
[0069]在该方法的一个设计方案中，非线性的第二区域在预设的控制间隔中可以具有范围从大约O至大约4的占空比。
[0070]在该方法的一个设计方案中，光电子器件可以构成为，使得借助从第一半波到第二半波的过渡进行从第一运行模式到第二运行模式的过渡。
[0071]在该方法的一个设计方案中，第一半波和第二半波可以具有不同的电流方向。
[0072]在该方法的一个设计方案中，第一半波和第二半波可以不对称地构成。
[0073]在该方法的一个设计方案中，第一半波可以相对于第二半波不对称地构成。例如，相对于从第一半波到第二半波过渡，关于电流曲线或电压曲线非点对称或镜面对称构成。
[0074]在该方法的一个设计方案中，第一半波可以具有与第二半波不同的幅度最大绝对值。
[0075]在该方法的一个设计方案中，第一运行模式可以具有至少一个第一半波并且第二运行模式可以具有至少一个第二半波。换言之，运行模式可以具有一个或多个半波，其中一个半波可以具有带有相同的电流方向的电压曲线的周期的或随机的序列。例如，第一运行模式可以具有第一个第一半波和第二个第一半波。第一个第一半波和第二个第一半波例如可以是正弦半波。然而，第一个第一半波和第二个第一半波的正弦半波可以具有不同的幅度和脉冲宽度。
[0076]在该方法的一个设计方案中，第一半波具有与第二半波不同的脉冲宽度。
[0077]在该方法的一个设计方案中，第一半波具有比第二半波更大的占空比。
[0078]在该方法的一个设计方案中，老化函数的差可以小于阈值。
[0079]在该方法的一个设计方案中，阈值可以是关于第一光学有源结构和第二光学有源结构的差分的色坐标老化方面的函数。
[0080]在该方法的一个设计方案中，阈值可以具有绝对值，使得借助于差分的色坐标老化关联的色坐标移动在CIE标准比色表中在Cx和/或Cy上小于0.02。
【附图说明】
[0081]本发明的实施例在附图中示出并且在下面详细阐述。
[0082]其示出:
[0083]图1A-D不出光电子器件设备的不意图；
[0084]图2示出根据不同的实施例的光电子器件的示意图；
[0085]图3A、B不出光电子器件的实施例的不意图；
[0086]图4A、B不出光电子器件的实施例的不意图；
[0087]图5A、B示出根据不同的实施例的光电子器件的交流运行的示意图；
[0088]图6A-C示出根据不同的实施例的在运行中的光电子器件的示意图。
【具体实施方式】
[0089]在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中示出可以实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“向前”、“向后”等等。因为实施方式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明并且不无任何限制性。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
[0090]在本说明书的范围中，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或相似的元件设有相同的附图标记。
[0091]在不同的实施方式中描述光电子器件，其中光电子器件具有光学有源区域。光学有源区域可以吸收电磁辐射并且从中构成光流或借助于施加的电压在光学有源区域处发射电磁福射。在不同的实施方式中，电磁福射可以具有含伦琴福射、UV福射(A-C)、可见光和/或红外辐射(A-C)的波长范围。
[0092]面状的光电子器件具有两个面状的光学有源侧，所述面状的光电子器件可以在光学有源侧的连接方向上例如构成为是透明的或半透明的，例如构成为透明的或半透明的有机发光二极管。面状的光电子器件也可以称作为平坦的光电子器件。
[0093]然而，光学有源区域也可以具有面状的光学有源侧和面状的光学无源侧，例如有机发光二极管，所述有机发光二极管构建为顶部发射器或底部发射器。光学无源侧例如可以是透明的或半透明的，或者设有镜结构和/或不透明的材料或材料混合物，例如用于热分配。光电子器件的光路例如可以单侧地定向。
[0094]在本说明书的范围中，可以将提供电磁辐射理解为发射电磁辐射。换言之:提供电磁辐射可以理解为借助于将电压施加到光学有源区域上来发射电磁辐射。
[0095]在本说明书的范围中，可以将接收电磁辐射理解为吸收电磁辐射。换言之，接收电磁辐射可以理解为吸收电磁辐射和由吸收的电磁辐射构成光流。
[0096]发射电磁福射的结构(光学有源结构)在不同的设计方案中可以是发射电磁福射的半导体结构和/或构成为发射电磁辐射的二极管、发射电磁辐射的有机二极管、发射电磁辐射的晶体管或发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如可以是光(在可见范围中)、UV辐射和/或红外辐射。在本文中，发射电磁辐射的器件例如可以能构成为发光二极管(lightemitting d1de，LED)、有机发光二极管(organic light emitting d1de，0LED)、发光晶体管或有机发光晶体管。发射电磁辐射的器件在不同的设计方案中可以是集成电路的一部分。此外，可以设有多个发射电磁辐射的器件，例如安置在共同的壳体中。
[0097]在不同的实施例中，光电子结构可以构成为有机发光二极管(organiclightemitting d1de，OLED)(发射电磁福射的结构)、有机场效应晶体管(organic fieldeffect transistor 0FET)和/或有机电子装置。有机场效应晶体管可以为所谓的“全有机场效应晶体管”，其中全部层都是有机的。光电子结构可以具有也同义地称作有机功能层结构的有机功能层系统。有机功能层结构可以具有有机材料或有机材料混合物或由其形成，所述有机材料/有机材料混合物例如构建用于从所提供的电流中提供电磁辐射。
[0098]光学活动时间是光学有源结构发射电磁福射的时间。
[0099]光学不活动时间是光学有源结构不发射电磁福射的时间。
[0100]占空比(MUX)说明在一个控制间隔中光学不活动时间与光学活动时间之比。例如，在每个控制间隔各占空比为2(MUX = 2)的情况下，光学有源结构在光学上是不活动的(未通电)，达到该控制间隔的时间的50%，而在该控制间隔的时间的50%中发射电磁辐射。
[0101]光学活动时间例如可以借助于控制间隔中的脉冲宽度和脉冲序列频率的数学卷积来确定。
[0102]电磁辐射脉冲的、脉冲具有最高发光密度的部位可以理解为最大的脉冲幅度。
[0103]图2示出根据不同实施例的光电子器件的示意横截面图。
[0104]光电子器件200可以构成为有机发光二极管200、有机光电检测器200或有机太阳能电池。
[0105]有机发光二极管200可以构成为顶部发射器或底部发射器。在底部发射器中，从电有源区域中穿过载体发射光。在顶部发射器中，从电有源区域的上侧发射光并且光不穿过载体。
[0106]顶部发射器和/或底部发射器也可以光学透明或光学半透明地构成，例如每个下面描述的层或结构都可以透明或半透明地构成。
[0107]光电子器件200可以具有气密密封的衬底、有源区域和封装结构。
[0108]气密密封的衬底可以具有载体202和第一阻挡层204。
[0109]有源区域是电有源区域和/或光学有源区域。有源区域例如是光电子器件200的如下区域，用于运行光电子器件200的电流在所述区域中流动和/或在所述区域中产生和/或吸收电磁辐射。
[0110]电有源区域206可以具有第一电极210、有机功能层结构212和第二电极214。
[0111]有机功能层结构206可以具有一个、两个或更多个功能层结构单元和在层结构单元之间的一个、两个或更多个中间层结构。有机功能层结构212例如可以具有第一有机功能层结构单元216、中间层结构218和第二有机功能层结构单元220。
[0112]封装结构可以具有第二阻挡层208、配合的连接层222和覆盖件224。
[0113]载体202可以具有玻璃、石英和/或半导体材料或由其形成。此外，载体可以具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或者由其形成。塑料可以具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料可以具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。
[0114]载体202可以具有金属或由其形成、例如为铜、银、金、铂、铁，例如金属合金、例如钢。
[0115]载体202可以构成为是不透明的、半透明的或甚至是透明的。
[0116]载体202可以是镜结构的一部分或形成所述镜结构。
[0117]载体202可以具有机械刚性的区域和/或机械柔软的区域或这样构成，例如构成为薄膜。
[0118]载体202可以构成为用于电磁辐射的波导体，例如对于光电子器件200的吸收的或发射的电磁辐射是透明的或半透明的。
[0119]第一阻挡层204可以具有下述材料中的一种或由其形成:氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、聚对苯二甲酰对苯二胺、尼龙66以及其混合物和合金。
[0120]第一阻挡层204可以借助于下述方法中的一种构成:原子层沉积方法(AtomicLayer Deposit1n(ALD))，例如等离子体增强的原子层沉积方法(Plasma EnhancedAtomic Layer Deposit1n(PEALD))或无等离子体的原子层沉积方法(Plasma-lessAtomic Layer Deposit1n(PLALD));化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposit1n(CVD))，例如等离子体增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n(PECVD))或无等离子体的气相沉积方法(Plasma-less Chemical VaporDepos it1n(PLCVD))，或者替选地借助于其他适合的沉积方法来构成。
[0121]在具有多个子层的第一阻挡层204中可以借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也可以称作为“纳米叠层(Nanolaminat)”。
[0122]在具有多个子层的第一阻挡层204中，可以借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积第一阻挡层204的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
[0123]第一阻挡层204可以具有大约0.1nm(—个原子层)至大约100nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约1nm至大约10nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
[0124]第一阻挡层204可以具有一种或多种高折射的材料，例如具有高折射率的一种或多种材料，例如折射率至少为2的的材料。
[0125]此外需要指出的是:在不同的实施例中也可以完全弃用第一阻挡层204，例如对于载体202气密密封构成的情况而言，例如具有玻璃、金属、金属氧化物或由其形成。
[0126]第一电极210可以构成为阳极或构成为阴极。
[0127]第一电极210可以具有下述导电材料中的一种或由其形成:金属;透明导电氧化物(transparent conductive oxide,TCO)；由例如Ag构成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络，所述金属的纳米线和纳米微粒例如与导电聚合物组合；由碳纳米管构成的网络，所述碳纳米管例如与导电聚合物组合;石墨微粒和石墨层；由半导体的纳米线构成的网络;导电聚合物;过渡金属氧化物;和/或它们的组合物。由金属构成的或具有金属的第一电极210可以具有下述材料中的一种或由其形成:Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或L1、以及这些材料的化合物、组合或合金。第一电极210可以具有下述材料中的一种作为透明导电氧化物:例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物例如Zn0、Sn02或I112O3以外，三元的金属氧化物例如AlZn0、Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、Mgln204、GaIn03、Zn2ln205或In4Sn30i2或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且可以在不同的实施例中使用。此外，TCO并不强制符合化学计量的组分而是还可以是P型掺杂的或η型掺杂的，例如传导空穴的(p-TCO)或传导电子的(n-TCO)。
[0128]第一电极210可以具有相同材料的或不同材料的一个层或多个层的层堆。第一电极210可以由TCO的层上的金属的层的组合的层堆叠形成，或者相反。一个实例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO复层。
[0129]第一电极204例如可以具有在1nm至500nm的范围内的层厚度、例如小于25nm至250nm的范围中，例如50nm至10nm的范围中的层厚度。
[0130]第一电极210可以具有第一电端子，将第一电势可以施加到第一电端子上。第一电势可以由能量源提供(参见图3、4)，例如电流源或电压源。替选地，第一电势可以施加到导电载体202上并且第一电极210可以通过载体202间接地输电。第一电势例如可以是接地电势或其他预设的参考电势。
[0131]在图2中示出具有第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220的光电子器件200。但是在不同的实施例中，有机功能层结构212也可以具有多于两个的有机功能层结构，例如3、4、5、6、7、8、9、10或甚至更多、例如15或更多个、例如70个有机功能层结构。
[0132]第一有机功能层结构单元216和可选的其他有机功能层结构单元可以相同或不同地构成，例如具有相同或不同的发射器材料。第二有机功能层结构单元220或者其他有机功能层结构单元可以如第一有机功能层结构单元216的下面描述的设计方案中的一个那样构成。
[0133]第一有机功能层结构单元216可以具有空穴注入层、空穴传输层、发射器层、电子传输层和电子注入层(也参见图3、4的描述)。
[0134]在有机功能层结构单元212中可以设有所述层中的一个或多个，其中相同的层可以具有物理接触，仅可以彼此电连接或甚至可以彼此电绝缘地构成，例如可以彼此并排地设置。所述层中的各个层可以是可选的。
[0135]空穴注入层可以构成在第一电极210上或上方。空穴注入层可以具有下述材料中的一种或多种或由其构成:HAT-CN、Cu(I)pFBz、Mo0x、TOx、V0x、Re0x，、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-
9、Bi(III)pFBz、F16CuPc;NPB(N，N/-双(萘-l-基)-N，N/-双(苯基)-联苯胺)；β-NPB N,N7-双(萘-2-基)-N，Y -双(苯基)_联苯胺hTPDW.Y -双(3-甲基苯基)-N，Y -双(苯基)-联苯胺)；Spiro 了?0(叱^-双(3-甲基苯基)-^-双(苯基)-联苯胺)；3?化0-即8(叱^-双(萘-1-基)-^-双(苯基)-螺环)；01^^-丁卩0 N，双(3-甲基苯基)-N，双(苯基)-9,9-二甲基-芴)；DMFL-NPB(N，N'-双(萘-1-基)-N，Y -双(苯基)-9，9-二甲基-荷)；DPFL-TPD(N,N7-双(3-甲基苯基)-^ -双(苯基)-9,9-二甲基-芴hDPEL-NPBCN，^ -双(萘-1-基)-^ -双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2，2,，7，7,-四(η，n_二苯基氨基)_9，Y -螺二芴);9，9-双[4-(N，N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-9H-芴;9,9-双[4-(N，N-双-萘-2-基-氨基)苯基]-9H-芴；9,9-双[4-(1^ -双-萘-2-基-Ν,Υ -双-苯基-氨基)-苯基]-9!1-芴;^ -双(萘-9-基)-N，Y -双(苯基)-联苯胺;2，7-双[N，N-双(9，9-螺二芴-2-基)氨基]-9，9-螺二芴;2，2。双[N，N-双(联苯-4-基)氨基]9，9-螺二芴;2，2。双[N，N-双-苯基-氨基]9，9-螺二芴；双-[4-(N，N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2，2'，7，7'-四(N，N-双-甲苯基)氨基-螺二芴，和/或N，N，V，V-四-萘-2-基-联苯胺。
[0136]空穴注入层可以具有在大约1nm至大约100nm的范围中、例如在大约30nm至大约300nm的范围中、例如在大约50nm至大约200nm的范围中的层厚度。
[0137]在空穴注入层上或上方可以构成空穴传输层。空穴传输层可以具有下述材料中的一种或多种或由其构成:NPB(N，Y -双(萘-1-基)-N，Y -双(苯基)-联苯胺);β-ΝΡΒ N1N7 -双(萘-2-基ΡΝ,Υ -双(苯基)-联苯胺hTPDdf -双(3-甲基苯基ΡΝ,Υ -双(苯基)-联苯胺)；Spiro 了?0(叱^-双(3-甲基苯基)-^-双(苯基)-联苯胺)；3?化0-即8(叱^-双(萘-1-基)-^-双(苯基)-螺环)；01^^-丁卩0 N，双(3-甲基苯基)-Ν，双(苯基)-9,9-二甲基-芴);DMFL-NPB(N，N'-双(萘-1-基)-N，Y -双(苯基)-9，9-二甲基-荷)；DPFL-TPD(N,N7-双(3-甲基苯基)-^ -双(苯基)-9,9-二甲基-芴hDPEL-NPBCN，^ -双(萘-1-基)-^ -双(苯基)-9,9-二苯基-芴)；Spiro-TAD(2，2,，7，7,-四(η，n_二苯基氨基)_9，Y -螺二芴);9，9-双[4-(N，N-双-联苯-4-基-氨基)苯基]-911-芴;9，9-双[4-(11双-萘-2-基-氨基)苯基]-9 H -芴;9，9-双[4-(N，Y -双-萘-2-基-N，N7 -双-苯基-氨基)苯基]_9 H -芴;N，Y -双(萘-9-基)-N，Y -双(苯基)-联苯胺;2，7-双[N，N-双(9，9-螺二芴-2-基)氨基]-9，9-螺二芴;2，2。双[N，N-双(联苯-4-基)氨基]9，9-螺二芴;2，2。双[N，N-双-苯基-氨基]9，9-螺二芴；双-[4-(N，N-联甲苯-氨基)-苯基]环己烷；2，2'，7，7'-四(N，N-双-甲苯基)氨基-螺二芴;和N，N，f，N。四-萘-2-基-联苯胺，叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺和/或聚乙烯二氧噻吩。
[0138]空穴传输层可以具有在大约5nm至大约50nm的范围中、例如在大约1nm至大约30nm的范围中、例如为大约20nm的层厚度。
[0139]在空穴传输层上或上方可以构成发射器层。每个有机功能层结构单元216、220可以分别具有一个或多个发射器层，例如具有发荧光的和/或发磷光的发射器。
[0140]发射器层可以具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、非聚合物的有机小分子(“small molecules”)或这些材料的组合，或由其形成。
[0141]光电子器件200可以在发射器层中具有下述材料中的一种或多种或由其形成:有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱111)、发红色磷光的此((1让^^7)3*2(??6))(三[4，4’-二-叔-丁基-(2，2’)-联吡啶]钌
(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4，4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9，10-双[N，N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物的发射器。
[0142]这种非聚合物的发射器例如可以借助于热蒸镀来沉积。此外，可以使用聚合物发射器，所述聚合物发射器尤其可以借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。
[0143]发射器材料可以以适合的方式嵌在基体材料中，其例如为工程陶瓷或聚合物，例如环氧化物;或硅酮。
[OH4]在不同的实施例中，第一发射器层218可以具有在大约5nm至大约50nm的范围中、例如在大约1nm至大约30nm的范围中、例如为大约20nm的层厚度。
[0145]发射器层可以具有发射单色光的或多色光(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射器材料。替选地，发射器层可以具有多个发射不同颜色光的子层。借助于不同颜色的混合，可以得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也可以提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换器材料，所述转换器材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
[0146]有机功能层结构单元216可以具有构成为空穴传输层的一个或多个发射器层。
[0147]此外，有机功能层结构单元216可以具有构成为电子传输层的一个或多个发射器层。
[0148]在发射器层上或上方可以构成、例如沉积电子传输层。
[0149]电子传输层可以具有下述材料中的一种或多种或由其形成:NET-18;2，2’，2”-(1，3，5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1，3，4_恶二唑，2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-菲咯啉(BCP); 8-羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3，5-联苯-4H-1，2，4-三唑；I，3-双[2-(2，2 ’ -双吡啶_6_基)_1，3，4-恶二唑-5-基]苯;4，7-联苯-1，10-菲咯啉(BPhen )；3-( 4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4-三唑;双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝;6，6’_双[5-(联苯-4-基)-1，3，4_恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基;2-苯基-9，10-双(萘-2-基)-蒽;2，7-双[2-( 2，2 ’ -双吡啶 _6_ 基)_1，3，4-恶二唑-5-基]-9，9-二甲基芴；1,3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1，3,4-恶二唑-5-基]苯;2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1，10-菲咯啉;2，9-双(萘-2-基)-4，7-联苯-1，10-菲咯啉;三(2，4，6-三甲基-3(吡啶_3_基)苯基)硼烷;1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1Η-咪唑[4，5-f][l，10]菲咯啉;苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺;芘四碳酸酐或其酰亚胺;和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。[Ο?δΟ] 电子传输层可以具有在大约5nm至大约50nm的范围中、例如在大约1nm至大约30nm的范围中、例如为大约20nm的层厚度。
[0151]在电子传输层上或上方可以构成电子注入层。电子注入层可以具有下述材料中的一种或多种或由其形成:仰^26、]\^厶8、〇820)3工83?04、似工&、1(、]\^丄8、1^、1^卩；2，2’，2，，_(1,3,5-苯取代基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)；2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基)-1，3，4-恶二唑，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(BCP) ;8_羟基喹啉-锂，4-(萘-1-基)-3,5-联苯-4H-1，2，4-三唑；I，3-双[2-(2，2 ’ -双吡啶_6_基)_1，3，4-恶二唑-5-基]苯;4，7-联苯-1，10-菲咯啉(BPhen )；3-( 4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4-三唑;双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚)铝;6，6’_双[5-(联苯-4-基)-1，3，4_恶二唑-2-基]-2,2’-双吡啶基;2-苯基-9，10-双(萘-2-基)-蒽;2，7-双[2-( 2，2 ’ -双吡啶 _6_ 基)_1，3，4-恶二唑-5-基]-9，9-二甲基芴；I，3-双[2-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-恶二唑-5-基]苯;2-(萘-2-基)-4,7-联苯-1，10-菲咯啉;2，9-双(萘-2-基)-4，7-联苯-1，10-菲咯啉;三(2，4，6-三甲基-3(吡啶_3_基)苯基)硼烷;1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1Η-咪唑[4，5-f][l，10]菲咯啉;苯基-双芘基膦氧化物；萘四碳酸酐或其酰亚胺;芘四碳酸酐或其酰亚胺;和基于具有硅杂环戊二烯的噻咯的材料。
[0152]电子注入层可以具有在大约5nm至大约200nm的范围中、例如在大约20nm至大约50nm的范围中、例如为大约30nm的层厚度。
[0153]在具有两个或更多个有机功能层结构单元216、220的有机功能层结构212中，第二有机功能层结构单元220可以在第一有机功能层结构单元216上方或旁构成。在有机功能层结构单元216、220之间在电学上可以构成中间层结构218。
[0154]在不同的实施例中，中间层结构218可以构成为中间电极218，例如根据第一电极210的设计方案之一构成。中间电极218可以与外部电压源电连接。外部电压源可以在中间电极218上例如提供第三电势。然而，例如通过中间电极具有浮动电势的方式，中间电极218也可以不具有外部的电端子。
[0155]在不同的实施例中，中间层结构218可以构成为载流子对生成层结构218(“chargegenerating layer”，CGL)。载流子对生成层结构218可以具有一个或多个传导电子的载流子对生成层和一个或多个传导空穴的载流子对生成层。传导电子的载流子对生成层和传导空穴的载流子对生成层分别由基体中的掺杂材料或本征导电材料形成。载流子对生成层结构218应当在传导电子的载流子对生成层和传导空穴的载流子对生成层的能级方面构成为，使得在传导电子的载流子对生成层与传导空穴的载流子对生成层的边界面处可以进行电子和空穴分离。载流子对生成层结构218还可以在相邻的层之间具有扩散阻挡部。
[0156]每个有机功能层结构单元216、220例如可以具有最大大约3μπι的层厚度、例如最大大约Iym的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。
[0157]光电子器件200可选地可以具有其他的有机功能层，例如设置在一个或多个发射器层上或上方或一个或多个电子传输层上或上方。其他的有机功能层例如可以是内部的或外部的耦合输入/输出结构，所述耦合输入/输出结构进一步改进光电子器件200的功能并且进而改进其效率。
[0158]在有机功能层结构212上或上方或必要时在有机功能层结构和/或有机功能层中的一个或多个另外的有机功能层结构和/或有机功能层上或上方可以构成第二电极214。
[0159]第二电极214可以根据第一电极110的设计方案之一构成，其中第一电极210和第二电极214可以相同地或不同地构成。第二电极214可以构成为阳极、即构成为注入空穴的电极、或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
[0160]第二电极214可以具有第二电端子，第二电势可以施加到所述第二电端子上。第二电势可以由与第一电势和/或可选的第三电势相同或不同的能量源来提供。第二电势可以与第一电势和/或第三电势不同。第二电势例如可以具有一数值，使得与第一电势的差具有大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如大约3V至大约12V范围内的数值。
[0161]在第二电极214上或上方可以构成第二阻挡层208。
[0162]第二阻挡层208也可以称作为薄膜封装件(thin film encapsulat1n TFE)。第二阻挡层208可以根据第一阻挡层204的设计方案之一构成。
[0163]此外需要指出的是，在不同的实施例中也可以完全地弃用第二阻挡层208。在这种设计方案中，光电子器件200例如可以具有另一封装结构，由此第二阻挡层208可以变得是可选的，例如为覆盖件224、例如腔玻璃封装件或金属封装件。
[0164]此外，在不同的实施例中附加地还可以在光电子器件200中构成一个或多个耦合输入/输出层，例如在光电子器件200的层横截面中，在载体202上或上方的外部的耦合输出薄膜(未示出)或内部的耦合输出层(未示出)。耦合输入/输出层可以具有基体和分布在其中的散射中心，其中耦合输入/输出层的平均折射率大于或小于用于提供电磁辐射的层的平均折射率。此外，在不同的实施例中可以在光电子器件200中附加地设有一个或多个抗反射层(例如与第二阻挡层208组合)。
[0165]在不同的实施例中，可以在第二阻挡层208上或上方设有配合的连接层222，例如由粘合剂或漆构成。借助于配合的连接层222可以将覆盖件224配合地连接、例如粘贴在第二阻挡层208上。
[0166]由透明材料构成的配合的连接层222例如可以具有散射电磁辐射的颗粒，例如散射光的颗粒。由此，配合的连接层222可以作为散射层起作用并且引起色角畸变和耦合输出效率降低或提高。
[0167]介电的散射颗粒可以设置作为散射光的颗粒，其例如由金属氧化物、例如氧化硅(S12)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)、氧化镓(Ga2Ox)、氧化铝、或氧化钛构成。其他的颗粒也是适合的，只要其折射率与配合的连接层222的基体的有效折射率不同，所述其他的材料例如为空气泡、丙烯酸盐(酯)、或玻璃空心球。此外，例如可以将金属纳米颗粒、金属如金、银、铁纳米颗粒等设置作为散射光的颗粒。
[0168]配合的连接层222可以具有大于Ιμπι的层厚度、例如数微米的层厚度。在不同的实施例中，配合的连接层222可以具有层压粘合剂或是这种层压粘合剂。
[0169]配合的连接层222可以构建为，使得其具有折射率小于覆盖件224的折射率的粘合剂。这种粘合剂例如可以是具有大约1.3的折射率的低折射率的粘合剂，例如丙烯酸盐(酯)。然而，粘合剂也可以是高折射率的粘合剂，其例如具有高折射率的、非散射的颗粒并且具有层厚度平均的折射率，所述层厚度平均的折射率大约对应于有机功能层结构212的平均折射率，例如在大约1.7至大约2.0的范围中的折射率。此外，可以设有形成粘合剂层序列的多种不同的粘合剂。
[0170]在不同的实施例中，在第二电极214和配合的连接层222之间还可以施加电绝缘层(未示出)或电绝缘层是可施加的，例如SiN，例如具有大约300nm至大于1.5μπι的范围中的层厚度，例如具有大约500nm至大约Ιμπι的范围中的层厚度，以便保护电学上不稳定的材料，例如在湿化学工艺期间进行保护。
[0171]在不同的实施例中，配合的连接层222可以是可选的，例如在覆盖件224、例如由玻璃制成的借助于等离子体喷射构成的覆盖件224直接地构成在第二阻挡层208上的情况下。
[0172]此外，在电有源区域206上或上方可以设置有所谓的吸气剂层或吸气剂结构，例如横向结构化的吸气剂层(未示出)。
[0173]吸气剂层可以具有吸收和约束对于电有源区域206有害的物质的材料或由其形成。吸气剂层例如可以具有沸石衍生物或者由其形成。吸气剂层可以半透明地、透明地或不透明地构成。
[0174]吸气剂层可以具有大于大约Ιμπι的层厚度、例如数微米的层厚度。
[0175]在不同的实施例中，吸气剂层可以具有层压粘合剂或者嵌入在配合的连接层222中。
[0176]在配合的连接层222上或上方可以构成覆盖件224。覆盖件224可以借助于配合的连接层222与电有源区域206配合地连接并且保护所述电有源区域免受有害物质影响。覆盖件224例如可以是玻璃覆盖件224、金属薄膜覆盖件224或者密封的塑料薄膜覆盖件224。玻璃覆盖件224例如可以借助于玻璃焊料连接(英文为glass frit bonding玻璃焊料接合/glass soldering玻璃焊接/seal glass bonding密封玻璃接合)借助于常规的玻璃料在有机光电子器件200的几何的边缘区域中与第二阻挡层208或电有源区域206配合地连接。
[0177]覆盖件224和/或配合的连接层222可以具有1.55的折射率(例如在波长为633nm的情况下)。
[0178]图3A、B不出光电子器件的一个实施例的不意图。
[0179]光电子器件200可以构成为，使得第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220可以借助于中间层结构218而具有共同的电极。中间层结构218对此可以与第三电势端子310电连接(在图3A借助于到电压源302、304的电连接来表明)。
[0180]在一个实施例中，光电子器件200在第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220之间具有中间层结构218。第一电极210与第一电势端子308连接并且第二电极214与第二电势端子306连接(在图3A中借助于到电压源302、304的电连接来表明)。
[0181]第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220可以被通电并且构成为，使得有机功能层结构单元216、220中的载流子相对于中间层结构218具有不同的电流方向。中间层结构218对此例如可以与接地电势电连接。在有机功能层结构单元216、220彼此堆叠的情况下，在有机功能层结构单元216、220中的电流方向因此相对于中间层结构218可以相同地定向。由此，第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220可以在电学上彼此独立地通电(在图3B中作为示意电路图示出)。
[0182]第一有机功能层结构单元216可以构成为，使得其发射第一电磁辐射330并且第二有机功能层结构单元220可以构成为，使得其发射第二电磁辐射340。
[0183]光电子器件200可以构成为，使得第一电磁福射330和第二电磁福射340至少沿一个共同的方向发射，例如各向同性地发射。
[0184]在构成为底部发射器的光电子器件200中，中间层结构218、第一有机功能层结构单元216和载体202至少对第二电磁辐射340可以构成为是透明的或半透的(在图3A中借助于箭头330、340示出)。
[0185]在构成为顶部发射器的光电子器件200中，中间层结构218、第二有机功能层结构单元218和封装结构(参见图2)至少对第一电磁辐射330可以构成为是透明的或半透的。
[0186]在构成为是透明的或半透明的光电子器件200中，光电子器件200的所有层(参见图2的描述)至少对第一电磁辐射330和/或第二电磁辐射340可以构成为是透明的或是半透明的。
[0187]在光电子器件200的图不平面中，第一电磁福射330和第二电磁福射340的混合可以形成第三电磁辐射。第三电磁辐射的特性可以部分地在第一电磁辐射330的特性和第二电磁辐射340的特性之间变化。第三电磁辐射的特性的设定可以相对于利用第三电势端子310设定第二电势端子308之上的第二电势U2借助利用第三电势端子310设定第一电势端子306之上的第一电势Ul来构成。第三电磁辐射的特性例如是色坐标，所述色坐标可以由此来设定。这基于的前提是:第一电磁辐射330和第二电磁辐射340具有不同的色坐标。
[0188]第一电势Ul在光电子器件200运行中可以称作为第一半波。第一电势Ul可以具有时间上变化的曲线，例如非线性的曲线或不连续性。相应地，第二电势U2也可以称作为第二半波。
[0189]第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220可以根据有机功能层结构单元的上述设计方案构成。
[0190]在第一电极210和中间层结构218之间的结构(包含第一电极和中间层结构)可以称作为第一光学有源结构324，并且在中间层结构218和第二电极214之间的结构(包含中间层结构和第二电极)可以称作为第二光学有源结构326。
[0191]在一个实施例中，光电子器件200可以具有带有ITO层210作为第一电极210的玻璃载体202。第一有机功能层结构单元216可以具有第一空穴注入层312、第一发射器层314和第一电子注入层316。第二有机功能层结构单元220可以具有第二电子注入层318、第二发射器层320和第二空穴注入层322。空穴注入层312、322或者电子注入层316、318可以根据图2中描述的设计方案之一构成，例如分别具有本征导电材料或基体中的掺杂材料。中间层结构218构成为中间电极218，例如具有MgAg。第二电极可以如中间电极218那样构成，例如具有MgAg。第一发射器层314和第二发射器层320分别具有用于产生可见光的颜料。例如，第一发射器层314可以具有发荧光的颜料并且第二发射器层320可以具有发磷光的颜料;或者第二发射器层320可以具有发荧光的颜料并且第一发射器层314可以具有发磷光的颜料。例如，第二发射器层320可以具有发红绿磷光的颜料并且第一发射器层314可以具有发蓝色荧光的颜料。在第二发射器层320中可以混合发红绿磷光的颜料或者发红光和发绿光的颜料分布在分开的单色的子层中。
[0192]例如根据上述设计方案之一，在第二电极214上或上方并进而在电有源区域上或上方可选地还可以存在封装结构。
[0193]图4A、B示出光电子器件的实施例的示意图。与上述设计方案不同，可以将第一电极210与第二电极214彼此电连接(在图4A中借助于节点404示出)。
[0194]电极306、308、310与电压源402连接，所述电压源构成为交流电压源。控制间隔可以具有至少一个第一半波和至少一个第二半波，其中所述第一半波和所述第二半波是不同的，例如具有不同的电流方向。
[0195]借助于由交流电压源提供的交流电压的不同电流方向的半波可以对第一有机功能层结构单元216和第二有机功能层结构单元220彼此独立地通电。这通过如下方式实现:第一光学有源结构324和第二光学有源结构326借助于光电子器件200的设计方案彼此电学反并联地构成(在图4B中作为电路图示意地示出)。由此，在第一运行模式中，在第一半波中第一有机功能层结构单元216可以发射第一电磁辐射330，并且在第二运行模式中，在第二半波中第二有机功能层结构单元220可以发射第二电磁辐射340。光学有源结构324、326因此可以交替地发射电磁辐射330、340或者截止电流。在高于大约30Hz的频率的情况下，对于人员而言不再能够识别到闪烁。所察觉到的第三电磁辐射由第一电磁辐射330和第二电磁辐射340的份额在控制间隔中的时间平均形成。第三电磁辐射的色坐标可以经由电压源402的交流电流运行参数来设定。由此可以不同地控制发射不同颜色光330、340的光学有源结构324、326，例如不同强度地驱动。由此，可以改变光学有源结构324、326对于第三电磁辐射的相应的贡献。此外，可以经由电流脉冲的持续时间和大小来设定应力并进而老化性能。
[0196]例如，在发射蓝光330的第一光学有源结构324和发射红绿光340的第二光学有源结构326的组合中可以察觉白光作为第三电磁辐射。
[0197]图5A、B示出根据不同实施例的光电子器件的示意图。
[0198]光电子器件200可以构成为，使得光学有源结构324、326可以彼此独立地借助两个电流源(参见图3的描述)或者彼此相关地借助一个交流电流源(参见图4的描述)来通电。
[0199]在相关通电时，不能同时对多个光学有源结构通电。当电能量源、例如光电子器件的电镇流器同时对两个或更多个光学有源结构只能提供一个直流电流或只能提供一个交流电流时，存在相关的通电。
[0200]在独立地通电时，可以同时对多个光学有源结构不同地通电。当光电子器件的镇流器可以同时至少对两个光学有源结构提供不同的交流电流或直流电流时，存在独立的通电。
[0201]例如，在独立的通电时，第一光学有源结构324可以借助交流电流或直流电流脉冲来通电，即在第一运行模式中，并且第二光学有源结构326可以借助直流电流和/或交流电流来通电，即在第二运行模式中。
[0202]例如，在相关的通电时，第一光学有源结构324可以借助第一半波通电、即在第一运行模式中，并且第二光学有源结构326可以借助第二半波来通电，即在第二运行模式中。
[0203]借助于运行模式彼此间的特性可以设定第三电磁辐射的特性。
[0204]在相关的通电时，可以借助于交流电压的脉宽调制、脉频调制和/或脉幅调制来构成第一运行模式和第二运行模式。
[0205]第一半波和/或第二半波可以具有下述形式之一或下述形式之一的混合形式:脉冲、正弦半波、矩形、三角形、锯齿。
[0206]第一半波和第二半波的形式可以彼此对称或不对称地构成。
[0207]第一半波可以具有与第二半波不同的最大绝对值。例如，第一半波的最大绝对值大于第二半波的最大绝对值(在图5A中借助于通过带附图标记512、514的箭头的半波的不同的电流绝对值506、508来示出)。例如，第一半波可以具有与第二半波不同的脉冲宽度。
[0208]为了对光学有源结构324、326通电，交流电流可以具有直流电流份额;或者交流电压可以具有直流电压份额。
[0209]第一半波可以具有与第二半波不同的脉冲宽度(在图5B借助于带附图标记512、514的不同长的箭头示出)。例如，第一半波可以具有比第二半波更小的脉冲宽度。
[0210]在预设的控制间隔510中，第一半波518和第二半波516的电流强度502的时间曲线可以彼此相关地构成用于构成第三电磁辐射，例如以便能够设定用于第三电磁辐射的预设的色坐标。由此，在对在第一半波518和第二半波516期间发射的电磁辐射关于预设的控制间隔510时间平均之后，可以有针对性地构成第三电磁辐射。电流强度502的时间曲线也可以称作为作为时间504的函数的电流强度502。
[0211]第三电磁辐射被察觉为时间平均地在预设的控制间隔510期间发射的电磁辐射。
[0212]借助于第一电磁辐射和第二电磁辐射的最大脉冲幅度和占空比可以设定第三电磁辐射的特性。
[0213 ]在图5A中可以看到第一电磁辐射和第二电磁辐射的大约为I的占空比。
[0214]在图5B中可以看到第一电磁辐射的为大约0.33的占空比和第二电磁辐射的为大约3的占空比。
[0215]图6A-C示出根据不同的实施例的在运行中的光电子器件的示意图。
[0216]光电子器件可以构成为，使得第一光学有源结构324和第二光学有源结构326的发光密度602的相对下降可以借助数学函数来描述，例如拉伸指数下降。
[0217]拉伸指数下降可以在数学上如下描述:
[0218](DL/Loaexp-Ct/Ti)^
[0219]在此，L是相对于运行时间t的发光密度;LO是初始发光密度；T1是特征常量，所述特征常量与光学有源结构的发射器材料相关;并且β是老化系数。光电子器件200可以构成为，使得每个光学有源结构都具有大约相同的老化系数β。由此，光学有源结构的特征常量Ti不同(参见图1C)。
[0220]发光密度与运行持续时间LT70的函数关系可以借助非线性函数来描述:
[0221](II)Ln*LT70 =常量。
[0222]借助于发光密度与η的超线性相关性，在发光密度提高时非线性地降低运行持续时间。在此，η是大于I的实数。
[0223]在具有至少两个光学有源结构324、326的光电子器件200中，为了构成特定的第三电磁辐射，例如第一光学有源结构324具有比第二光学有源结构更高的运行持续时间。为了构成第三电磁福射(参见图5的描述)，光电子器件200可以被控制，使得光学有源结构324具有大约相同的老化。在图6Α中，这作为第一光学有源结构、第二光学有源结构和光电子器件的彼此叠加的老化曲线606示出。
[0224]第一光学有源结构的发光密度的提高随着(II)导致第一光学有源结构的运行持续时间的超线性降低。由此，第一光学有源结构的老化函数可以与第二光学有源结构的老化函数匹配。此外，借助于第一光学有源结构的发光密度的提高在关于预设的控制间隔时间平均时(参见图5的描述)引起第一电磁辐射占第三电磁辐射的份额的相对提高。由此引起第三电磁辐射的特性朝第一电磁辐射的特性移动。然而，在光学有源结构的老化函数大致相同的情况下应保持第三电磁辐射的特性。这通过在预设的控制间隔的时间平均值中降低具有提高的发光密度的第一电磁辐射占第三电磁辐射的份额的方式而是可行的(参见图5的描述)。一个可行性是借助第一电磁辐射的脉冲构成光电子器件的控制的预设的控制间隔。借助于第一电磁辐射的脉冲高度可以借助(II)将第一光学有源结构的老化函数匹配于第二电磁辐射的老化函数。通过关于预设的老化区间的时间平均调整例如降低第一电磁辐射的脉冲的脉冲宽度和/或脉冲序列频率(脉冲重复频率)方式能够保持第三电磁辐射的特性。
[0225]换言之，因为寿命超线性地与发光密度相关，所以随着电流脉冲高度的增加，寿命降低。因此，光电子器件的相关的运行和独立的运行允许分开地控制发光密度和寿命。
[0226]在图6Β和图6C中示出具有第一光学有源结构626、628和第二光学有源结构624的光电子器件的计算实例。光电子器件可以根据图2至图5中描述的设计方案构成。第一光学有源结构626、628和第二光学有源结构624可以构成为，使得发光密度L的超线性指数η 610(参见(II))具有大约1.5的数值。
[0227]第二光学有源结构624可以具有发磷光的发射红绿光的材料或发磷光的发射红绿光的材料混合物作为发射器材料。在直流运行中，第二光学有源结构624在lOOOcd/cm2的发光密度的情况下具有20000小时的寿命LT70(1000cd/cm2)(附图标记608)。
[0228]第一光学有源结构可以具有发焚光的发射蓝光的材料或发焚光的发射蓝光的材料混合物作为发射器材料(在图6B中用附图标记626示出)。在直流运行中，具有发荧光的发射器的第一光学有源结构626在lOOOcd/cm2的发光密度的情况下具有4000小时的寿命LT70(100cd/cm2) ο
[0229]第一光学有源结构可以具有发磷光的发射蓝光的材料或发磷光的发射蓝光的材料混合物作为发射器材料(在图6B中用附图标记628示出)。在直流运行中，具有发磷光的发射器的第一光学有源结构628在lOOOcd/cm2的发光密度的情况下具有1050小时的寿命LT70(100cd/cm2) ο
[0230]在实例计算中，借助该光电子器件在直流运行中或在交流运行中可以构成具有3000cd/cm2的发光密度的白光作为第三电磁辐射。用于构成白光的红绿光和蓝光的份额是不同地(在图6B中在带有附图标记612的列中示出)。为了构成具有3000cd/cm2的发光密度的白光，第二光学有源结构624发射具有2700cd/cm2的发光密度的光并且第一光学有源结构626、628发射具有300cd/cm2的发光密度的蓝光。借助(I I )，为了构成白光，光学有源结构624、626、628的寿命关于在1000cd/cm2下的光学有源结构624、626、628的运行而改变(对于直流运行在图6B中在带有附图标记614的列中示出)。由此，第二光学有源结构624可以具有4508小时的寿命LT70(2700cd/cm2)，具有发荧光的发射器的第一光学有源结构626具有24343小时的寿命LT70(300cd/cm2);并且具有发磷光的发射器的第一光学有源结构628具有6390小时的寿命LT70(300cd/cm2)(参见图1C)。具有发射蓝光的发荧光的发射器的第一光学有源结构当前具有比发磷光的发射蓝光的发射器显著更长的寿命。与其无关的是，第一光学有源结构的寿命显著超过第二光学有源结构的寿命。光电子器件的寿命在该运行中限于第二光学有源结构的寿命，即限于4508小时。这是由如下引起的:蓝光占白光总计仅大约10%的份额。在长时间运行时，可见差分的色坐标老化并且超过允许的偏差。
[0231 ] 在光学有源结构可以彼此独立通电(参见图5的描述)的光电子器件中，第二光学有源结构可以借助直流电流运行并且第一光学有源结构脉冲式地运行。
[0232]第二光学有源结构如上描述的那样以2700cd/cm2的发光密度和4508小时的寿命发射第二电磁辐射。
[0233]为了构成具有3000cd/cm2的白光，第一光学有源结构626、628可以脉冲式地运行，使得第一光学有源结构626、628具有寿命LT70(附图标记622)，所述寿命大约对应于第二光学有源结构624的寿命614。光学有源结构624、626/628可以借助于拉伸指数下降来描述。由此，在寿命LT70大致相同的情况下不引起或引起降低的不同的差分的色坐标老化。
[0234]对此，具有发焚光的发射器的第一光学有源结构626的电磁福射的脉冲可以具有数值为8700cd/cm2的最大脉冲高度620和为29的占空比618。
[0235]在具有发磷光的发射器的第一光学有源结构628中，电磁福射的脉冲可以具有数值为600cd/cm2的最大脉冲幅度620和为2的占空比618。
[0236]由此，可以将第一光学有源结构626、628的寿命从上述数值降低到4520小时或4518小时。
[0237]在光学有源结构可以彼此相关地通电(参见图5的描述)的光电子器件中，为了构成具有3000cd/cm2的白光，第一光学有源结构626、628和第二光学有源结构624可以脉冲式地通电。
[0238]第二电磁辐射的脉冲可以具有数值为5400cd/cm2的最大脉冲高度632和为2的占空比630。由此，第二光学有源结构可以具有3188小时的寿命LT70 (5400cd/cm2)。
[0239]具有发荧光的发射器的第一光学有源结构626的第一电磁辐射的脉冲可以具有数值为17400cd/cm2的最大脉冲高度632和为58的占空比630。由此，具有发荧光的发射器的第一光学有源结构626可以具有3196小时的寿命LT70 (17400cd/cm2) 634。
[0240]在具有发磷光的发射器的第一光学有源结构628中，电磁福射的脉冲可以具有数值为1200cd/cm2的最大脉冲高度632和为4的占空比630。由此，具有发磷光的发射器的第一光学有源结构628可以具有3195小时的寿命LT70(1200cd/cm2)634。
[0241]因此，光电子器件可以控制成，使得在相同的时间平均的第三电磁辐射的情况下借助于以所描述的方式降低更长寿命的光学有源结构的运行持续时间来降低差分的色坐标老化(参见图1C、图1D)。光电子器件的寿命由于超过允许的色坐标老化而可以比通过光学有源结构的寿命所给出的寿命更短。因此，借助于用于运行光电子器件的所描述的方法，可以借助于降低差分的色坐标老化来提高光电子器件的寿命。
[0242]在两个或更多个光学有源区域的发光密度和寿命已知的情况下，具有最小寿命的光学有源结构为了构成第三电磁辐射而可以借助直流电流运行。为了构成第三电磁脉冲，最短寿命的光学有源结构的强脉冲式控制在时间平均上需要更高的脉冲高度。因此，借助
(II)关于在直流电流中的运行会进一步降低最短寿命的光学有源结构的寿命。较长寿命的光学有源结构脉冲式地或以交流运行来运行。脉冲参数或交流电流参数可以选择成，使得光学有源结构具有类似的寿命。最短寿命的光学有源结构可以以交流电流运行方式运行，然而应以接近直流运行的占空比运行，例如MUX = 2。如果可以以交流运行方式运行两个或更多个光学有源结构，那么可以简化地仅将一个交流电流源用作为电能量供应装置。
[0243]在不同的实施方式中，提供光电子器件设备和用于运行光电子器件的方法，借助所述设备和方法可行的是:不用色彩传感器在色坐标偏差至少降低的情况下运行0LED。由此，可以避免差分的色彩老化，使得由光电子器件发射的光的色坐标在长时间运行期间保持稳定。此外，借助于色彩传感器和到光电子器件的驱动器的反馈来进行耗费的、电子调节的色彩控制是可选的或不再需要。此外，可以借助于该方法实现作为所谓的“2端子设备”的光电子器件，即仅具有两个电端子并且例如进行色坐标调节。此外，可以实现如下光电子器件，所述光电子器件借助于相对于直流驱动器成本更适宜的交流驱动器来运行。此外，在具有多个光学有源结构的OLED中可以通过将反并联的光学有源结构串联实现电网相容的灯具，即不需要驱动器电压的变换。此外，还可以应用光电子器件的已经确立的制造方法，因为例如OLED根据不同的设计方案与具有载流子对生成层结构(charge generating layer-CGL)的堆叠的白色OLED极其类似地构成。此外，作为具有不同OLED单元的OLED的光电子器件可以实现发磷光的发射器材料(红色、绿色)和发荧光的发射器材料(蓝色)的分开的运行。
【主权项】
1.一种光电子器件设备，所述光电子器件设备具有:光电子器件(200)和用于控制所述光电子器件的控制设备； ?其中所述光电子器件(200)具有第一光学有源结构(324)和第二光学有源结构(326)， ?其中所述第一光学有源结构(324)构建用于发射第一电磁福射(330)并且在运行中根据第一老化函数(140)来老化;并且 ?其中所述第二光学有源结构(326)构建用于发射第二电磁辐射(340)并且在运行中根据第二老化函数(136，138)来老化； ?其中所述光电子器件(200)构成为使得在第一运行模式中至少发射所述第一电磁福射(330)而在第二运行模式中至少发射第二电磁辐射(340); ?其中所述控制设备构建成:降低在所述光电子器件设备运行期间第一老化函数(140)与第二老化函数(136，138)的差。2.根据权利要求1所述的光电子器件设备， 其中所述光电子器件(200)构成为，使得所述第一老化函数(140)和所述第二老化函数(136，138)具有大致相同的老化系数⑴)。3.根据权利要求1或2所述的光电子器件设备， 其中所述第一光学有源结构(324)构成为，使得所述第一电磁福射(330)是蓝光。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件设备， 其中所述控制设备构成为，使得所述第一光学有源结构(324)在所述第一运行模式中借助第一电压曲线来控制并且所述第二光学有源结构(326)在所述第二运行模式中借助第二电压曲线来控制，所述第二电压曲线与所述第一电压曲线不同。5.—种用于运行光电子器件(200)的方法， ?其中所述光电器件(200)根据权利要求1至4中任一项构成;所述方法具有: ?在预设的控制间隔(510)中部分地以所述第一运行模式并且部分地以所述第二运行模式控制所述光电子器件(200)，使得降低在所述光电子器件设备运行期间第一老化函数与第二老化函数的差。6.根据权利要求5所述的方法， ?其中所述第一光学有源结构(324)构成为，使得所述第一电磁福射(330)是蓝光； ?其中所述第二光学有源结构(326)构成为，使得所述第二电磁辐射(340)是黄光或绿红光;和/或 ?其中所述光电子器件(200)控制成，使得由第一电磁福射(330)和第二电磁福射(340)构成的混合在控制间隔(510)中为白光，尤其是具有从500K至11000K的范围中的相关的色温。7.根据权利要求5或6所述的方法， 其中借助于交流电压和/或交流电流的幅度、频率和/或占空比构成所述第三电磁辐射的至少一个特性。8.根据权利要求7所述的方法， 其中所述交流电流具有直流电流份额，或者所述交流电压具有直流电压份额。9.根据权利要求8所述的方法， 其中所述交流电流和/或所述交流电压具有大于大约30Hz的频率。10.根据权利要求5至9中任一项所述的方法， 其中所述第一运行模式具有用第一电压曲线控制所述第一光学有源结构(324)和用第二电压曲线控制所述第二光学有源结构(326)，所述第二电压曲线与所述第一电压曲线不同。11.根据权利要求1O所述的方法， 其中所述第一电压曲线具有至少一个非线性的第一区域。12.根据权利要求5至11中任一项所述的方法， 其中所述老化函数的差小于阈值。13.根据权利要求12所述的方法， 其中所述阈值是关于所述第一光学有源结构和所述第二光学有源结构的差分的色坐标老化方面的函数。14.根据权利要求12或13所述的方法， 其中所述阈值具有绝对值，使得借助于差分的所述色坐标老化关联的色坐标移动在CIE标准比色表中在Cx和/或Cy上小于0.02。
【文档编号】H05B33/08GK105874880SQ201480052399
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年8月22日
【发明人】阿恩特·耶格
【申请人】欧司朗Oled股份有限公司