单刀多掷开关的制作方法
【专利摘要】一种单刀多掷开关包含选择开关组。选择开关组包含主开关组、第一次开关组及第二次开关组。主开关组包含复数个串接的主晶体管用以传输射频讯号。第一次开关组耦接于主开关组，包含复数个串接的第一次晶体管，用以当主晶体管及第一次晶体管被导通时传输射频讯号。第二次开关组耦接于主开关组，包含复数个串接的第二次晶体管，用以当主晶体管及第二次晶体管被导通时传输射频讯号。其中复数个第一次晶体管的总个数及第二次晶体管的总个数皆大于复数个主晶体管的总个数。
【专利说明】
单刀多掷开关
技术领域
[0001]本发明涉及一种单刀多掷开关，特别是一种可减少电路面积的单刀多掷开关。
【背景技术】
[0002]第I图为先前技术之单刀多掷开关100的示意图。单刀多掷开关100包含选择开关组1101至1104，而单刀多掷开关100即可藉由导通选择开关组1101至1104中的一路选择开关组以输出或输入系统所需的讯号，例如当单刀多掷开关100应用于无线通信系统时，选择开关组1101至1104会分别耦接至不同的无线通信模块1301至1304，而单刀多掷开关10gp可用以传输射频讯号至相关的无线通信模块。
[0003]每一选择开关组1101至1104包含复数个选择晶体管120。当系统欲利用单刀多掷开关100传输讯号时，仅会有一路选择开关组被导通，例如当系统欲利用单刀多掷开关100与无线通信模块1301进行信息传输时，选择开关组1101中的选择晶体管120皆会被导通，而选择开关组1102-1104中的选择晶体管120皆被截止。选择开关组1102-1104各包含14个选择晶体管120，若每一选择晶体管120的等效电容为C，则选择开关组1102的等效电容即为14个选择晶体管120串联后的等效电容，亦即C/14，而选择开关组110 2-1104的等效电容则为3C/14。亦即，当系统欲利用选择开关组1101传输讯号时，处于截止状态的选择开关组1102-1104之晶体管的等效电容即为单刀多掷开关100的寄生电容，而过大的寄生电容会耗损传输讯号的强度。此外，选择开关组1102-1104之晶体管所需的电路面积亦较大，而不利于行动电子装置的需求。
[0004]再者，当单刀多掷开关包含越多选择开关组时，所需的电路面积也会随之增加，例如若根据第I图之单刀多掷开关100的架构，使单刀多掷开关扩充至具有八组选择开关组时，则所需的电路面积可能会大幅增加。因此如何减少单刀多掷开关的寄生电容及所需的电路面积即成为一个有待解决的问题。
【发明内容】
[0005]为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明提供一种减少寄生电容及所需的电路面积的单刀多掷开关。
[0006]本发明之一实施例提供一种单刀多掷开关。单刀多掷开关包含共同端及选择开关组。共同端可用以传输射频讯号。选择开关组包含主开关组、第一次开关组及第二次开关组。主开关组包含复数个串接的主晶体管，耦接于共同端。第一次开关组耦接于主开关组及第一传输端，第一次开关组包含复数个串接的第一次晶体管，用以当复数个主晶体管及复数个第一次晶体管被导通时，经由主开关组、第一次开关组与第一传输端传输射频讯号。第二次开关组耦接于主开关组及第二传输端，第二次开关组包含复数个串接的第二次晶体管，用以当复数个第一主晶体管及复数个第二次晶体管被导通时，经由第一主开关组、第二次开关组与第二传输端传输射频讯号。第一次晶体管的总个数及第二次晶体管的总个数皆大于第一主晶体管的总个数。
【附图说明】
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1为先前技术之单刀多掷开关的示意图；
图2为本发明一实施例之单刀多掷开关的示意图；
图3为本发明又一实施例之单刀多掷开关的示意图；
图4为本发明另一实施例之单刀多掷开关的示意图。
主要图示说明
100、200、300、400单刀多掷开关
1101、1102、1103、1104选择开关组
120晶体管
1301、1302、1303、1304无线通信模块
210、220、310、320选择开关组
212、222、312、322主开关组
2120、2220、3120、3220主晶体管
214a、214b、224a、224b、314a、314b次开关组 314c、314d、324a、324b、324c、324d
2140a、2140b、2240a、2240b、3140a次晶体管 3140b、3140c、3140d、3240a、3240b 3240c、3240d
210a、210b、220a、220b、310a、3 1b传输端 310c、310d、320a、320b、320c、320d
C1、C2、C3、C4、C5、C6无线射频终端 C7、C8
A天线端
CN共同端
Srf射频讯号
【具体实施方式】
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
[0007]第2图为本发明一实施例之单刀多掷开关200的示意图。单刀多掷开关200包含共同端CN及选择开关组210。选择开关组210包含主开关组212、次开关组214a及次开关组214b。共同端CN可用以传输射频讯号SRF，在第2图的实施例中，单刀多掷开关200可应用于无线通信系统，因此共同端CN可耦接至天线端A，用以接收或传送射频讯号SRF，然而本发明并不以此为限。
[0008]主开关组212包含复数个串接的主晶体管2120，耦接于共同端CN。次开关组214a耦接于主开关组212及传输端210a。次开关组214a包含复数个串接的次晶体管2140a，用以当复数个主晶体管2120及复数个次晶体管2140a被导通时，经由主开关组212、次开关组214a与传输端2 1a传输射频讯号Srf。次开关组214b親接于主开关组212及传输端210b。次开关组214b包含复数个串接的次晶体管2140b，用以当复数个主晶体管2120及复数个次晶体管2140b被导通时，经由主开关组212、次开关组214b与传输端210b传输射频讯号Srf。在本发明之一实施例中，主晶体管2120、次晶体管2140a及2140b可为P型金氧半晶体管、N型金氧半晶体管或其他类型的晶体管。
[0009]在本发明之一实施例中，传输端210a及传输端210b可分别耦接至对应的无线射频终端Cl及C2，因此当系统欲通过天线端A及无线射频终端Cl来传输射频讯号Srf时，即可导通复数个主晶体管2120及复数个次晶体管2140a，而传输端210a即可用以对应地传送或接收射频讯号Srf。同样地，当系统欲通过天线端A及无线射频终端C2来传输射频讯号Srf时，即可导通复数个主晶体管2120及复数个次晶体管2140b，而传输端210b即亦可用以对应地传送或接收射频讯号Srf。
[0010]通过共享主晶体管2120，单刀多掷开关200所需的电路面积即可较先前技术之单刀多掷开关(如单刀多掷开关100中的选择开关组1101与1102)所需的电路面积还小。
[0011]展开而言，复数个次晶体管2140a会接收到相同的控制讯号以同时导通或同时截止，而复数个次晶体管2140b也会接收到相同的控制讯号以同时导通或同时截止。当欲通过传输端210a传输射频讯号Srf时，复数个次晶体管2140a会被导通，因此复数个主晶体管2120及复数个次晶体管2140a所承受的电压即为射频讯号Srf的电压摆幅，而复数个次晶体管2140b会被截止，所以复数个次晶体管2140b的总跨压会与复数个次晶体管2140a所承受的电压相同。由于射频讯号Srf通常为高电压的高频讯号，为避免当射频讯号Srf的变化较为激烈时，会意外导通次开关组214b中的复数个次晶体管2140b，因此在本实施例中，次开关组214b中的次晶体管2140b的总个数可大于主开关组212中的主晶体管2120的总个数；同理，次开关组214a中的次晶体管2140a的总个数也可大于主开关组212中的主晶体管2120的总个数。
[0012]第3图为本发明又一实施例之单刀多掷开关300的示意图。在本实施例中，单刀多掷开关300与单刀多掷开关200具有相似的架构，差别在于单刀多掷开关300除了包含共同端CN及选择开关组210以外，还包含选择开关组220。选择开关组220包含主开关组222、次开关组224a及次开关组224b。主开关组222包含复数个串接的主晶体管2220，耦接于共同端CN。次开关组224a耦接于主开关组222及传输端220a，次开关组224a包含复数个串接的次晶体管2240a，用以当复数个主晶体管2220及复数个次晶体管2240a被导通时，经由主开关组220、次开关组224a与传输端220a传输射频讯号Srf。次开关组224b耦接于主开关组222及传输端220b，次开关组224b包含复数个串接的次晶体管2240b，用以当复数个主晶体管2220及复数个次晶体管2240b被导通时，经由主开关组222、次开关组224b与传输端220b传输射频讯号Srf ο
[0013]由于单刀多掷开关300的晶体管总个数少于单刀多掷开关100的晶体管总个数，因此单刀多掷开关300所需的电路面积亦会小于单刀多掷开关100所需的电路面积。
[0014]在本发明之一实施例中，传输端210a、210b、220a及220b可分别耦接至对应的无线射频终端Cl、C2、C3及C4，因此可通过导通或截止选择开关组210及220中的晶体管来选择传输射频讯号的路径。举例来说，当欲通过天线端A及无线射频终端C3来传输射频讯号Srf时，即可导通复数个主晶体管2220及复数个次晶体管2240a，并可截止复数个主晶体管2120、复数个次晶体管2140a、2140b及2240b，而传输端220a即可用以对应地传送或接收射频讯号Srf。此时复数个次晶体管2240b的总跨压会与复数个次晶体管2240a所承受的电压相同，由于射频讯号Srf通常为高电压的高频讯号，为避免当射频讯号Srf的变化较为激烈时，会意外导通次开关组224b中的次晶体管2240b，因此在本实施例中，次开关组224b中的次晶体管2240b的总个数可大于主开关组222中的主晶体管2220的总个数；同理，次开关组224a中的次晶体管2240a的总个数也可大于主开关组222中的主晶体管2220的总个数。
[0015]在本发明之一实施例中，当单刀多掷开关300导通主晶体管2120及次晶体管2140a，并截止主晶体管2220及次晶体管2140b、2240a及2240b时，单刀多掷开关300的寄生电容可视为次开关组214b之等效电容与选择开关组220之等效电容并联的电容值。举例来说，若每一次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的等效电容为C，主晶体管2120及2220之等效电容亦为C，次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的总个数皆各为10，而主晶体管2120及2220的总个数皆各为4，则次开关组214b之等效电容为C/10，且选择开关组220之等效电容为次开关组224a之等效电容C/10与次开关组224b之等效电容C/10并联后再与主开关组222之等效电容C/4串联之等效电容，亦即C/9。因此单刀多掷开关300的寄生电容即为次开关组214b之等效电容C/10与选择开关组220之等效电容C/9并联后的电容19C/90。相较于先前技术，单刀多掷开关300的寄生电容19C/90即会小于单刀多掷开关100的寄生电容3C/14。
[0016]虽然在上述实施例中，次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的总个数皆为10，而主晶体管2120及2220的总个数为4，然而本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中，次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的总个数及主晶体管2120及2220的总个数亦可为其他数量，然而为使单刀多掷开关300能更有效地减少寄生电容，次晶体管2140a、2140b的总个数可大于主晶体管2120的总个数之两倍，而次晶体管2240a、2240b的总个数可大于主晶体管2220的总个数之两倍。
[0017]此外，在上述的实施例中，虽然每一次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的等效电容为C，且主晶体管2120及2220之等效电容亦为C，亦即次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的尺寸可与主晶体管2120及2220的尺寸相同，然而本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中，次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b之尺寸可彼此相同，且主晶体管2120及2220之尺寸亦可彼此相同，然而为降低传输路径上晶体管的导通电阻(RDS(cin))，同时避免过度增加所需电路的面积，次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b之尺寸可与主晶体管2120及2220之尺寸相异，例如主晶体管2120及2220之尺寸可大于次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b之尺寸。如此一来，主晶体管2120及2140的导通电阻即可小于次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的导通电阻，且每一主晶体管2120及2220之等效电容可大于每一次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b之等效电容。
[0018]再者，由于在同一截止路径上，晶体管的跨压会与其等效电容成反比，因此，在一实施例中，可使主晶体管2120、2220之等效电容提高，例如使主晶体管2120之等效电容大于次晶体管2140a及2140b之等效电容，并使主晶体管2220之等效电容大于次晶体管2240a及2240b之等效电容，则可降低主晶体管2120、2220所需承受到的跨压，进而降低主晶体管2120、2220被高压讯号击穿(breakdown)的机率，亦可避免当射频讯号Srf的变化较为激烈时，意外导通主晶体管2120或2220。然而在另一实施例中，亦可使主晶体管2120、2220之等效电容降低，例如使主晶体管2120之等效电容小于次晶体管2140a及2140b之等效电容，并使主晶体管2220之等效电容小于次晶体管2240a及2240b之等效电容，则可以增加主晶体管2120及2220所需承受到的跨压，并减少次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b所需承受的跨压，如此一来，即可避免当射频讯号Srf的变化较为激烈时，意外导通次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b。申言之，单刀多掷开关200可根据系统的需求使主晶体管2120及2220以及次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b具有适当的等效电容及尺寸，以增加系统的稳定性。
[0019]此外，为了避免当主晶体管2120分配到的跨压较大时，主晶体管2120会被击穿(breakdown)，在另一实施例中，可使每一主晶体管2120之击穿电压(breakdown voltage)大于每一次晶体管2140a及2140b之击穿电压；同样地，亦可使每一主晶体管2220之击穿电压大于每一次晶体管2240a及2240b之击穿电压。
[0020]然而若主晶体管2120及2220之等效电容过大时，则亦有可能增加单刀多掷开关300的寄生电容及所需之电路面积，因此用户可根据系统的需要选择适合的主晶体管尺寸及次晶体管尺寸，以优化单刀多掷开关300的传输路径，且为使单刀多掷开关300的每一传输路径皆可有相同的优化结果，亦可使主晶体管2120的总个数与主晶体管2220的总个数相等，并使次晶体管2140a、2140b、2240a及2240b的总个数相等。
[0021]虽然单刀多掷开关300之选择开关组210仅包含两个次开关组214a及214b，然而本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中，亦可根据系统的需要，使单刀多掷开关300具有其他数量的选择开关组，并可使选择开关组具有其他数量的次开关组，而皆应属本发明之范围。第4图为本发明另一实施例之单刀多掷开关400的示意图。单刀多掷开关400包含共同端CN、选择开关组310及320。选择开关组310包含主开关组312、次开关组314a、314b、314c及314d，选择开关组320包含主开关组322、次开关组324a、324b、324c及324d。次开关组314a、314b、314c及314d皆耦接于主开关组312并分别耦接于传输端310a、310b、310c及310d，次开关组314a、314b、314c及314d分别包含复数个串接的次晶体管3140a、3140b、3140c及3140d。以次开关组314a为例，当复数个主晶体管3120及复数个次晶体管3140a被导通时，单刀多掷开关400可经由主开关组312、次开关组314a与传输端310a传输射频讯号Srf。次开关组314b、314c及314d的构造及操作原理与次开关组314a相同，在此不另赘述。选择开关组320的构造及操作原理与选择开关组310相同，在此不另赘述。
[0022]在本发明之一实施例中，传输端310a_310d及320a_320d可分别耦接至对应的无线射频终端Cl至CS，因此可通过导通或截止选择开关组310及320中的晶体管来选择单刀多掷开关400中传输射频讯号Srf的路径。举例来说，当欲通过天线端A及无线射频终端C3来传输射频讯号Srf时，即可导通复数个主晶体管3120及复数个次晶体管3140c，并可截止复数个主晶体管3220、复数个次晶体管3140a、3140b、3140d及3240a-3240d，而传输端310c即可用以对应地传送或接收射频讯号Srf。
[0023]在本发明之一实施例中，当单刀多掷开关400导通复数个主晶体管3120及复数个次晶体管3140a，并截止复数个主晶体管3220及复数个次晶体管3140b-3140d及3240a-3240d时，单刀多掷开关400的寄生电容可视为次开关组314b-314d之等效电容与选择开关组320之等效电容并联的电容值。在本发明之一实施例中，单刀多掷开关400之次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d之尺寸相同，且主晶体管3120及主晶体管3220之尺寸相同，因此单刀多掷开关400之次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d彼此之等效电容相同，且主晶体管3120及主晶体管3220彼此之等效电容亦相同，然而主晶体管3120及3220之等效电容可与次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d之等效电容相异。举例来说，若每一次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d的等效电容为C，而主晶体管3120及3220之等效电容可为2C，在第4图中，次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d的总个数皆各为10，而主晶体管3120及3220的总个数皆个为4。由于三个次开关组314b-d各别之等效电容C/10于并联后的总等效电容为3C/10，且选择开关组320之等效电容为次开关组324a-d之等效电容并联后的总等效电容4C/10与主开关组322之等效电容C/2串联之等效电容，亦即2C/9，因此单刀多掷开关400的寄生电容即为次开关组314b-d之总等效电容3C/10与选择开关组320之等效电容2C/9并联后的等效电容，亦即为47C/90。相较于先前技术，当单刀多掷开关100包含更多的选择开关组以供系统八个不同的传输路径时，其寄生电容为7C/14，单刀多掷开关400的寄生电容47C/90约略等于先前技术之单刀多掷开关的寄生电容。但由于主晶体管3120及3220的等效电容及尺寸皆大于次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d的等效电容及尺寸，因此可降低传输路径上晶体管的导通电阻，并可减少主晶体管3120、3220所分配到的跨压，以避免主晶体管3120、3220被高压讯号击穿，亦可避免当射频讯号Srf的变化较为激烈时，会意外导通主晶体管 3120、3220。
[0024]虽然上述实施例中，主晶体管3120及3220之等效电容为次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d之等效电容的两倍，然而本发明并不以此为限，在本发明的其他实施例中，则亦可根据系统的需要调整主晶体管之等效电容的大小，例如若系统需要更进一步降低单刀多掷开关的寄生电容及减少所需的电路面积，则可使主晶体管3120及3220之等效电容为次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d之等效电容的1、1.5倍或其他倍数。
[0025]此外，亦可使单刀多掷开关400之主晶体管3120的总个数与主晶体管3220的总个数相等，及使次晶体管3140a-3140d及3240a-3240d的总个数相等，如此一来，单刀多掷开关400的每一传输路径皆可有相同的优化结果。
[0026]为使单刀多掷开关可提供八个不同之传输路径，第4图之单刀多掷开关400包含两组选择开关组310及320，且两组选择开关组310及320各包含四组次开关组3140a-3140d及3240a-3240d，然而本发明并不以此为限，在本发明的其他实施例中，亦可根据系统需求，使单刀多掷开关可包含其他数量的选择开关组搭配其他数量的次开关组，例如单刀多掷开关可包含四组选择开关组，且每一组选择开关组可各包含两组次开关组，如此一来亦可提供八个不同的传输路径。
[0027]综上所述，本发明之实施例所提供的单刀多掷开关可通过共享主晶体管以减少所需的电路面积、降低其寄生电容以避免传输讯号的强度损耗、避免截止路徑上的晶体管被意外导通或击穿的问题。
本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本发明的范围之内。
【主权项】
1.一种单刀多掷开关，其特征在于，包含: 一共同端，用以传输一射频讯号;及 一第一选择开关组，包含: 一第一主开关组，包含复数个串接的第一主晶体管，耦接于该共同端； 一第一次开关组，耦接于该第一主开关组及一第一传输端，包含复数个串接的第一次晶体管，用以当该些第一主晶体管及该些第一次晶体管被导通时，经由该第一主开关组、该第一次开关组与该第一传输端传输该射频讯号;及 一第二次开关组，耦接于该第一主开关组及一第二传输端，包含复数个串接的第二次晶体管，用以当该些第一主晶体管及该些第二次晶体管被导通时，经由该第一主开关组、该第二次开关组与该第二传输端传输该射频讯号； 其中该些第一次晶体管的总个数及该些第二次晶体管的总个数皆大于该些第一主晶体管的总个数。2.如权利要求1所述的单刀多掷开关，其特征在于，该单刀多掷开关另包含一第二选择开关组，包含: 一第二主开关组，包含复数个串接的第二主晶体管，耦接于该共同端； 一第三次开关组，耦接于该第二主开关组及一第三传输端，包含复数个串接的第三次晶体管，用以当该些第二主晶体管及该些第三次晶体管被导通时，经由该第二主开关组、该第三次开关组与该第三传输端传输该射频讯号;及 一第四次开关组，耦接于该第二主开关组及一第四端，包含复数个串接的第四次晶体管，用以当该些第二主晶体管及该些第四次晶体管被导通时，经由该第二主开关组、该第四次开关组与该第四端传输该射频讯号； 其中该些第三次晶体管的总个数及该些第四次晶体管的总个数皆大于该些第二主晶体管的总个数。3.如权利要求2所述的单刀多掷开关，其特征在于， 该第一选择开关组另包含: 一第五次开关组，耦接于该第一主开关组及一第五传输端，包含复数个串接的第五次晶体管，用以当该些第一主晶体管及该些第五次晶体管被导通时，经由该第一主开关组、该第五次开关组与该第五传输端传输该射频讯号;及 一第六次开关组，耦接于该第一主开关组及一第六端，包含复数个串接的第六次晶体管，用以当该些第一主晶体管及该些第六次晶体管被导通时，经由该第一主开关组、该第六次开关组与该第六端传输该射频讯号；以及该第二选择开关组另包含: 一第七次开关组，耦接于该第二主开关组及一第七传输端，包含复数个串接的第七次晶体管，用以当该些第二主晶体管及该些第七次晶体管被导通时，经由该第二主开关组、该第七次开关组与该第七传输端传输该射频讯号;及 一第八次开关组，耦接于该第二主开关组及一第八端，包含复数个串接的第八次晶体管，用以当该些第二主晶体管及该些第八次晶体管被导通时，经由该第二主开关组、该第八次开关组与该第八端传输该射频讯号； 其中该些第五次晶体管的总个数及该些第六次晶体管的总个数皆大于该些第一主晶体管的总个数，且该些第七次晶体管的总个数及该些第八次晶体管的总个数皆大于该些第二主晶体管的总个数。4.如权利要求3所述的单刀多掷开关，其特征在于，该些第一次晶体管?该些第八次晶体管与该些第一主晶体管?该些第二主晶体管的等效电容相同。5.如权利要求3所述的单刀多掷开关，其特征在于，该些第一次晶体管?该些第八次晶体管的等效电容相同，该些第一主晶体管与该些第二主晶体管的等效电容相同，且该些第一主晶体管?该些第二主晶体管的等效电容大于或小于该些第一次晶体管?该些第八次晶体管的等效电容。6.如权利要求3所述的单刀多掷开关，其特征在于，该些第一次晶体管?该些第八次晶体管与该些第一主晶体管?该些第二主晶体管的尺寸相同。7.如权利要求3所述的单刀多掷开关，其特征在于，该些第一次晶体管?该些第八次晶体管的尺寸相同，该些第一主晶体管?该些第二主晶体管的尺寸相同，且该些第一主晶体管?该些第二主晶体管的尺寸大于或小于该些第一次晶体管?该些第八次晶体管的尺寸。8.如权利要求3所述的单刀多掷开关，其特征在于，该些第一主晶体管?该些第二主晶体管的击穿电压大于该些第一次晶体管?该些第八次晶体管的击穿电压。9.如权利要求3所述的单刀多掷开关，其特征在于，每一次开关组中的该些第一次晶体管?该些第八次晶体管的数量彼此相同，且每一主开关组中的该些第一主晶体管?该些第二主晶体管的数量彼此相同。10.如权利要求1或2或3所述的单刀多掷开关，其特征在于，该共同端系耦接至天线端，用以接收或传送该射频讯号，且每一传输端系分别耦接至对应的无线射频终端，用以对应地传送或接收该射频讯号。
【文档编号】H03K17/94GK105897236SQ201610064829
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年1月29日
【发明人】陈智圣, 许瀞文
【申请人】立积电子股份有限公司