电路基板及其制造方法

电路基板及其制造方法
【专利摘要】一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。
【专利说明】
电路基板及其制造方法
[0001] 本发明是2011年12月16日申请的发明名称为"电路基板及其制造方法"的第 201180062324.2号发明专利申请的分案申请。
[0002] 关联申请
[0003] 本申请要求日本国2010年12月27日申请的日本特愿2010-289854的优先权，以参 考方式将其全体作为本申请的一部分进行引用。
技术领域
[0004] 本发明涉及电路基板及其制造方法，所述电路基板将可形成光学各向异性的熔融 相的热塑性聚合物（以下，有时会将其称为热塑性液晶聚合物，或者简单地略称为液晶聚合 物)用作覆盖薄膜。
【背景技术】
[0005] 个人电脑、服务器、路由器、存储器等信息处理设备、信息车载终端中使用的电路 基板，以及构成电视、摄像机等信息家电的处理器和/或内存等中使用的电路基板，作为功 能电路或者作为将功能模块之间连接的基板，发挥着极其重要的作用。
[0006] 但是，在这样的电路基板中，近年来，因水蒸气等水分而发生的离子迀移成为了问 题。引起离子迀移时，则存在有用作布线的金属在基板上移动而最终将电路基板破坏的可 能。
[0007] 因此，例如在专利文献1(日本特开2003-124580号公报）中，为了赋予水蒸气阻隔 性，公开了一种层叠体，其通过在柔性印刷布线板的电路面上，介由粘着剂层及/或接合剂 层，将由在熔融时显现光学各向异性的热塑性树脂形成的薄膜进行层叠从而形成。
[0008] 另外，在专利文献2(日本特开2007-19338号公报）中公开了一种电子电路基板，其 通过将具有短波长紫外线照射面的液晶聚合物片材相对于在液晶聚合物片材的单面或者 两面形成的电路面，在电路面与照射面接触着的状态下进行热压接而成。
[0009] 在这些层叠体、电子电路基板中，将液晶聚合物片材覆盖于电路面，从而可赋予电 路基板以耐水性。
[0010]现有技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1:日本特开2003-124580号公报 [0013] 专利文献2:日本特开2007-19338号公报

【发明内容】

[0014] 发明要解决的问题
[0015] 但是，在专利文献1的电路基板中，必须使用粘接剂层，因粘接剂层而导致不仅无 法提高电路基板的尺寸稳定性、介电特性，而且还使制造工序变得繁杂化。
[0016] 另外，在专利文献2的电路基板中，由于对由液晶聚合物形成的覆盖薄膜的粘接面 照射紫外线而使薄膜软化，因而容易因热压接而使覆盖薄膜变形，不易以均匀的厚度将基 板上的导体电路覆盖。
[0017] 因此，本发明的目的在于提供一种电路基板及其制造方法，所述电路基板具备由 热塑性液晶聚合物形成的覆盖薄膜，并且覆盖薄膜以大致均匀的厚度并且没有间隙地将导 体电路覆盖。
[0018] 本发明的另一目的在于提供不仅水阻隔性优异而且可有效抑制噪音的产生的电 路基板及其制造方法。
[0019] 本发明的又一目的在于提供可以以低成本制造低损耗并且信号失真少的电路基 板的方法。
[0020] 用于解决问题的方案
[0021] 本发明的发明人们为了实现上述目的进行了深入研究，结果发现了，（1)将液晶聚 合物薄膜用作覆盖薄膜而进行了热熔接的情况下，为了防止电路基板的电特性(例如介电 常数、损耗角正切(dielectric tangent))劣化，不仅需要用覆盖薄膜没有间隙地将构成电 路基板的最外层的基板与导体电路进行充满，而且需要使覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基 板上的凹凸进行覆盖。
[0022] 而且发现了，（2)在以这样的均匀的厚度将熔融流动性高的液晶聚合物薄膜覆盖 之时，以往用作脱模薄膜的超高分子量聚乙烯薄膜的脱模性以及耐热性虽然优异，但是分 子量大，因而在熔融时分子链的移动受限制，从而阻碍对基板上的凹凸的跟随性，（3)另一 方面，由铝箱将高密度聚乙烯薄膜夹持的情况下，分子链容易移动因而显示出跟随性，但是 薄膜的各向异性高，因其各向异性而使得已经设置的导体电路方式变形的可能性高。
[0023]基于这些见解，进一步进行了研究，结果不仅发现了，（4)将超高分子量聚乙烯薄 膜与由铝箱夹持着的2张高密度聚乙烯薄膜组合，进一步使前述高密度聚乙烯薄膜的机械 轴方向（以下简称为MD方向）相互垂直地用作脱模材料，从而在通过热处理将液晶聚合物薄 膜作为覆盖薄膜进行了覆盖的情况下，可以使覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板上的导体 电路覆盖;而且进一步发现了，（5)即使在使用了同样为低摩擦性的聚四氟乙烯薄膜(以下， 存在有略记为PTFE薄膜的情况)来替代低摩擦性的超高分子量聚乙烯薄膜的情况下，也可 实现与超高分子量聚乙烯薄膜同样的作用，从而完成本发明。
[0024] 即，本发明为一种电路基板，至少由基板结构体、以及覆盖薄膜构成，该基板结构 体包含基板和设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路，该覆盖薄膜将前述基板结构体 的最外层之中的至少导体电路侧覆盖，
[0025] 前述覆盖薄膜由一种薄膜形成，该薄膜是由可形成光学各向异性的熔融相的热塑 性聚合物形成的，
[0026] 在前述电路基板的厚度剖面，前述覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆 盖。
[0027] 在前述电路基板的厚度剖面，优选导体电路具有大致长方形形状的剖面（以下略 记为长方形剖面），优选覆盖薄膜将此大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖。
[0028] 例如，在这样的电路基板中，导体电路的长方形剖面具有厚度t，
[0029] 前述长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧 右端部这4点构成，
[0030] 将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为tl、将根据覆盖薄膜侧右 端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度 设为t3的情况下，
[0031] 覆盖薄膜的厚度偏差(单位：％)也可满足下述式(1)。
[0032] [Max(tl-t3)-Min(tl-t3)]/t<30 (1)
[0033] (式中，Max(tl-t3)是覆盖薄膜的厚度tl~t3之中的最大值，Min(tl-t3)是覆盖薄 膜的厚度tl~t3之中的最小值，t是导体电路的厚度。）
[0034] 另外，导体电路也可由差动信号线构成，在此情况下，在电路基板的厚度剖面来观 察的情况下，优选覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖。
[0035] 例如，在此情况下，导体电路由第1差动信号线以及第2差动信号线构成，
[0036] 前述2根差动信号线在各自的信号线的长方形剖面分别具有厚度ta、tb，并且前述 差动信号线的长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧 右端部这4点构成，
[0037] 在第1差动信号线中，将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为tl、 将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定 出的覆盖薄膜的厚度设为t3，
[0038] 在第2差动信号线中，将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t4、 将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t5、将根据覆盖薄膜侧中央部测定 出的覆盖薄膜的厚度设为t6，
[0039] 将根据第1以及第2差动信号线间的中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t7的情 况下，
[0040] 覆盖薄膜的厚度偏差(单位：％ )也可满足下述式(2)。
[0041] [Max(tl-t7)-Min(tl-t7)]/t<30 (2)
[0042] (式中，Max(tl-t7)是覆盖薄膜的厚度tl~t7之中的最大值，Min(tl-t7)是覆盖薄 膜的厚度tl~t7之中的最小值，t是信号线的厚度t4Pt b的平均值。）
[0043] 优选为，前述覆盖薄膜的热膨胀系数叱相对于构成导体电路的导体的热膨胀系数 αΜ可以为-2至+3(X1(T6/°C)的范围内。另外，构成基板的绝缘体材料也可由可形成光学各 向异性的熔融相的热塑性聚合物形成。进一步，优选构成基板的绝缘体材料与覆盖薄膜的 介电常数之差为±5%以内。
[0044] 另外，本发明也包含这样的电路基板的制造方法，前述制造方法具备有如下工序：
[0045] 准备基板结构体的基板结构体准备工序，该基板结构体在基板的至少一个面形成 有导体电路；
[0046]用覆盖薄膜将前述基板结构体的最外层的导体电路覆盖的覆盖工序，
[0047]在前述覆盖工序中，覆盖薄膜由一种薄膜形成，所述薄膜是由可形成光学各向异 性的熔融相的热塑性聚合物形成的，
[0048]前述覆盖薄膜通过热处理而熔接于基板结构体，
[0049]前述热处理通过至少在覆盖薄膜与热处理机构之间介由脱模材料而进行，
[0050]所述脱模材料是通过从覆盖薄膜朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并 层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜、第1 铝箱、第1高密度聚乙烯薄膜、第2高密度聚乙烯薄膜、以及第2铝箱，
[0051 ]前述第1高密度聚乙烯薄膜以及第2高密度聚乙烯薄膜以MD方向相互垂直的状态 层叠。
[0052]例如，前述高密度聚乙烯薄膜的粘均分子量可以为2万~50万左右，超高分子量聚 乙烯薄膜的粘均分子量可以为100万以上。另外，PTFE薄膜在380°C下的表观熔融粘度可以 为 101Qpoise 以上。
[0053] 另外优选的是，形成覆盖薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜的厚度tc大于导体电路的 厚度t。
[0054] 导体电路由第1差动信号线以及第2差动信号线构成的电路基板的制造方法中，在 前述覆盖工序前后，第1差动信号线以及第2差动信号线间的距离G的变化率优选为5%以 内。
[0055] 进一步，本发明也包含前述脱模材料，脱模材料至少由如下材料构成：
[0056]从超高分子量聚乙烯薄膜以及PTFE薄膜中选出的低摩擦性薄膜、
[0057]配设于前述低摩擦性薄膜之上的第1铝箱、
[0058]配设于前述第1铝箱之上的第1高密度聚乙烯薄膜、
[0059]配设于前述第1高密度聚乙烯薄膜之上的第2高密度聚乙烯薄膜、以及 [0060]配设于前述第2高密度聚乙烯薄膜之上的第2铝箱，
[00611前述第1高密度聚乙烯薄膜以及第2高密度聚乙烯薄膜以MD方向相互垂直的状态 层叠。
[0062]此外，在本发明中，大致长方形形状是指，全部的角由基本90° (即，88~92°，优选 为89~91°的范围内）构成的四边形、以及作为全体而带有圆形的长方形和/或角部带有圆 形的长方形等。
[0063]另外，权利要求书及/或说明书及/或附图中公开的至少2个构成要素的任何组合 都包含于本发明。特别是，权利要求书中记载的权利要求中的2个以上的任何组合也包含于 本发明。
[0064]发明的效果
[0065] 在本发明中，可通过使用液晶聚合物薄膜而以大致均匀的厚度将基板结构体覆 盖，因而可获得不仅耐热性、水蒸气阻隔性、耐化学品性以及电特性优异而且可靠性高的电 路基板。
[0066] 另外，可将导体电路左右基本均等地覆盖的情况下，良好地维持电特性(介电常 数、介质损耗角正切），从而可减少噪音的产生。
[0067] 另外，导体电路由差动信号线构成的情况下，可以以低成本实现低损耗并且噪音 少的电路基板，可兼顾良好的高速信号特性和低成本。
[0068] 特别是，可以以充分的密接性将导体电路以及基板以左右基本均等的方式覆盖的 情况下，即使信号的频率数为lGiga bps程度以上，也可以以低成本实现低损耗并且噪音少 的电路基板。
[0069] 另外，本发明的电路基板的制造方法中，通过利用特定的脱模材料，从而可通过热 处理简便地制造具有上述的优异特性的电路基板。
【附图说明】
[0070] 本发明根据以所添付的附图为参考的以下的优选实施方式的说明，可得到更清楚 的理解。但是，实施方式和附图仅仅用于图示及说明，不应当用于确定本发明的范围。本发 明的范围根据权利要求书而确定。附图并不一定以规定的比例尺表示，而是在表示本发明 的原理的基础上进行了夸张。另外，在所附附图中，多个附图中的相同的部件序号表示相同 部分。
[0071] 图1是用于说明在本发明的一个实施方式的电路基板的制造方法中使用了脱模材 料的覆盖工序的一个例子的大致剖视图。
[0072] 图2所示为本发明的一个实施方式的电路基板的大致剖视图。
[0073] 图3所示为本发明的另一实施方式的电路基板的大致剖视图。
[0074] 图4是用于说明比较例1~3中所使用的脱模材料的构成的大致剖视图。
[0075] 图5是用于说明比较例4中所使用的脱模材料的构成的大致剖视图。
【具体实施方式】
[0076] 本发明的电路基板至少由基板结构体、以及覆盖薄膜构成，该基板结构体包含基 板和设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路，该覆盖薄膜将前述基板结构体的最外层 之中的至少导体电路侧覆盖，前述覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖。
[0077](覆盖薄膜）
[0078] 覆盖薄膜由热塑性液晶聚合物薄膜形成。
[0079] 热塑性液晶聚合物薄膜由可熔融成型的液晶性聚合物形成，该热塑性液晶聚合物 如果是可熔融成型的液晶性聚合物，则其化学的构成没有特别限定，例如可列举出热塑性 液晶聚酯、或向其中导入酰胺键而得到的热塑性液晶聚酯酰胺等。
[0080] 另外，热塑性液晶聚合物也可以为：向芳香族聚酯或者芳香族聚酯酰胺中进一步 导入酰亚胺键、碳酸酯键、碳二亚胺键和/或异氰脲酸酯键等源自异氰酸酯的键等而得到的 聚合物。
[0081] 作为本发明中使用的热塑性液晶聚合物的具体例子，可列举出由以下例示出的分 类为（1)至(4)的化合物及其衍生物导出的公知的热塑性液晶聚酯以及热塑性液晶聚酯酰 胺。但是自不用言，为了形成可形成光学各向异性的熔融相的聚合物，在各种原料化合物的 组合方面存在有适当的范围。
[0082] (1)芳香族或者脂肪族二羟基化合物(代表例参照表1)
[0083] 表 1
[0084]
[0085] (2)芳香族或者脂肪族二羧酸(代表例参照表2)
[0086] 表 2
[0087]
[0088] (3)芳杳族羟基羧酸（代表例参照表3)
[0089] 表3
[0090]
[0093]
[0091 ] (4)芳香族二胺、芳香族羟胺或者芳香族氨基羧酸(代表例参照表4)[0092] 表 4
[0094] 忭刀田达竺保科化甘籾犾侍的淞瞄莱甘籾的代衣例，口」列平出共仴衣所不的 结构单元的共聚物。
[0095] 表 5
[0096]
[0097] 表 6
[0098]
[0099] 这些共聚物之中，优选为至少包含对羟基苯甲酸及/或6-羟基-2-萘甲酸作为重复 单元的聚合物，特别是优选：（i)包含对羟基苯甲酸与6-羟基-2-萘甲酸的重复单元的聚合 物、（ii)包含由对羟基苯甲酸以及6-羟基-2-萘甲酸组成的组中选出的至少一种芳香族羟 基羧酸、由4，4 二羟基联苯以及氢醌组成的组中选出的至少一种芳香族二醇、由对苯二甲 酸、间苯二甲酸以及2，6-萘二羧酸组成的组中选出的至少一种芳香族二羧酸的重复单元的 聚合物。
[0100] 例如，在（i)的聚合物中，热塑性液晶聚合物至少包含对羟基苯甲酸与6-羟基-2-萘甲酸的重复单元的情况下，在液晶聚合物中重复单元(A)的对羟基苯甲酸与重复单元(B) 的6-羟基-2-萘甲酸的摩尔比(A)/(B)优选为(A)/(B) = 10/90~90/10左右，也可更优选为 (A)/(B) =50/50~85/15左右，也可进一步优选为(A)/(B) =60/40~80/20左右。
[0101] 另外，（ii)的聚合物的情况下，由对羟基苯甲酸以及6-羟基-2-萘甲酸组成的组中 选出的至少一种芳香族羟基羧酸(C)、由4,4'_二羟基联苯以及氢醌组成的组中选出的至少 一种芳香族二醇(D )、由对苯二甲酸、间苯二甲酸以及2，6-萘二羧酸组成的组中选出的至少 一种芳香族二羧酸(E)在液晶聚合物中的各重复单元的摩尔比可以为芳香族羟基羧酸(C): 前述芳香族二醇(D):前述芳香族二羧酸(E) = 30~80:35~10: 35~10左右，也可更优选为 (〇:(0):化）=35~75:32.5~12.5:32.5~12.5左右，也可进一步优选为(〇:(0):"）=40 ~70:30~15:30~15左右。
[0102] 另外，源自芳香族二羧酸的重复结构单元与源自芳香族二醇的重复结构单元的摩 尔比优选为(D)/(E) =95/100~100/95。偏离该范围时，则存在有聚合度无法提高并且机械 强度降低的倾向。
[0103] 此外，关于本发明中所言的在熔融时的光学各向异性，例如可通过将试样放置于 热载物台，在氮气气氛下升温加热，对试样的透射光进行观察从而认定。
[0104] 在前述热塑性液晶聚合物中，也可在不损害本发明的效果的范围内，添加聚对苯 二甲酸乙二醇酯、改性聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚烯烃、聚碳酸酯、聚芳酯(polyarylate)、 聚酰胺、聚苯硫醚、聚酯醚酮、氟树脂等热塑性聚合物。
[0105] 对这样的热塑性液晶聚合物进行挤出成型，从而可获得由热塑性液晶聚合物形成 的薄膜。为了实现该目的，可使用任意的挤出成型法，但是周知的T型模法、吹塑法等是工业 上有利的。特别是在吹塑法中，不仅对薄膜的机械轴方向（以下简称为MD方向），而且对与此 垂直的方向（以下简称为TD方向）也施加应力，因而可获得取得了在MD方向与TD方向之间的 机械性质以及热性质的平衡的薄膜，因此可更加优选使用。
[0106] 由热塑性液晶聚合物形成的薄膜的熔点（以下有时称为Mp)也可以为200~400°C 的范围，优选为250~360°C的范围，进一步优选为Mp为260~350°C。又，Mp通过利用差示扫 描热量计（（株)岛津制作所DSC)测定显现主吸热峰的温度从而求出。
[0107] 此外，通过热压接进行覆盖薄膜与基板结构体的接合的情况下，热塑性液晶聚合 物薄膜的熔点Mp相对于构成基板的材料的熔点，可以为相同程度的温度(例如，Mp与构成基 板的材料的熔点之差为_5°C~+5°C的范围内），也可以设置一定的差，哪一种皆可。设置有 差的情况下，将由热塑性液晶聚合物形成的覆盖薄膜与基板进行热压接时，可设定为热塑 性液晶聚合物薄膜的熔点(Mp)比构成基板的材料的熔点低15°C以上，也可特别设定为低25 °C以上。
[0108] 此外，作为由热塑性液晶聚合物形成的薄膜，在需要更高的耐热性、熔点的情况 下，可通过将暂时获得的薄膜进行加热处理，从而提高耐热性、熔点。如下说明加热处理的 条件的一个例子，在暂时获得的薄膜的熔点为283°C的情况下，如果在260°C加热5小时，则 也使熔点为320°C。
[0109] 另外，根据本发明的应用领域，成为必需的热塑性液晶聚合物薄膜的分子取向度 S0R理所当然是不同的，但是在S0R为1.5左右的情况下热塑性液晶聚合物分子的取向的偏 倚显著，因而薄膜变硬，且容易在MD方向分裂。在需要在加热时没有翘曲等形态稳定性的印 刷布线板和/或多层印刷布线板等的情况下，优选S0R为1.3以下。特别是，S0R为1.3以下的 热塑性液晶聚合物薄膜在MD方向与TD方向之间的机械性质以及热性质的平衡良好，因而更 加实用性高。另外，在需要基本上消除加热时的翘曲的精密印刷布线板和/或多层印刷布线 板等的情况下，优选S0R为1.03以下。
[0110] 此处，分子取向度S0R(Segment Orientation Ratio)是表示分子取向的程度的指 标，与以往的M0R(Molecular Orientation Ratio)不同，是考虑了物体的厚度的值。该分子 取向度S0R表示通过后述的实施例中记载的方法而测定得到的值。
[0111] 在本发明中，用作覆盖薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜的热膨胀系数可根据电路基 板的种类来适当设定，但是例如，热塑性液晶聚合物薄膜的热膨胀系数α。相对于构成导体 电路的导体的热膨胀系数〇Μ可以为_2至+3(X1(T 6/°C)的范围内，也可更优选为-1至+2(Χ 1(T6/°C)的范围内。
[0112] 又，热塑性液晶聚合物薄膜的热膨胀系数α。可通过热处理而设为规定的值。该热 处理可在将形成有导体电路的基板与覆盖薄膜接合之前进行，也可在与基板接合之后进 行。热处理的机构没有特别限制，可例示出热风循环炉、热辊、陶瓷加热器、热压机等。
[0113]形成覆盖薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜的厚度(tc)可根据导体电路的厚度(t)来 适当设定，没有特别限定，但是从将基板结构体的全体均匀地覆盖的观点考虑，优选为七< tc，更优选为t X 1. K tc，进一步优选为t XI.5<tc。另外，从提尚电路基板的弯曲性的观 点考虑，优选为tc<tX4。
[0114] (基板结构体）
[0115] 基板结构体包含基板和设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路即可，导体电 路可形成于基板的单面，也可形成于两面。另外，基板结构体也可包含多个基板。具体而言， 作为基板结构体，可例示出印刷布线板、柔性印刷布线板、多层印刷布线板等。
[0116]特别是，基板结构体优选具有差动信号线作为导体电路。差动信号是指，使用2根 信号线将一个信号传输的方式，根据差动信号线间的电压为正(+ )或者负(_)中的哪一个从 而进行"H"水平和"L"水平的识别。在该方式中，由于利用2根信号线间的电压差，因而即使 噪音混入这些线中也可消除，与单端信号相比噪音强。因此，可实现数据的高速传输。例如， 这样的差动信号线可用于PCI Express总线和/或USB等高速接口。
[0117] 基板结构体通过基板结构体准备工序而准备即可，所述基板结构体准备工序是准 备在基板的至少一个面形成有导体电路的基板结构体的工序，基板结构体准备工序也可包 括:准备基板的基板准备工序、在前述基板的至少一个面形成导体电路的电路形成工序。
[0118] 基板可以为:在其至少一侧的表面具有导体电路的单层基板、将多张该单层基板 层叠而得到的多层基板中的任一个。构成基板的绝缘体材料没有特别限制，可例示出环氧 类、双马来酰亚胺类、聚酰亚胺类、包含热塑性液晶聚合物的聚酯类以及聚酯酰胺类的材 料。
[0119] 它们之中，构成基板的绝缘体材料优选包含电特性、低吸水性、耐热性、尺寸稳定 性等优异的热塑性液晶聚合物。构成基板的热塑性液晶聚合物与覆盖的热塑性液晶聚合物 没有特别限制，但是从获得良好的粘接性的观点考虑，形成基板的热塑性液晶聚合物优选 具有与形成覆盖薄膜的热塑性液晶聚合物相同的化学组成。
[0120] 作为基板，使用热塑性液晶聚合物薄膜的情况下，分别构成覆盖薄膜和基板的热 塑性液晶聚合物薄膜的介电常数之差为5%以内，优选为2%以内。
[0121]此处，关于介电常数之差，将覆盖薄膜的介电常数设为Pc、将基板的介电常数设为 PB时，由以百分率表示| PB-Pc | /PB而得到的百分数来表示。
[0122]特别是，在导体电路为差动电路的情况下，由于差动信号线间所形成的电场集中 于差动布线间，因而处于该差动布线间的电介质大大有助于差动信号的介电损耗。因此，如 果在基板与覆盖的液晶聚合物薄膜之间介电常数之差小，则不易在上下发生电场的不平 衡，可防止信号的失真而减小传输损耗。
[0123] 导体电路（或者导电体）形成于基板的至少一个面，构成出规定的图案的信号线 路。这样的导体的形成通过公知或惯用的方法而进行，也可使用溅射法、镀敷法等。另外，例 如，也可通过热压接等公知或惯用的方法将导体片材贴附于前述热塑性液晶聚合物薄膜， 然后经过感光性抗蚀处理、曝光、蚀刻加工，从而将规定的图案的信号线路形成于热塑性液 晶聚合物薄膜的一个面。
[0124] 此外，作为导体，优选在电连接中使用的金属，在铜之外还可列举出金、银、镍、铝 等。铜箱可使用通过乳制法、电解法等而制造的任一种铜箱，但是优选表面粗糙度大的通过 电解法而制造的铜箱。也可对金属箱实施通常对铜箱实施的酸洗等化学处理。这些金属之 中，优选使用铜。
[0125] 由覆盖薄膜覆盖的导体(或者导电体)的厚度可根据电路基板的种类、在电路基板 内部中的作用来适当设定，但是例如也可为1~150μηι的范围内，优选为5~100μπι的范围内， 更优选为10~80μηι的范围内。
[0126] 本发明的电路基板可通过用覆盖薄膜将基板结构体之中的至少导体电路侧覆盖 的覆盖工序而获得。在覆盖工序中，前述覆盖薄膜通过热处理而熔接于基板结构体，该热处 理通过至少在覆盖薄膜与热处理机构之间介由脱模材料而进行。
[0127] 图1是用于说明使用了脱模材料的覆盖工序的一个例子的大致剖视图。在电路基 板10的厚度剖面，基板结构体11由基板12和配设在其上面的多个导体13、13构成。在图1所 示的覆盖工序中，在该基板结构体11的导体13侧叠合用作覆盖薄膜的液晶聚合物薄膜14， 通过热压机等热处理机构介由脱模材料15、15将叠合了的基板结构体11和液晶聚合物薄膜 14加热，形成电路基板10。
[0128] 关于脱模材料15,至少从电路基板10朝向旁边依序地由：作为低摩擦性薄膜的超 高分子量聚乙烯薄膜16、第1铝箱17、第1高密度聚乙烯薄膜18a、第2高密度聚乙烯薄膜18b、 以及第2铝箱19构成。此处，第1高密度聚乙烯薄膜18a以及第2高密度聚乙烯薄膜18b以MD方 向相互为垂直的状态层叠。又，作为低摩擦性薄膜，也可使用PTFE薄膜来替代超高分子量聚 乙烯薄膜。
[0129] 在图1中，在用液晶聚合物薄膜14将配设于基板12的一个面的导体电路13、13覆盖 之时，使用脱模材料15、15在电路基板10的两面进行了覆盖工序。其中，可根据加热机构而 适当使用脱模材料，例如，在图1的构成中，可仅在液晶聚合物薄膜14侧使用脱模材料15而 进行覆盖工序。另外，虽然未图示，但是也可在基板12的两面形成导体电路13,也可适当基 于本领域技术人员的技术常识而进行变形。
[0130] 作为构成脱模材料的低摩擦性薄膜，列举出具有由JIS K 7125定义的静摩擦系数 为0.30以下(优选为0.05~0.25左右）的低摩擦系数的薄膜，具体可例示出超高分子量聚乙 烯薄膜、PTFE薄膜等。
[0131]例如，超高分子量聚乙烯薄膜的静摩擦系数可以为0.10~0.25左右，其粘均分子 量例如可以为100万以上，可以优选为200万~700万左右，可以更加优选为300万~600万左 右。又，粘均分子量的计算中使用的特性粘度数的测定方法可依照JIS K7367-3:1999而测 定。
[0132]另外，PTFE薄膜的静摩擦系数为0.08~0.12左右，其熔融粘度在380°C可以为 101Qpoise以上，也可优选为101Q~10npoise的范围内。
[0133] 另外，构成脱模材料的高密度聚乙烯薄膜的粘均分子量例如可以为2万~50万，也 可优选为5万~30万左右，也可更加优选为10万~20万左右。另外，高密度聚乙烯薄膜也可 由恪体流动指数来替代粘均分子量进行评价，高密度聚乙稀薄膜的恪体流动指数也可例如 为0.03~0.08左右，也可优选为0.04~0.06左右。熔体流动指数的测定方法可依照JIS K7210而测定。
[0134] 通过使用这样的脱模材料进行热处理，可使覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结 构体覆盖。进一步，也可不使预先形成于基板结构体的导体电路结构变形，由覆盖薄膜将基 板结构体覆盖。
[0135] 另外，也可将覆盖薄膜以不产生间隙的方式覆盖于基板结构体，覆盖薄膜与基板 结构体之间的粘接强度例如可以为〇. 4~3 . OkN/m左右，也可优选为0.5~2.5kN/m左右，也 可更优选为0.6~1.5kN/m左右。此处，粘接强度是通过后述的实施例中记载的方法测定的 值。
[0136] 图2所示为本发明的一个实施方式的电路基板20的大致剖视图。关于电路基板20， 在其厚度剖面具备有：由基板22和配设在其上的导体电路23构成的基板结构体21、以及将 基板结构体21的导体电路23侧覆盖的覆盖薄膜24。导体电路23具有大致长方形状的剖面， 覆盖薄膜24将导体电路23的大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖。又，虽然没有图示，但 是电路基板20也可根据需要配设接地面(ground plane)。
[0137] 此处，将电路基板的大致剖视图示于图2,所述大致剖视图说明了覆盖薄膜24将导 体电路23的大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖的状态。如图2所示那样，导体电路23的 长方形剖面具有厚度t，前述长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端 部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成。而且，根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度 为tl、根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度为t2、根据覆盖薄膜侧中央部测定 出的覆盖薄膜的厚度为t3。又，各厚度tl~t3通过实施例中详述的方法测定。
[0138] 覆盖薄膜24将导体电路23的大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖的情况下，例 如，覆盖薄膜24的厚度偏差(单位：％ )可以为不足30 %，即，充分满足下述式（1)。
[0139] [厚度偏差]= [Max(tl-t3)-Min(tl_t3)]/t<30 (1)
[0140] (式中，Max(tl-t3)是覆盖薄膜的厚度tl~t3之中的最大值，Min(tl-t3)是覆盖薄 膜的厚度tl~t3之中的最小值，t是导体电路的厚度。）
[0141] 图3所示为本发明的另一实施方式的电路基板30的大致剖视图。电路基板30具备 有由基板32和配设在其上的导体电路33构成的基板结构体31、以及将基板结构体31的导体 电路33侧覆盖的覆盖薄膜34。导体电路33是由第1差动信号线33a和第2差动信号线33b构成 的差动布线电路，在电路基板30的厚度剖面，覆盖薄膜34以大致均匀的厚度将基板结构体 31覆盖。
[0142] 另外，如图3所示那样，2根差动信号线33a、33b在各自的信号线的长方形剖面均具 有厚度t。又，2根差动信号线33a、33b的厚度不同的情况下，也可将各自的厚度tJPtb的平均 值用作厚度t。另外，各自的长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端 部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成。
[0143] 在此情况下，在第1差动信号线中，根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚 度为tl、根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度为t2、根据覆盖薄膜侧中央部测 定出的覆盖薄膜的厚度为t3。
[0144] 另外，在第2差动信号线中，根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度为 t4、根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度为t5、根据覆盖薄膜侧中央部测定出 的覆盖薄膜的厚度为t6。
[0145] 进一步，根据第1以及第2差动信号线间的中央部测定出的覆盖薄膜的厚度为t7。 另外，表示第1差动信号线33a以及第2差动信号线33b之间的距离由G表示。此外，各厚度tl ~t7以及差动信号线间距G通过实施例中详述的方法测定。
[0146] 覆盖薄膜34将基板结构体31的大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖的情况下， 例如，覆盖薄膜34的厚度偏差(单位：％)可以为不足30%，即，充分满足下述式(2)。
[0147] [厚度偏差]= [Max(U-t7)-Min(tl_t7)]/t<30 (2)
[0148] (式中，Max(tl_t7)是覆盖薄膜的厚度tl~t7之中的最大值，Min(tl_t7)是覆盖薄 膜的厚度tl~t7之中的最小值，t是导体电路的厚度。）
[0149] 进一步，在覆盖工序前后，关于差动信号线间距G，从维持已经设置于基板结构体 的导体电路的图案设计的观点考虑，其变化率优选为5%以内，更优选为3%以内，特别优选 为2%以内。
[0150]此外，关于差动信号线间距G的变化率，将覆盖前的距离设为Ga、将覆盖后的距离 设为Gb时，则由以百分率表示| Gb-Ga | /Ga而得到的百分数来表示。
[0151]本发明的电路基板中，由于将热塑性液晶聚合物薄膜用作覆盖薄膜，因而可使低 吸湿性、耐热性、耐化学品性优异，并且可使覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆 盖。因此，可获得可靠性高的布线板。
[0152]特别是，在本发明的电路基板中，即使在所传输的信号进行高频率数化?高速化， 覆盖薄膜也在大致左右均等且抑制导体电路的变形的状态下将基板结构体覆盖，因此不仅 不易受到噪音的影响，可抑制传输特性(EMI特性）的降低，而且可不使图案设计出的阻抗 (impedance)发生变化，可谋求与基板的连接部分的阻抗匹配。
[0153] 特别是，由于被由热塑性液晶聚合物形成的覆盖薄膜覆盖，因而即使将电路基板 放置于高温、高湿下，也可抑制电路基板的传输损耗变大。
[0154] 实施例
[0155] 以下，通过实施例来更详细说明本发明，但是本发明不受本实施例的任何限定。此 外，在以下的实施例和比较例中，通过下述的方法而测定出各种物性。
[0156][恪点]
[0157] 使用差示扫描热量计，观察薄膜的热行为而获得。即，以20°C/分钟的速度将供试 薄膜升温而完全熔融，然后将在以20°C/分钟的速度升温时显现的吸热峰的位置记录作为 薄膜的熔点。
[0158] [膜厚]
[0159]关于膜厚，使用数字厚度计(Mitutoyo Corporation制），将所得到的薄膜在TD方 向以lcm间隔进行测定，将从中心部以及端部中任意选择出的10点的平均值设为膜厚。
[0160] [粘接强度]
[0161] 由基板结构体与覆盖薄膜的层叠体制作1.0cm宽度的剥离用试验片，用两面粘接 胶带将覆盖薄膜固定于平板，按照JIS C 5016通过90°法，测定出以50mm/分钟的速度将基 板结构体剥离时的强度(kN/m)。
[0162] [传输损耗·阻抗]
[0163] 使用微波网络分析仪（Agilent Technology公司制"8722ES"），利用Cascade Microtech制探针(ACP40-250)以0~40GHz测定出传输损耗和阻抗。此外，关于传输损耗，通 过将电路基板在温度23°C、湿度60%RH环境下放置96小时之后立即进行了测定，并且在温 度60°C、湿度90%RH环境下放置96小时之后立即进行了测定。
[0164] [厚度偏差与差动信号线间的距离G]
[0165] 使用基恩士(KEYENCE)制形状测定显微镜(VK-810)，以测定倍率（X 1000倍），如以 下那样地测定电路基板中的覆盖薄膜的厚度(tl~t7)、导体电路的厚度(t)，算出了覆盖薄 膜的厚度偏差。另外，也测定出差动信号线间的距离G。
[0166] 利用图3说明测定电路基板的厚度方向的方法。电路基板30具备有基板32、配设于 基板32之上的包含2根差动信号线的导体电路33、配设在其上的覆盖薄膜34。2根差动信号 线33a、33b在各自的信号线的长方形剖面，均具有厚度t，并且前述差动信号线的长方形剖 面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成。
[0167] 此处，关于覆盖薄膜的厚度(tl~t7)，在第1差动信号线中，在从覆盖薄膜侧左端 部朝向覆盖薄膜的左偏上45°的方向上测定出的覆盖薄膜的厚度为由tl表示，在从覆盖薄 膜侧右端部朝向覆盖薄膜的右偏上45°的方向上测定出的覆盖薄膜的厚度为由t2表示，从 覆盖薄膜侧中央部垂直向上地测定出的覆盖薄膜的厚度由t3表示。
[0168] 另外，在第2差动信号线中，在从覆盖薄膜侧左端部朝向覆盖薄膜的左偏上45°的 方向上测定出的覆盖薄膜的厚度由t4表示，在从覆盖薄膜侧右端部朝向覆盖薄膜的右偏上 45°的方向上测定出的覆盖薄膜的厚度由t5表示，从覆盖薄膜侧中央部垂直向上地测定出 的覆盖薄膜的厚度由t6表示。
[0169] 而且，从第1以及第2差动信号线间的中央部垂直向上地测定出的覆盖薄膜的厚度 由t7表示。此外，此处第1以及第2差动信号线的宽度分别由W1和W2表示，第1以及第2差动信 号线间的距离由G表示。
[0170]使用这样测定出的电路基板中的覆盖薄膜的厚度(tl~ti)以及导体电路的厚度 (t)由下述式(3)而算出厚度偏差。
[0171] [厚度偏差]= [Max(tl-ti)-Min(tl_ti)]/t (3)
[0172] (式中，Max(tl-ti)是覆盖薄膜的厚度tl~ti之中的最大值，Min(tl-ti)是覆盖薄 膜的厚度tl~ti之中的最小值，i为1~7的整数。另外，t是导体电路的厚度。）
[0173] 关于厚度偏差，5 %以下评价为◎，超过5 %且不足30 %评价为〇，30 %以上评价为 X 〇
[0174] [介电特性]
[0175] 介电常数测定通过以频率数10GHz利用谐振腔微扰法(空洞共振器摂動法)使用电 介质材料计量装置(关东电子应用开发(株)制)而实施。在基于微扰法的介电常数测定方法 中，将微量的材料(宽度:2.7mm X长度:45mm)插入谐振腔，在温度20°C、湿度65 %RH环境下， 根据96小时的插入前后的共振频率数的变化而测定出材料的介电常数。
[0176][薄膜的热膨胀系数]
[0177]热膨胀系数是通过将以规定升温速度从室温加热至薄膜的热变形温度附近时的 膨胀率除以温度差而得到的系数，如以下那样算出。
[0178] 首先，使用周知的热机械分析装置，将切断成短条状的薄膜的一端进行固定，对另 一端赋予拉伸的载荷，计量以规定升温速度加热时的膨胀量。将薄膜在拉伸的载荷方向的 长度设为Lo(mm)，将加热时的薄膜的长度设为LKmm)，将温度设为T 2(°C )，将室温设为h (°C)时，则可由以下的式子算出线膨胀系数α。
[0179] α = [ (Li-Lo)/(T2-Ti) ]/Lo( X 10_6〇C )
[0180] 此外，在本发明中采用了L〇 = 20mm、T2 = 150^ = 251:、拉伸载荷为lg。
[0181] [分子取向度(S0R)]
[0182] 微波分子取向度测定仪中，将液晶聚合物薄膜按照使薄膜面垂直于微波的行进方 向的方式，插入于微波共振波导管中，测定将该薄膜透射后的微波的电场强度(微波透射强 度)。
[0183] 然后，基于该测定值，通过下式算出m值(称为折射率）。
[0184] m = (Ζο/Δζ)Χ[ l-vmax/v0]
[0185] 其中，Zo是装置常数，Λζ是物体的平均厚度，vmax是使微波的振动频率(振动数） 变化时可产生最大的微波透射强度的振动频率，VO是在平均厚度为零之时（即，没有物体 时)可产生最大微波透射强度的振动频率。
[0186] 接着，将物体相对于微波的振动方向的旋转角为0°之时的m值设为mo，即，将微波 的振动方向与、物体的分子最好地取向着的方向亦即产生最小微波透射强度的方向成为一 致之时的m值设为mo,将旋转角为90°时的m值设为ιμο,从而通过rno/nwo而算出分子取向度 S0R〇
[0187] (参考例1)
[0188] 将对羟基苯甲酸和6-羟基-2-萘甲酸的共聚物(摩尔比：73/27)熔融挤出，通过吹 塑成型法而获得了熔点为280°C、膜厚25ym、S0Rl. 05、介电常数3.0的热塑性液晶聚合物薄 膜(A)。
[0189] (参考例2)
[0190] 将对羟基苯甲酸和6-羟基-2-萘甲酸的共聚物(摩尔比：73/27)熔融挤出，通过吹 塑成型法而获得了熔点为280°C、膜厚50ym、S0R1.05的薄膜。在260°C将该薄膜加热7小时， 从而获得了熔点为335 °C、膜厚为50μπι、分子取向度S0R为1.05、介电常数3.0的热塑性液晶 聚合物薄膜(Β)。
[0191] (参考例3)
[0192] 将厚度18μπι的电解铜箱叠合于热塑性液晶聚合物薄膜(Β)的单面，使用真空热压 装置，在温度为330Γ、压力为30Kg/cm 2的条件下加热压接，从而制作出由热塑性液晶聚合 物薄膜和铜箱形成的层叠体。
[0193] 其后，将抗蚀膜覆盖于铜箱上，接着，将氯化铜水溶液作为蚀刻液，将没有覆盖形 成前述抗蚀膜的区域的铜箱进行溶解去除，从而制作出在热塑性液晶聚合物薄膜上具有差 动信号布线图案的基板。如图3那样，关于差动信号布线图案，按照差动阻抗为100 Ω的方 式，制作出图3中的W1以及W2的宽度为100μπι、差动信号线间的距离G为80μπι、信号线的长方 向的长度 :l〇〇mm的电路。
[0194] (参考例4)
[0195] 膜厚为50μπι，除此以外，与参考例1同样地操作，制作出熔点为280°C、分子取向度 S0R为1.05、介电常数3.0的热塑性液晶聚合物薄膜(C)。
[0196] (实施例1)
[0197] 采用由参考例3制作的基板的布线图案的配置，并且采用由参考例1制作的热塑性 液晶聚合物覆盖薄膜(A)，使用真空热压装置，利用图1所示的构成（1)的脱模材料，在温度 为290°C、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0198] 此外，关于图1所示的脱模材料，由作为低摩擦性薄膜的超高分子量聚乙烯薄膜16 (作新工业株式会社制，"NEW LIGHT NL-W"，厚度50μπι、粘均分子量500万、静摩擦系数 〇· 14)、配设于前述超高分子量聚乙稀薄膜16之上的第1错箱17(Sumikei Aluminum Foil Co.，Ltd制，"IN50"，厚度50μπι)、配设于前述第1铝箱17之上的第1高密度聚乙烯薄膜18a(大 仓工业株式会社制，"HD薄膜"，厚度50μπι、熔体流动指数0.05)、配设于前述第1高密度聚乙 烯薄膜18a之上的第2高密度聚乙烯薄膜18b、以及配设于前述第2高密度聚乙烯薄膜18b之 上的第2错箱19(Sumikei Aluminum Foil &3.，1^(1制，"預50"，厚度5(^111)构成，按照从电路 基板朝向热处理机构、从超高分子量聚乙烯薄膜16向第2铝箱19的顺序而配设。此外，第1高 密度聚乙烯薄膜以及第2高密度聚乙烯薄膜是相同种类的薄膜，以相互的MD方向为垂直的 状态层叠。
[0199] (实施例2)
[0200] 采用由参考例3制作的基板的布线图案的配置，并且采用由参考例4制作的热塑性 液晶聚合物覆盖薄膜(C)，使用真空热压装置，按照图1所示的脱模材料的构成，在温度为 290°C、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0201] (实施例3)
[0202] 在图1所示的构成（1)的脱模材料中，将PTFE薄膜（日东电工（株）制，"Nitof 1 on 900UL"，厚度50μπι、静摩擦系数0.12)替代超高分子量聚乙烯薄膜而用作低摩擦性薄膜，除 此以外，与实施例1同样地操作，采用由参考例3制作的基板的布线图案的配置，并且采用由 参考例4制作的热塑性液晶聚合物覆盖薄膜(Α)，使用真空热压装置，在温度为290Γ、压力 为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0203] (实施例4)
[0204] 将由参考例3制作的基板的布线图案的配置、与由参考例2制作的热塑性液晶聚合 物覆盖薄膜(B)两者重合，使用真空热压装置，利用图1所示的构成（1)的脱模材料，在温度 为310°C、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0205] (实施例5)
[0206] 将由参考例3制作的基板的布线图案的配置、与由参考例2制作的热塑性液晶聚合 物覆盖薄膜(B)两者重合，使用真空热压装置，利用与实施例3同样的脱模材料，在温度为 310°C、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0207](比较例1)
[0208]将由参考例3制作的基板的布线图案的配置、与由参考例1制作的热塑性液晶聚合 物覆盖薄膜(A)两者重合，使用真空热压装置，按照图4所示的构成(2)的脱模材料的构成， 在温度为290°C、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0209]此外，图4所示的脱模材料除了没有设置第2高密度聚乙烯薄膜18b这一点以外，具 有与图1所示的脱模材料相同的构成。
[0210] (比较例2)
[0211] 将由参考例3制作的基板的布线图案的配置、与采用由参考例4制作的热塑性液晶 聚合物覆盖薄膜(C)两者重合，使用真空热压装置，按照图4所示的构成(2)的脱模材料的构 成，在温度为290Γ、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0212] (比较例3)
[0213] 将由参考例3制作的基板的布线图案的配置、与采用由参考例1制作的热塑性液晶 聚合物覆盖薄膜(A)两者重合，使用真空热压装置，按照图4所示的构成(2)的脱模材料的构 成，在温度为300°C、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0214] (比较例4)
[0215] 将由参考例3制作的基板的布线图案的配置、与采用由参考例1制作的热塑性液晶 聚合物覆盖薄膜(A)两者重合，使用真空热压装置，按照图5所示的构成(3)的脱模材料的构 成，在温度为300°C、压力为20Kg/cm 2的条件下进行了加热压接。将结果示于表7。
[0216]此外，图5所示的脱模材料是通过将超高分子量聚乙烯薄膜26以及铝箱29层叠而 得到的脱模材料。
[0217] (比较例5)
[0218] 将由参考例3制作的基板的布线图案的配置、与采用聚酰亚胺覆盖薄膜[NIKKAN INDUSTRIES Co.，Ltd.制，NIKAFLEX CISV(Kapton(注册商标）厚度 12·5μπι、粘接剂厚度25μ m)]两者重合，使用真空热压装置，在温度为200°C、压力为20Kg/cm2的条件下进行了加热压 接。将所获得的电路基板的物性示于表7。
[0219] 表7
[0220]
[0221]如表7所示那样，实施例1至5的电路基板即使由覆盖薄膜覆盖，覆盖后的覆盖薄膜 在tl~t3的厚度偏差以及tl~t7的厚度偏差中的任一方面都为5%以下，可减小传输损耗。 特别是，在实施例1至5中，即使在高温、高润湿下，传输损耗比任一个比较例都低。即，实施 例1至5的传输损耗与全部的比较例的传输损耗相比，不仅在60°C90RH下而且在23°C60RH下 都是低的值。而且，由于可维持差动信号线间的距离G，因而可防止在导体电路中图案设计 出的差动阻抗发生变化。另外，在实施例1至5的电路基板中，覆盖薄膜与基板结构体的粘接 性也优异。
[0222]另一方面，在比较例1~4的电路基板中，尽管将与实施例1~5相同的液晶聚合物 薄膜用作覆盖薄膜，但是由于脱模材料不同，因而覆盖薄膜在tl~t3的厚度偏差以及tl~ t7的厚度偏差中的任一方面厚度偏差都变为30%以上，无法减小传输损耗。而且，差动信号 线间的距离G也因覆盖薄膜的覆盖而发生变化，因此使在导体电路中图案设计出的差动阻 抗发生变化。
[0223] 另外，在比较例5的电路基板中，使用了聚酰亚胺薄膜作为覆盖薄膜，因此无法减 低厚度偏差，其结果传输损耗变大。
[0224] 产业上的可利用性
[0225] 本发明的电路基板可用作电气?电子制品的功能电路或者用作将功能模块之间 连接的基板，特别是，即使在用作差动信号电路等高速传输用电路的情况下，也可防止高速 传输的信号发生劣化。另外，本发明的电路基板的制造方法可高效地制造具有这样的优异 的性质的电路基板。
[0226] 如以上那样，对本发明的优选实施方式进行了说明，但在不脱离本发明的宗旨的 范围，可进行各种的追加、变更或者削除，由此得到的实施方式也包含于本发明的范围内。
【主权项】
1. 一种电路基板，其至少由基板结构体以及覆盖薄膜构成，该基板结构体包含基板和 设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路，该覆盖薄膜将所述基板结构体的最外层之中 的至少导体电路侧覆盖， 所述覆盖薄膜由一种薄膜形成，所述薄膜是由能形成光学各向异性的熔融相的热塑性 聚合物形成的， 在所述电路基板的厚度剖面，所述覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖， 在所述电路基板的厚度剖面上，导体电路具有大致长方形形状的剖面，覆盖薄膜将该 大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖， 所述覆盖薄膜通过热处理而熔接于所述基板结构体。2. 根据权利要求1所述的电路基板，其中，导体电路的长方形剖面具有厚度t， 所述长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧右端 部这4点构成， 将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为tl、将根据覆盖薄膜侧右端部 测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为 t3的情况下， 覆盖薄膜的厚度偏差满足下述式(1)， [Max(tl-t3)-Min(tl-t3)]/t<30 (1) 式中，Max(tl-t3)是覆盖薄膜的厚度tl~t3之中的最大值，Min(tl-t3)是覆盖薄膜的 厚度tl~t3之中的最小值，t是导体电路的厚度，厚度偏差的单位为％。3. 根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，导体电路由差动信号线构成，从电路基板 的厚度剖面来观察，薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖。4. 根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，导体电路由第1差动信号线以及第2差动 信号线构成， 所述第1差动信号线和第2差动信号线在各自的信号线的长方形剖面分别具有厚度ta、 U，并且所述差动信号线的长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端 部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成， 在第1差动信号线中，将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为tl、将根 据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的 覆盖薄膜的厚度设为t3， 在第2差动信号线中，将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t4、将根 据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t5、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的 覆盖薄膜的厚度设为t6， 将根据第1以及第2差动信号线间的中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t7时， 覆盖薄膜的厚度偏差满足下述式(2)， [Max(tl-t7)-Min(tl-t7)]/t<30 (2) 式中，Max(tl-t7)是覆盖薄膜的厚度tl~t7之中的最大值，Min(tl-t7)是覆盖薄膜的 厚度tl~t7之中的最小值，t是信号线的厚度t4Ptb的平均值，厚度偏差的单位为％。5. 根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，覆盖薄膜的热膨胀系数(^相对于构成导体 电路的导体的热膨胀系数αΜ为_2 X KT6/°C至+3 X I0-6/ °C的范围内。6. 根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，构成基板的绝缘体材料由能形成光学各 向异性的熔融相的热塑性聚合物形成。7. 根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，构成基板的绝缘体材料与覆盖薄膜的介 电常数之差为±5%以内。
【文档编号】B29C43/18GK105934104SQ201610257650
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2011年12月16日
【发明人】大森行, 大森一行, 砂本辰也
【申请人】株式会社可乐丽