变压器反馈压控振荡器（vco）的制作方法
【专利摘要】描述了一种变压器。该变压器包括初级线圈和第一次级线圈。第一耦合发生在第一次级线圈和初级线圈之间。变压器还包括第二次级线圈。第二耦合发生在第二次级线圈和初级线圈之间。第一次级线圈与第二次级线圈分开以防止第一次级线圈和第二次级线圈之间的耦合。第一次级线圈的第一宽度独立于第二次级线圈的第二宽度被配置。
【专利说明】变压器反馈压控振荡器(VCO)
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年01月30日提交的美国非临时申请序列号14/168,701的优先权，通过引用将其并入本文。
技术领域
[0003]本公开总体上涉及通信系统。更具体地，本公开涉及用于变压器反馈压控振荡器(VCO)的系统和方法。
【背景技术】
[0004]无线通信系统被广泛地部署以提供各种类型的通信内容，诸如声音、视频、数据等等。这些系统可以是能够支持多个无线通信设备与一个或多个基站的同时通信的多址系统。
[0005]为了无线通信网络上的无线信号的良好的接收和发射，无线通信设备可以使用一个或多个压控振荡器(VCO)来生成具有需要的频率的信号。无线通信设备和/或无线通信系统规格可能需要所生成的信号的幅度满足某些要求，同时信号还保持高水平的可靠性。此夕卜，无线通信设备可能使用电池操作。因此，使用更少电流的压控振荡器是有利的。可以通过提供对压控振荡器(VCO)的改进以及涉及压控振荡器(VCO)的改进来实现益处。
【发明内容】
[0006]描述了一种变压器。该变压器包括初级线圈和第一次级线圈。在第一次级线圈和初级线圈之间发生第一耦合。变压器还包括第二次级线圈。在第二次级线圈和初级线圈之间发生第二耦合。第一次级线圈与第二次级线圈分离以防止第一次级线圈和第二次级线圈之间的耦合。第一次级线圈的第一宽度独立于第二次级线圈的第二宽度被配置。
[0007]第一次级线圈和初级线圈之间的第一匝数比可以独立于第二次级线圈和初级线圈之间的第二匝数比而被配置。初级线圈和第一次级线圈可以形成第一变压器。初级线圈和第二次级线圈可以形成第二变压器。第一变压器和第二变压器可以形成非对称三线圈变压器。
[0008]第一变压器可以用作用于η型晶体管的变压器反馈。第二变压器可以用作用于P型晶体管的变压器反馈。非对称三线圈变压器可以用在互补金属氧化物半导体压控振荡器中。第一次级线圈可以耦合在第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极之间。初级线圈可以耦合在第一 PMOS晶体管的漏极和第二 PMOS晶体管的漏极之间。初级线圈还可以耦合在第一 NMOS晶体管的漏极和第二 NMOS晶体管的漏极之间。第二次级线圈可以耦合在第一NMOS晶体管的源极和第二 NMOS晶体管的源极之间。
[0009]源电压可以耦合在第一次级线圈的第一部分和第一次级线圈的第二部分之间。地节点可以耦合在第二次级线圈的第一部分和第二次级线圈的第二部分之间。第一NMOS晶体管的栅极可以耦合到第二 NMOS晶体管的漏极。第二匪OS晶体管的栅极可以耦合到第一 NMOS晶体管的漏极。第一 PMOS晶体管的栅极可以耦合到第二 PMOS晶体管的漏极。第二 PMOS晶体管的栅极可以耦合到第一 PMOS晶体管的漏极。
[0010]还描述了一种用于生成压控振荡器的方法。优化用于第一变压器的第一配置。优化用于第二变压器的第二配置。使用具有第一变压器和第二变压器的变压器反馈生成压控振荡器。第一变压器和第二变压器形成包括第一次级线圈和第二次级线圈的非对称三线圈变压器。第一次级线圈的第一宽度独立于第二次级线圈的第二宽度而被配置。
[0011]方法可以由自动集成电路设计软件执行。
[0012]还描述了一种用于生成压控振荡器的装置。装置包括用于优化用于第一变压器的第一配置的部件。装置还包括用于优化用于第二变压器的第二配置的部件。装置进一步包括用于使用具有第一变压器和第二变压器的变压器反馈生成压控振荡器的部件。第一变压器和第二变压器形成包括第一次级线圈和第二次级线圈的非对称三线圈变压器。第一次级线圈的第一宽度独立于第二次级线圈的第二宽度而被配置。
[0013]描述了一种用于生成压控振荡器的计算机程序产品。计算机程序产品包括存储有指令的非瞬态计算机可读介质。指令包括用于使计算机优化用于第一变压器的第一配置的代码。指令还包括用于使计算机优化用于第二变压器的第二配置的代码。指令还包括使计算机使用生成具有第一变压器和第二变压器的变压器反馈来生成压控振荡器的代码。第一变压器和第二变压器形成包括第一次级线圈和第二次级线圈的非对称三线圈变压器。第一次级线圈的第一宽度独立于第二次级线圈的第二宽度而被配置。
【附图说明】
[0014]图1示出了具有多个无线设备的无线通信系统；
[0015]图2是用于生成CMOS压控振荡器(VCO)的方法的流程图；
[0016]图3是用于在本系统和方法中使用的CMOS压控振荡器(VCO)的电路图；
[0017]图4图示了非对称三线圈变压器的布局；
[0018]图5图示了NMOS侧变压器和PMOS侧变压器的独立配置以生成非对称三线圈变压器；
[0019]图6是图示蜂窝无线电收发器的框图；以及
[0020]图7图示了可以被包括在根据本公开配置的无线设备内的某些部件。
【具体实施方式】
[0021]图1示出了具有多个无线设备的无线通信系统100。无线设备可以是基站102、无线通信设备104等。无线通信设备104可以包括一个或多个压控振荡器(VC0)120。压控振荡器(VCO) 120是具有由输入电压控制的振荡频率的电振荡器。对压控振荡器(VCO) 120的设计改变可能导致改善的相位噪声。例如，无线通信设备104可以包括互补金属氧化物半导体(CMOS)变压器反馈压控振荡器(VCO) 120，其包括非对称三线圈变压器130，在最低功率损耗的情况下实现低相位噪声。
[0022]无线通信设备104还可以被称作并且可以包括终端、接入终端、用户设备(UE)、移动设备、用户单元、站点等中的一些或所有的功能。无线通信设备104可以是蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、无线设备、无线调制解调器、手持式设备、膝上型计算机等。无线通信设备104可以使用天线110在任意给定时刻在下行链路108和/或上行链路106上与O个、I个或多个基站102通信。下行链路108(或前向链路)指示从基站102到无线通信设备104的通信链路，并且上行链路106(或反向链路)指示从无线通信设备104到基站102的通信链路。
[0023]基站102是与一个或多个无线通信设备104通信的站点。基站102还可以被称为并且可以包括接入点、广播发射器、节点B(Node B)、演进的节点B等中的一些或所有的功能。每个基站102为特定的地理区域提供通信覆盖。根据使用术语“单元”的上下文，术语“单元”可以指示基站102和/或它的覆盖区域。
[0024]在无线通信系统100(例如，多址系统)中的通信可以通过无线链路上的传输实现。这种通信链路可以经由单输入和单输出(SISO)、多输入和单输出(MISO)或多输入和多输出(MHTO)系统建立。MMO系统可以包括分别装备有用于数据传输的多个(Nt)发射天线和多个(Nr)接收天线的发射器和接收器。SISO系统和MISO系统是MMO系统的特别实例。如果利用了由多个发射天线和多个接收天线创造的附加的维度，那么MMO系统可以提供改进的性能(例如，更高的吞吐量、更大的容量或改进的可靠性)。
[0025]无线通信系统100可以利用MMO JMO系统可以支持时分双工(TDD)系统和频分双工系统(FDD)。在TDD系统中，上行链路传输和下行链路传输在相同的频率区域中，从而对等原则允许从上行链路106估计下行链路108。这使得发射无线设备能够从由发射无线设备接收的通信中提取发射波束形成增益。
[0026]无线通信系统100可以是能够通过共享可用的系统资源(例如，带宽和发射功率)来支持与多个无线通信设备104通信的多址系统。这种多址系统的示例包括码分多址(⑶MA)系统、宽带码分多址(W-⑶MA)系统、时分多址(TDMA)系统、频分多址(FDMA)系统、正交频分多址(OFDMA)系统、单载波频分多址(SC-FDMA)系统、第三代合作伙伴计划(3GPP)长期演进(LTE)系统和空分多址(SDMA)系统。
[0027]术语“网络”和“系统”经常互换使用。CDMA网络可以实施诸如通用地面无线接入(UTRA)、cdma2000等的无线电技术。UTRA包括W-CDMA和低码片速率(LCR)，而cdma2000涵盖IS-2000、IS-95和IS-856标准。TDMA网络可以实施诸如全球移动通信系统(GSM)的无线电技术。OFDMA网络可以实施诸如演进的UTRA(E-UTRA)、IEEE 802.1UIEEE 802.16、ΙΕΕΕ802.20、？1&811-0?01^等。1711^4-1711^和63]\1是通用移动通信系统(1]]\?'3)的一部分。长期演进(LTE)是使用E-UTRA的UMTS的版本。在来自名为“第三代合作伙伴计划” (3GPP)的组织的文档中描述了UTRA、E-UTRA、GSM、UMTS和长期演进(LTE)。在来自名为“第三代合作伙伴计划2” (3GPP2)的组织的文档中描述了 cdma2000。
[0028]第三代合作伙伴计划(3GPP)是旨在定义全球适用的第三代(3G)移动电话规格的电信协会的组之间的合作。3GPP长期演进(LTE)是旨在改进通用移动通信系统(UMTS)移动电话标准的3GPP项目。3GPP可能定义下一代的移动网络、移动系统和移动设备的规格。在3GPP长期演进(LTE)中，无线通信设备104可以被称为“用户设备” (UE)。
[0029]无线通信设备104可以包括蜂窝无线电收发器128。蜂窝无线电收发器128可以促进使用天线110进行的信号的发送和接收。下文联系着图6额外地详细讨论蜂窝无线电收发器128。蜂窝无线电收发器128可以包括一个或多个压控振荡器(VC0)120。压控振荡器(VCO)120可以用在函数发生器、锁相环、频率合成器中以及作为时钟生成器。
[0030]根据压控振荡器(VC0)120内所使用的晶体管的类型，压控振荡器(VC0)120可以是P型金属氧化物半导体(PMOS)压控振荡器(VCO) 120、n型金属氧化物半导体(NMOS)压控振荡器(V⑶)120或者CMOS压控振荡器(V⑶)120。一般来说，PMOS压控振荡器(V⑶)120只包括PMOS晶体管(也被称为P型晶体管)，匪OS压控振荡器(VCO) 120只包括NMOS晶体管(也被称为η型晶体管)并且CMOS压控振荡器(VCO) 120包括PMOS晶体管和匪OS晶体管两者。用在无线通信设备104中的压控振荡器(VCO) 120可以是包括PMOS晶体管和NMOS晶体管两者的CMOS压控振荡器(VCO) 120。
[0031]压控振荡器(V⑶)120可以包括压控振荡器(V⑶)120内的晶体管的漏极和源极之间的变压器反馈。变压器反馈指示使用集成的变压器代替电感器，以增加电压摆幅，改善负载品质因数(Q)以及最小化噪声到相位噪声的传递。压控振荡器(VC0)120可以使用非对称三线圈变压器130以用于变压器反馈。变压器的特性通常由线圈的匝数比决定。在非对称变压器中，每个线圈的物理尺寸(包括宽度、长度和厚度)可以不同。非对称三线圈变压器130可以包括PMOS侧变压器134和匪OS侧变压器132。使用PMOS侧变压器134和匪OS侧变压器132两者可以改善压控振荡器(VC0)120的相位噪声。然而，为了使变压器反馈方案有效工作，压控振荡器(VC0)120内可能需要高Q谐振槽。
[0032]对于具有来自PMOS晶体管和匪OS晶体管两者的变压器反馈的CMOS压控振荡器(VC0)120来说，主电感器(S卩，初级线圈)的品质因数(Q)被附加的变压器线圈(S卩，第一次级线圈和第二次级线圈)降低。由于初级线圈、第一次级线圈和第二次级线圈之间的耦合，耦合因数的优化可能与电感值交织。为了优化耦合因数以及改善CMOS压控振荡器(VC0)120的主电感器的品质因数(Q)，可以针对匪OS侧变压器132和PMOS侧变压器134执行独立的优化(在电感和耦合因数方面)。第一次级线圈和第二次级线圈的磁场可以被去耦合。下文联系着图3给出了 CMOS压控振荡器(VCO) 120的电路图。
[0033]图2是用于生成CMOS压控振荡器(V⑶)120的方法200的流程图。方法200可以由工程师(诸如设计工程师)或者由计算机(诸如自动集成电路设计软件)执行。在202优化用于NMOS侧变压器132的配置。NMOS侧变压器132可以包括初级线圈和第一次级线圈。在204还优化用于PMOS侧变压器134的配置。PMOS侧变压器134可以包括初级线圈和第二次级线圈。第一次级线圈可以与第二次级线圈磁去耦合。因此，在初级线圈和第一次级线圈之间以及初级线圈和第二次级线圈之间可以发生耦合，而第一次级线圈和第二次级线圈之间不发生耦合。这允许NMOS侧变压器132和PMOS侧变压器134被独立地配置。
[0034]优化用于变压器的配置可以包括调整变压器中的线圈的电感值、调整变压器中的线圈之间的耦合因数和/或调整变压器的品质因数(Q)。例如，初级线圈和第一次级线圈可以使用非对称宽度(例如，初级线圈可以具有比第一次级线圈更大的宽度)和/或间隔，这允许匝数比和耦合因数被控制。在206可以使用利用匪OS侧变压器132和PMOS侧变压器134的变压器反馈生成压控振荡器(VC0)120。压控振荡器(VC0)120可以是CMOS变压器反馈压控振荡器(VC0)120。
[0035]图3是用于本系统和方法中使用的CMOS压控振荡器(VCO)320的电路图。图3的CMOS压控振荡器(VC0)320可以是图1的压控振荡器(VC0)120的一种配置。如在下面的图4中所图示的，Lla 336a和Llb 336b可以以这种方式被定位在布局中使得最小化与L2a 338a和L2b338b的耦合。例如，可能需要Lla 336a和Lp 342之间的耦合346，而Lla 336a和L2a 338a之间的耦合334被最小化。
[0036]可以在Lla 336a和Llb 336b之间耦合VDD节点(例如，源电压)Ila 336a还可以耦合到第一PMOS晶体管372a的源极。Llb 336b还可以耦合到第二PMOS晶体管372b的源极。第一 PMOS晶体管372a的栅极可以耦合到第二 PMOS晶体管372b的漏极。第二 PMOS晶体管372b的栅极可以耦合到第一 PMOS晶体管372a的漏极。
[0037]可以在L2a 338a和L2b 338b之间耦合地节点。L2a 338a还可以耦合到第一NMOS晶体管374a的源极。L2b 338b还可以耦合到第二匪OS晶体管374b的源极。第一匪OS晶体管374a的栅极可以耦合到第二 NMOS晶体管374b的漏极。同样地，第二匪OS晶体管374b的栅极可以耦合到第一 NMOS晶体管374a的漏极。第一 NMOS晶体管374a的漏极可以耦合到初级电感器Lp 342以及耦合到第一PMOS晶体管372a的漏极。同样地，第二NMOS晶体管374b的漏极可以耦合到初级电感器Lp 342以及耦合到第二PMOS晶体管372b的漏极。
[0038]初级线圈Lp 342可以是主槽340的一部分。主槽340可以包括诸如电容器和电阻器的附加的元件。
[0039]CMOS压控振荡器(VC0)320可以使用负gm的晶体管的漏极和源极之间的反馈路径来改善压控振荡器(VCO) 120的相位噪声，该反馈路径使用变压器(例如，PMOS侧变压器134和匪OS侧变压器132)。CMOS压控振荡器(VC0) 320可以包括高Q谐振主槽340。通过在CMOS压控振荡器(V⑶)320内使用非对称三线圈变压器130，匪OS侧变压器132和PMOS侧变压器134可以被独立配置。下文联系着图4和图5额外地详细讨论非对称三线圈变压器130的结构(例如，示例布局)。
[0040]图4图示了非对称三线圈变压器430的布局。非对称三线圈变压器430包括初级线圈Lp 442、第一次级线圈LI 436a-b和第二次级线圈L2 438a_b。非对称三线圈变压器430的设计可以改善主槽340的品质因数(Q)。此外，第一次级线圈LI 436和第二次级线圈L2 438的去耦合(即，通过在集成电路的布局上分开第一次级线圈LI 436和第二次级线圈L2 438来降低第一次级线圈LI 436和第二次级线圈L2 438之间的耦合)可以使能匪OS侧变压器432和PMOS侧变压器434的独立优化。例如，第一次级线圈LI 436的宽度Wl 452和匝数比可以独立于第二次级线圈L2 438的宽度W2 454和匝数比以及初级线圈Lp 442的宽度Wp 450和匝数比而被配置。作为另一示例，第一次级线圈LI 436和初级线圈Lp 442之间的匝数比可以独立于第二次级线圈L2 438与初级线圈Lp 442之间的匝数比而被配置。在又一示例中，第一次级线圈LI 436和初级线圈Lp 442之间的间隔可以独立于第二次级线圈L2 438与初级线圈Lp 442之间的间隔而被配置。
[0041 ]在图示的非对称三线圈变压器430中，初级线圈Lp 442包裹在第一次级线圈LI436和第二次级线圈L2 438两者的外部周围。然而，第一次级线圈LI 436和第二次级线圈L2438被分开，使得第一次级线圈LI 436和第二次级线圈L2 438之间没有磁耦合发生。
[0042]地节点耦合在L2a 438a和L2b 438b之间。L2a 438a还耦合到第一NMOS晶体管474a的源极。L2b 438b还耦合到第二NMOS晶体管474b的源极。第一匪OS晶体管474a的栅极可以耦合到第二WOS晶体管474b的漏极。同样地，第二WOS晶体管474b的栅极可以耦合到第一NMOS晶体管474a的漏极。第一NMOS晶体管474a的漏极可以耦合到初级线圈Lp 442以及耦合至IJ第一 PMOS晶体管472a的漏极。同样地，第二 NMOS晶体管474b的漏极可以耦合到初级线圈Lp 442以及耦合到第二PMOS晶体管472b的漏极。
[0043]VDD节点可以耦合在Lla 436a和Llb 436b之间。Lla 436a还可以耦合到第一PMOS晶体管472a的源极。Llb 436b还可以耦合到第二PMOS晶体管472b的源极。第一PMOS晶体管472a的栅极可以耦合到第二 PMOS晶体管472b的漏极。第二 PMOS晶体管472b的栅极可以耦合到第一 PMOS晶体管472a的漏极。
[0044]图5图示了NMOS侧变压器532和PMOS侧变压器534的独立配置以生成非对称三线圈变压器530。谐振器槽的主电感(例如，来自初级电感器Lp 542a-b)是两个分支的并联结构:匪OS侧变压器532和PMOS侧变压器534。通过独立地配置匪OS侧变压器532和PMOS侧变压器534，可以改善在高频处的初级电感Lp 542的品质因数。线圈的间隔/宽度/匝数(诸如第一次级线圈LI 536的宽度Wl 552、第二次级线圈L2 538的宽度W2 554以及初级电感器Lp 542的宽度Wp 550)可以被独立地调整来优化相位噪声。之后，独立配置的变压器可以被组合在布局中来形成非对称三线圈变压器530。
[0045]图6是图示蜂窝无线电收发器628的框图。图6的蜂窝无线电收发器628可以是图1的蜂窝无线电收发器128的一种配置。蜂窝无线电收发器628可以被包括在无线通信设备104上。蜂窝无线电收发器628可以连接到天线610。天线610可以用于发送和接收无线通信。双工器612可以允许在单个信道上的双向通信。换句话说，双工器612可以将接收信号(Rx)662与发射信号(Tx) 664隔呙。
[0046]接收信号(Rx)662可以通过蜂窝无线电收发器628上的双工器612被发送到接收信号(Rx)链656。接收信号(Rx)链656可以包括接收器614。为了通过接收器614良好地接收和解码接收信号(Rx) 662，接收信号(Rx)链656可以包括接收信号(Rx)本地振荡器(LO) 616。接收信号(Rx)本地振荡器(L0)616可以在接收信号(Rx)662的频率处振荡。可以通过接收信号压控振荡器(VC0)670a与压控振荡器(VCO)缓冲器618a和接收信号(Rx)锁相环(PLL)622a来生成接收信号(Rx)本地振荡器(L0)616的频率。接收信号(Rx)锁相环(PLL)622a可以是生成与基准信号的相位有固定关系的信号的控制系统。下文联系着图3-图8进一步详细讨论压控振荡器(VCO) 670和压控振荡器(VCO)缓冲器618。
[0047]接收信号(Rx)链656可以包括接收信号(Rx)压控振荡器(VCO)控制器668。接收信号(Rx)压控振荡器(VCO)控制器668可以用来控制接收信号(Rx)压控振荡器(VC0)670a。例如，接收信号(Rx)压控振荡器(VCO)控制器668可以使用控制信号660a酌情地调整由接收信号(Rx)压控振荡器(VC0)670a生成的频率。接收信号(Rx)压控振荡器(V⑶)控制器668可以调整由接收信号(Rx)压控振荡器(VC0)670a生成的频率，以微调接收信号(Rx)压控振荡器(VCO) 670a或者移动到用于新无线通信系统100的新频率。
[0048]蜂窝无线电收发器628可以准备发射信号(Tx)664以用于使用发射信号(Tx)链658发射。发射信号(Tx)链658可以包括发射器626。发射信号(Τχ)664可以由发射器626输出到双工器612。为了良好地编码和发射发射信号(Τχ)664，发射信号(Tx)链658可以包括发射信号(Tx)本地振荡器(L0)624。发射信号(Tx)本地振荡器(L0)624可以在发射的频率处振荡。在一种配置中，发射信号(Tx)本地振荡器(L0)624可以在由发射信号(Tx)压控振荡器(VCO)670b与压控振荡器(VCO)缓冲器618b和发射信号(Tx)锁相环(PLL)622b生成的频率处振荡。发射信号(Tx)锁相环(PLL)622b可以是生成与基准信号的相位有固定关系的信号的控制系统。
[0049]发射信号(Tx)链658可以包括发射信号(Tx)压控振荡器(VCO)控制器621。发射信号(Tx)压控振荡器(VCO)控制器621可以用来控制发射信号(Tx)压控振荡器(VC0)670b。例如，发射信号(Tx)压控振荡器(VCO)控制器621可以使用控制信号660b酌情地调整由发射信号(Tx)压控振荡器(VC0)670b生成的频率。发射信号(Tx)压控振荡器(V⑶)控制器621可以调整由发射信号(Tx)压控振荡器(VC0)670b生成的频率，以微调发射信号(Tx)压控振荡器(VCO) 670b或者移动到用于新无线通信系统100的新频率。
[0050]图7图示了可以被包括在无线设备701内的某些部件。无线设备701可以是无线通信设备104并且可以实施如本文所公开的系统和方法。
[0051]无线设备701包括处理器703。处理器703可以是通用单芯片或多芯片微处理器(例如，ARM)、专用微处理器(例如，数字信号处理器(DSP))、微控制器、可编程门阵列等。处理器703可以被称为中央处理单元(CPU)。尽管图7的无线设备701中仅示出单个处理器703，然而在备选的配置中可以使用处理器的组合(例如，ARM和DSP)。
[0052]无线设备701还包括存储器705。存储器705可以是能够存储电子信息的任何的电子部件。存储器705可以被实施成随机访问存储器(RAM)、只读存储器(R0M)、磁盘存储介质、光学存储介质、RAM中的闪存存储器设备、与处理器一起被包括的板上存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器等等，包括它们的组合。
[0053]数据707和指令709可以被存储在存储器705中。指令709可以被处理器703执行来实施本文公开的方法。执行指令709可能涉及存储在存储器705中的数据707的使用。当处理器703执行指令709时，指令709a的各种部分可以被装载到处理器703上，并且数据707a的各种块可以被装载到处理器703上。
[0054]无线设备701还包括发射器711和接收器713以允许向和从无线设备701发射和接收信号。发射器711和接收器713可以被统称为收发器715。天线717可以电耦合到收发器715。无线设备701还可以包括多个发射器、多个接收器、多个收发器和/或多个天线(未示出)。
[0055]可以通过一个或多个总线将无线设备701的各种部件耦合在一起，总线可以包括电源总线、控制信号总线、状态信号总线、数据总线等。为清晰起见，在图7中各种总线被图示成总线系统719。
[0056]在以上的描述中，有时联系着各种术语使用附图标记。在联系着附图标记使用术语的地方，这可能旨在指示在附图中的一个或多个中示出的特定元件。在使用没有附图标记的术语的地方，这可能旨在一般地指示该术语而不限定于任何特定的附图。
[0057]术语“确定”涵盖各种各样的动作，并且因此“确定”可以包括计算、运算、处理、推导、调查、查找(例如，在表、数据库或另一数据结构中查找)、查明等。而且，“确定”可以包括接收(例如，接收信息)、访问(例如，访问存储器中的数据)等。而且，“确定”可以包括解决、选择、挑选、建立等等。
[0058]除非另有显式指明，短语“基于”并不意味着“仅仅基于”。换句话说，短语“基于”描述“仅仅基于”和“至少基于”两者。
[0059]本文描述的功能可以被存储成在处理器可读介质或者计算机可读介质上的一个或多个指令。术语“计算机可读”指示可以被计算机或者处理器访问的任何可用的介质。以示例而非限制的方式，这种介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、闪存存储器、CD-ROM或其他光盘存储、磁盘存储或其他磁存储设备、或能被用来存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机或处理器访问的任何其他介质。如本文中使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘常常磁性地再现数据而碟利用激光光学地再现数据。应当指出，计算机可读介质可以是有形的以及非瞬态的。术语“计算机程序产品”指示与可以被计算设备或处理器执行、处理或者计算的代码或指令(例如，程序)组合的计算设备或处理器。如本文所使用的，术语“代码”可以指示可由计算设备或处理器执行的软件、指令、代码或数据。
[0060]软件或指令还可以经过传输介质传输。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电以及微波的无线技术从web网站、服务器或其他远程源传送而来，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电以及微波的无线技术就被包括在介质的定义之中。
[0061 ]本文公开的方法包括用于实现所描述的方法的一个或多个步骤或动作。在不脱离权利要求的范围的情况下，方法步骤和/或动作可以与彼此互换。换句话说，除非被描述的方法的恰当操作需要特定顺序的步骤或动作，否则，可以在不脱离权利要求的范围的情况下修改特定步骤和/或动作的顺序和/或使用。
[0062]应当理解，权利要求并不受限于上文说明的精确的配置和部件。在不脱离权利要求的范围的情况下，可以在本文描述的系统、方法和装置的布置、操作和细节上做出各种修改、改变和变化。
[0063]除非使用短语“用于...的部件”显式地叙述元件，或者在方法权利要求的情况下，使用短语“用于...的步骤”叙述元件，否则，权利要求要素都不应当根据35U.S.C.§112第6款的规定解释。
【主权项】
1.一种变压器，包括: 初级线圈；第一次级线圈，其中第一耦合发生在所述第一次级线圈和所述初级线圈之间；以及第二次级线圈，其中第二耦合发生在所述第二次级线圈和所述初级线圈之间，其中所述第一次级线圈与所述第二次级线圈分开以防止所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间的耦合，其中所述第一次级线圈的第一宽度独立于所述第二次级线圈的第二宽度而被配置。2.根据权利要求1所述的变压器，其中所述第一次级线圈和所述初级线圈之间的第一匝数比独立于所述第二次级线圈和所述初级线圈之间的第二匝数比而被配置。3.根据权利要求1所述的变压器，其中所述初级线圈和所述第一次级线圈形成第一变压器，其中所述初级线圈和所述第二次级线圈形成第二变压器，并且其中所述第一变压器和所述第二变压器形成非对称三线圈变压器。4.根据权利要求3所述的变压器，其中所述第一变压器用作用于η型晶体管的变压器反馈，并且其中所述第二变压器用作用于P型晶体管的变压器反馈。5.根据权利要求4所述的变压器，其中所述非对称三线圈变压器用在互补金属氧化物半导体压控振荡器中。6.根据权利要求5所述的变压器，其中所述第一次级线圈耦合在第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极之间，其中所述初级线圈耦合在所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第二PMOS晶体管的漏极之间，其中所述初级线圈还耦合在第一NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极之间，并且其中所述第二次级线圈耦合在所述第一NMOS晶体管的源极和所述第二 NMOS晶体管的源极之间。7.根据权利要求6所述的变压器，其中源电压耦合在所述第一次级线圈的第一部分和所述第一次级线圈的第二部分之间。8.根据权利要求6所述的变压器，其中地节点耦合在所述第二次级线圈的第一部分和所述第二次级线圈的第二部分之间。9.根据权利要求6所述的变压器，其中所述第一NMOS晶体管的栅极耦合到所述第二NMOS晶体管的所述漏极，并且其中所述第二 NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一 NMOS晶体管的所述漏极。10.根据权利要求6所述的变压器，其中所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述第二PMOS晶体管的所述漏极，并且其中所述第二 PMOS晶体管的栅极耦合到所述第一 PMOS晶体管的所述漏极。11.一种用于生成压控振荡器的方法，包括: 优化用于第一变压器的第一配置； 优化用于第二变压器的第二配置；以及 使用具有所述第一变压器和所述第二变压器的变压器反馈生成所述压控振荡器，其中所述第一变压器和所述第二变压器形成包括第一次级线圈和第二次级线圈的非对称三线圈变压器，其中所述第一次级线圈的第一宽度独立于所述第二次级线圈的第二宽度而被配置。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法由自动集成电路设计软件执行。13.根据权利要求11所述的方法，其中所述非对称三线圈变压器进一步包括初级线圈，其中第一耦合发生在所述第一次级线圈和所述初级线圈之间，其中第二耦合发生在所述第二次级线圈和所述初级线圈之间，其中所述第一次级线圈与所述第二次级线圈分开以防止所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间的耦合。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一次级线圈和所述初级线圈之间的第一匝数比独立于所述第二次级线圈和所述初级线圈之间的第二匝数比而被配置。15.根据权利要求13所述的方法，其中所述初级线圈和所述第一次级线圈形成所述第一变压器，并且其中所述初级线圈和所述第二次级线圈形成所述第二变压器。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一变压器用作用于η型晶体管的变压器反馈，并且其中所述第二变压器用作用于P型晶体管的变压器反馈。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述非对称三线圈变压器用在互补金属氧化物半导体压控振荡器中。18.根据权利要求13所述的方法，其中所述压控振荡器是互补金属氧化物半导体压控振荡器。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一次级线圈耦合在第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极之间，其中所述初级线圈耦合在所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第二PMOS晶体管的漏极之间，其中所述初级线圈还耦合在第一NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极之间，并且其中所述第二次级线圈耦合在所述第一NMOS晶体管的源极和所述第二 NMOS晶体管的源极之间。20.根据权利要求19所述的方法，其中源电压耦合在所述第一次级线圈的第一部分和所述第一次级线圈的第二部分之间。21.根据权利要求19所述的方法，其中地节点耦合在所述第二次级线圈的第一部分和所述第二次级线圈的第二部分之间。22.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一NMOS晶体管的栅极耦合到所述第二NMOS晶体管的所述漏极，并且其中所述第二 NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一 NMOS晶体管的所述漏极。23.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述第二PMOS晶体管的所述漏极，并且其中所述第二 PMOS晶体管的栅极耦合到所述第一 PMOS晶体管的所述漏极。24.一种用于生成压控振荡器的装置，包括: 用于优化用于第一变压器的第一配置的部件； 用于优化用于第二变压器的第二配置的部件；以及 用于使用具有所述第一变压器和所述第二变压器的变压器反馈生成所述压控振荡器的部件，其中所述第一变压器和所述第二变压器形成包括第一次级线圈和第二次级线圈的非对称三线圈变压器，其中所述第一次级线圈的第一宽度独立于所述第二次级线圈的第二宽度而被配置。25.根据权利要求24所述的装置，其中所述非对称三线圈变压器进一步包括初级线圈，其中第一耦合发生在所述第一次级线圈和所述初级线圈之间，其中第二耦合发生在所述第二次级线圈和所述初级线圈之间，其中所述第一次级线圈与所述第二次级线圈分开以防止所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间的耦合。26.根据权利要求25所述的装置，其中所述第一次级线圈和所述初级线圈之间的第一匝数比独立于所述第二次级线圈和所述初级线圈之间的第二匝数比而被配置。27.根据权利要求25所述的装置，其中所述初级线圈和所述第一次级线圈形成所述第一变压器，并且其中所述初级线圈和所述第二次级线圈形成所述第二变压器。
【文档编号】H03B5/12GK105940603SQ201580006675
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2015年1月27日
【发明人】石建磊, Y·丁, J·杨, M·塔奇万德, S-O·李, Y·G·金
【申请人】高通股份有限公司