蒸镀装置及蒸镀方法
【专利摘要】一种蒸镀装置及蒸镀方法，该蒸镀装置包含支撑件、蒸镀源、第一传感器、计算单元以及动作器。支撑件用以支撑基板。蒸镀源用以蒸镀蒸镀材料，使蒸镀材料沉积于基板上。第一传感器用以于多个检测位置检测蒸镀材料的多个蒸镀速率。计算单元用以依据于检测位置所检测到蒸镀材料的蒸镀速率，估计蒸镀角。动作器用以依据估计的蒸镀角来移动蒸镀源。
【专利说明】
蒸镀装置及蒸镀方法
技术领域
[0001 ]本发明是关于一种蒸镀装置及蒸镀方法。【背景技术】
[0002]有机发光装置，也称为有机电致发光装置，可借由将至少一有机层设置于两个电极之间而形成。将有机材料蒸镀至有阳极的基板上，接着，设置阴极做为最上层有机层上的电极。有机层的厚度以及层体配置会影响有机发光装置的发光效率。
[0003]为了使有机发光装置具有厚度均匀的有机层，有需要监察并控制有机发光装置的有机层的形成过程。
【发明内容】
[0004]根据本揭露的部分实施方式，蒸镀装置包含支撑件、蒸镀源、第一传感器、计算单元以及动作器。支撑件用以支撑基板。蒸镀源用以蒸镀蒸镀材料，使蒸镀材料沉积于基板上。第一传感器用以于多个检测位置检测蒸镀材料的多个蒸镀速率。计算单元用以依据于检测位置所检测到蒸镀材料的蒸镀速率，估计蒸镀角。动作器用以依据估计的蒸镀角，来移动蒸镀源。
[0005]其中，该些检测位置设置于一检测线，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，该检测线垂直于该基板的该表面。
[0006]其中，该蒸镀源具有一开口，该蒸镀材料从该开口喷出，且该检测线于一投影平面上的投影与该蒸镀源的该开口于该投影平面上的投影分离，该投影平面平行于该基板的该表面。
[0007]其中，该些检测位置设置于一检测线，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，该检测线平行于该基板的该表面。
[0008]其中，该些检测位置设置于一检测线，且该第一传感器是沿着该检测线可动的。
[0009]其中，该些检测位置设置于一检测线，且该检测线是直的。
[0010]其中，该些检测位置设置于一检测线，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，且该检测线相对于垂直该基板的该表面的法线方向倾斜。
[0011]其中，该些检测位置设置于一检测线，且该检测线是弯曲的。
[0012]其中，该蒸镀装置更包含:
[0013]—腔体，用以容纳该支撑件、该蒸镀源以及该第一传感器，其中该支撑件邻近该腔体的一壁面，且该些检测位置位于该蒸镀源以及该腔体的该壁面之间。[0〇14]其中，该计算单元包含:
[0015]—比较单元，用以将所检测到的该些蒸镀速率与多个参考蒸镀速率分别进行比较，该动作器是用以依据所检测到的该些蒸镀速率与该些参考蒸镀速率之间的多个差值而移动该蒸镀源。
[0016]其中，该蒸镀装置更包含:
[0017]—第二传感器，用以于一预定位置检测该蒸镀材料的一监察蒸镀速率;以及
[0018]—控制单元，用以依据该监察蒸镀速率来控制该蒸镀源的温度。
[0019]其中，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，该蒸镀源在垂直于该基板的该表面的方向上是可动的。
[0020]其中，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，该蒸镀源在平行于该基板的该表面的方向上是可动的。[0021 ]根据本揭露的部分实施方式，蒸镀方法包含下列步骤。借由蒸镀源蒸镀蒸镀材料， 使蒸镀材料沉积于基板上。于多个检测位置检测蒸镀材料的多个蒸镀速率。依据于检测位置所检测到蒸镀材料的蒸镀速率，估计蒸镀角。依据估计的蒸镀角，移动蒸镀源。
[0022]其中，该些检测位置设置于一检测线，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，且该检测线垂直于该基板的该表面。
[0023]其中，该蒸镀源具有一开口，该蒸镀材料从该开口喷出，且该检测线于一投影平面上的投影与该蒸镀源的该开口于该投影平面上的投影分离，该投影平面平行于该基板的该表面。
[0024]其中，该些检测位置设置于一检测线，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，且该检测线平行于该基板的该表面。
[0025]其中，于借由一第一传感器于该些检测位置检测该蒸镀材料的该些蒸镀速率，且于该些检测位置检测该蒸镀材料的该些蒸镀速率的步骤包含沿一检测线移动该第一传感器，该些检测位置设置于一检测线。
[0026]其中，估计该蒸镀角的步骤包含将所检测到的该些蒸镀速率与多个参考蒸镀速率分别进行比较，且移动该蒸镀源的步骤包含依据所检测到的该些蒸镀速率与该些参考蒸镀速率之间的多个差值而移动该蒸镀源。
[0027]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别大于该些参考蒸镀速率时，沿着垂直于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源接近该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。
[0028]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别小于该些参考蒸镀速率时，沿着垂直于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源远离该基板，其中该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。
[0029]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别大于该些参考蒸镀速率时，沿着平行于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源远离该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。
[0030]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别小于该些参考蒸镀速率时，沿着平行于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源接近该基板，其中该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。
[0031]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角大于一参考蒸镀角时，沿着垂直于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源接近该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。
[0032]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角小于一参考蒸镀角时，沿着垂直于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源远离该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。
[0033]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角大于一参考蒸镀角时，沿着平行于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源远离该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。
[0034]其中，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角小于一参考蒸镀角时，沿着平行于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源接近该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。 [〇〇35]其中，所述蒸镀方法更包含:
[0036]于一预定位置检测该蒸镀材料的一监察蒸镀速率;以及
[0037]依据该监察蒸镀速率控制该蒸镀源的温度。
[0038]其中，控制该蒸镀源的温度的步骤包含:当该监察蒸镀速率下降时，提升该蒸镀源的温度。
[0039]其中，控制该蒸镀源的温度的步骤包含:当该监察蒸镀速率上升时，降低该蒸镀源的温度。【附图说明】
[0040]图1A为根据本揭露的第一实施方式的蒸镀装置的示意图。[〇〇41]图1B为根据第一实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线的关系图。[〇〇42]图1C为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图1B的检测线的检测位置的关系图。
[0043]图2为根据本揭露的部分实施方式的蒸镀方法的流程图。
[0044]图3A为根据本揭露的第二实施方式的蒸镀装置的示意图。[〇〇45]图3B为根据第二实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线的关系图。
[0046]图3C为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图3B的检测线的检测位置的关系图。 [〇〇47]图4A为根据本揭露的第三实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线的关系图。[〇〇48]图4B为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图4A的检测线的检测位置的关系图。 [〇〇49]图5A为根据本揭露的第四实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线的关系图。
[0050]图5B为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图5A的检测线的检测位置的关系图。[〇〇51 ] 其中，附图标记:[〇〇52]100:蒸镀装置
[0053]110:支撑件[〇〇54]120:蒸镀源
[0055]122:坩埚
[0056]122a:开口
[0057]124:加热器[〇〇58]130:第一传感器
[0059]140:计算单元
[0060]150:动作器[0061 ]160:腔体
[0062]162:壁面
[0063]170:第二传感器
[0064]180:控制单元
[0065]200:基板
[0066]202:表面[〇〇67]300:蒸镀材料[〇〇68]400:蒸镀方法
[0069]402 ?408:步骤
[0070]0:蒸镀角[〇〇71]P:检测位置[〇〇72] L:检测线 [〇〇73]PL:投影平面
[0074]PP:预定位置
[0075]VC1:曲线
[0076]VC2:曲线
[0077]VRC:曲线
[0078]HC1:曲线
[0079]HC2:曲线
[0080]HRC:曲线
[0081]CC1:曲线
[0082]CC2:曲线
[0083]CRC:曲线
[0084]SC1:曲线
[0085]SC2:曲线
[0086]SRC:曲线【具体实施方式】
[0087]以下以图式说明本揭露的多个实施例，并详细介绍本揭露的多个实施方式。尽可能地，图式与叙述中相同的标号用以表示相同或相似的对象。
[0088]图1A为根据本揭露的第一实施方式的蒸镀装置100的示意图。蒸镀装置100包含支撑件110、蒸镀源120、第一传感器130、计算单元140以及动作器150。支撑件110用以支撑基板200。蒸镀源120用以蒸镀蒸镀材料300,使蒸镀材料300沉积于基板200上。第一传感器130 用以于多个检测位置P检测蒸镀材料300的多个蒸镀速率，于此以虚线的圆形表示检测位置 P。计算单元140用以依据于检测位置P所检测到的蒸镀材料300的蒸镀速率，来估计蒸镀角 ?。动作器150用以依据估计的蒸镀角?来移动蒸镀源120。[〇〇89]于一或多个实施方式中，蒸镀源120包含坩埚122以及加热器124。在被蒸镀之前， 蒸镀材料300存置在坩埚122中。加热器124环绕坩埚122以加热坩埚122。坩埚122具有开口 122a，蒸镀材料300从开口 122a喷出。于部份实施方式中，蒸镀材料300可以是有机材料，但不应以此限制本发明的范围。
[0090]于一或多个实施方式中，从坩埚122的开口 122a喷出的蒸镀材料300可以以蒸镀角?散开。举例而言，蒸镀角?可以介于50度至100度的范围内。然而，蒸镀角?可能随着各种因素而变化。举例而言，蒸镀材料300的残余物可能累积在开口 122a内或周围，而造成喷射蒸镀材料300的路径轻微阻塞。在部份情况下，关闭并重新启动产线(其中可能包含破坏真空)也可能改变蒸镀角?。蒸镀角?的改变对于蒸镀速率的分布有重大的影响，而使得基板 200可能接收太多蒸镀材料300,或者基板200可能不均匀地接收蒸镀材料300。[〇〇91]于一或多个实施方式中，依据多个检测到的蒸镀速率，估计蒸镀角?，并根据此估计的蒸镀角?，移动蒸镀源120。于部份实施方式中，蒸镀材料300沉积于基板200的表面202 上，蒸镀源120是可沿着实质上垂直于基板200的表面202的方向移动的。或者，于部份实施方式中，蒸镀材料300沉积于基板200的表面202上，蒸镀源120是可沿着实质上平行于基板 200的表面202的方向移动的(参照图3A)。如此一来，即使蒸镀角?可能变化，蒸镀材料在基板200上的膜厚均匀度可大致被维持。
[0092]于一或多个实施方式中，蒸镀装置100还包含腔体160。腔体160用以容纳支撑件 110、蒸镀源120以及第一传感器130。支撑件110邻近腔体160的壁面162。检测位置P位于蒸镀源120以及腔体160的壁面162之间，以使第一传感器130能接收蒸镀材料300。于此，将依序连接检测位置P的线定义为检测线L，如图1A中的虚线。换句话说，多个检测位置P沿着检测线L设置。
[0093]于一或多个实施方式中，第一传感器130可以是质量负载传感器(mass-loaded sensor)，例如晶体质量传感器。举例而言，第一传感器130可以是部份的震荡器电路，其震荡频率大约与质量负载成反比，以产生与质量负载的比例成正比的信号。于此，第一传感器 130可沿着检测线L移动，以于各个检测位置P检测蒸镀材料300的多个蒸镀速率，但本揭露的范围并不限于此。于部份实施方式中，第一传感器130可包含多个不能移动的质量负载传感器，其沿着检测线L设置，以于多个检测位置P接收并检测蒸镀材料300。
[0094]于一或多个实施方式中，如同图1A所示，检测线L可以是直的且实质上垂直于基板 200的表面202,其中表面202配置用以接收蒸镀材料300。于此，垂直的检测线L于投影平面 PL(大致平行于基板200的表面202)上的投影与蒸镀源120的开口 122a于投影平面PL上的投影系分离，以使第一传感器130可接收从不同方向喷出的蒸镀材料300。若垂直的检测线L于投影平面PL上的投影与开口 122a于投影平面PL上重迭，第一传感器130所接收到的蒸镀材料300实质上由相同的方向喷出，因此，第一传感器130所检测到的蒸镀速率能提供的蒸镀角?信息非常稀少。详细而言，蒸镀材料300由接近0度角喷出而被第一传感器130所接收， 而使蒸镀角?估计极困难。[〇〇95]检测线L不应限制为直的且实质垂直于基板200的表面202。于本揭露的多个实施方式中，检测线L可实质上平行于基板200的表面202或相对于垂直基板200的表面202的法线方向倾斜。更甚者，于部份实施方式，检测线L可以是弯曲的。部份的配置将在以下实施方式中说明。
[0096]于一或多个实施方式中，蒸镀装置100更包含第二传感器170以及控制单元180。第二传感器170配置用以于一预定位置PP检测蒸镀材料300的监察蒸镀速率。于一或多个实施方式中，第二传感器170可固定在预定位置PP。于此，如同第一传感器130相关叙述中所提到的，第二传感器170可以是质量负载传感器，其能够检测蒸镀速率。
[0097]控制单元180用以依据监察蒸镀速率控制蒸镀源120的温度。如此一来，当蒸镀源120的蒸镀速率受到环境因素或其它因素影响时，控制单元180可以透过控制蒸镀源120的温度来帮助维持蒸镀源120的蒸镀速率的稳定。[〇〇98]图2为根据本揭露的部分实施方式的蒸镀方法400的流程图。蒸镀方法400包含步骤402?408。搭配图1A以说明步骤402?408。[〇〇99]首先，参照图1A与图2。步骤402中，借由蒸镀源120蒸镀蒸镀材料300，使蒸镀材料 300沉积于基板200上。如同前述，从开口 122a喷出的蒸镀材料300可以以蒸镀角?散开，蒸镀角?是欲求取的值。
[0100]接着，步骤404中，于多个检测位置P检测蒸镀材料300的多个蒸镀速率。在这些实施方式中，借由第一传感器130,在多个检测位置P检测蒸镀材料300的蒸镀速率。于部份实施方式中，沿着实质上是直线的检测线L设置检测位置P。于此，蒸镀材料300沉积于基板200 的一表面202上，检测线L实质上垂直于基板200的表面202。借由此配置，第一传感器130在各个检测位置P接受喷射自不同方向的蒸镀材料300。由于蒸镀速率的分布与蒸镀角0相关，可以从检测位置P上所检测到的检测速率中推论蒸镀角?。
[0101]同时参照图1A与图1B。图1B为根据本揭露的第一实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线L的关系图。[〇1〇2]于此，第一传感器130如图所示，第一传感器130设计沿着检测线L移动以接受蒸镀源120从不同方向所喷出的蒸镀材料300。于部份实施方式中，第二传感器170可以临近检测线L。或者，于部份实施方式中，第二传感器170可位于蒸镀材料300所喷射到的任何位置。蒸镀速率的分布与检测位置P和蒸镀源120之间的水平距离有负相关的关系，且在中间高度具有最大值。
[0103]参考图1B与图1C。图1C为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图1B的检测线的检测位置P(在此指图1B的检测线的检测位置P的高度)的关系图。当第一传感器130沿着检测线Uf 动时，可以得到图1C中的曲线VC1或曲线VC2。曲线VC1表示在具有大蒸镀角的第一情况下在多个检测位置P的蒸镀速率，而曲线VC2表示在具有小蒸镀角的第二情况下在多个检测位置 P的蒸镀速率。
[0104]于一或多个实施方式中，可以先得到曲线VRC，曲线VRC表示在多个检测位置P的参考蒸镀速率。曲线VRC可以是蒸镀运作的一个标准曲线。曲线VRC可借由实验或模拟而获得。 举例而言，一个检测周期包含在每个检测位置P检测蒸镀速率。可以重复进行多次的检测周期，并进而取得多个检测结果。借由平均化各个位置的部份或全部的检测结果，可取得参考蒸镀速率。
[0105]于本揭露的一或多个实施方式中，曲线VC1、曲线VC2以及曲线VRC可以正规化或透过数学函数调整，以使曲线VC1的两端可以分别与曲线VC2的两端重迭，且也可以与曲线VRC 的两端重迭。
[0106]参照图1A、图1C以及图2。步骤406中，根据于多个检测位置P所检测到的蒸镀材料 300的蒸镀速率，估计蒸镀角?。
[0107]于本揭露的一或多个实施方式中，可以假设蒸镀角?与蒸镀速率有正相关的关系，且计算单元140包含比较单元142,配置用以分别比较所检测到的蒸镀速率与参考蒸镀速率。于部份实施方式中，蒸镀角?可从蒸镀速率得到。或者，于部份实施方式中，没有必要得到蒸镀角?，而是需要推论且得到蒸镀角?与参考蒸镀角(与参考蒸镀速率有关)之间的关系。
[0108]在一实施方式中，如果所检测到的蒸镀速率与参考蒸镀速率的差值(所检测到的蒸镀速率减掉参考蒸镀速率)为正，蒸镀角视为大于参考蒸镀角。详细而言，如果所检测到的蒸镀速率与参考蒸镀速率的差值(所检测到的检测蒸镀速率减掉参考蒸镀速率)之和为正，蒸镀角视为大于参考蒸镀角。
[0109]当比较所检测到的蒸镀速率之和与参考蒸镀速率之和时，具有较大数值者，将被视为具有较大的蒸镀角。或者，于其它实施方式中，当比较一范围的所检测到的蒸镀速率之和与一相关范围的参考蒸镀速率之和时，具有较大数值者，将被视为具有较大的蒸镀角。 [〇11〇]于另一实施方式中，采用曲线拟合方式(fitting method)取得蒸镀角?的数值， 而非采用比较所检测到的蒸镀速率与参考蒸镀速率的差值的方式。可以借由曲线拟合方式，先得到参考蒸镀角与参考蒸镀速率之间的线性或非线性关系。然后，可借由曲线拟合公式，从所检测到的蒸镀速率中得到蒸镀角?。
[0111]除了以上的比较方式以及曲线拟合方式，仍有许多种数学技巧或模拟适用于分析所检测到的蒸镀速率与来估计蒸镀角?。举例而言，可采用与热力学以及流体力学相关的模拟以估计空间中的流动速率与分子分布，如此一来，可得到蒸镀速率以及蒸镀角。在此所提到的例示性的估计方法不应限制本揭露的范围。
[0112]如此一来，可以得到估计的蒸镀角0。接着，进行步骤408,根据估计的蒸镀角?移动蒸镀源120。于部份实施方式中，从所检测到的蒸镀速率与参考蒸镀速率的各个差值推论蒸镀角?时，移动蒸镀源的步骤可以根据所检测到的蒸镀速率与参考蒸镀速率的各个差值进行。详细而言，动作器150配置用以根据蒸镀速率与参考蒸镀速率的各个差值移动蒸镀源 120〇
[0113]在第一情况，如同曲线VC1以及曲线VRC所示，所检测到的蒸镀速率分别大于参考蒸镀速率，因此，可以将蒸镀角?视为大于参考蒸镀角(曲线VRC的蒸镀角)。如此一来，设计蒸镀源120沿着垂直于基板200的表面202的方向移动，以接近基板200。
[0114]在第二情况，如同曲线VC2以及曲线VRC所示，所检测到的蒸镀速率分别小于参考蒸镀速率，因此可以将蒸镀角?视为小于参考蒸镀角。如此一来，设计蒸镀源120沿着垂直于基板200的表面202的方向移动，以远离基板200。
[0115]据此，于本揭露的一或多个实施方式中，可以根据蒸镀角?，调整蒸镀源120以及基板200之间的相对位置。当估计的蒸镀角?改变时，基板200上的蒸镀速率可以调整至与参考蒸镀速率相似。如此一来，基板200可以均匀地接受蒸镀材料300。
[0116]参照图1A与图1B，除了在坩埚122的开口 122a中的阻塞，在以上的蒸镀过程中，各式各样的制程因素也可能会影响蒸镀，例如环境温度。于此，为了确保蒸镀装置100在理想的状况下执行，在预定位置PP设置第二传感器170,用以检测蒸镀装置100的工作状态。
[0117]于一或多个实施方式中，第二传感器170检测在预定位置PP的蒸镀材料的监察蒸镀速率。于本实施方式中，可将监察蒸镀速率与一正常值进行比较。可以根据监察蒸镀速率控制蒸镀源的温度。举例而言，当监察蒸镀速率降低或小于该正常值，提升蒸镀源120的温度，而当监察蒸镀速率增加或大于该正常值，降低蒸镀源120的温度。如此一来，在蒸镀过程中，蒸镀装置100的工作状态可以是稳定的。
[0118]图3A为根据本揭露的第二实施方式的蒸镀装置100的示意图。本实施方式与第一实施方式相似，本实施方式与第一实施方式的差别之一在于:检测线L实质上平行于基板 200的表面202,而非垂直于基板200的表面202。本实施方式与第一实施方式的另一差别在于蒸镀源120的移动步骤。于本实施方式中，蒸镀源120可沿着平行于基板200的表面202的方向移动。更甚者，于部份实施方式中，蒸镀源120可以沿垂直于基板200的表面202的方向移动。
[0119]同时参照图3A与图3B。图3B为根据本揭露的第二实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线L的关系图。第一传感器130可以沿着检测线L水平地移动。第一传感器130与第二传感器170位于蒸镀材料300可喷射到的范围内。[〇12〇]同时参照图3B与图3C。图3C为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图3B的检测线L的检测位置P的关系图。曲线HC1描述在具有大蒸镀角的第一情况下，检测位置P的蒸镀速率， 而曲线HC2描述在具有小蒸镀角的第二情况下，检测位置P的蒸镀速率。曲线HRC展现在多个检测位置P的参考蒸镀速率。如图所示，当检测位置P水平地排列时，所检测到的蒸镀速率以及参考检测速率在靠近蒸镀源120时具有最大值，在远离蒸镀源120时具有最小值。
[0121]虽然在图中曲线HC1、曲线HC2以及曲线HRC的最大值实质上相同，但在实际操作上，曲线HC1、曲线HC2以及曲线HRC的最大值可能有些微的差异。曲线HC1、曲线HC2以及曲线 HRC的可以经过正规化或数学公式处理，而使曲线HC1、曲线HC2以及曲线HRC具有实质上相同的最大值。
[0122]同时参考图3A与图3C。如同第一实施方式所述，由于第一传感器130可以检测不同方向的蒸镀材料300,可以借由蒸镀速率推测蒸镀角?。于此，可以从曲线HRC的参考蒸镀速率中推论得到参考蒸镀角。于部分实施方式中，所估计的蒸镀角?可以与参考蒸镀角比较。 于部分实施方式中，不必一定要取得蒸镀角?，但需研究并得到蒸镀角?与参考蒸镀角的关系。根据蒸镀角?或者根据蒸镀角?与参考蒸镀角的关系，可以移动蒸镀源120。
[0123]在一第一情况，如同曲线HC1以及曲线HRC，所检测到的蒸镀速率大于参考蒸镀速率，因此将蒸镀角?视为大于参考蒸镀角(曲线HRC的蒸镀角)。如此一来，设计蒸镀源120沿着平行于基板200的表面202的方向移动，以远离基板200,进而降低蒸镀速率。
[0124]在第二情况，如同曲线HC2以及曲线HRC所示，所检测到的蒸镀速率小于参考蒸镀速率，因此将蒸镀角?视为小于参考蒸镀角。如此一来，蒸镀源120可沿着平行于基板200的表面202的方向移动，以接近基板200，进而堤升蒸镀速率。
[0125]本实施方式的其它细节大致上与第一实施方式相似，在此不再赘述。
[0126]图4A为根据本揭露的第三实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线L的关系图。在此省略详细的蒸镀装置配置。本实施方式与第一实施方式相似，差别在于:本实施方式的检测线L是为弯曲的。于此，第一传感器130从第一位置P1曲线状地沿着检测线L移至第二位置P2,其中第一位置P1与第二位置P2可以具有实质上相同的高度与相较于蒸镀源120的开口 122a的延伸线实质上相同的半径。
[0127]同时参照图4A与图4B。图4B为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图4A的检测线L的检测位置的关系图。曲线CC1描述在具有大蒸镀角的第一情况下，在多个检测位置的蒸镀速率，曲线CC2描述在具有小蒸镀角的第二情况下在多个检测位置的蒸镀速率。曲线CRC展示在多个检测位置的参考蒸镀速率。
[0128]如同第一实施方式中所述，于部份实施方式中，可以估计蒸镀角?(参考图1A)与参考蒸镀角的相对关系。于部份实施方式中，可以借由曲线拟合方式得到蒸镀角?(参考图 1A)。根据此估计的蒸镀角?，可以移动蒸镀源120。
[0129]在第一情况，如同曲线CC1以及曲线CRC所示，所检测到的蒸镀速率大于参考蒸镀速率，因此可以将蒸镀角?(参考图1A)视为大于参考蒸镀角(曲线CRC的蒸镀角)。设计蒸镀源120沿着水平地移动以远离基板200的表面202(参考图1A)或者沿着垂直地移动以接近基板200的表面202(参考图1A)。[〇13〇]在第二情况，如同曲线CC2以及曲线CRC所示，所检测到的蒸镀速率小于参考蒸镀速率，因此可以将蒸镀角?(参考图1A)视为小于参考蒸镀角(曲线CRC的蒸镀角)。设计蒸镀源120沿着水平地移动以接近基板200的表面202(参考图1A)或者沿着垂直地移动以远离基板200的表面202(参考图1A)。[〇131]本实施方式的其它细节与第一实施方式的细节相似，在此不再赘述。
[0132]图5A为根据本揭露的第四实施方式在高度与水平距离的三维坐标系统中展现检测线L的关系图。本实施方式与第一实施方式相似，差别在于:检测线L相对于垂直基板200 的表面202(参考图1A)的法线方向倾斜，蒸镀材料300(参考图1A)沉积于基板200的表面202上。
[0133]且，如同第一实施方式所述，可以估计蒸镀角?(参考图1A)与参考蒸镀角的相对关系。于部份实施方式中，可以借由曲线拟合方式得到蒸镀角?(参考图1A)。根据此估计的蒸镀角?，可以垂直地或水平地移动蒸镀源120。
[0134]图5B为展现蒸镀速率的检测结果与沿着图5A的检测线L的检测位置的关系图。于本实施方式中，第一传感器130沿着检测线L从位置P3移动至位置P4。
[0135]曲线SCI描述在具有大蒸镀角的第一情况下在沿着检测线L的检测位置的蒸镀速率，而曲线SC2表示在具有小蒸镀角的第二情况下在沿着检测线L的检测位置的蒸镀速率。 曲线HRC展现在沿着检测线L的检测位置的参考蒸镀速率。
[0136]于本揭露的一或多个实施方式中，曲线SC1、曲线SC2以及曲线SRC可以经由正规化或透过某些数学公式处理，使曲线SCI的一端、曲线SC2的一端以及曲线SRC的一端重迭。
[0137]在第一情况，如同曲线SCI以及曲线SRC所示，所检测到的蒸镀速率大于参考蒸镀速率，因此可以将蒸镀角?视为大于参考蒸镀角(曲线SRC的蒸镀角)。如此一来，设计蒸镀源120沿着水平地移动以远离基板200的表面202或者沿着垂直地移动以接近基板200的表面202(参考图1A)。
[0138]在第二情况，如同曲线SC2以及曲线SRC所示，所检测到的蒸镀速率小于参考蒸镀速率，因此可以将蒸镀角?视为小于参考蒸镀角(曲线SRC的蒸镀角)。如此一来，设计蒸镀源120沿着水平地移动以接近基板200的表面202或者沿着垂直地移动以远离基板200的表面202(参考图1A)。
[0139]本实施方式的其它细节与第一实施方式的细节相似，在此不再赘述。
[0140]应了解到，取决于检测线，有各式各样的系列的所检测到的蒸镀速率以及参考蒸镀速率。本领域技术人员可以设计检测线，藉以获得携带有蒸镀角信息的所检测到的蒸镀速率。[〇141]于一或多个实施方式中，在蒸镀程序中，借由在检测位置所检测到的蒸镀速率估计蒸镀角，与根据蒸镀角而移动蒸镀源。如此一来，尽管蒸镀角可能变化，基板上蒸镀材料的膜厚均匀度可以大致维持不变。
[0142]当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种蒸镀装置，其特征在于，包含:一支撑件，用以支撑一基板；一蒸镀源，用以蒸镀一蒸镀材料，使该蒸镀材料沉积于该基板上；一第一传感器，用以于多个检测位置检测该蒸镀材料的多个蒸镀速率；一计算单元，用以依据于该些检测位置所检测到该蒸镀材料的该些蒸镀速率，估计一 蒸镀角；以及一动作器，用以依据该估计的蒸镀角，来移动该蒸镀源。2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，该蒸 镀材料沉积于该基板的一表面上，该检测线垂直于该基板的该表面。3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，该蒸镀源具有一开口，该蒸镀材料从 该开口喷出，且该检测线于一投影平面上的投影与该蒸镀源的该开口于该投影平面上的投 影分离，该投影平面平行于该基板的该表面。4.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，该蒸 镀材料沉积于该基板的一表面上，该检测线平行于该基板的该表面。5.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，且该 第一传感器是沿着该检测线可动的。6.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，且该 检测线是直的。7.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，该蒸 镀材料沉积于该基板的一表面上，且该检测线相对于垂直该基板的该表面的法线方向倾 斜。8.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，且该 检测线是弯曲的。9.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，更包含:一腔体，用以容纳该支撑件、该蒸镀源以及该第一传感器，其中该支撑件邻近该腔体的 一壁面，且该些检测位置位于该蒸镀源以及该腔体的该壁面之间。10.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该计算单元包含:一比较单元，用以将所检测到的该些蒸镀速率与多个参考蒸镀速率分别进行比较，该 动作器是用以依据所检测到的该些蒸镀速率与该些参考蒸镀速率之间的多个差值而移动 该蒸镀源。11.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，更包含:一第二传感器，用以于一预定位置检测该蒸镀材料的一监察蒸镀速率；以及一控制单元，用以依据该监察蒸镀速率来控制该蒸镀源的温度。12.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面 上，该蒸镀源在垂直于该基板的该表面的方向上是可动的。13.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，该蒸镀材料沉积于该基板的一表面 上，该蒸镀源在平行于该基板的该表面的方向上是可动的。14.一种蒸镀方法，其特征在于，包含:借由一蒸镀源蒸镀一蒸镀材料，使该蒸镀材料沉积于一基板上；于多个检测位置检测该蒸镀材料的多个蒸镀速率；依据于该些检测位置所检测到的该蒸镀材料的该些蒸镀速率，估计一蒸镀角；以及依据该估计的蒸镀角，移动该蒸镀源。15.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，该 蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，且该检测线垂直于该基板的该表面。16.根据权利要求15所述的蒸镀方法，其特征在于，该蒸镀源具有一开口，该蒸镀材料 从该开口喷出，且该检测线于一投影平面上的投影与该蒸镀源的该开口于该投影平面上的 投影分离，该投影平面平行于该基板的该表面。17.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，该些检测位置设置于一检测线，该 蒸镀材料沉积于该基板的一表面上，且该检测线平行于该基板的该表面。18.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，于借由一第一传感器于该些检测位 置检测该蒸镀材料的该些蒸镀速率，且于该些检测位置检测该蒸镀材料的该些蒸镀速率的 步骤包含沿一检测线移动该第一传感器，该些检测位置设置于一检测线。19.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，估计该蒸镀角的步骤包含将所检测 到的该些蒸镀速率与多个参考蒸镀速率分别进行比较，且移动该蒸镀源的步骤包含依据所 检测到的该些蒸镀速率与该些参考蒸镀速率之间的多个差值而移动该蒸镀源。20.根据权利要求19所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别大于该些参考蒸镀速率时，沿着垂直于该基板的一表 面的一方向，移动该蒸镀源接近该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。21.根据权利要求19所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别小于该些参考蒸镀速率时，沿着垂直于该基板的一表 面的一方向，移动该蒸镀源远离该基板，其中该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。22.根据权利要求19所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别大于该些参考蒸镀速率时，沿着平行于该基板的一表 面的一方向，移动该蒸镀源远离该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。23.根据权利要求19所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当所检测到的该些蒸镀速率分别小于该些参考蒸镀速率时，沿着平行于该基板的一表 面的一方向，移动该蒸镀源接近该基板，其中该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。24.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角大于一参考蒸镀角时，沿着垂直于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀 源接近该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。25.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角小于一参考蒸镀角时，沿着垂直于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀 源远离该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。26.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角大于一参考蒸镀角时，沿着平行于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀 源远离该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。27.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，移动该蒸镀源的步骤包含:当该蒸镀角小于一参考蒸镀角时，沿着平行于该基板的一表面的一方向，移动该蒸镀源接近该基板，该蒸镀材料沉积于该基板的该表面上。28.根据权利要求14所述的蒸镀方法，其特征在于，更包含:于一预定位置检测该蒸镀材料的一监察蒸镀速率；以及依据该监察蒸镀速率控制该蒸镀源的温度。29.根据权利要求28所述的蒸镀方法，其特征在于，控制该蒸镀源的温度的步骤包含: 当该监察蒸镀速率下降时，提升该蒸镀源的温度。30.根据权利要求28所述的蒸镀方法，其特征在于，控制该蒸镀源的温度的步骤包含: 当该监察蒸镀速率上升时，降低该蒸镀源的温度。
【文档编号】C23C14/24GK105960072SQ201610331712
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年5月18日
【发明人】萧智鸿
【申请人】友达光电股份有限公司