一种基于线性度处理电路的温度检测系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于线性度处理电路的温度检测系统，其特征在于，主要由处理芯片U1，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4等组成。本发明可以对检测信号的频率进行处理，使检测信号的频率更加稳定，从而可以使输入的检测信号的波形与输出的检测信号的波形相同，保持检测信号的保真度，避免信号失真而影响温度检测精度。同时，本发明可以提高检测信号的线性度，使检测信号更加稳定，从而减小本发明的检测误差。
【专利说明】
一种基于线性度处理电路的温度检测系统
技术领域
[0001]本发明涉及一种检测系统，具体是指一种基于线性度处理电路的温度检测系统。
【背景技术】
[0002]在工业生产过程和科研工作中，很多时候都需要对生产设备或者生产环境的温度进行检测并根据需求对温度进行控制，从而提高生产效率和产品的质量。然而，现有的温度检测系统在对检测信号处理时容易使检测信号失真，从而导致其无法准确的检测出温度值，无法满足生产需求。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前的温度检测系统在对检测信号处理时容易使检测信号失真的缺陷，提供一种基于线性度处理电路的温度检测系统。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:一种基于线性度处理电路的温度检测系统，主要由处理芯片Ul，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片Ul的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片Ul的V+管脚相连接、负极与处理芯片Ul的BALANCE管脚相连接的电容C4，串接在处理芯片Ul的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10，正极与处理芯片Ul的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片Ul的GND管脚相连接的同时接地的电容C5，负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片Ul的IN-管脚相连接的电容C3，与处理芯片Ul的OUT管脚相连接的线性度处理电路，以及与线性度处理电路相连接的射极输出电路组成;所述处理芯片Ul的V-管脚与电容C3的正极相连接;所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。
[0005]进一步的，所述线性度处理电路由三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，放大器Pl，正极经电阻R12后与三极管VT4的发射极相连接、负极经电位器R13后与三极管VT6的集电极相连接的电容C7，串接在三极管VT7的集电极和放大器PI的负极之间的电阻R14，以及N极经电阻R16后接地、P极经电阻R15后与三极管VT6的集电极相连接的二极管D4组成;所述电容C7的正极接地、其负极则与电位器R13的控制端相连接;所述三极管VT4的基极作为该线性度处理电路的输入端并与处理芯片Ul的OUT管脚相连接、其集电极则与三极管VT5的基极相连接;所述三极管VT7的发射极与三极管VT5的发射极相连接的同时接地、其基极则与三极管VT6的发射极相连接;所述三极管VT6的基极与三极管VT5的集电极相连接；所述放大器Pl的正极与二极管D4的N极相连接、其输出端作为该线性度处理电路的输出端并与射极输出电路相连接。
[0006]所述基极触发电路由三极管VTl，三极管VT2，场效应管M0S，正极与三极管VTl的发射极相连接、负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片Ul的IN+管脚相连接的电容Cl，N极经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接、P极顺次经电容C2和电阻Rl后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2，P极与二极管D2的P极相连接的同时接地、N极经电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接的二极管Dl，以及串接在三极管VT2的集电极和场效应管MOS的栅极之间的电阻R3组成;所述三极管VTl的基极与温度传感器U的信号输入端相连接、其集电极则与三极管VT2的基极相连接;所述场效应管MOS的漏极与电阻R8和电阻R9的连接点相连接。
[0007]所述射极输出电路由放大器P，三极管VT3，P极与线性度处理电路的输出端相连接、N极与放大器P的正极相连接的二极管D3，串接在二极管03的~极和三极管VT3的基极之间的电阻Rll，以及正极与放大器P的输出端相连接、负极作为该射极输出电路的输出端的电容C6组成;所述放大器P的负极接地、其输出端与三极管VT3的发射极相连接;所述三极管VT3的集电极接地。
[0008]所述处理芯片Ul为LM311集成芯片。
[0009]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0010](I)本发明可以对检测信号的频率进行处理，使检测信号的频率更加稳定，从而可以使输入的检测信号的波形与输出的检测信号的波形相同，保持检测信号的保真度，避免信号失真而影响温度检测精度。
[0011](2)本发明可以提高检测信号的线性度，使检测信号更加稳定，从而减小本发明的检测误差。
【附图说明】
[0012]图1为本发明的整体结构示意图。
[0013]图2为本发明的线性度处理电路结构图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0015]实施例
[0016]如图1所示，本发明主要由处理芯片Ul，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片Ul的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片Ul的V+管脚相连接、负极与处理芯片Ul的BALANCE管脚相连接的电容C4，串接在处理芯片Ul的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻RlO，正极与处理芯片Ul的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片Ul的GND管脚相连接的同时接地的电容C5，负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片Ul的IN-管脚相连接的电容C3，与处理芯片Ul的OUT管脚相连接的线性度处理电路，以及与线性度处理电路相连接的射极输出电路组成。
[0017]所述处理芯片Ul的V-管脚与电容C3的正极相连接;所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。为了更好的实施本发明，所述处理芯片Ul优选LM311集成芯片来实现。该温度传感器U则采用北京九纯健科技发展有限公司生产的JCJ100ZGF温度传感器来实现。
[0018]进一步的，基极触发电路由三极管VTl，三极管VT2，场效应管M0S，电阻Rl，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R7，电容Cl，电容C2，二极管Dl以及二极管D2组成。
[0019]连接时，电容Cl的正极与三极管VTl的发射极相连接、其负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片Ul的IN+管脚相连接。二极管02的_及经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接、其P极与电容C2的负极相连接。该电容C2的正极则经电阻Rl后与三极管VT2的发射极相连接。二极管Dl的P极与二极管D2的P极相连接的同时接地、其N极经电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接。电阻R3串接在三极管VT2的集电极和场效应管MOS的栅极之间。
[0020]同时，所述三极管VTl的基极与温度传感器U的信号输入端相连接、其集电极则与三极管VT2的基极相连接。所述场效应管MOS的漏极与电阻R8和电阻R9的连接点相连接。[0021 ]另外，所述射极输出电路由放大器P，三极管VT3，电阻Rl I，二极管D3以及电容C6组成。二极管D3的P极与线性度处理电路的输出端相连接、其N极与放大器P的正极相连接。电阻RlI串接在二极管03的~极和三极管VT3的基极之间。电容C6的正极与放大器P的输出端相连接、其负极作为该射极输出电路的输出端并接外部显示器。所述放大器P的负极接地、其输出端与三极管VT3的发射极相连接;所述三极管VT3的集电极接地。
[0022]如图2所示，所述线性度处理电路由三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，放大器P1，电阻R12，电位器13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，二极管D4以及电容C7组成。
[0023]连接时，电容C7的正极经电阻R12后与三极管VT4的发射极相连接、其负极经电位器R13后与三极管VT6的集电极相连接。电阻R14串接在三极管VT7的集电极和放大器Pl的负极之间。二极管D4的N极经电阻R16后接地、其P极经电阻R15后与三极管VT6的集电极相连接。
[0024]所述电容C7的正极接地、其负极则与电位器Rl3的控制端相连接。所述三极管VT4的基极作为该线性度处理电路的输入端并与处理芯片Ul的OUT管脚相连接、其集电极则与三极管VT5的基极相连接。所述三极管VT7的发射极与三极管VT5的发射极相连接的同时接地、其基极则与三极管VT6的发射极相连接。所述三极管VT6的基极与三极管VT5的集电极相连接。所述放大器Pl的正极与二极管D4的N极相连接、其输出端作为该线性度处理电路的输出端并与二极管D3的P极相连接。
[0025]本发明可以对温度传感器输出的检测信号的频率进行处理，使检测信号的频率更加稳定，从而可以使输入的检测信号的波形与输出的检测信号的波形相同，保持检测信号的保真度，同时，本发明可以提高检测信号的线性度，使检测信号更加稳定，从而减小本发明的检测误差。
[0026]如上所述，便可很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于线性度处理电路的温度检测系统，其特征在于，主要由处理芯片Ul，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片Ul的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片Ul的V+管脚相连接、负极与处理芯片Ul的BALANCE管脚相连接的电容C4，串接在处理芯片Ul的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻RlO，正极与处理芯片Ul的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片Ul的GND管脚相连接的同时接地的电容C5，负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片Ul的IN-管脚相连接的电容C3，与处理芯片Ul的OUT管脚相连接的线性度处理电路，以及与线性度处理电路相连接的射极输出电路组成;所述处理芯片Ul的V-管脚与电容C3的正极相连接;所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。2.根据权利要求1所述的一种基于线性度处理电路的温度检测系统，其特征在于:所述线性度处理电路由三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，放大器P1，正极经电阻R12后与三极管VT4的发射极相连接、负极经电位器R13后与三极管VT6的集电极相连接的电容C7，串接在三极管VT7的集电极和放大器PI的负极之间的电阻Rl 4，以及N极经电阻Rl 6后接地、P极经电阻Rl 5后与三极管VT6的集电极相连接的二极管D4组成;所述电容C7的正极接地、其负极则与电位器R13的控制端相连接;所述三极管VT4的基极作为该线性度处理电路的输入端并与处理芯片Ul的OUT管脚相连接、其集电极则与三极管VT5的基极相连接;所述三极管VT7的发射极与三极管VT5的发射极相连接的同时接地、其基极则与三极管VT6的发射极相连接;所述三极管VT6的基极与三极管VT5的集电极相连接;所述放大器Pl的正极与二极管D4的N极相连接、其输出端作为该线性度处理电路的输出端并与射极输出电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于线性度处理电路的温度检测系统，其特征在于:所述基极触发电路由三极管VTl，三极管VT2，场效应管MOS，正极与三极管VTI的发射极相连接、负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片Ul的IN+管脚相连接的电容Cl，N极经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接、P极顺次经电容C2和电阻Rl后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2，P极与二极管D2的P极相连接的同时接地、N极经电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接的二极管Dl，以及串接在三极管VT2的集电极和场效应管MOS的栅极之间的电阻R3组成;所述三极管VTl的基极与温度传感器U的信号输入端相连接、其集电极则与三极管VT2的基极相连接;所述场效应管MOS的漏极与电阻R8和电阻R9的连接点相连接。4.根据权利要求3所述的一种基于线性度处理电路的温度检测系统，其特征在于:所述射极输出电路由放大器P，三极管VT3，P极与线性度处理电路的输出端相连接、N极与放大器P的正极相连接的二极管D3，串接在二极管03的~极和三极管VT3的基极之间的电阻Rll，以及正极与放大器P的输出端相连接、负极作为该射极输出电路的输出端的电容C6组成;所述放大器P的负极接地、其输出端与三极管VT3的发射极相连接;所述三极管VT3的集电极接地。5.根据权利要求4所述的一种基于线性度处理电路的温度检测系统，其特征在于:所述处理芯片Ul为LM311集成芯片。
【文档编号】H03F1/32GK105978502SQ201610429998
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年6月15日
【发明人】不公告发明人
【申请人】成都特普瑞斯节能环保科技有限公司