布线电路基板的制造方法以及检查方法

布线电路基板的制造方法以及检查方法
【专利摘要】本发明提供一种布线电路基板的制造方法以及检查方法。第一布线电路基板的基底绝缘层和覆盖绝缘层由第一绝缘材料形成，第二布线电路基板的基底绝缘层和覆盖绝缘层由第二绝缘材料形成。在对第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照射到第一布线电路基板，并基于从第一布线电路基板反射来的反射光来生成图像。在对第二布线电路基板进行检查时，将在与第一波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到第二布线电路基板，并基于从第二布线电路基板反射来的反射光来生成图像。
【专利说明】
布线电路基板的制造方法从及检查方法
技术领域
[0001] 本发明设及一种布线电路基板的制造方法W及检查方法。
【背景技术】
[0002] 带电路的悬挂基板（suspension subs化ate)等布线电路基板依次具备金属支承 层、基底绝缘层、布线图案W及覆盖绝缘层。当在运样的布线电路基板的布线图案中存在不 良时，连接可靠性降低。因此，检查布线图案是否良好。
[0003] 在检查时，从检查装置的光源单元向布线电路基板照射光，并通过照相机单元生 成布线电路基板的布线图案的图像(例如，参照日本特开2012-59756号公报）。

【发明内容】

[0004] 在日本特开2012-59756号公报所记载的布线电路基板的制造方法中，使布线电路 基板的基底绝缘层的表面粗糖化。另外，向导体图案(布线图案)入射的入射光的波长被调 整为435nm~500nm，入射光包括相对于其光轴倾斜的倾斜光。由此，入射光在基底绝缘层的 表面被散射。另外，透过基底绝缘层而由金属支承层的表面反射来的光也在基底绝缘层的 表面被散射。另一方面，由导体图案的表面反射来的光不被散射。其结果，能够使导体图案 与绝缘层之间的对比度提高。
[0005] 然而，在上述的布线电路基板的制造方法中，需要使基底绝缘层的表面粗糖化的 步骤。期望的是，不添加布线电路基板的制造步骤地判定布线图案是否良好。
[0006] 本发明的目的在于，提供一种不添加布线电路基板的制造步骤就能够高精度地判 定布线图案是否良好的布线电路基板的制造方法W及检查方法。
[0007] (1)按照本发明的一个局面的布线电路基板的制造方法包括W下步骤:制作布线 电路基板，该布线电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘层、布线图案W及第二绝缘 层；W及进行布线电路基板的检查，其中，在制作布线电路基板的步骤中包括W下步骤:审。 作由第一绝缘材料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第一布线电路基板，或者制作由第二绝 缘材料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第二布线电路基板，在进行检查的步骤中包括W下 步骤:在对第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照 射到第一布线电路基板，在对第二布线电路基板进行检查时，将在与第一波长区域不同的 第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到第二布线电路基板;在对第一布线电路基板 进行检查时，基于从第一布线电路基板反射来的反射光来生成第一布线电路基板的图像， 在对第二布线电路基板进行检查时，基于从第二布线电路基板反射来的反射光来生成第二 布线电路基板的图像；W及在对第一布线电路基板进行检查时，基于第一布线电路基板的 图像来判定布线图案是否良好，在对第二布线电路基板进行检查时，基于第二布线电路基 板的图像来判定布线图案是否良好，其中，将被布线图案反射而从布线电路基板出射的光 与入射到了布线电路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被金属支承基板反射而从 布线电路基板出射的光与入射到了布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率，第一 布线电路基板具有W下的特性:针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差大于针对 第二光的布线反射率与基板反射率之间的差，第二布线电路基板具有W下的特性:针对第 二光的布线反射率与基板反射率之间的差大于针对第一光的布线反射率与基板反射率之 间的差。
[0008] 如果利用该制造方法，则在制作出第一布线电路基板或第二布线电路基板之后进 行所制作出的第一布线电路基板或第二布线电路基板的检查。在对第一布线电路基板进行 检查时，照射在第一波长区域内具有峰值波长的第一光。在对第二布线电路基板进行检查 时，照射在第二波长区域内具有峰值波长的第二光。
[0009] 在此，第一光入射到了第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之 间的差大于第二光入射到了第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间 的差。在该情况下，基于被第一布线电路基板反射的第一光来生成图像，因此在该图像中布 线图案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第一布线电路基板的 布线图案是否良好。
[0010] 另外，第二光入射到了第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之 间的差大于第一光入射到了第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间 的差。在该情况下，基于被第二布线电路基板反射的第二光来生成图像，因此在该图像中布 线图案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第二布线电路基板的 布线图案是否良好。
[0011] 上述的结果是，不添加制造步骤就能够高精度地判定具有不同的光学特性的布线 电路基板的布线图案是否良好。
[0012] (2)也可W是，第一波长区域为425nmW上且525nmW下，第二波长区域为630nmW 上且850nmW下。
[0013] 在该情况下，向第一布线电路基板照射了具有425nmW上且525nmW下的峰值波长 的第一光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于照射了具有630nmW上且 85化mW下的峰值波长的第二光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。能够高精 度地判定具有运样的光学特性的第一布线电路基板的布线图案有无缺陷。
[0014] 另外，向第二布线电路基板照射了具有630nmW上且85化mW下的峰值波长的第二 光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差大于照射了具有425nmW上且525nmW下 的峰值波长的第一光的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。能够高精度地判定具 有运样的光学特性的第二布线电路基板的布线图案是否良好。
[0015] (3)也可W是，通过产生紫色光或蓝色光的第一发光元件向第一布线电路基板照 射第一光，通过产生红色光或红外光的第二发光元件向第二布线电路基板照射第二光。
[0016] 在该情况下，能够容易地对第一布线电路基板照射具有425nmW上且525nmW下的 峰值波长的第一光。另外，能够容易地对第二布线电路基板照射具有630nmW上且850nmW 下的峰值波长的第二光。
[0017] (4)也可W是，关于在425nmW上且850nmW下的范围内的各波长，第一绝缘材料具 有比第二绝缘材料高的光透射率。
[0018] 在该情况下，第一布线电路基板的第一绝缘层的光透射率和第二绝缘层的光透射 率比第二布线电路基板的第一绝缘层的光透射率和第二绝缘层的光透射率高。能够高精度 地判定具有运样的不同的光学特性的布线电路基板的布线图案是否良好。
[0019] (5)也可W是，第一绝缘材料的光透射率和第二绝缘材料的光透射率随着光的波 长在425nmW上且850nmW下的范围内增加而增加。
[0020] 在该情况下，第一光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射 率之间的差大于第二光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之 间的差。另外，第二光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间 的差大于第一光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。 能够高精度地判定具有运样的不同的光学特性的布线电路基板的布线图案是否良好。
[0021] (6)按照本发明的其它局面的检查方法是一种布线电路基板的检查方法，该布线 电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘层、布线图案W及第二绝缘层，布线电路基板是 由第一绝缘材料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第一布线电路基板，或者是由第二绝缘材 料形成第一绝缘层和第二绝缘层的第二布线电路基板，检查方法包括W下步骤:在对第一 布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光照射到第一布线电 路基板，在对第二布线电路基板进行检查时，将在与第一波长区域不同的第二波长区域内 具有峰值波长的第二光照射到第二布线电路基板;在对第一布线电路基板进行检查时，基 于从第一布线电路基板反射来的反射光来生成第一布线电路基板的图像，在对第二布线电 路基板进行检查时，基于从第二布线电路基板反射来的反射光来生成第二布线电路基板的 图像；W及在对第一布线电路基板进行检查时，基于第一布线电路基板的图像来判定布线 图案是否良好，在对第二布线电路基板进行检查时，基于第二布线电路基板的图像来判定 布线图案是否良好，其中，将被布线图案反射而从布线电路基板出射的光与入射到了布线 电路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被金属支承基板反射而从布线电路基板出 射的光与入射到了布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率，第一布线电路基板具 有W下的特性:针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差大于针对第二光的布线反 射率与基板反射率之间的差，第二布线电路基板具有W下的特性:针对第二光的布线反射 率与基板反射率之间的差大于针对第一光的布线反射率与基板反射率之间的差。
[0022] 如果利用该检查方法，则在对第一布线电路基板进行检查时，照射在第一波长区 域内具有峰值波长的第一光。在对第二布线电路基板进行检查时，照射在第二波长区域内 具有峰值波长的第二光。
[0023] 在此，第一光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间 的差大于第二光入射到第一布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。 在该情况下，基于被第一布线电路基板反射的第一光来生成图像，因此在该图像中布线图 案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第一布线电路基板的布线 图案是否良好。
[0024] 另外，第二光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间 的差大于第一光入射到第二布线电路基板的情况下的布线反射率与基板反射率之间的差。 在该情况下，基于被第二布线电路基板反射的第二光来生成图像，因此在该图像中布线图 案与金属支承基板之间的对比度变高。由此，能够高精度地判定第二布线电路基板的布线 图案是否良好。
[0025] 上述的结果是，不添加制造步骤就能够高精度地判定具有不同的光学特性的布线 电路基板的布线图案是否良好。
【附图说明】
[0026] 图1的(a)~(d)是示出本实施方式所设及的布线电路基板的制造步骤的一例的截 面图，
[0027] 图2是示出第一聚酷亚胺和第二聚酷亚胺的光谱特性的图，
[0028] 图3的（a)是用于对W卷对卷(roll to roll)方式输送的基板集合体片进行检查 的检查装置的侧视图，
[0029] 图3的(b)是图3的(a)的检查装置的光源装置的主视图，
[0030] 图4的(a)是示出第一布线电路基板的检查步骤的图，
[0031] 图4的(b)是示出第二布线电路基板的检查步骤的图，
[0032] 图5是示出关于第一布线电路基板的光的反射率与光的波长之间的关系的图，
[0033] 图6是示出关于第二布线电路基板的光的反射率与光的波长之间的关系的图，
[0034] 图7的(a)和(b)是示出在向第一布线电路基板照射了第一光和第二光的情况下通 过摄像装置得到的图像的例子的图，
[0035] 图8的(a)和(b)是示出在向第二布线电路基板照射了第一光和第二光的情况下通 过摄像装置得到的图像的例子的图，
[0036] 图9的(a)~(C)是示出光源装置中的第一光源和第二光源的排列的其它例子的示 意图。
【具体实施方式】
[0037] W下，参照附图来说明本发明的实施方式所设及的布线电路基板的制造方法W及 检查方法。布线电路基板的制造方法包括布线电路基板的制造步骤和布线电路基板的检查 步骤。布线电路基板例如是带电路的悬挂基板。
[0038] (1)布线电路基板的制造步骤
[0039] 图1是示出本实施方式所设及的布线电路基板的制造步骤的一例的截面图。首先， 如图1的(a)所示，准备由不诱钢形成的长条状的金属支承基板11。在图1中，示出一个布线 电路基板的制造步骤，但是在本实施方式中，通过卷对卷方式在长条状的金属支承基板11 形成有多个布线电路基板。金属支承基板11的厚度例如是扣mW上且SOwiiW下，优选是IOwh W上且30]imW下。
[0040] 接着，如图1的（b)所示，在金属支承基板11上形成由第一聚酷亚胺或第二聚酷亚 胺形成的基底绝缘层12。关于第一聚酷亚胺和第二聚酷亚胺，在后文中说明。基底绝缘层12 是第一绝缘层的一例。基底绝缘层12的厚度例如是1皿W上且30wiiW下，优选是3wiiW上且 20皿^下。
[0041] 接着，如图1的（C)所示，在基底绝缘层12上形成多个布线图案13。在本实施方式 中，多个布线图案13包括由铜形成的导体图案14和由儀形成的金属覆盖层15。布线图案13 的厚度例如是3皿W上且30皿W下，优选是扣mW上且20皿W下。各布线图案13例如包括线 状的布线层、W及设置在该布线层的两端部的焊盘等端子部。布线图案13也可W是接地导 体层。导体图案14例如既可W使用半添加法(semi-additive method)来形成，也可W使用 减去法(subtractive method)等其它方法来形成。金属覆盖层15例如通过非电解锻W覆盖 导体图案14的表面的方式形成。金属覆盖层15的厚度例如是下，优选是0.1 wiiW上且1 皿W下。
[0042] 如图1的(d)所示，W覆盖多个布线图案13的方式在基底绝缘层12上形成由第一聚 酷亚胺或第二聚酷亚胺形成的覆盖绝缘层16。在该情况下，在覆盖绝缘层16设置开口 W使 得布线图案13的各端子部露出。覆盖绝缘层16是第二绝缘层的一例。覆盖绝缘层16的厚度 例如是3皿^上且30皿^下，优选是如mW上且20皿^下。
[0043] (2)第一聚酷亚胺和第二聚酷亚胺的特性
[0044] 图2是示出第一聚酷亚胺和第二聚酷亚胺的光谱特性的图。图2的纵轴表示光透射 率，横轴表示光的波长。在图2中，实线表示第一聚酷亚胺的光透射率，虚线表示第二聚酷亚 胺的光透射率。第一聚酷亚胺和第二聚酷亚胺的厚度是15WI1。另外，在表1中示出关于第一 聚酷亚胺和第二聚酷亚胺的光的波长与光透射率之间的关系。
[0045] [表U
[0046]
[0047] 如图2和表1所示，关于从波长400nm到波长950nm的范围内的各波长，第一聚酷亚 胺的光透射率比第二聚酷亚胺的光透射率高。另外，第一聚酷亚胺的光透射率随着波长变 大而单调增加。同样，第二聚酷亚胺的光透射率随着波长变大而单调增加。
[004引在波长为425nm时，第一聚酷亚胺的光透射率是3.52%，第二聚酷亚胺的光透射率 是0.19 %。在波长为450nm时，第一聚酷亚胺的光透射率是9.77%，第二聚酷亚胺的光透射 率是1.23 %。在波长为500nm时，第一聚酷亚胺的光透射率是22.84%，第二聚酷亚胺的光透 射率是5.43 %。在波长为525nm时，第一聚酷亚胺的光透射率是29.69%，第二聚酷亚胺的光 透射率是8.65%。在波长为630nm时，第一聚酷亚胺的光透射率是53.55%，第二聚酷亚胺的 光透射率是27.31 %。在波长为700nm时，第一聚酷亚胺的光透射率是63.80 %，第二聚酷亚 胺的光透射率是40.0 l %。在波长为850nm时，第一聚酷亚胺的光透射率是76.40%，第二聚 酷亚胺的光透射率是60.97%。
[0049] W下，将由第一聚酷亚胺形成基底绝缘层12和覆盖绝缘层16的布线电路基板10称 为第一布线电路基板10a，将由第二聚酷亚胺形成基底绝缘层12和覆盖绝缘层16的布线电 路基板10称为第二布线电路基板10b。
[0050] (3)布线电路基板的检查装置和检查步骤
[0051] 通过上述的图1的(a)~（d)的步骤，制作具有多个布线电路基板10的长条状的基 板集合体片。接着，对基板集合体片的各布线电路基板10的布线图案13进行检查。
[0052] 图3是表示布线电路基板的检查装置的示意图，图3的（a)示出用于对W卷对卷方 式输送的基板集合体片进行检查的检查装置的侧视图，图3的(b)示出图3的(a)的检查装置 的光源装置的主视图。
[0053] 如图3的(a)所示，发送漉20和卷取漉30被配置为隔开间隔且能够沿箭头的方向旋 转。从发送漉20送出的基板集合体片50被沿箭头的方向输送，并且通过卷取漉30被卷取。检 查装置100具备光源装置110、摄像装置120、半透半反射镜130W及控制装置150。
[0054] 半透半反射镜130被配置为在所输送的基板集合体片50的上方相对于基板集合体 片50的表面形成约45度的角度。光源装置110被配置为与半透半反射镜130相对。摄像装置 120被配置在半透半反射镜130的上方。
[0055] 光源装置110使入射光31相对于基板集合体片50的表面平行地朝向半透半反射镜 130射出。半透半反射镜130向下方反射入射光31。由此，入射光31入射到基板集合体片50的 表面。从基板集合体片50反射的反射光32透过半透半反射镜130而入射到摄像装置120。由 此，通过摄像装置120得到基板集合体片50的各布线电路基板10的图像。
[0056] 如图3的(b)所示，光源装置110包括射出第一光的第一光源111和射出第二光的第 二光源112。第一光在第一波长区域内具有峰值波长。在本实施方式中，第一波长区域是 425nm~525nm。第二光在第二波长区域内具有峰值波长。在本实施方式中，第二波长区域是 630nm~850nm。在本实施方式中，作为第一光源111，例如使用射出紫色光或蓝色光的多个 发光二极管111a。作为第二光源112,例如使用射出红色光或红外光的多个发光二极管 112a。多个发光二极管IllaW沿水平方向排列的方式配置。多个发光二极管112aW沿水平 方向排列的方式与多个发光二极管Illa并排地配置。第一光源111和第二光源112被选择性 地点亮和焰灭。
[0057] 当第一光源111被点亮时，第一光作为入射光31被照射到基板集合体片50的布线 电路基板10。在第一光源111被点亮时，第二光源112被焰灭。当第二光源112被点亮时，第二 光作为入射光31被照射到基板集合体片50的布线电路基板10。在第二光源112被点亮时，第 一光源111被焰灭。由此，切换向布线电路基板10照射的入射光31的波长区域。
[005引控制装置150例如包括CPU(中央运算处理装置)和半导体存储器。该控制装置150 对发送漉20、卷取漉30、光源装置now及摄像装置120的动作进行控制，并且基于后述的图 像来自动地进行光学检查。
[0059] 在基板集合体片50包括多个第一布线电路基板IOa作为多个布线电路基板10的情 况下，第一光源111被点亮。在基板集合体片50包括多个第二布线电路基板IOb作为多个布 线电路基板10的情况下，第二光源112被点亮。第一光源111的点亮与第二光源112的点亮之 间的切换既可W由操作者进行，也可W由控制装置150按照计算机程序自动地进行。
[0060] 图4的（a)是示出第一布线电路基板IOa的检查步骤的图，图4的（b)是示出第二布 线电路基板IOb的检查步骤的图。在对第一布线电路基板IOa进行检查时，通过图3的检查装 置100向第一布线电路基板IOa照射第一光。在图4的(a)中，将向布线图案13入射的第一光 称为布线入射光31iw，将被布线图案13反射来的第一光称为布线反射光31rw。另外，将向金 属支承基板11入射的第一光称为基板入射光31is，将被金属支承基板11反射来的第一光称 为基板反射光31rs。
[0061 ]布线入射光31iw透过覆盖绝缘层16而向布线图案13入射，布线反射光Slrw透过覆 盖绝缘层16而向摄像装置120入射。基板入射光31is透过覆盖绝缘层16和基底绝缘层12而 向金属支承基板11入射，基板反射光31rs透过基底绝缘层12和覆盖绝缘层16而向摄像装置 120入射。摄像装置120基于布线反射光31rw和基板反射光31rs来生成第一布线电路基板 IOa的图像。
[0062] 在此，将布线反射光31rw与布线入射光31iw之间的强度比称为布线反射率Rlw。另 夕h将基板反射光31rs与基板入射光31is之间的强度比称为基板反射率Rls。
[0063] 在对第二布线电路基板IOb进行检查时，通过图3的检查装置100向第二布线电路 基板IOb照射第二光。在图4的（b)中，将向布线图案13入射的第二光称为布线入射光32iw， 将被布线图案13反射来的第二光称为布线反射光32rw。另外，将向金属支承基板11入射的 第二光称为基板入射光32is，将被金属支承基板11反射来的第二光称为基板反射光32rs。
[0064] 布线入射光32iw透过覆盖绝缘层16而向布线图案13入射，布线反射光32rw透过覆 盖绝缘层16而向摄像装置120入射。基板入射光32is透过覆盖绝缘层16和基底绝缘层12而 向金属支承基板11入射，基板反射光32rs透过基底绝缘层12和覆盖绝缘层16而向摄像装置 120入射。摄像装置120基于布线反射光32rw和基板反射光32rs来生成第二布线电路基板 1化的图像。
[0065] 在此，将布线反射光32rw与布线入射光32iw之间的强度比称为布线反射率R2w。另 夕h将基板反射光32rs与基板入射光32is之间的强度比称为基板反射率R2S。
[0066] (4)第一布线电路基板和第二布线电路基板的光学特性
[0067] 图5是示出关于第一布线电路基板IOa的光的反射率与光的波长之间的关系的图。 在图5中，由实线表示布线反射率，由点划线表示基板反射率。另外，图6是示出关于第二布 线电路基板IOb的光的反射率与光的波长之间的关系的图。在图6中，由实线表示布线反射 率，由点划线表示基板反射率。
[006引如图5所示，关于第一布线电路基板10曰，在425nm~525nm的第一波长区域内，布线 反射率与基板反射率之间的差被确保为约2% W上。与此相对，在630nm~850nm的第二波长 区域内，布线反射率与基板反射率之间的差没有得到确保。
[0069] 运样，第一布线电路基板IOa具有W下的特性:针对第一光的布线反射率Rlw与基 板反射率Rls之间的差大于针对第二光的布线反射率R2W与基板反射率R2S之间的差。
[0070] 因而，在对第一布线电路基板IOa进行检查时，使用在425nmW上且525nmW下的第 一波长区域内具有峰值波长的第一光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13 与金属支承基板11之间的对比度变高。特别地，优选使用在450nmW上且525皿W下的波长 区域内具有峰值波长的第一光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13与金属 支承基板11之间的对比度进一步变高。
[0071] 如图6所示，关于第二布线电路基板10b，在630nm~85化m的第二波长区域内，布线 反射率与基板反射率之间的差被确保为约7 % W上。与此相对，在425nm~525nm的第一波长 区域内，与在630nm~850nm的第二波长区域内相比，布线反射率与基板反射率之间的差小。
[0072] 运样，第二布线电路基板IOb具有W下的特性:针对第二光的布线反射率R2W与基 板反射率R2S之间的差大于针对第一光的布线反射率Rlw与基板反射率Rls之间的差。
[0073] 因而，在对第二布线电路基板IOb进行检查时，使用在630nmW上且850nmW下的第 二波长区域内具有峰值波长的第二光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13 与金属支承基板11之间的对比度变高。特别地，优选使用在630nmW上且680皿W下的波长 区域内具有峰值波长的第二光。由此，在通过摄像装置120得到的图像中布线图案13与金属 支承基板11之间的对比度进一步变高。
[0074] 图7的(a)和(b)是示出在向第一布线电路基板IOa照射了第一光和第二光的情况 下通过摄像装置120得到的图像的例子的图。图8的(a)和(b)是示出在向第二布线电路基板 1化照射了第一光和第二光的情况下通过摄像装置120得到的图像的例子的图。
[0075] 图7的（a)的例子是在向第一布线电路基板IOa照射了峰值波长为450皿的第一光 的情况下得到的图像。图7的（b)的例子是在向第一布线电路基板IOa照射了峰值波长为 73化m的第二光的情况下得到的图像。图8的(a)的例子是在向第二布线电路基板IOb照射了 峰值波长为450nm的第一光的情况下得到的图像。图8的（b)的例子是在向第二布线电路基 板IOb照射了峰值波长为730nm的第二光的情况下得到的图像。
[0076] 在图7的(a)的第一布线电路基板IOa的例子中，针对第一光的布线反射率与基板 反射率之间的差大，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变高。由此， 布线图案13被鲜明地表现出。在图7的(b)的第一布线电路基板IOa的例子中，针对第二光的 布线反射率与基板反射率之间的差小，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的 对比度变低。由此，布线图案13变得不鲜明。
[0077] 与此相对，在图8的(a)的第二布线电路基板IOb的例子中，针对第一光的布线反射 率与基板反射率之间的差小，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度变 低。由此，布线图案13变得不鲜明。在图8的(b)的第二布线电路基板IOb的例子中，针对第二 光的布线反射率与基板反射率之间的差大，因此在图像中布线图案13与金属支承基板11之 间的对比度变高。由此，布线图案13被鲜明地表现出。
[0078] (5)实施方式的效果
[0079] 如上述那样，在基板集合体片50包括多个第一布线电路基板IOa的情况下，光源装 置110的第一光源111被点亮，并通过摄像装置120生成各第一布线电路基板IOa的图像。在 该情况下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度提高。因而，不添加制造步 骤就能够高精度地判定第一布线电路基板IOa的布线图案13是否良好。例如，能够基于所生 成的图像高精度地判定第一布线电路基板IOa中是否存在布线图案13之间的短路、布线图 案13的断开、细小物或异物的混入等缺陷。
[0080] 另外，在基板集合体片50包括多个第二布线电路基板IOb的情况下，光源装置110 的第二光源112被点亮，并通过摄像装置120生成各第二布线电路基板IOb的图像。在该情况 下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的对比度提高。因而，不添加制造步骤就能 够高精度地判定第二布线电路基板IOb的布线图案13是否良好。例如，能够基于所生成的图 像高精度地判定第二布线电路基板IOb是否存在布线图案13之间的短路、布线图案13的断 开、细小物或异物的混入等缺陷。
[0081] (6)实施例
[0082] 通过上述实施方式的图1的（a)~(d)的制造步骤制作出第一布线电路基板IOa和 第二布线电路基板10b，并利用图3的检查装置100进行检查。在检查中，选择性地使用各种 发光元件作为光源装置110的光源，通过摄像装置120生成第一布线电路基板IOa的图像和 第二布线电路基板IOb的图像。作为入射光，使用了具有450nm的峰值波长的蓝色光、在 680nm~850nm的波长区域内具有峰值波长的红色光和近红外光、具有比850nm长的峰值波 长的近红外光和远红外光、W及具有380nm~780nm的波长成分的白色光。向第一布线电路 基板IOa和第二布线电路基板IOb入射的入射光的入射角度是0~15°的范围内。
[0083] 在表2中示出图像是否良好的判定结果。
[0084] [表2]
[0085]
[0086] 在表帥，表示在图像中布线图案13是鲜明的，"X"表示在图像中布线图案13 不是鲜明的。
[0087] 如表2所示，在第一布线电路基板IOa的检查中使用了具有450nm的峰值波长的蓝 色的入射光的情况下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界是鲜明的。在第 一布线电路基板IOa的检查中使用了在680nm~850nm的波长区域内具有峰值波长的红色的 入射光和近红外的入射光的情况下，由于从金属支承基板11反射来的反射光而在图像中布 线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。在第一布线电路基板IOa的检查中使 用了具有大于850nm的峰值波长的近红外的入射光和远红外的入射光的情况下，由于从金 属支承基板11反射来的反射光而在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得 不鲜明。在第一布线电路基板IOa的检查中使用了含有380nm~78化m的波长成分的白色的 入射光的情况下，在图像中产生布线图案13的亮斑并且由于从金属支承基板11反射来的反 射光而使布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。
[0088] 在第二布线电路基板IOb的检查中使用了具有450皿的峰值波长的蓝色的入射光 的情况下，由于亮度不足而在图像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜 明。在第二布线电路基板IOb的检查中使用了在680nm~850nm的波长区域内具有峰值波长 的红色的入射光和近红外的入射光的情况下，在图像中布线图案13与金属支承基板11之间 的边界变得鲜明。在第二布线电路基板IOb的检查中使用了具有大于850nm的峰值波长的近 红外的入射光和远红外的入射光的情况下，由于从金属支承基板11反射来的反射光而在图 像中布线图案13与金属支承基板11之间的边界变得不鲜明。在第二布线电路基板IOb的检 查中使用了含有38化m~780nm的波长成分的白色的入射光的情况下，在图像中产生布线图 案13的亮斑。
[0089] 根据上述结果，在对第一布线电路基板IOa进行检查时，通过使用在425nm~525nm 的第一波长区域内具有峰值波长(在本例中为45化m)的紫色的入射光或蓝色的入射光，能 够高精度地判定布线图案13是否良好。另一方面，在对第二布线电路基板IOb进行检查时， 通过使用在630nm~85化m的第二波长区域(在本例子中为650nm~850nm)内具有峰值波长 的红色的入射光或近红外的入射光，能够高精度地判定布线图案13是否良好。
[0090] (7)其它实施方式
[0091] 光源装置110中的第一光源111和第二光源112的排列并不限定于上述实施方式中 的图3的（b)的排列。图9的（a)、（b)、（C)是示出光源装置110中的第一光源111和第二光源 112的排列的其它例子的示意图。
[0092] 在图9的(a)和(b)的例子中，在第一排沿水平方向交替地排列有多个发光二极管 Illa和多个发光二极管112a，在第二排沿水平方向交替地排列有多个发光二极管Illa和多 个发光二极管112a。在图9的（a)的例子中，第一排的各发光二极管Illa和第二排的各发光 二极管Illa沿上下方向排列，第一排的各发光二极管112a和第二排的各发光二极管112a沿 上下方向排列。在图9的（b)的例子中，第一排的各发光二极管Illa和第二排的各发光二极 管Illa沿倾斜方向排列，第一排的各发光二极管112a和第二排的各发光二极管112a沿倾斜 方向排列。在图9的(C)的例子中，多个发光二极管llla、112a被排列为4排。
[0093] 在上述实施方式中，使用发光二极管作为第一光源111和第二光源112,但是也可 W使用激光二极管等其它发光元件作为第一光源111和第二光源112。
[0094] 作为金属支承基板11的材料，也可W代替不诱钢而使用42合金(alloy42)、侣、铜- 被、憐青铜等其它金属或合金等。作为基底绝缘层12的材料，也可W代替聚酷亚胺而使用聚 酷胺酷亚胺、丙締酸类、聚酸讽、聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋、聚氯 乙締、环氧树脂等其它合成树脂。
[00M]作为导体图案14的材料，也可W代替铜而使用金(Au)、侣等其它金属或者铜合金、 侣合金等合金。作为金属覆盖层15的材料，也可W代替儀而使用锡等其它金属或合金。 [0096]作为覆盖绝缘层16的材料，也可W代替聚酷亚胺而使用聚酷胺酷亚胺、丙締酸类、 聚酸讽、聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋、聚氯乙締、环氧树脂等其它合 成树脂。
[0097]作为检查对象的布线电路基板并不限于带电路的悬挂基板，也可W是晓性布线电 路基板、COF(化ip on film:覆晶薄膜)基板等其它布线电路基板。
[00側产业上的可利用性
[0099]本发明能够使用于布线电路基板的制造或检查等。
【主权项】
1. 一种布线电路基板的制造方法，包括以下步骤： 制作布线电路基板，该布线电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘层、布线图案以 及第二绝缘层；以及 进行所述布线电路基板的检查， 其中，在制作所述布线电路基板的步骤中包括以下步骤：制作由第一绝缘材料形成所 述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一布线电路基板，或者制作由第二绝缘材料形成所述 第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二布线电路基板， 在进行所述检查的步骤中包括以下步骤： 在对所述第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光 照射到所述第一布线电路基板，在对所述第二布线电路基板进行检查时，将在与所述第一 波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到所述第二布线电路基板； 在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于从所述第一布线电路基板反射来的反射 光来生成所述第一布线电路基板的图像，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于从 所述第二布线电路基板反射来的反射光来生成所述第二布线电路基板的图像;以及 在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于所述第一布线电路基板的图像来判定所 述布线图案是否良好，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于所述第二布线电路基 板的图像来判定所述布线图案是否良好， 其中，将被所述布线图案反射而从所述布线电路基板出射的光与入射到了所述布线电 路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被所述金属支承基板反射而从所述布线电路 基板出射的光与入射到了所述布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率， 所述第一布线电路基板具有以下的特性:针对所述第一光的所述布线反射率与所述基 板反射率之间的差大于针对所述第二光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差， 所述第二布线电路基板具有以下的特性:针对所述第二光的所述布线反射率与所述基 板反射率之间的差大于针对所述第一光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差。2. 根据权利要求1所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于， 所述第一波长区域为425nm以上且525nm以下，所述第二波长区域为630nm以上且850nm 以下。3. 根据权利要求2所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于， 通过产生紫色光或蓝色光的第一发光元件向所述第一布线电路基板照射所述第一光， 通过产生红色光或红外光的第二发光元件向所述第二布线电路基板照射所述第二光。4. 根据权利要求2或3所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于， 关于在425nm以上且850nm以下的范围内的各波长，所述第一绝缘材料具有比所述第二 绝缘材料高的光的透射率。5. 根据权利要求4所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于， 所述第一绝缘材料的光透射率和所述第二绝缘材料的光的透射率随着光的波长在 425nm以上且850nm以下的范围内增加而增加。6. -种布线电路基板的检查方法，该布线电路基板依次包括金属支承基板、第一绝缘 层、布线图案以及第二绝缘层， 所述布线电路基板是由第一绝缘材料形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一 布线电路基板，或者是由第二绝缘材料形成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第二布线 电路基板， 所述检查方法包括以下步骤： 在对所述第一布线电路基板进行检查时，将在第一波长区域内具有峰值波长的第一光 照射到所述第一布线电路基板，在对所述第二布线电路基板进行检查时，将在与所述第一 波长区域不同的第二波长区域内具有峰值波长的第二光照射到所述第二布线电路基板； 在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于从所述第一布线电路基板反射来的反射 光来生成所述第一布线电路基板的图像，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于从 所述第二布线电路基板反射来的反射光来生成所述第二布线电路基板的图像;以及 在对所述第一布线电路基板进行检查时，基于所述第一布线电路基板的图像来判定所 述布线图案是否良好，在对所述第二布线电路基板进行检查时，基于所述第二布线电路基 板的图像来判定所述布线图案是否良好， 其中，将被所述布线图案反射而从所述布线电路基板出射的光与入射到了所述布线电 路基板的光之间的比例定义为布线反射率，将被所述金属支承基板反射而从所述布线电路 基板出射的光与入射到了所述布线电路基板的光之间的比例定义为基板反射率， 所述第一布线电路基板具有以下的特性:针对所述第一光的所述布线反射率与所述基 板反射率之间的差大于针对所述第二光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差， 所述第二布线电路基板具有以下的特性:针对所述第二光的所述布线反射率与所述基 板反射率之间的差大于针对所述第一光的所述布线反射率与所述基板反射率之间的差。
【文档编号】G01N21/956GK105979695SQ201610140787
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年3月11日
【发明人】丰田佳弘
【申请人】日东电工株式会社